JP2655458B2 - Tab型半導体装置 - Google Patents

Tab型半導体装置

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JP2655458B2
JP2655458B2 JP3149072A JP14907291A JP2655458B2 JP 2655458 B2 JP2655458 B2 JP 2655458B2 JP 3149072 A JP3149072 A JP 3149072A JP 14907291 A JP14907291 A JP 14907291A JP 2655458 B2 JP2655458 B2 JP 2655458B2
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JP
Japan
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lead
semiconductor device
type semiconductor
bonding
electrode
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JP3149072A
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Inventor
喜美男 目黒
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はTAB(Tape Au
tomated Bonding)型半導体装置に関
し、特にTAB型半導体装置を構成するICチップとリ
ードとのインナーリードボンディング構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のTAB型半導体装置について図3
を用いて説明する。まず、同図(A)の平面図に示すよ
うに、従来のTAB型半導体装置は、フィルムキャリア
テープ6と、このフィルムキャリアテープ6上に形成さ
れたリード2と、ICチップ4にて構成される。ICチ
ップ4は電極バンプを有し、同図(B)の断面図に示す
ように、リード2の先端部が電極バンプ5に熱圧着によ
りボンディングされ、さらに、同図(C)の断面図に示
すように、ICチップ角への接触を防ぐためにリード2
に曲げ加工がなされる。
【0003】ボンディングは、図4(A)の拡大断面図
に示すように、あらかじめボンディングツール1とリー
ド2の先端の位置合わせをしておき、次に、ICチップ
4の電極バンプ5とリード2の先端との位置合わせを行
ない、加熱したボンディングツール1をリード2に押し
つけることによって行なう。その際、図4(B)に示す
ように、リード2の上面に段差7が形成される。通常
は、このボンディングリードの中間付近を上方に引張
り、その破断強度でリード強度を判定している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】TAB型半導体装置
は、図3(C)で示したリード曲げ加工のほかに、回路
基板などに実装する場合、リードをフィルムキャリアテ
ープから切断し、さらに基板方向に向けて曲げ加工が行
なわれる。この時、リードに曲げ応力が加わるので、こ
の応力に耐え得るリード強度が必要となるが、図4
(B)に示したように、ボンディングツールにて押しつ
ぶされたリード2に段差7が形成されるため、この部分
で曲げあるいは引張り強度が最も弱くなり、必要とする
リード強度が得られないという問題点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本発明のTAB型半導
体装置は、ICチップ上に形成され各辺一列に配置され
た電極バンプとフイルムキャリアテープに形成されたリ
ードとを圧着によりボンディングして構成するTAB型
半導体装置において、ボンディングツールによるリード
の圧着痕が前記電極バンプ上から連続してICチップ端
側の電極バンプの外側まで延在しかつ前記バンプの外側
において前記リードの下面は前記ICチップ表面と接触
せずに前記電極バンプ上面より下がっている構造を有す
る。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例を説明する図で、同図
(A),(B)はそれぞれ断面図である。同図(A)に
示すように、ボンディングツール1は、その下端が電極
バンプ5のバンプ外端3より長さLだけ外に出ている。
この状態でボンディングすると、同図(B)に示すよう
に、電極バンプ5上のリード2は押しつぶされるが、電
極バンプ5からはずれた所はボンディングツール1の押
しつけに対し長さLの逃げが生ずるため、リード2が電
極バンプ5の上面より下がり、その分ボンディングツー
ルによる段差7aはごく僅かなものとなる。
【0007】なお、本発明による第2の実施例として、
図1(A)に破線で示すように、ボンディングツール1
の下端部に、電極バンプ外端3からLaの距離をおいて
テーパを設けることによって、よりリード2の圧着部の
ストレスを緩和できる。ただし、この場合もボンディン
グツール1の位置のばらつきにより、圧着面積の減少、
ひいてはボンディング強度の低下をきたさないよう、ボ
ンディングツール端部の位置は電極バンプ外端3より外
側にあることが重要である。
【0008】次に、図1(A)に示したように、ボンデ
ィングツール1の端と電極バンプ外端の距離をLとし
て、Lを変化させてボンディングを行ない、リードの引
張り強度を測定した実験結果を図2のグラフに示す。図
2は引張り強度の傾向を示しており、縦軸はリードの引
張り強度で、横軸は電極バンプ外端とボンディングツー
ル外端との距離を示す。ボンディングツール外端が電極
バンプ外端より内側(Lのマイナス側)にある場合は引
張り強度が低下し、反対側(Lのプラス側)では引張り
強度が向上し安定している。引張り強度がある値で飽和
してしまうのは、引張り強度が段差部ではなくリード自
体の強度で決まるようになるためである。なお、ここで
いう引張り強度とは、ボンディングしたリードの中間付
近を上方に引張った時のリードの破断強度をいう。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボンディ
ングツールの端が電極バンプの外端より外側に位置する
ようにしたことにより、ボンディングにより生ずるリー
ドのつぶれ段差を小さくすることができる。その結果、
実験結果からもわかるとおり、リードの段差を押さえた
ことによりリード強度の向上を図るという効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を説明する図で、同図
(A),(B)はそれぞれ断面図である。
【図2】第1の実施例による実験結果を示すグラフであ
る。
【図3】従来のTAB型半導体装置を示す図で、同図
(A)は平面図、同図(B),(C)はそれぞれ断面図
である。
【図4】従来の問題点を説明する図で、同図(A),
(B)はそれぞれ拡大断面図である。
【符号の説明】
1 ボンディングツール 2 リード 3 電極バンプ外端 4 ICチップ 5 電極バンプ 6 フィルムキャリアテープ 7,7a 段差

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICチップ上に形成され各辺一列に配置
    された電極バンプとフイルムキャリアテープに形成され
    たリードとを圧着によりボンディングして構成するTA
    B型半導体装置において、ボンディングツールによるリ
    ードの圧着痕が前記電極バンプ上から連続してICチッ
    プ端側の電極バンプの外側まで延在しかつ前記バンプの
    外側において前記リードの下面は前記ICチップ表面と
    接触せずに前記電極バンプ上面より下がっていることを
    特徴とするTAB型半導体装置。
JP3149072A 1991-06-21 1991-06-21 Tab型半導体装置 Expired - Lifetime JP2655458B2 (ja)

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JPH04372144A JPH04372144A (ja) 1992-12-25
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