JP3296505B2 - バンプ電極形成装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ペレットにバン
プ電極を形成する装置で、詳しくは半導体ペレットに金
線などのワイヤをボンディングするキャピラリーを使っ
たボールボンディング法によるバンプ電極形成装置に関
する。
プ電極を形成する装置で、詳しくは半導体ペレットに金
線などのワイヤをボンディングするキャピラリーを使っ
たボールボンディング法によるバンプ電極形成装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームやＴＡＢテープなどのリ
ードが熱圧着で接続される半導体ペレット上のバンプ電
極は、小面積でも所定の高さが確保できるボールボンデ
ィング法で形成されることが多い。ボールボンディング
法は、ワイヤボンディング用キャピラリーを使って半導
体ペレット上にバンプ電極を１つずつ形成する方法で、
使用されるキャピラリーは図５または図７に示されるも
のが一般的である。
ードが熱圧着で接続される半導体ペレット上のバンプ電
極は、小面積でも所定の高さが確保できるボールボンデ
ィング法で形成されることが多い。ボールボンディング
法は、ワイヤボンディング用キャピラリーを使って半導
体ペレット上にバンプ電極を１つずつ形成する方法で、
使用されるキャピラリーは図５または図７に示されるも
のが一般的である。
【０００３】図５に示されるキャピラリー（1'）は、平
坦な下端面（3）の中央にワイヤ挿通孔（2）を有する。
キャピラリー（1'）の外部に配置されたスプール（8）
から繰り出された金線のワイヤ（5）が、その線径より
十分に大きな内径のワイヤ挿通孔（2）を自由に貫通す
る。ワイヤ挿通孔（2）の下方に突出したワイヤ（5）の
先端部が放電トーチなどで加熱されて、ここに溶融金属
塊であるボール（6）が形成される。ボール（6）の直径
は、ワイヤ挿通孔（2）の内径の数倍である。キャピラ
リー（1'）は、半導体ペレット（7）の上方で上下左右
前後に間欠移動して、半導体ペレット（7）上にボール
（6）をボンディングし、ボール（6）からワイヤ（5）
を切断分離する。その動作要領が図６（ａ）と（ｂ）に
示される。
坦な下端面（3）の中央にワイヤ挿通孔（2）を有する。
キャピラリー（1'）の外部に配置されたスプール（8）
から繰り出された金線のワイヤ（5）が、その線径より
十分に大きな内径のワイヤ挿通孔（2）を自由に貫通す
る。ワイヤ挿通孔（2）の下方に突出したワイヤ（5）の
先端部が放電トーチなどで加熱されて、ここに溶融金属
塊であるボール（6）が形成される。ボール（6）の直径
は、ワイヤ挿通孔（2）の内径の数倍である。キャピラ
リー（1'）は、半導体ペレット（7）の上方で上下左右
前後に間欠移動して、半導体ペレット（7）上にボール
（6）をボンディングし、ボール（6）からワイヤ（5）
を切断分離する。その動作要領が図６（ａ）と（ｂ）に
示される。
【０００４】図５に示すように、半導体ペレット（7）
の真上にキャピラリー（1'）を移動させる。このときの
ボール（6）はワイヤ挿通孔（2）の下端開口に近接する
位置に保持される。キャピラリー（1'）をワイヤ（5）
と共に下降させて、図６（ａ）に示すように、キャピラ
リー（1'）の下端面（3）でボール（6）を半導体ペレッ
ト（7）に押し付け、超音波振動を加えてボール（6）を
半導体ペレット（7）上に接続する。ボール（6）は、キ
ャピラリー（1'）の下端面（3）と半導体ペレット（7）
で扁平に圧潰されて所定の高さのバンプ電極（6ｃ）と
なる。このバンプ電極（6ｃ）上には、ボール（6）の付
根部分がキャピラリー（1'）のワイヤ挿通孔（2）に埋
入した突起部（6ｄ）が一体に形成され、突起部（6ｄ）
上からワイヤ（5）が延びる。突起部（6ｄ）の高さは、
ボール（6）の直径、ワイヤ挿通孔（2）の内径、ボール
ボンディング条件により決定される。
の真上にキャピラリー（1'）を移動させる。このときの
ボール（6）はワイヤ挿通孔（2）の下端開口に近接する
位置に保持される。キャピラリー（1'）をワイヤ（5）
と共に下降させて、図６（ａ）に示すように、キャピラ
リー（1'）の下端面（3）でボール（6）を半導体ペレッ
ト（7）に押し付け、超音波振動を加えてボール（6）を
半導体ペレット（7）上に接続する。ボール（6）は、キ
ャピラリー（1'）の下端面（3）と半導体ペレット（7）
で扁平に圧潰されて所定の高さのバンプ電極（6ｃ）と
なる。このバンプ電極（6ｃ）上には、ボール（6）の付
根部分がキャピラリー（1'）のワイヤ挿通孔（2）に埋
入した突起部（6ｄ）が一体に形成され、突起部（6ｄ）
上からワイヤ（5）が延びる。突起部（6ｄ）の高さは、
ボール（6）の直径、ワイヤ挿通孔（2）の内径、ボール
ボンディング条件により決定される。
【０００５】次に、キャピラリー（1'）が突起部（6
ｄ）の高さより少し高い図６（ｂ）の鎖線位置まで上昇
してから横移動して、ワイヤ（5）の切断が行われる。
このとき、キャピラリー（1'）の上方にキャピラリー
（1'）と一体的に配置されたクランパ（9）でワイヤ
（5）の一部が挟持されて、ワイヤ（5）がキャピラリー
（1'）に繰り出されないようにしてある。この状態でキ
ャピラリー（1'）を横移動させると、ワイヤ挿通孔
（2）の下端開口のエッジがワイヤ（5）の突起部（6
ｄ）の近くにストレスを加えて、ワイヤ（5）を引き千
切る。バンプ電極（6ｃ）の突起部（6ｄ）上には、引き
千切られたワイヤ残り（6ｅ）が突出する。ワイヤ切断
後、キャピラリー（1'）が上昇し、キャピラリー（1'）
からのワイヤ（5）が繰り出されて、ワイヤ（5）の先端
部にボール（6）が形成され、キャピラリー（1'）が次
のバンプ電極形成動作に移行する。
ｄ）の高さより少し高い図６（ｂ）の鎖線位置まで上昇
してから横移動して、ワイヤ（5）の切断が行われる。
このとき、キャピラリー（1'）の上方にキャピラリー
（1'）と一体的に配置されたクランパ（9）でワイヤ
（5）の一部が挟持されて、ワイヤ（5）がキャピラリー
（1'）に繰り出されないようにしてある。この状態でキ
ャピラリー（1'）を横移動させると、ワイヤ挿通孔
（2）の下端開口のエッジがワイヤ（5）の突起部（6
ｄ）の近くにストレスを加えて、ワイヤ（5）を引き千
切る。バンプ電極（6ｃ）の突起部（6ｄ）上には、引き
千切られたワイヤ残り（6ｅ）が突出する。ワイヤ切断
後、キャピラリー（1'）が上昇し、キャピラリー（1'）
からのワイヤ（5）が繰り出されて、ワイヤ（5）の先端
部にボール（6）が形成され、キャピラリー（1'）が次
のバンプ電極形成動作に移行する。
【０００６】図７に示されるキャピラリー（1''）は、
ワイヤ挿通孔（2）の下端開口の周辺に同心円状に円錐
状のテーパ凹面（11）を形成したものである。キャピラ
リー（1''）は、テーパ凹面（11）でワイヤ（5）のボー
ル（6）を半導体ペレット（7）に押圧してボンディング
する。このボールボンディングのためのキャピラリー
（1''）の動作は、上記キャピラリー（1'）と同様であ
る。
ワイヤ挿通孔（2）の下端開口の周辺に同心円状に円錐
状のテーパ凹面（11）を形成したものである。キャピラ
リー（1''）は、テーパ凹面（11）でワイヤ（5）のボー
ル（6）を半導体ペレット（7）に押圧してボンディング
する。このボールボンディングのためのキャピラリー
（1''）の動作は、上記キャピラリー（1'）と同様であ
る。
【０００７】すなわち、まず図８（ａ）に示すように、
キャピラリー（1''）が下降してテーパ凹面（11）でボ
ール（6）を半導体ペレット（7）に押し付け、超音波振
動を加えてボール（6）を半導体ペレット（7）上に接続
する。ボール（6）は、キャピラリー（1''）のテーパ凹
面（11）と半導体ペレット（7）で圧潰されて山形断面
のバンプ電極（6ｆ）となる。次に、キャピラリー
（1''）がバンプ電極（6ｆ）の高さより少し高い図８
（ｂ）の鎖線位置まで上昇してから横移動して、ワイヤ
（5）を引き千切る。この場合もバンプ電極（6ｆ）上に
引き千切られたワイヤ残り（6ｇ）が突出する。
キャピラリー（1''）が下降してテーパ凹面（11）でボ
ール（6）を半導体ペレット（7）に押し付け、超音波振
動を加えてボール（6）を半導体ペレット（7）上に接続
する。ボール（6）は、キャピラリー（1''）のテーパ凹
面（11）と半導体ペレット（7）で圧潰されて山形断面
のバンプ電極（6ｆ）となる。次に、キャピラリー
（1''）がバンプ電極（6ｆ）の高さより少し高い図８
（ｂ）の鎖線位置まで上昇してから横移動して、ワイヤ
（5）を引き千切る。この場合もバンプ電極（6ｆ）上に
引き千切られたワイヤ残り（6ｇ）が突出する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５のキャピラリー
（1'）においては、ボールボンディング後にワイヤ
（5）を引き千切るキャピラリー（1'）のワイヤ挿通孔
（2）の下端開口エッジが直角断面であるためにワイヤ
（5）の切断性が、図７のキャピラリー（1''）に比べて
良い。ところで、ワイヤ挿通孔（2）の内径をワイヤ
（5）がスムーズに通るようにワイヤ（5）の線径より十
分大きく設定されている関係から、キャピラリー（1'）
でボール（6）を半導体ペレット（7）に押し付ける際の
ボール（6）のワイヤ挿通孔（2）に埋入する量が多くな
って、バンプ電極（6ｃ）の突起部（6ｄ）の高さが高く
なる。また、突起部（6ｄ）が太くて、ここでワイヤ切
断することができず、ワイヤ（5）の突起部（6ｄ）から
少し上の箇所を切断しているので、突起部（6ｄ）上に
同程度の高さでワイヤ残り（6ｅ）が生じる。
（1'）においては、ボールボンディング後にワイヤ
（5）を引き千切るキャピラリー（1'）のワイヤ挿通孔
（2）の下端開口エッジが直角断面であるためにワイヤ
（5）の切断性が、図７のキャピラリー（1''）に比べて
良い。ところで、ワイヤ挿通孔（2）の内径をワイヤ
（5）がスムーズに通るようにワイヤ（5）の線径より十
分大きく設定されている関係から、キャピラリー（1'）
でボール（6）を半導体ペレット（7）に押し付ける際の
ボール（6）のワイヤ挿通孔（2）に埋入する量が多くな
って、バンプ電極（6ｃ）の突起部（6ｄ）の高さが高く
なる。また、突起部（6ｄ）が太くて、ここでワイヤ切
断することができず、ワイヤ（5）の突起部（6ｄ）から
少し上の箇所を切断しているので、突起部（6ｄ）上に
同程度の高さでワイヤ残り（6ｅ）が生じる。
【０００９】そのため、キャピラリー（1'）で半導体ペ
レット（7）上に形成されたバンプ電極（6ｃ）に、図９
（ａ）の実線に示すように真上から平板状のリード（1
0）を押圧して熱圧着接続する際、バンプ電極（6ｃ）の
上面中央に突出する突起部（6ｄ）とワイヤ残り（6ｅ）
がリード（10）を図９（ａ）の鎖線に示すように傾ける
ことがあった。このようにバンプ電極（6ｃ）上でリー
ド（10）が傾くと、リード（10）がバンプ電極（6ｃ）
の側方に位置ずれしたりして、両者の電気機械的接続性
が悪くなり、また、隣接するリード同士が異常接近して
リード間の耐圧不良の原因となっている。
レット（7）上に形成されたバンプ電極（6ｃ）に、図９
（ａ）の実線に示すように真上から平板状のリード（1
0）を押圧して熱圧着接続する際、バンプ電極（6ｃ）の
上面中央に突出する突起部（6ｄ）とワイヤ残り（6ｅ）
がリード（10）を図９（ａ）の鎖線に示すように傾ける
ことがあった。このようにバンプ電極（6ｃ）上でリー
ド（10）が傾くと、リード（10）がバンプ電極（6ｃ）
の側方に位置ずれしたりして、両者の電気機械的接続性
が悪くなり、また、隣接するリード同士が異常接近して
リード間の耐圧不良の原因となっている。
【００１０】また、図７のキャピラリー（1''）におい
ては、ボールボンディング時にテーパ凹面（11）がワイ
ヤ（5）のボール（6）を直接に押圧することから、ボー
ル（6）のワイヤ挿通孔（2）に埋入する量が少なくな
る。ところが、ボールボンディング後にワイヤ（5）を
引き千切るキャピラリー（1''）のテーパ凹面（11）の
下端開口エッジは、その断面角が鈍角であるためにワイ
ヤ（5）の切断性が悪い。また、キャピラリー（1''）で
半導体ペレット（7）上に形成されたバンプ電極（6ｆ）
は山形断面で、その頂面にワイヤ残り（6ｇ）が突出す
るため、図９（ｂ）の実線に示すように真上から平板状
のリード（10）を押圧して熱圧着接続すると、図９
（ｂ）の鎖線に示すように、バンプ電極（6ｆ）の下向
きに傾斜する側面でリード（10）が傾き、横滑りして、
バンプ電極（6ｆ）とリード（10）の電気機械的接続性
や、隣接するリード間の耐圧が悪くなる不具合があっ
た。
ては、ボールボンディング時にテーパ凹面（11）がワイ
ヤ（5）のボール（6）を直接に押圧することから、ボー
ル（6）のワイヤ挿通孔（2）に埋入する量が少なくな
る。ところが、ボールボンディング後にワイヤ（5）を
引き千切るキャピラリー（1''）のテーパ凹面（11）の
下端開口エッジは、その断面角が鈍角であるためにワイ
ヤ（5）の切断性が悪い。また、キャピラリー（1''）で
半導体ペレット（7）上に形成されたバンプ電極（6ｆ）
は山形断面で、その頂面にワイヤ残り（6ｇ）が突出す
るため、図９（ｂ）の実線に示すように真上から平板状
のリード（10）を押圧して熱圧着接続すると、図９
（ｂ）の鎖線に示すように、バンプ電極（6ｆ）の下向
きに傾斜する側面でリード（10）が傾き、横滑りして、
バンプ電極（6ｆ）とリード（10）の電気機械的接続性
や、隣接するリード間の耐圧が悪くなる不具合があっ
た。
【００１１】本発明の目的とするところは、外部のリー
ドが傾かずに安定した姿勢で押圧されて接続される、略
扁平な形状のバンプ電極を形成し得るキャピラリーを備
えたバンプ電極形成装置を提供することにある。
ドが傾かずに安定した姿勢で押圧されて接続される、略
扁平な形状のバンプ電極を形成し得るキャピラリーを備
えたバンプ電極形成装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、キャピラリーの平坦な下端面のワイヤ挿通孔
から突出させたワイヤの先端部を溶融させて形成された
ボールを、キャピラリーの下端面で半導体ペレット上に
ボンディングして、半導体ペレット上に前記ボールによ
るバンプ電極を形成する装置において、キャピラリーの
下端面のワイヤ挿通孔周辺にワイヤ挿通孔と同心円状
で、天面がキャピラリーの下端面からワイヤの線径以下
の高さにある平坦面である凹段部を形成したことを特徴
とする。
するため、キャピラリーの平坦な下端面のワイヤ挿通孔
から突出させたワイヤの先端部を溶融させて形成された
ボールを、キャピラリーの下端面で半導体ペレット上に
ボンディングして、半導体ペレット上に前記ボールによ
るバンプ電極を形成する装置において、キャピラリーの
下端面のワイヤ挿通孔周辺にワイヤ挿通孔と同心円状
で、天面がキャピラリーの下端面からワイヤの線径以下
の高さにある平坦面である凹段部を形成したことを特徴
とする。
【００１３】
【作用】キャピラリーの平坦な下端面のワイヤ挿通孔周
辺に形成された凹段部の天面のキャピラリー下端面から
の高さを、ワイヤの線径以下と小さく設定して、キャピ
ラリーの下端面でワイヤのボールを半導体ペレットにボ
ンディングすると、ボールは先ず凹段面で押圧されて変
形してから、キャピラリーの下端面で最終的に押圧され
て扁平なバンプ電極となる。このボールボンディング時
においては、キャピラリーの凹段面にボールが変形して
埋入することによって、キャピラリーのワイヤ挿通孔に
ボールが埋入する量が少なくなり、その分、バンプ電極
の上面が略平坦化されて、より扁平なバンプ電極が形成
される。
辺に形成された凹段部の天面のキャピラリー下端面から
の高さを、ワイヤの線径以下と小さく設定して、キャピ
ラリーの下端面でワイヤのボールを半導体ペレットにボ
ンディングすると、ボールは先ず凹段面で押圧されて変
形してから、キャピラリーの下端面で最終的に押圧され
て扁平なバンプ電極となる。このボールボンディング時
においては、キャピラリーの凹段面にボールが変形して
埋入することによって、キャピラリーのワイヤ挿通孔に
ボールが埋入する量が少なくなり、その分、バンプ電極
の上面が略平坦化されて、より扁平なバンプ電極が形成
される。
【００１４】
【実施例】図５のバンプ電極形成装置に本発明を適用し
た一実施例を図１に示し、以下説明する。図１のバンプ
電極形成装置の従来装置との相違点は、キャピラリー
（1）の平坦な下端面（3）の中央のワイヤ挿通孔（2）
の周辺に凹段部（4）を形成したことのみであり、他の
図５装置と同一部分には同一符号を付して説明は省略す
る。
た一実施例を図１に示し、以下説明する。図１のバンプ
電極形成装置の従来装置との相違点は、キャピラリー
（1）の平坦な下端面（3）の中央のワイヤ挿通孔（2）
の周辺に凹段部（4）を形成したことのみであり、他の
図５装置と同一部分には同一符号を付して説明は省略す
る。
【００１５】キャピラリー（1）の下端面（3）の凹段部
（4）は、図２に示すようにワイヤ挿通孔（2）と同心円
状に形成される。凹段部（4）の直径はワイヤ（5）のボ
ール（6）の直径程度であり、凹段部（4）の天面（ｍ）
はキャピラリー（1）の下端面（3）と平行な平坦面であ
る。キャピラリー（1）の下端面（3）から凹段部（4）
の天面（ｍ）までの高さｈは、ワイヤ（5）の線径以下
に設定される。
（4）は、図２に示すようにワイヤ挿通孔（2）と同心円
状に形成される。凹段部（4）の直径はワイヤ（5）のボ
ール（6）の直径程度であり、凹段部（4）の天面（ｍ）
はキャピラリー（1）の下端面（3）と平行な平坦面であ
る。キャピラリー（1）の下端面（3）から凹段部（4）
の天面（ｍ）までの高さｈは、ワイヤ（5）の線径以下
に設定される。
【００１６】図１のキャピラリー（1）は、ワイヤ（5）
のボール（6）を半導体ペレット（7）上に、次のように
ボンディングする。キャピラリー（1）とワイヤ（5）を
下降させて、キャピラリー（1）でボール（6）を半導体
ペレット（7）上に押し付け、超音波振動を加えると、
ボール（6）は図３（ａ）に示すように扁平に変形して
ボンディングされる。
のボール（6）を半導体ペレット（7）上に、次のように
ボンディングする。キャピラリー（1）とワイヤ（5）を
下降させて、キャピラリー（1）でボール（6）を半導体
ペレット（7）上に押し付け、超音波振動を加えると、
ボール（6）は図３（ａ）に示すように扁平に変形して
ボンディングされる。
【００１７】すなわち、先ずボール（6）はキャピラリ
ー（1）の凹段部（4）の天面（ｍ）で圧潰されて、ボー
ル（6）の上部が凹段部（4）に食い込む。ボール（6）
が凹段部（4）内にその外周エッジまで埋入してから、
ボール（6）の周辺下部がキャピラリー（1）の下端面
（3）で更に圧潰される。キャピラリー（1）の凹段部
（4）にボール（6）の上部が埋入することにより、ボー
ル（6）がキャピラリー（1）のワイヤ挿通孔（2）に埋
入する量が減少する。その結果、ボンディング後のボー
ル（6）は、キャピラリー（1）の凹段部（4）の天面
（ｍ）で押圧された平坦面（ｎ）を備えた略扁平なバン
プ電極（6ａ）となる。
ー（1）の凹段部（4）の天面（ｍ）で圧潰されて、ボー
ル（6）の上部が凹段部（4）に食い込む。ボール（6）
が凹段部（4）内にその外周エッジまで埋入してから、
ボール（6）の周辺下部がキャピラリー（1）の下端面
（3）で更に圧潰される。キャピラリー（1）の凹段部
（4）にボール（6）の上部が埋入することにより、ボー
ル（6）がキャピラリー（1）のワイヤ挿通孔（2）に埋
入する量が減少する。その結果、ボンディング後のボー
ル（6）は、キャピラリー（1）の凹段部（4）の天面
（ｍ）で押圧された平坦面（ｎ）を備えた略扁平なバン
プ電極（6ａ）となる。
【００１８】なお、バンプ電極（6ａ）の平坦面（ｎ）
の中央には、ワイヤ挿通孔（2）に埋入した突起部（6
ｂ）が形成されるが、この突起部（6ｂ）はワイヤ挿通
孔（2）の跡程度の極低いものであることが、実験の結
果分かっている。
の中央には、ワイヤ挿通孔（2）に埋入した突起部（6
ｂ）が形成されるが、この突起部（6ｂ）はワイヤ挿通
孔（2）の跡程度の極低いものであることが、実験の結
果分かっている。
【００１９】キャピラリー（1）でボール（6）を圧潰し
てバンプ電極（6ａ）を形成すると、キャピラリー（1）
が図３（ｂ）の鎖線に示す位置まで上昇してから横移動
して、ワイヤ（5）を切断する。このときのキャピラリ
ー（1）の上昇量は、バンプ電極（6ａ）の突起部（6
ｂ）の高さを少し超える程度であり、この上昇量は図５
装置の数分の１程度と微少で十分である。キャピラリー
（1）の横移動でワイヤ（5）は、凹段部（4）の天面
（ｍ）にあるワイヤ挿通孔（2）の下端開口エッジで引
き千切られて切断される。このワイヤ（5）の切断箇所
は、バンプ電極（6ａ）に極近い根元部分であり、ま
た、ワイヤ（5）を直接に切断するのは、ワイヤ挿通孔
（2）の直角断面の下端開口エッジであるので、ワイヤ
（5）は容易、確実に切断される。また、ワイヤ（5）を
バンプ電極（6ａ）に極近い根元部分で切断するため、
バンプ電極（6ａ）上にはワイヤ残りがほとんどできな
い。
てバンプ電極（6ａ）を形成すると、キャピラリー（1）
が図３（ｂ）の鎖線に示す位置まで上昇してから横移動
して、ワイヤ（5）を切断する。このときのキャピラリ
ー（1）の上昇量は、バンプ電極（6ａ）の突起部（6
ｂ）の高さを少し超える程度であり、この上昇量は図５
装置の数分の１程度と微少で十分である。キャピラリー
（1）の横移動でワイヤ（5）は、凹段部（4）の天面
（ｍ）にあるワイヤ挿通孔（2）の下端開口エッジで引
き千切られて切断される。このワイヤ（5）の切断箇所
は、バンプ電極（6ａ）に極近い根元部分であり、ま
た、ワイヤ（5）を直接に切断するのは、ワイヤ挿通孔
（2）の直角断面の下端開口エッジであるので、ワイヤ
（5）は容易、確実に切断される。また、ワイヤ（5）を
バンプ電極（6ａ）に極近い根元部分で切断するため、
バンプ電極（6ａ）上にはワイヤ残りがほとんどできな
い。
【００２０】キャピラリー（1）で形成されたバンプ電
極（6ａ）には、図４に示すように平板状のリード（1
0）が熱圧着接続される。バンプ電極（6ａ）の上面の大
部分は、キャピラリー（1）の凹段部（4）の天面（ｍ）
で形成された平坦面（ｎ）であり、平坦面（ｎ）の中央
の突起部（6ｂ）は微小突起であるので、リード（10）
は平坦面（ｎ）上に安定に姿勢保持されて、そのままバ
ンプ電極（6ａ）に熱圧着接続される。
極（6ａ）には、図４に示すように平板状のリード（1
0）が熱圧着接続される。バンプ電極（6ａ）の上面の大
部分は、キャピラリー（1）の凹段部（4）の天面（ｍ）
で形成された平坦面（ｎ）であり、平坦面（ｎ）の中央
の突起部（6ｂ）は微小突起であるので、リード（10）
は平坦面（ｎ）上に安定に姿勢保持されて、そのままバ
ンプ電極（6ａ）に熱圧着接続される。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、キャピラリーでワイヤ
のボールを半導体ペレットにボンディングするときに、
キャピラリーの下端面の凹段部にボールが圧潰されて埋
入し、その分、ボールのキャピラリーのワイヤ挿通孔に
埋入する量が減少して、ボールは最終的に上面が略平坦
な扁平バンプ電極となるので、外部のリードが傾かずに
安定した姿勢で押圧されて接続される良好な形状のバン
プ電極の形成が容易に可能な信頼性の高いバンプ電極形
成装置が提供できる。
のボールを半導体ペレットにボンディングするときに、
キャピラリーの下端面の凹段部にボールが圧潰されて埋
入し、その分、ボールのキャピラリーのワイヤ挿通孔に
埋入する量が減少して、ボールは最終的に上面が略平坦
な扁平バンプ電極となるので、外部のリードが傾かずに
安定した姿勢で押圧されて接続される良好な形状のバン
プ電極の形成が容易に可能な信頼性の高いバンプ電極形
成装置が提供できる。
【図１】本発明の一実施例を示す部分断面を含む要部の
側面図。
側面図。
【図２】図１装置におけるキャピラリーの下面図。
【図３】図１装置におけるキャピラリーのボールボンデ
ィング動作時の断面図で、（ａ）はボンディング時、
（ｂ）はワイヤ切断時である。
ィング動作時の断面図で、（ａ）はボンディング時、
（ｂ）はワイヤ切断時である。
【図４】図１装置で形成されたバンプ電極のリード接続
時の断面図。
時の断面図。
【図５】従来のバンプ電極形成装置の部分断面を含む要
部の側面図。
部の側面図。
【図６】図５装置におけるキャピラリーのボールボンデ
ィング動作時の断面図で、（ａ）はボンディング時、
（ｂ）はワイヤ切断時である。
ィング動作時の断面図で、（ａ）はボンディング時、
（ｂ）はワイヤ切断時である。
【図７】他の従来のバンプ電極形成装置におけるキャピ
ラリーの部分断面を含む側面図。
ラリーの部分断面を含む側面図。
【図８】図７装置におけるキャピラリーのボールボンデ
ィング動作時の断面図で、（ａ）はボンディング時、
（ｂ）はワイヤ切断時である。
ィング動作時の断面図で、（ａ）はボンディング時、
（ｂ）はワイヤ切断時である。
【図９】（ａ）は図５装置で形成されたバンプ電極のリ
ード接続時の断面図、（ｂ）は図７装置で形成されたバ
ンプ電極のリード接続時の断面図。
ード接続時の断面図、（ｂ）は図７装置で形成されたバ
ンプ電極のリード接続時の断面図。
1 キャピラリー 2 ワイヤ挿通孔 3 下端面 4 凹段部 5 ワイヤ 6 ボール 6ａ バンプ電極 7 半導体ペレット
Claims (1)
- 【請求項１】 キャピラリーの平坦な下端面のワイヤ挿
通孔から突出させたワイヤの先端部を溶融させて形成さ
れたボールを、キャピラリーの下端面で半導体ペレット
上にボンディングして、半導体ペレット上に前記ボール
によるバンプ電極を形成する装置であって、 前記キャピラリーの下端面のワイヤ挿通孔周辺にワイヤ
挿通孔と同心円状で、天面がキャピラリーの下端面から
ワイヤの線径以下の高さの平坦面である凹段部を形成し
たことを特徴とするバンプ電極形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31806692A JP3296505B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | バンプ電極形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31806692A JP3296505B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | バンプ電極形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163551A JPH06163551A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3296505B2 true JP3296505B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=18095104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31806692A Expired - Fee Related JP3296505B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | バンプ電極形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3296505B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1204136B1 (en) | 1999-07-16 | 2009-08-19 | Panasonic Corporation | Method of fabricating a packaged semiconductor device |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP31806692A patent/JP3296505B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06163551A (ja) | 1994-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020315 |
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