JP3532361B2 - Ｉｃ電極上への突起電極形成方法 - Google Patents
Ｉｃ電極上への突起電極形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ電極上への突
起電極形成方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、電子機器は、小型化、軽量化、お
よび高機能化へ向けて開発が進み、それに伴い、電子部
品に対しても同様に小型化、軽量化および高機能化が要
求されている。この観点から、本発明に関連するＩＣ電
極上への突起電極形成方法においては、ワイヤボンド技
術を用いた実装方法が用いられている。 【０００３】以下、図面を参照しながら、上述した従来
のワイヤボンド技術を用いたＩＣ電極上への突起電極形
成方法について説明する。図３は、従来の突起電極形成
方法を示す概要図である。図において、１はＡｕ線、２
はＡｕボール、３はボンディングキャピラリー、４はＩ
Ｃ電極、５はボールボンド部、６は突起電極である。 【０００４】次に、ＩＣ電極上への突起電極形成方法に
ついて説明する。図３（ａ）において、Ａｕ線１の先端
に形成されたＡｕボール２を、同図（ｂ）に示すよう
に、ＩＣ電極４上に供給し、ボンディングキャピラリー
３によりＩＣ電極４上に接合される。その後、ボンディ
ングキャピラリーは上昇し、側方に移動後下降し、同図
（ｃ）に示すように、ボールボンド５と接合する。その
後、キャピラリーを上昇させ、Ａｕ線を切断し、同図
（ｄ）に示すような突起電極を形成する。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような突起電極形成方法では、図３（ｃ）に示すよう
に、キャピラリーによるＡｕ線の切断時に、Ａｕ線がＩ
Ｃ電極部に接触するため、電極の接合時の状態が不安定
となり、図４（ａ）（ｂ）に示すように、電極が異常形
状を呈し、さらに、ＩＣ電極材料がＡｕ線の先端に付着
し、図４（ｃ）に示すように、Ａｕボールが正常に形成
できないという問題点を有していた。 【０００６】本発明は上記問題点に鑑み、電極形状の異
常が生じないＩＣ電極上への突起電極形成方法を提供す
ることを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明のＩＣ電極上への突起電極形成方法は、ワイ
ヤボンド手段によりボールボンドをＩＣ電極上に形成し
た後に、ボンディングキャピラリーを上昇させ、横方向
に移動後下降させ、ボールボンド部にＡｕ線を接合して
切断する方法において、ボンディングキャピラリーの下
降位置を、ボールボンド形成位置より高い位置に予め設
定することによって、Ａｕ線をボールボンド部以外の周
辺に接触させないようにしたことを特徴とするものであ
る。 【０００８】本発明は上記した構成によって、ボールボ
ンド部にＡｕ線を接合させる時に、Ａｕ線がボールボン
ド部以外の周辺に接触することなく、ＩＣ電極上に突起
電極を形成することができる。 【０００９】 【００１０】【発明の実施の形態】 本発明の 請求項１に記載の発明
は、ワイヤボンド手段によりボンディングキャピラリー
を第１回目下降させボールボンドをＩＣ電極上に形成し
た後に、ボンディングキャピラリーを上昇させ、横方向
に移動後第２回目下降させ、ボールボンド部にＡｕ線を
接合して切断する突起電極形成方法において、ボンディ
ングキャピラリーのチャンファー角度を９０度以下に
し、前記ボールボンド部の高さをＡｕ線の径に比べ高く
することを特徴とするものであり、ボールボンド部の高
さを高くすることにより、ボンディングキャピラリーに
よるＡｕ線の切断時におけるＡｕ線と電極部との接触を
防止することができる。 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【００１５】以下、本発明の実施の形態について、図
１、図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の突起電極形成方法の第
１実施例を示し、Ａｕ線をボールボンド部に接合させた
時に、Ａｕ線がボールボント部以外には接触しないよう
にした突起電極形成方法を示す各工程の断面図である。 【００１６】図１において、１はＡｕ線、３はボンディ
ングキャピラリー、４はＩＣ電極、５はボールボンド部
である。次に、ＩＣ電極上への突起電極形成方法につい
て、図１および図２によりその動作を説明する。図１
（ａ）はボールボンド形成時の断面図で、図１（ｂ）は
ボンディングキャピラリーの下降位置におけるＡｕ線と
接合した状態を示す断面図、図１（ｃ）は突起電極の断
面図である。 【００１７】図２はボンディングキャピラリーの断面
図、７はチャンファー角度、８はアウターラディアス、
９はチャンファー径、１０はフェイス角度、１１はコー
ン角度である。まず、図１（ａ）における、ボールボン
ド形成時のボンディングキャピラリー３の高さ位置を装
置が記憶し、同図（ｂ）における、ボンディングキャピ
ラリーが下降し、ボールボンド部のＡｕ線と接合する時
のボンディングキャピラリーの高さ位置を、ボールボン
ディング時の位置よりも高い位置に予め指定する。 【００１８】このように、ボンディングキャピラリーの
下降位置を、ボンディング時の位置よりも高い位置に予
め定めておくことによって、キャピラリーによるＡｕ線
の切断時に、Ａｕ線がキャピラリーによって押圧されて
も、ＩＣ電極部に接触するのを防止することができる。 （実施の形態２）図２に示すように、ボンディングキャ
ピラリー３のチャンファー角度７を、９０度以下とする
ことにより、ボールボンド部の高さをＡｕ線の径に比べ
て高くする。 【００１９】このように、ボールボンド部の高さを高く
することにより、ボンディングキャピラリーによるＡｕ
線の切断時における、Ａｕ線と電極部との接触を防止す
ることができる。 （実施の形態３）図２に示すように、ボンディングキャ
ピラリー３のチャンファー径９を、ボールボンド径より
も大きくすることによって、ボールボンド形成時におい
て、ボールボンド部が、外方に広がることを防ぎ、Ａｕ
線の接合状態を安定にすることができる。このように、
Ａｕ線の接合状態を安定にすることによって、ボンディ
ングキャピラリーによるＡｕ線の切断時におけるＡｕ線
と電極部との接触を防止することができる。 （実施の形態４）図２に示すように、ボンディングキャ
ピラリー３のアウターラディアス部８の先端部の厚さ
を、例えば１０μｍ以下とし、先鋭な形状とすることに
より、Ａｕ線の切断時において、切断力をアウターラデ
ィアス部８の先端に集中することができる。このよう
に、Ａｕ線は小さい切断力により切断されるので、切断
時における電極部との接触を防止することができる。 （実施の形態５）図１（ｂ）に示すように、ボールボン
ド部の斜面に対し、ボンディングキャピラリーのアウタ
ーラディアス部が、均等に接触するように、アウターラ
ディアス部の角度を設定することにより、ボンディング
キャピラリーとＡｕ線の接合効果を向上させ、安定して
Ａｕ線を切断することができる。 （実施の形態６）図１（ｂ）に示すように、ボンディン
グキャピラリー３をボールボンド部５の斜面の中央部よ
り上方でＡｕ線１と接合させることにより、Ａｕ線の接
合のばらつきに対しても、安定した状態でＡｕ線を接合
し、切断することができる。 【００２０】なお、上記実施例においては、突起電極材
料としてＡｕを用いたが、突起電極材料としてはＡｕに
限定されるものではなく、その他の金属においても同様
の効果を得ることができる。 【００２１】 【発明の効果】以上のように本発明は、上記の各方法を
用いることにより、ワイヤボンド技術を用いたボールボ
ンドをＩＣ電極上に形成した後に、ボンディングキャピ
ラリーを上昇させ、横方向に移動後下降させ、ボールボ
ンド部にＡｕ線を接合する方法において、Ａｕ線はボー
ルボンド部以外の周辺には接触しないので、Ａｕ線がボ
ールボンド部以外の例えば電極部に接触することにより
生ずるＡｕ線の接合条件の不安定性を防ぎ、さらに、Ｉ
Ｃ電極材料がＡｕ線に付着することにより発生する突起
電極の異常形状を防ぎ、高品質で高精度にＩＣ電極上へ
の突起電極の形成を実現することができる。
起電極形成方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、電子機器は、小型化、軽量化、お
よび高機能化へ向けて開発が進み、それに伴い、電子部
品に対しても同様に小型化、軽量化および高機能化が要
求されている。この観点から、本発明に関連するＩＣ電
極上への突起電極形成方法においては、ワイヤボンド技
術を用いた実装方法が用いられている。 【０００３】以下、図面を参照しながら、上述した従来
のワイヤボンド技術を用いたＩＣ電極上への突起電極形
成方法について説明する。図３は、従来の突起電極形成
方法を示す概要図である。図において、１はＡｕ線、２
はＡｕボール、３はボンディングキャピラリー、４はＩ
Ｃ電極、５はボールボンド部、６は突起電極である。 【０００４】次に、ＩＣ電極上への突起電極形成方法に
ついて説明する。図３（ａ）において、Ａｕ線１の先端
に形成されたＡｕボール２を、同図（ｂ）に示すよう
に、ＩＣ電極４上に供給し、ボンディングキャピラリー
３によりＩＣ電極４上に接合される。その後、ボンディ
ングキャピラリーは上昇し、側方に移動後下降し、同図
（ｃ）に示すように、ボールボンド５と接合する。その
後、キャピラリーを上昇させ、Ａｕ線を切断し、同図
（ｄ）に示すような突起電極を形成する。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような突起電極形成方法では、図３（ｃ）に示すよう
に、キャピラリーによるＡｕ線の切断時に、Ａｕ線がＩ
Ｃ電極部に接触するため、電極の接合時の状態が不安定
となり、図４（ａ）（ｂ）に示すように、電極が異常形
状を呈し、さらに、ＩＣ電極材料がＡｕ線の先端に付着
し、図４（ｃ）に示すように、Ａｕボールが正常に形成
できないという問題点を有していた。 【０００６】本発明は上記問題点に鑑み、電極形状の異
常が生じないＩＣ電極上への突起電極形成方法を提供す
ることを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明のＩＣ電極上への突起電極形成方法は、ワイ
ヤボンド手段によりボールボンドをＩＣ電極上に形成し
た後に、ボンディングキャピラリーを上昇させ、横方向
に移動後下降させ、ボールボンド部にＡｕ線を接合して
切断する方法において、ボンディングキャピラリーの下
降位置を、ボールボンド形成位置より高い位置に予め設
定することによって、Ａｕ線をボールボンド部以外の周
辺に接触させないようにしたことを特徴とするものであ
る。 【０００８】本発明は上記した構成によって、ボールボ
ンド部にＡｕ線を接合させる時に、Ａｕ線がボールボン
ド部以外の周辺に接触することなく、ＩＣ電極上に突起
電極を形成することができる。 【０００９】 【００１０】【発明の実施の形態】 本発明の 請求項１に記載の発明
は、ワイヤボンド手段によりボンディングキャピラリー
を第１回目下降させボールボンドをＩＣ電極上に形成し
た後に、ボンディングキャピラリーを上昇させ、横方向
に移動後第２回目下降させ、ボールボンド部にＡｕ線を
接合して切断する突起電極形成方法において、ボンディ
ングキャピラリーのチャンファー角度を９０度以下に
し、前記ボールボンド部の高さをＡｕ線の径に比べ高く
することを特徴とするものであり、ボールボンド部の高
さを高くすることにより、ボンディングキャピラリーに
よるＡｕ線の切断時におけるＡｕ線と電極部との接触を
防止することができる。 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【００１５】以下、本発明の実施の形態について、図
１、図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の突起電極形成方法の第
１実施例を示し、Ａｕ線をボールボンド部に接合させた
時に、Ａｕ線がボールボント部以外には接触しないよう
にした突起電極形成方法を示す各工程の断面図である。 【００１６】図１において、１はＡｕ線、３はボンディ
ングキャピラリー、４はＩＣ電極、５はボールボンド部
である。次に、ＩＣ電極上への突起電極形成方法につい
て、図１および図２によりその動作を説明する。図１
（ａ）はボールボンド形成時の断面図で、図１（ｂ）は
ボンディングキャピラリーの下降位置におけるＡｕ線と
接合した状態を示す断面図、図１（ｃ）は突起電極の断
面図である。 【００１７】図２はボンディングキャピラリーの断面
図、７はチャンファー角度、８はアウターラディアス、
９はチャンファー径、１０はフェイス角度、１１はコー
ン角度である。まず、図１（ａ）における、ボールボン
ド形成時のボンディングキャピラリー３の高さ位置を装
置が記憶し、同図（ｂ）における、ボンディングキャピ
ラリーが下降し、ボールボンド部のＡｕ線と接合する時
のボンディングキャピラリーの高さ位置を、ボールボン
ディング時の位置よりも高い位置に予め指定する。 【００１８】このように、ボンディングキャピラリーの
下降位置を、ボンディング時の位置よりも高い位置に予
め定めておくことによって、キャピラリーによるＡｕ線
の切断時に、Ａｕ線がキャピラリーによって押圧されて
も、ＩＣ電極部に接触するのを防止することができる。 （実施の形態２）図２に示すように、ボンディングキャ
ピラリー３のチャンファー角度７を、９０度以下とする
ことにより、ボールボンド部の高さをＡｕ線の径に比べ
て高くする。 【００１９】このように、ボールボンド部の高さを高く
することにより、ボンディングキャピラリーによるＡｕ
線の切断時における、Ａｕ線と電極部との接触を防止す
ることができる。 （実施の形態３）図２に示すように、ボンディングキャ
ピラリー３のチャンファー径９を、ボールボンド径より
も大きくすることによって、ボールボンド形成時におい
て、ボールボンド部が、外方に広がることを防ぎ、Ａｕ
線の接合状態を安定にすることができる。このように、
Ａｕ線の接合状態を安定にすることによって、ボンディ
ングキャピラリーによるＡｕ線の切断時におけるＡｕ線
と電極部との接触を防止することができる。 （実施の形態４）図２に示すように、ボンディングキャ
ピラリー３のアウターラディアス部８の先端部の厚さ
を、例えば１０μｍ以下とし、先鋭な形状とすることに
より、Ａｕ線の切断時において、切断力をアウターラデ
ィアス部８の先端に集中することができる。このよう
に、Ａｕ線は小さい切断力により切断されるので、切断
時における電極部との接触を防止することができる。 （実施の形態５）図１（ｂ）に示すように、ボールボン
ド部の斜面に対し、ボンディングキャピラリーのアウタ
ーラディアス部が、均等に接触するように、アウターラ
ディアス部の角度を設定することにより、ボンディング
キャピラリーとＡｕ線の接合効果を向上させ、安定して
Ａｕ線を切断することができる。 （実施の形態６）図１（ｂ）に示すように、ボンディン
グキャピラリー３をボールボンド部５の斜面の中央部よ
り上方でＡｕ線１と接合させることにより、Ａｕ線の接
合のばらつきに対しても、安定した状態でＡｕ線を接合
し、切断することができる。 【００２０】なお、上記実施例においては、突起電極材
料としてＡｕを用いたが、突起電極材料としてはＡｕに
限定されるものではなく、その他の金属においても同様
の効果を得ることができる。 【００２１】 【発明の効果】以上のように本発明は、上記の各方法を
用いることにより、ワイヤボンド技術を用いたボールボ
ンドをＩＣ電極上に形成した後に、ボンディングキャピ
ラリーを上昇させ、横方向に移動後下降させ、ボールボ
ンド部にＡｕ線を接合する方法において、Ａｕ線はボー
ルボンド部以外の周辺には接触しないので、Ａｕ線がボ
ールボンド部以外の例えば電極部に接触することにより
生ずるＡｕ線の接合条件の不安定性を防ぎ、さらに、Ｉ
Ｃ電極材料がＡｕ線に付着することにより発生する突起
電極の異常形状を防ぎ、高品質で高精度にＩＣ電極上へ
の突起電極の形成を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明における、Ｉ
Ｃ電極上への突起電極形成方法を示す断面図である。 【図２】ボンディングキャピラリーの断面図である。 【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は従来のＩＣ電極上へ
の突起電極形成方法を示す断面図である。 【図４】ＩＣ電極上に形成された突起電極の異常形状を
示す断面図である。 【符号の説明】 １ Ａｕ線 ２ Ａｕボール ３ ボンディングキャピラリー ４ ＩＣ電極 ５ ボールボンド部 ６ 突起電極 ７ チャンファー角度 ８ アウターラディアス ９ チャンファー径 １０ フェイス角度 １１ コーン角度
Ｃ電極上への突起電極形成方法を示す断面図である。 【図２】ボンディングキャピラリーの断面図である。 【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は従来のＩＣ電極上へ
の突起電極形成方法を示す断面図である。 【図４】ＩＣ電極上に形成された突起電極の異常形状を
示す断面図である。 【符号の説明】 １ Ａｕ線 ２ Ａｕボール ３ ボンディングキャピラリー ４ ＩＣ電極 ５ ボールボンド部 ６ 突起電極 ７ チャンファー角度 ８ アウターラディアス ９ チャンファー径 １０ フェイス角度 １１ コーン角度
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−104263（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 ワイヤボンド手段によりボンディングキ
ャピラリーを第１回目下降させボールボンドをＩＣ電極
上に形成した後に、ボンディングキャピラリーを上昇さ
せ、横方向に移動後第２回目下降させ、ボールボンド部
にＡｕ線を接合して切断する突起電極形成方法におい
て、ボンディングキャピラリーのチャンファー角度を９
０度以下にし、前記ボールボンド部の高さをＡｕ線の径
に比べ高くすることを特徴とするＩＣ電極上への突起電
極形成方法。
Priority Applications (16)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26064596A JP3532361B2 (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | Ｉｃ電極上への突起電極形成方法 |
| DE69739125T DE69739125D1 (de) | 1996-10-01 | 1997-09-29 | Kapillare zum Drahtverbinden zur Herstellung von Höckerelektroden |
| DE1997629759 DE69729759T2 (de) | 1996-10-01 | 1997-09-29 | Integrierte Schaltung oder Platine mit einer Höckerelektrode und Verfahren zu Ihrer Herstellung |
| EP20010119342 EP1158578B1 (en) | 1996-10-01 | 1997-09-29 | Integrated circuit or circuit board with bump electrode and manufacturing method thereof |
| EP20010119351 EP1158579B1 (en) | 1996-10-01 | 1997-09-29 | Wire bonding capillary for forming bump electrodes |
| DE1997637621 DE69737621T2 (de) | 1996-10-01 | 1997-09-29 | Halbleiterelement mit einer Höckerelektrode |
| EP19970116886 EP0834919B1 (en) | 1996-10-01 | 1997-09-29 | Semiconductor element having a bump electrode |
| CNB2004100324793A CN100353499C (zh) | 1996-10-01 | 1997-09-30 | 半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法 |
| KR1019970050118A KR100283501B1 (ko) | 1996-10-01 | 1997-09-30 | 반도체소자 및 그 제조방법과 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| TW086114222A TW366542B (en) | 1996-10-01 | 1997-09-30 | Semiconductor element, semiconductor element fabricating method, semiconductor device, and semiconductor device fabricating method |
| US08/940,981 US6207549B1 (en) | 1996-10-01 | 1997-09-30 | Method of forming a ball bond using a bonding capillary |
| CNB971214948A CN1181531C (zh) | 1996-10-01 | 1997-09-30 | 凸点电极的形成方法以及半导体元件和器件的制造方法 |
| SG200007371A SG103272A1 (en) | 1996-10-01 | 1997-10-01 | Semiconductor element, semiconductor element fabricating method, semiconductor device, and semiconductor device fabricating method |
| SG9703631A SG79222A1 (en) | 1996-10-01 | 1997-10-01 | Semiconductor element, semiconductor element fabricating method, semiconductor device, and semiconductor device fabricating method |
| US09/768,246 US6894387B2 (en) | 1996-10-01 | 2001-01-25 | Semiconductor element having protruded bump electrodes |
| US11/073,714 US7071090B2 (en) | 1996-10-01 | 2005-03-08 | Semiconductor element having protruded bump electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26064596A JP3532361B2 (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | Ｉｃ電極上への突起電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107036A JPH10107036A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3532361B2 true JP3532361B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=17350800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26064596A Expired - Fee Related JP3532361B2 (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | Ｉｃ電極上への突起電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3532361B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6244499B1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-12 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Structure of a ball bump for wire bonding and the formation thereof |
-
1996
- 1996-10-01 JP JP26064596A patent/JP3532361B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10107036A (ja) | 1998-04-24 |
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