JP3333399B2 - ワイヤボンディング装置用キャピラリ - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はワイヤボンデイング
装置に用いるキャピラリに関する。
装置に用いるキャピラリに関する。
【0002】
【従来の技術】まず、本題に入る前にワイヤボンデイン
グ方法について説明する。ワイヤボンデイング方法に
は、種々の方法が提案されているが、最も一般的な方法
を図4に示す。図4において、まず、(a)に示すよう
に、キャピラリ4の下端より延在するワイヤ3に電気ト
ーチ5による火花放電によってボール3aを作る。その
後、電気トーチ5は矢印方向へ移動する。次に(b)に
示すように、キャピラリ4は第1ボンド点1aの上方に
移動する。続いて(c)に示すように、キャピラリ4が
下降し、ワイヤ3の先端のボール3aを第1ボンド点1
aに押し付け、キャピラリ4を保持するホーンにより該
キャピラリ4に超音波振動を印加してボール3aをボン
デイングする。
グ方法について説明する。ワイヤボンデイング方法に
は、種々の方法が提案されているが、最も一般的な方法
を図4に示す。図4において、まず、(a)に示すよう
に、キャピラリ4の下端より延在するワイヤ3に電気ト
ーチ5による火花放電によってボール3aを作る。その
後、電気トーチ5は矢印方向へ移動する。次に(b)に
示すように、キャピラリ4は第1ボンド点1aの上方に
移動する。続いて(c)に示すように、キャピラリ4が
下降し、ワイヤ3の先端のボール3aを第1ボンド点1
aに押し付け、キャピラリ4を保持するホーンにより該
キャピラリ4に超音波振動を印加してボール3aをボン
デイングする。
【0003】その後、(d)に示すように、キャピラリ
4は上昇する。続いて(e)に示すように、キャピラリ
4はルーピング方向Aの第2ボンド点2aの上方に移動
する。次に(f)に示すように、キャピラリ4が下降し
て第2ボンド点2aにワイヤ3を押し付け、ホーンによ
りキャピラリ4に超音波振動を印加してワイヤ3をボン
デイングする。その後、キャピラリ4が一定の位置へ上
昇した後、クランパ6が閉じ、キャピラリ4とクランパ
6が共に上昇して(g)に示すようにワイヤ3を切断す
る。これにより、1本のワイヤ接続が完了する。なお、
この種のワイヤボンデイング方法に関連するものとし
て、例えば特開昭57−87143号公報、特公平1−
26531号公報等があげられる。
4は上昇する。続いて(e)に示すように、キャピラリ
4はルーピング方向Aの第2ボンド点2aの上方に移動
する。次に(f)に示すように、キャピラリ4が下降し
て第2ボンド点2aにワイヤ3を押し付け、ホーンによ
りキャピラリ4に超音波振動を印加してワイヤ3をボン
デイングする。その後、キャピラリ4が一定の位置へ上
昇した後、クランパ6が閉じ、キャピラリ4とクランパ
6が共に上昇して(g)に示すようにワイヤ3を切断す
る。これにより、1本のワイヤ接続が完了する。なお、
この種のワイヤボンデイング方法に関連するものとし
て、例えば特開昭57−87143号公報、特公平1−
26531号公報等があげられる。
【0004】従来、前記キャピラリ4として、図2に示
すように、ワイヤ挿通用ホール10の先端にチャンファ
ー11が形成されたものと、図3に示すように、ワイヤ
挿通用ホール10の先端に2個の下方及び上方のチャン
ファー11、12が形成されたものが知られている。な
お、HDはホール径、Tはチップ径、CDは下方のチャ
ンファー11のチャンファー径、θ1 は下方のチャンフ
ァー11のチャンファー角度、θ2 は上方のチャンファ
ー12のチャンファー角度、αはフェース角度、ORは
アウターラディアスを示す。そして、ワイヤ3の線径を
dとすると、HDはd+(8〜12)μm、θ1 は80
〜100度、θ2 は20〜40度に形成されている。こ
の種のキャピラリ4として、例えば実公平1−4234
9号公報、特公平3−780号公報等に示すものが知ら
れている。
すように、ワイヤ挿通用ホール10の先端にチャンファ
ー11が形成されたものと、図3に示すように、ワイヤ
挿通用ホール10の先端に2個の下方及び上方のチャン
ファー11、12が形成されたものが知られている。な
お、HDはホール径、Tはチップ径、CDは下方のチャ
ンファー11のチャンファー径、θ1 は下方のチャンフ
ァー11のチャンファー角度、θ2 は上方のチャンファ
ー12のチャンファー角度、αはフェース角度、ORは
アウターラディアスを示す。そして、ワイヤ3の線径を
dとすると、HDはd+(8〜12)μm、θ1 は80
〜100度、θ2 は20〜40度に形成されている。こ
の種のキャピラリ4として、例えば実公平1−4234
9号公報、特公平3−780号公報等に示すものが知ら
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、キャ
ピラリ4を2個の下方及び上方のチャンファー11、1
2とすることにより、図4に示す第1ボンド点1aにボ
ール3aをボンディングした場合において、上方のチャ
ンファー12を設けることにより、チャンファー11、
12内の合計体積が大きくなるため、ボンディングする
ボール3aは上方のチャンファー12内に入ってしまう
量が多くなり、上方のチャンファー12より外側にある
量が少なくなるので、圧着ボール径は必然的に小さくな
る。
ピラリ4を2個の下方及び上方のチャンファー11、1
2とすることにより、図4に示す第1ボンド点1aにボ
ール3aをボンディングした場合において、上方のチャ
ンファー12を設けることにより、チャンファー11、
12内の合計体積が大きくなるため、ボンディングする
ボール3aは上方のチャンファー12内に入ってしまう
量が多くなり、上方のチャンファー12より外側にある
量が少なくなるので、圧着ボール径は必然的に小さくな
る。
【0006】ところで、半導体ICチップの高集積化に
より、チップのパッドがファインピッチ化するに伴って
ワイヤ3の線径に対し、ボンディング後の圧着ボール径
は従来より小さくなる。上記従来技術はホール径HDを
線径dより8〜12μm大きくし、2個の下方及び上方
のチャンファー11、12とすることにより、図3に示
す第1ボンド点1aにボール3aをボンディングした場
合において、上方のチャンファー12の体積を大きくす
ることにより、圧着ボール径を小さくしたものである。
なお、上記従来技術は、ワイヤ3の線径dが20〜80
μmの範囲のものにも適用できるようになっているが、
ワイヤ3の線径dが10〜30μmと小さい場合には、
従来のキャピラリ4では種々の問題が生ずることが判明
した。
より、チップのパッドがファインピッチ化するに伴って
ワイヤ3の線径に対し、ボンディング後の圧着ボール径
は従来より小さくなる。上記従来技術はホール径HDを
線径dより8〜12μm大きくし、2個の下方及び上方
のチャンファー11、12とすることにより、図3に示
す第1ボンド点1aにボール3aをボンディングした場
合において、上方のチャンファー12の体積を大きくす
ることにより、圧着ボール径を小さくしたものである。
なお、上記従来技術は、ワイヤ3の線径dが20〜80
μmの範囲のものにも適用できるようになっているが、
ワイヤ3の線径dが10〜30μmと小さい場合には、
従来のキャピラリ4では種々の問題が生ずることが判明
した。
【0007】ホール径HDがワイヤ3の線径dより8〜
12μmと大きく、また上方のチャンファー12のチャ
ンファー角度θ2 が20〜40度と大きいと、半導体I
Cチップのファインピッチに伴い、目標とする圧着ボー
ル径を小さくするためには、前記したようにボール3a
は必然的に小さくせざるを得なくなる。しかし、上記の
ように、ホール径HDがワイヤ3の線径dより8〜12
μmと大きく、また上方のチャンファー12のチャンフ
ァー角度θ2 が20〜40度と大きいと、チャンファー
12の下端のエッジ部13で接するようになる。
12μmと大きく、また上方のチャンファー12のチャ
ンファー角度θ2 が20〜40度と大きいと、半導体I
Cチップのファインピッチに伴い、目標とする圧着ボー
ル径を小さくするためには、前記したようにボール3a
は必然的に小さくせざるを得なくなる。しかし、上記の
ように、ホール径HDがワイヤ3の線径dより8〜12
μmと大きく、また上方のチャンファー12のチャンフ
ァー角度θ2 が20〜40度と大きいと、チャンファー
12の下端のエッジ部13で接するようになる。
【0008】このような状態でボンディングを行うと、
キャピラリ4が下降すると、ボール3aは初期段階では
エッジ部13により切断され、チャンファー12の真下
部分はチャンファー12を通してワイヤ挿通用ホール1
0に入り込み、他の部分は下方のチャンファー11に徐
々に接し、最後に下方のチャンファー11全面に接す
る。その後、フェース角度αの部分に入る。この時、チ
ャンファー12及びワイヤ挿通用ホール10内に入った
部分については、接合に必要な力を伝達することができ
なくなる。下方のチャンファー11面内及びフェース角
度αの下部にある部分のみが接合に必要な力を伝達でき
るため、チャンファー12及びワイヤ挿通用ホール10
内に入る量が大きいと接合力が低下する。またチャンフ
ァー12及びワイヤ挿通用ホール10に入り込んだ部分
は、ワイヤ挿通用ホール10の側面と鉛直方向に接して
いるため、キャピラリ4が上昇する時に摩擦となり、第
1ボンド点1aにボンディングされた圧着ボールを剥す
力となると共に、圧着力を弱める。
キャピラリ4が下降すると、ボール3aは初期段階では
エッジ部13により切断され、チャンファー12の真下
部分はチャンファー12を通してワイヤ挿通用ホール1
0に入り込み、他の部分は下方のチャンファー11に徐
々に接し、最後に下方のチャンファー11全面に接す
る。その後、フェース角度αの部分に入る。この時、チ
ャンファー12及びワイヤ挿通用ホール10内に入った
部分については、接合に必要な力を伝達することができ
なくなる。下方のチャンファー11面内及びフェース角
度αの下部にある部分のみが接合に必要な力を伝達でき
るため、チャンファー12及びワイヤ挿通用ホール10
内に入る量が大きいと接合力が低下する。またチャンフ
ァー12及びワイヤ挿通用ホール10に入り込んだ部分
は、ワイヤ挿通用ホール10の側面と鉛直方向に接して
いるため、キャピラリ4が上昇する時に摩擦となり、第
1ボンド点1aにボンディングされた圧着ボールを剥す
力となると共に、圧着力を弱める。
【0009】本発明の課題は、ワイヤ線径が10〜30
μmの場合において、ボール接合力の向上が図れるキャ
ピラリを提供することにある。
μmの場合において、ボール接合力の向上が図れるキャ
ピラリを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の手段は、ワイヤ挿通用ホールの先端にチャン
ファーを形成したワイヤボンディング装置用キャピラリ
において、前記ワイヤ挿通用ホールを2段の第1及び第
2のワイヤ挿通用ホールとし、上方の第1のワイヤ挿通
用ホールの第1のホール径をワイヤ線径より3〜8μm
未満大きく形成し、第2のワイヤ挿通用ホールの第2の
ホール径を前記第1のホール径より5〜10μm大きく
形成し、かつ第2のワイヤ挿通用ホールの高さを10〜
50μmとしたことを特徴とする。
の本発明の手段は、ワイヤ挿通用ホールの先端にチャン
ファーを形成したワイヤボンディング装置用キャピラリ
において、前記ワイヤ挿通用ホールを2段の第1及び第
2のワイヤ挿通用ホールとし、上方の第1のワイヤ挿通
用ホールの第1のホール径をワイヤ線径より3〜8μm
未満大きく形成し、第2のワイヤ挿通用ホールの第2の
ホール径を前記第1のホール径より5〜10μm大きく
形成し、かつ第2のワイヤ挿通用ホールの高さを10〜
50μmとしたことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1によ
り説明する。なお、図2及び図3と同じ又は相当部分に
は同一符号を付して説明する。本実施の形態は、ワイヤ
挿通用ホール10を2段の第1及び第2のワイヤ挿通用
ホール15、16とし、上方の第1のワイヤ挿通用ホー
ル15の第1のホール径HD1 をワイヤ線径dより3〜
8μm未満大きく形成し、第2のワイヤ挿通用ホール1
6の第2のホール径HD2 を前記第1のホール径HD1
より5〜10μm大きく形成し、かつ第2のワイヤ挿通
用ホール16の高さHHを10〜50μmとした。な
お、チャンファー角度θ1は、従来と同じに80〜10
0度に形成した。
り説明する。なお、図2及び図3と同じ又は相当部分に
は同一符号を付して説明する。本実施の形態は、ワイヤ
挿通用ホール10を2段の第1及び第2のワイヤ挿通用
ホール15、16とし、上方の第1のワイヤ挿通用ホー
ル15の第1のホール径HD1 をワイヤ線径dより3〜
8μm未満大きく形成し、第2のワイヤ挿通用ホール1
6の第2のホール径HD2 を前記第1のホール径HD1
より5〜10μm大きく形成し、かつ第2のワイヤ挿通
用ホール16の高さHHを10〜50μmとした。な
お、チャンファー角度θ1は、従来と同じに80〜10
0度に形成した。
【0012】実公平1−42349号及び特公平3−7
80号(図3参照)においては、ワイヤ線径dは20〜
80μm、ホール径HDはd+(8〜12)μm、チャ
ンファー角度θ2 は20〜40度となっており、30μ
m以下の小さなワイヤ線径dも含まれている。しかし、
本発明が対象とするワイヤ線径dが10〜30μmの場
合には、従来の条件ではあまり好ましい結果は得られな
かった。本実施の形態は、ワイヤ線径dが10〜30μ
mの場合、第1のホール径HD1 はd+(3〜8)μm
未満で従来より小さい。また第2のホール径HD2 はH
D1 +(5〜10)μmで従来のホール径HDとほぼ同
じに形成されている。このため、第1ボンド点1aにお
けるボンド時には、潰れたボール3aが第1のワイヤ挿
通用ホール15に入り込む量は第2のワイヤ挿通用ホー
ル16の上方の段部で抑えられる。即ち、第1のワイヤ
挿通用ホール15に入り込む量が少ないので、ワイヤ線
径dが小さくて小ボールの場合は、チャンファー11で
ボール3aを押し潰す量が多くなり、圧着力は向上す
る。
80号(図3参照)においては、ワイヤ線径dは20〜
80μm、ホール径HDはd+(8〜12)μm、チャ
ンファー角度θ2 は20〜40度となっており、30μ
m以下の小さなワイヤ線径dも含まれている。しかし、
本発明が対象とするワイヤ線径dが10〜30μmの場
合には、従来の条件ではあまり好ましい結果は得られな
かった。本実施の形態は、ワイヤ線径dが10〜30μ
mの場合、第1のホール径HD1 はd+(3〜8)μm
未満で従来より小さい。また第2のホール径HD2 はH
D1 +(5〜10)μmで従来のホール径HDとほぼ同
じに形成されている。このため、第1ボンド点1aにお
けるボンド時には、潰れたボール3aが第1のワイヤ挿
通用ホール15に入り込む量は第2のワイヤ挿通用ホー
ル16の上方の段部で抑えられる。即ち、第1のワイヤ
挿通用ホール15に入り込む量が少ないので、ワイヤ線
径dが小さくて小ボールの場合は、チャンファー11で
ボール3aを押し潰す量が多くなり、圧着力は向上す
る。
【0013】第1のホール径HD1 をd+(3〜8)μ
m未満と小さくし、また第2のホール径HD2 を従来の
ホール径HDとほぼ同じとしたので、第2ボンド点2a
へのボンディングは従来とほぼ同じように作用する。ま
たワイヤ線径dが10〜30μmの場合には、第2ボン
ド点2aへのボンド時におけるワイヤ3の潰れは少な
く、潰れたワイヤ3の流れ(拡がり)はあまり問題とは
ならない。
m未満と小さくし、また第2のホール径HD2 を従来の
ホール径HDとほぼ同じとしたので、第2ボンド点2a
へのボンディングは従来とほぼ同じように作用する。ま
たワイヤ線径dが10〜30μmの場合には、第2ボン
ド点2aへのボンド時におけるワイヤ3の潰れは少な
く、潰れたワイヤ3の流れ(拡がり)はあまり問題とは
ならない。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、ワイヤ挿通用ホールを
2段の第1及び第2のワイヤ挿通用ホールとし、上方の
第1のワイヤ挿通用ホールの第1のホール径をワイヤ線
径より3〜8μm未満大きく形成し、第2のワイヤ挿通
用ホールの第2のホール径を前記第1のホール径より5
〜10μm大きく形成し、かつ第2のワイヤ挿通用ホー
ルの高さを10〜50μmとしたので、ボンダビリィテ
ィの向上が図れるホール形状を有するキャピラリが得ら
れる。
2段の第1及び第2のワイヤ挿通用ホールとし、上方の
第1のワイヤ挿通用ホールの第1のホール径をワイヤ線
径より3〜8μm未満大きく形成し、第2のワイヤ挿通
用ホールの第2のホール径を前記第1のホール径より5
〜10μm大きく形成し、かつ第2のワイヤ挿通用ホー
ルの高さを10〜50μmとしたので、ボンダビリィテ
ィの向上が図れるホール形状を有するキャピラリが得ら
れる。
【図1】本発明のキャピラリの一実施の形態を示す断面
図である。
図である。
【図2】従来のキャピラリの1例を示す断面図である。
【図3】従来のキャピラリの他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図4】(a)乃至(g)はワイヤボンディング方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
4 キャピラリ 10 ワイヤ挿通用ホール 11 チャンファー 15 第1のワイヤ挿通用ホール 16 第2のワイヤ挿通用ホール θ1 チャンファー角度 HD1 第1のホール径 HD2 第2のホール径 HH 第2のワイヤ挿通用ホールの高さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−191338(JP,A) 特開 昭61−125144(JP,A) 特開 平4−69943(JP,A) 実開 昭60−99537(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60
Claims (1)
- 【請求項1】 ワイヤ挿通用ホールの先端にチャンファ
ーを形成したワイヤボンディング装置用キャピラリにお
いて、前記ワイヤ挿通用ホールを2段の第1及び第2の
ワイヤ挿通用ホールとし、上方の第1のワイヤ挿通用ホ
ールの第1のホール径をワイヤ線径より3〜8μm未満
大きく形成し、第2のワイヤ挿通用ホールの第2のホー
ル径を前記第1のホール径より5〜10μm大きく形成
し、かつ第2のワイヤ挿通用ホールの高さを10〜50
μmとしたことを特徴とするワイヤボンディング装置用
キャピラリ。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23854296A JP3333399B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | ワイヤボンディング装置用キャピラリ |
TW086211289U TW331979U (en) | 1996-08-21 | 1997-07-07 | Capillary for use in a wire bonding apparatus |
KR1019970031873A KR100255000B1 (ko) | 1996-08-21 | 1997-07-10 | 와이어 본딩장치용 캐필러리 |
US08/915,819 US5906308A (en) | 1996-08-21 | 1997-08-21 | Capillary for use in a wire bonding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23854296A JP3333399B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | ワイヤボンディング装置用キャピラリ |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1064941A JPH1064941A (ja) | 1998-03-06 |
JP3333399B2 true JP3333399B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=17031810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23854296A Expired - Fee Related JP3333399B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | ワイヤボンディング装置用キャピラリ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP3333399B2 (ja) |
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WO1999033100A1 (fr) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Toto Ltd. | Capillaire de microcablage |
JP3474513B2 (ja) * | 2000-03-09 | 2003-12-08 | 沖電気工業株式会社 | キャピラリ |
IT1317214B1 (it) * | 2000-04-11 | 2003-05-27 | St Microelectronics Srl | Struttura di capillare per il collegamento di fili di rame da un chipdi circuito a semiconduttore e un connettore terminale corrispondente |
GB2362036A (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-07 | Pixelfusion Ltd | Forming pin contacts to electronic devices |
GB2362504A (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-21 | Pixel Fusion Ltd | Pin contacts |
DE60130111D1 (de) * | 2000-04-20 | 2007-10-04 | Elwyn Paul Michael Wakefield | Verfahren zur herstellung elektrischer/mechanischer verbindungen |
US6910612B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-06-28 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Capillary with contained inner chamfer |
US6715658B2 (en) | 2001-07-17 | 2004-04-06 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Ultra fine pitch capillary |
US20080197461A1 (en) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd. | Apparatus for wire bonding and integrated circuit chip package |
JP4625858B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2011-02-02 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング制御プログラム |
CN102549730B (zh) * | 2009-09-30 | 2015-02-11 | Toto株式会社 | 焊接劈刀 |
US9093515B2 (en) * | 2013-07-17 | 2015-07-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wire bonding capillary with working tip protrusion |
DE112018007032T5 (de) * | 2018-02-07 | 2020-10-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Keilwerkzeug, Bondvorrichtung und Bondprüfverfahren |
CN116000511B (zh) * | 2022-12-26 | 2024-04-09 | 深圳市海志亿半导体工具有限公司 | 一种增强细间距送丝成形效果的劈刀刀头 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5787143A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Shinkawa Ltd | Method for wire bonding |
US4955523A (en) * | 1986-12-17 | 1990-09-11 | Raychem Corporation | Interconnection of electronic components |
JPH0228587B2 (ja) * | 1987-07-22 | 1990-06-25 | Nippon Light Metal Co | Shibosankuroraidonoseizohoho |
JPH01201934A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンディング方法及びキャピラリチップ |
JPH01201933A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンディング方法及びその装置 |
JPH01273325A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Toshiba Corp | キャピラリ及び該キャピラリを使用する半導体装置の製造方法 |
JP2779838B2 (ja) * | 1989-05-29 | 1998-07-23 | 株式会社サクラクレパス | 固型修正剤組成物 |
US5421503A (en) * | 1994-08-24 | 1995-06-06 | Kulicke And Soffa Investments, Inc. | Fine pitch capillary bonding tool |
US5558270A (en) * | 1995-01-06 | 1996-09-24 | Kulicke And Soffa Investments, Inc | Fine pitch capillary/wedge bonding tool |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP23854296A patent/JP3333399B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-07 TW TW086211289U patent/TW331979U/zh unknown
- 1997-07-10 KR KR1019970031873A patent/KR100255000B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-08-21 US US08/915,819 patent/US5906308A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1064941A (ja) | 1998-03-06 |
TW331979U (en) | 1998-05-11 |
KR100255000B1 (ko) | 2000-05-01 |
KR19980018181A (ko) | 1998-06-05 |
US5906308A (en) | 1999-05-25 |
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