JPH10340906A - 表面実装型電子部品及びその製造方法並びにその実装方法 - Google Patents
表面実装型電子部品及びその製造方法並びにその実装方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】実装の信頼性を向上させる表面実装型電子部品
及びその製造方法並びにその実装方法を実現し難かつ
た。 【解決手段】表面実装型電子部品の電極上に、先端部に
所定の大きさのくぼみを有する突起電極を設けるように
した。また表面実装型電子部品の製造方法において、表
面実装型電子部品の電極上に突起電極を形成する第1の
工程と、突起電極の先端部に所定の大きさのくぼみを形
成する第2の工程とを設けるようにした。さらに表面実
装型電子部品をプリント配線基板上に実装する実装方法
において、表面実装型電子部品の電極上に突起電極を形
成する第1のステツプと、突起電極の先端部に所定の大
きさのくぼみを形成する第2のステツプと、表面実装型
電子部品を異方性導電材を介してプリント配線基板上に
実装する第3のステツプとを設けるようにした。
及びその製造方法並びにその実装方法を実現し難かつ
た。 【解決手段】表面実装型電子部品の電極上に、先端部に
所定の大きさのくぼみを有する突起電極を設けるように
した。また表面実装型電子部品の製造方法において、表
面実装型電子部品の電極上に突起電極を形成する第1の
工程と、突起電極の先端部に所定の大きさのくぼみを形
成する第2の工程とを設けるようにした。さらに表面実
装型電子部品をプリント配線基板上に実装する実装方法
において、表面実装型電子部品の電極上に突起電極を形
成する第1のステツプと、突起電極の先端部に所定の大
きさのくぼみを形成する第2のステツプと、表面実装型
電子部品を異方性導電材を介してプリント配線基板上に
実装する第3のステツプとを設けるようにした。
Description
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。
【0002】発明の属する技術分野 従来の技術(図7〜図8) 発明が解決しようとする課題(図8) 課題を解決するための手段 発明の実施の形態(図1〜図6) 発明の効果
【0003】
【発明の属する技術分野】本発明は表面実装型電子部品
及びその製造方法並びにその実装方法に関し、例えば異
方性導電材を介してプリント配線基板上にフリツプチツ
プ実装する半導体チツプ及びその製造方法並びにその実
装方法に適用して好適なものである。
及びその製造方法並びにその実装方法に関し、例えば異
方性導電材を介してプリント配線基板上にフリツプチツ
プ実装する半導体チツプ及びその製造方法並びにその実
装方法に適用して好適なものである。
【0004】
【従来の技術】従来、半導体チツプをベアでプリント配
線基板上に実装する実装方法の1つとしてフリツプチツ
プ実装法があり、その1つに例えば図8に示すような絶
縁性樹脂材からなるベースフイルム1内に直径 5〔μm
〕程度の導電粒子2(例えば金粒子又はニツケル粒子
等)が複数散りばめられてなるACF(Anisotropic Co
nductive Film :異方性導電膜)3を用いた方法があ
る。
線基板上に実装する実装方法の1つとしてフリツプチツ
プ実装法があり、その1つに例えば図8に示すような絶
縁性樹脂材からなるベースフイルム1内に直径 5〔μm
〕程度の導電粒子2(例えば金粒子又はニツケル粒子
等)が複数散りばめられてなるACF(Anisotropic Co
nductive Film :異方性導電膜)3を用いた方法があ
る。
【0005】実際上ACF3を用いたフリツプチツプ実
装法においては、図9に示すように、半導体チツプ5の
信号入出力用の各電極(以下、これをパツドと呼ぶ)6
上にそれぞれ突起電極(以下、これをバンプと呼ぶ)7
を形成すると供に、ACF3をプリント配線基板8の半
導体チツプ5の実装領域上に配置し、プリント配線基板
8の基板面8A上に所定パターンで形成されている電極
(以下、これをランドと呼ぶ)9と対応するように位置
決めして、ACF3を介してプリント配線基板8上に圧
着することにより行われる。
装法においては、図9に示すように、半導体チツプ5の
信号入出力用の各電極(以下、これをパツドと呼ぶ)6
上にそれぞれ突起電極(以下、これをバンプと呼ぶ)7
を形成すると供に、ACF3をプリント配線基板8の半
導体チツプ5の実装領域上に配置し、プリント配線基板
8の基板面8A上に所定パターンで形成されている電極
(以下、これをランドと呼ぶ)9と対応するように位置
決めして、ACF3を介してプリント配線基板8上に圧
着することにより行われる。
【0006】かくしてこの方法によれば、半導体チツプ
5をACF3のベースフイルム1によりプリント配線基
板8上に固着することができ、また当該半導体チツプ5
のバンプ7とプリント配線基板8の対応するランド9と
の間の導通を、これら半導体チツプ5のバンプ7及びこ
れと対応するプリント配線基板8のランド9間に挟まれ
たACF3の導電粒子2を介してとることができる。
5をACF3のベースフイルム1によりプリント配線基
板8上に固着することができ、また当該半導体チツプ5
のバンプ7とプリント配線基板8の対応するランド9と
の間の導通を、これら半導体チツプ5のバンプ7及びこ
れと対応するプリント配線基板8のランド9間に挟まれ
たACF3の導電粒子2を介してとることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述のような
ACF3を用いたフリツプチツプ実装法では、半導体チ
ツプ5のバンプ7の先端形状が突起しているために半導
体チツプ5をプリント配線基板8上に圧着する際に半導
体チツプ5のバンプ7がACF3内の導電粒子2を押し
退けながらプリント配線基板8の対応するランド9との
ギヤツプを狭めていくことにより、半導体チツプ5のバ
ンプ7及びプリント配線基板8のランド9間の導電粒子
2が逃げてしまうことがある。
ACF3を用いたフリツプチツプ実装法では、半導体チ
ツプ5のバンプ7の先端形状が突起しているために半導
体チツプ5をプリント配線基板8上に圧着する際に半導
体チツプ5のバンプ7がACF3内の導電粒子2を押し
退けながらプリント配線基板8の対応するランド9との
ギヤツプを狭めていくことにより、半導体チツプ5のバ
ンプ7及びプリント配線基板8のランド9間の導電粒子
2が逃げてしまうことがある。
【0008】この結果、ACF3を用いたフリツプチツ
プ実装法では、必ずしもACF3内の導電粒子2が半導
体チツプ5のバンプ7とプリント配線基板8のランド9
の間に挟まらず、これら半導体チツプ5のバンプ7及び
プリント配線基板8のランド9間を導通接続し得ないこ
とがあり、実装の信頼性が低い問題があつた。
プ実装法では、必ずしもACF3内の導電粒子2が半導
体チツプ5のバンプ7とプリント配線基板8のランド9
の間に挟まらず、これら半導体チツプ5のバンプ7及び
プリント配線基板8のランド9間を導通接続し得ないこ
とがあり、実装の信頼性が低い問題があつた。
【0009】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、実装の信頼性を向上させる表面実装型電子部品及び
その製造方法並びにその実装方法を提案しようとするも
のである。
で、実装の信頼性を向上させる表面実装型電子部品及び
その製造方法並びにその実装方法を提案しようとするも
のである。
【0010】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、表面実装型電子部品に信号入出力
用の電極と、電極上に形成された先端部に所定の大きさ
のくぼみを有する突起電極とを設けるようにした。
め本発明においては、表面実装型電子部品に信号入出力
用の電極と、電極上に形成された先端部に所定の大きさ
のくぼみを有する突起電極とを設けるようにした。
【0011】この結果、この表面実装型電子部品を異方
性導電材を介してプリント配線基板上に実装する際、突
起電極のくぼみが異方性導電材内の導電粒子を捕獲した
状態で当該突起電極とプリント配線基板の対応する電極
とのギヤツプを狭めることができる。
性導電材を介してプリント配線基板上に実装する際、突
起電極のくぼみが異方性導電材内の導電粒子を捕獲した
状態で当該突起電極とプリント配線基板の対応する電極
とのギヤツプを狭めることができる。
【0012】また本発明においては、表面実装型電子部
品の製造方法において表面実装型電子部品の電極上に突
起電極を形成する第1の工程と、突起電極の先端部に所
定の大きさのくぼみを形成する第2の工程とを設けるよ
うにした。
品の製造方法において表面実装型電子部品の電極上に突
起電極を形成する第1の工程と、突起電極の先端部に所
定の大きさのくぼみを形成する第2の工程とを設けるよ
うにした。
【0013】この結果、このようにして製造された表面
実装型電子部品を異方性導電材を介してプリント配線基
板上に実装する際、突起電極のくぼみが異方性導電材内
の導電粒子を捕獲した状態で当該突起電極とプリント配
線基板の対応する電極とのギヤツプを狭めることができ
る。
実装型電子部品を異方性導電材を介してプリント配線基
板上に実装する際、突起電極のくぼみが異方性導電材内
の導電粒子を捕獲した状態で当該突起電極とプリント配
線基板の対応する電極とのギヤツプを狭めることができ
る。
【0014】さらに本発明においては、表面実装型電子
部品の実装方法において、表面実装型電子部品の電極上
に突起電極を形成する第1のステツプと、突起電極の先
端部に所定の大きさのくぼみを形成する第2のステツプ
と、表面実装型電子部品を異方性導電材を介してプリン
ト配線基板上に実装する第3のステツプとを設けるよう
にした。
部品の実装方法において、表面実装型電子部品の電極上
に突起電極を形成する第1のステツプと、突起電極の先
端部に所定の大きさのくぼみを形成する第2のステツプ
と、表面実装型電子部品を異方性導電材を介してプリン
ト配線基板上に実装する第3のステツプとを設けるよう
にした。
【0015】この結果、表面実装型電子部品をプリント
配線基板上に実装する際、突起電極のくぼみが異方性導
電材内の導電粒子を捕獲した状態で当該突起電極とプリ
ント配線基板の対応する電極とのギヤツプを狭めること
ができる。
配線基板上に実装する際、突起電極のくぼみが異方性導
電材内の導電粒子を捕獲した状態で当該突起電極とプリ
ント配線基板の対応する電極とのギヤツプを狭めること
ができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施の形態を詳述する。
施の形態を詳述する。
【0017】図9の対応部分に同一符号を付して示した
図3において、10は全体として本実施の形態による半
導体チツプを示し、各パツド6上にそれぞれ形成された
バンプ11の構成を除いて、図9の半導体チツプ5と同
様に構成されている。
図3において、10は全体として本実施の形態による半
導体チツプを示し、各パツド6上にそれぞれ形成された
バンプ11の構成を除いて、図9の半導体チツプ5と同
様に構成されている。
【0018】すなわちこの半導体チツプ10の場合、各
バンプ11は図2に示すように、先端部にくぼみ11A
が形成されている。
バンプ11は図2に示すように、先端部にくぼみ11A
が形成されている。
【0019】これによりこの半導体チツプ10において
は、図3のようにACF3を介してプリント配線基板8
上に実装する際、半導体チツプ10をACF3を介して
プリント配線基板8上に位置決めしてマウントした後、
当該半導体チツプ10をプリント配線基板8上に熱圧着
するときに、バンプ11及びプリント配線基板8の対応
するランド9間に位置するACF3内の導電粒子2を各
バンプ11のくぼみ11Aにおいて捕らえた状態のまま
各バンプ11及びプリント配線基板8間のギヤツプを狭
めることができるようになされている。
は、図3のようにACF3を介してプリント配線基板8
上に実装する際、半導体チツプ10をACF3を介して
プリント配線基板8上に位置決めしてマウントした後、
当該半導体チツプ10をプリント配線基板8上に熱圧着
するときに、バンプ11及びプリント配線基板8の対応
するランド9間に位置するACF3内の導電粒子2を各
バンプ11のくぼみ11Aにおいて捕らえた状態のまま
各バンプ11及びプリント配線基板8間のギヤツプを狭
めることができるようになされている。
【0020】ここで、このような半導体チツプ10は、
まず図4(A)のように通常の手順により一面の所定位
置にそれぞれパツド6が設けられてなる半導体チツプ1
0を形成し、次いで図4(B)のようにこの半導体チツ
プ10の各パツド6上にそれぞれバンプ23を形成した
後、図4(C)のようにこれら各バンプ23の先端部に
くぼみ11Aを形成することにより製造することができ
る。
まず図4(A)のように通常の手順により一面の所定位
置にそれぞれパツド6が設けられてなる半導体チツプ1
0を形成し、次いで図4(B)のようにこの半導体チツ
プ10の各パツド6上にそれぞれバンプ23を形成した
後、図4(C)のようにこれら各バンプ23の先端部に
くぼみ11Aを形成することにより製造することができ
る。
【0021】この場合、半導体チツプ10の各パツド6
上にバンプ23を形成する工程(図4(B))では、い
わゆるボールバンプ法を用いることができ、実際上ボー
ルバンプ法を用いる場合には、まず図5(A)に示すよ
うに、キヤピラリ20の先端から金属ワイヤ(一般的に
は金ワイヤ)21を突出させ、これを電気放電により溶
融させることにより、その表面張力によつてボール状の
塊(以下これを、金ボールと呼ぶ)21Aを形成した
後、当該金ボール21Aを図5(B)のように半導体チ
ツプ10の実装面10Aのパツド6に加圧し、超音波を
印加することにより、半導体チツプ10のパツド6に接
合する。
上にバンプ23を形成する工程(図4(B))では、い
わゆるボールバンプ法を用いることができ、実際上ボー
ルバンプ法を用いる場合には、まず図5(A)に示すよ
うに、キヤピラリ20の先端から金属ワイヤ(一般的に
は金ワイヤ)21を突出させ、これを電気放電により溶
融させることにより、その表面張力によつてボール状の
塊(以下これを、金ボールと呼ぶ)21Aを形成した
後、当該金ボール21Aを図5(B)のように半導体チ
ツプ10の実装面10Aのパツド6に加圧し、超音波を
印加することにより、半導体チツプ10のパツド6に接
合する。
【0022】その後図5(C)に示すように金属ワイヤ
21をキヤピラリ20で保持しながら引き上げることに
より、金属ワイヤ21を金ボール21Aとの境目から引
きちぎりパツド6上にバンプ22を形成する。
21をキヤピラリ20で保持しながら引き上げることに
より、金属ワイヤ21を金ボール21Aとの境目から引
きちぎりパツド6上にバンプ22を形成する。
【0023】このような手順により、図6(A)に示す
ように半導体チツプ10のパツド6の全てにバンプ22
を形成した後、図6(B)に示すように例えば一括プレ
ス等により高さを一定に揃える(レベリング)。
ように半導体チツプ10のパツド6の全てにバンプ22
を形成した後、図6(B)に示すように例えば一括プレ
ス等により高さを一定に揃える(レベリング)。
【0024】これにより、半導体チツプ10の各パツド
6上にそれぞれ同じ高さのバンプ22Aを形成すること
ができる。
6上にそれぞれ同じ高さのバンプ22Aを形成すること
ができる。
【0025】また、これら各バンプ22Aの先端部にく
ぼみ11Aを形成する工程(図4(C))は、図7に示
すように、各バンプ22Aの先端をバンプ22Aの先端
径よりも僅かに小さな先端形状を有し尖つている例えば
鉛筆キヤツプの様な治具30で叩く(Y方向の動作)こ
とにより行うことができる。
ぼみ11Aを形成する工程(図4(C))は、図7に示
すように、各バンプ22Aの先端をバンプ22Aの先端
径よりも僅かに小さな先端形状を有し尖つている例えば
鉛筆キヤツプの様な治具30で叩く(Y方向の動作)こ
とにより行うことができる。
【0026】なお、理想的なくぼみ11Aの径は一般的
な導電粒子の径 5〔μm 〕に対しておよそ15〔μm 〕〜
20〔μm 〕であり、実際上、例えばバンプ11の先端径
が40〔μm 〕の場合には鉛筆キヤツプの様な治具30の
先端のR形状の径が20〔μm〕で、バンプ11に治具3
0を押し当てる際の荷重を10〔gf〕とすることによつ
て、およそ10〔μm 〕のくぼみ11Aを形成することが
できる。
な導電粒子の径 5〔μm 〕に対しておよそ15〔μm 〕〜
20〔μm 〕であり、実際上、例えばバンプ11の先端径
が40〔μm 〕の場合には鉛筆キヤツプの様な治具30の
先端のR形状の径が20〔μm〕で、バンプ11に治具3
0を押し当てる際の荷重を10〔gf〕とすることによつ
て、およそ10〔μm 〕のくぼみ11Aを形成することが
できる。
【0027】以上の構成において、このプリント回路基
板4Aでは半導体チツプ10のバンプ11にくぼみ11
Aを設けたことにより、この半導体チツプ2をACF3
を介してプリント配線基板8にフリツプチツプ実装する
際、半導体チツプ10の各バンプ11とプリント配線基
板8の対応するランド9間の隙間が小さくなる接続過程
で、半導体チツプ10のバンプ11のくぼみ11Aが直
下の導電粒子2を捕獲したままギヤツプが小さくなる。
板4Aでは半導体チツプ10のバンプ11にくぼみ11
Aを設けたことにより、この半導体チツプ2をACF3
を介してプリント配線基板8にフリツプチツプ実装する
際、半導体チツプ10の各バンプ11とプリント配線基
板8の対応するランド9間の隙間が小さくなる接続過程
で、半導体チツプ10のバンプ11のくぼみ11Aが直
下の導電粒子2を捕獲したままギヤツプが小さくなる。
【0028】従つてこの半導体チツプ10ではACF3
を介してプリント配線基板8上に実装する際、半導体チ
ツプ10のバンプ11がACF3内の導電粒子2を押し
退け、半導体チツプ10のバンプ11とプリント配線基
板8の対応するランド9間の隙間に導電粒子2が挟まれ
なかつたり、挟まる数が少なくなる恐れはなく、確実に
複数の導電粒子2を挟み込み半導体チツプ10の各バン
プ11とプリント配線基板8の対応するランド9との間
の導通を得ることができる。
を介してプリント配線基板8上に実装する際、半導体チ
ツプ10のバンプ11がACF3内の導電粒子2を押し
退け、半導体チツプ10のバンプ11とプリント配線基
板8の対応するランド9間の隙間に導電粒子2が挟まれ
なかつたり、挟まる数が少なくなる恐れはなく、確実に
複数の導電粒子2を挟み込み半導体チツプ10の各バン
プ11とプリント配線基板8の対応するランド9との間
の導通を得ることができる。
【0029】以上の構成によれば、半導体チツプ10の
バンプ22Aの先端にくぼみ11Aを設けるようにした
ことにより、プリント配線基板8上に半導体チツプ10
をACF3を用いてフリツプチツプ実装する際に、当該
半導体チツプ10のバンプ11のくぼみ11Aが直下の
プリント配線基板8のランド9との間にある導電粒子2
を捕獲したまま半導体チツプ10の各バンプ11とプリ
ント配線基板8の対応するランド9との間のギヤツプを
狭めることができる。
バンプ22Aの先端にくぼみ11Aを設けるようにした
ことにより、プリント配線基板8上に半導体チツプ10
をACF3を用いてフリツプチツプ実装する際に、当該
半導体チツプ10のバンプ11のくぼみ11Aが直下の
プリント配線基板8のランド9との間にある導電粒子2
を捕獲したまま半導体チツプ10の各バンプ11とプリ
ント配線基板8の対応するランド9との間のギヤツプを
狭めることができる。
【0030】かくするにつき半導体チツプ10のバンプ
11がACF3内の導電粒子2を押し退け、半導体チツ
プ10のバンプ11とプリント配線基板8のランド9間
の隙間に導電粒子2が挟まれなかつたり、挟まる数が少
なくなる恐れを格段的に減少させることができ、信頼性
高く半導体チツプ10をプリント配線基板8上にフリツ
プチツプ実装することができる。
11がACF3内の導電粒子2を押し退け、半導体チツ
プ10のバンプ11とプリント配線基板8のランド9間
の隙間に導電粒子2が挟まれなかつたり、挟まる数が少
なくなる恐れを格段的に減少させることができ、信頼性
高く半導体チツプ10をプリント配線基板8上にフリツ
プチツプ実装することができる。
【0031】なお上述の実施の形態においては、専用治
具30を鉛筆キヤツプの様な場合について述べていた
が、本発明はこれに限らず、治具としては先端径がバン
プ22Aの先端径よりも僅かに小さく、突起状であるも
のを広く適用し得る。
具30を鉛筆キヤツプの様な場合について述べていた
が、本発明はこれに限らず、治具としては先端径がバン
プ22Aの先端径よりも僅かに小さく、突起状であるも
のを広く適用し得る。
【0032】また上述の実施の形態においては、半導体
チツプ10のバンプ11のくぼみ11Aをレベリング後
に形成するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、レベリング工具(図示せず)に半導体チ
ツプ10のバンプ22Aの先端径よりも僅かに小さく、
突起しているものを設け、レベリングと同時にバンプ2
2Aにくぼみ11Aを形成するようにしても良い。
チツプ10のバンプ11のくぼみ11Aをレベリング後
に形成するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、レベリング工具(図示せず)に半導体チ
ツプ10のバンプ22Aの先端径よりも僅かに小さく、
突起しているものを設け、レベリングと同時にバンプ2
2Aにくぼみ11Aを形成するようにしても良い。
【0033】さらに上述の実施の形態においては、半導
体チツプ10の実装面10Aに所定パターンで形成され
た接続パツド6に対して金(Au)ワイヤ21に基づい
てバンプ22を形成した場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、金(Au)ワイヤ以外にも金を含む金
属(例えば、金とはんだとパラジウムの合金等)や金以
外のはんだ等の金属のワイヤに基づいてバンプ22を形
成するようにしても良い。
体チツプ10の実装面10Aに所定パターンで形成され
た接続パツド6に対して金(Au)ワイヤ21に基づい
てバンプ22を形成した場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、金(Au)ワイヤ以外にも金を含む金
属(例えば、金とはんだとパラジウムの合金等)や金以
外のはんだ等の金属のワイヤに基づいてバンプ22を形
成するようにしても良い。
【0034】さらに上述の実施の形態においては、半導
体チツプ10のバンプ11をボールバンプ法により形成
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、バンプ11の形成方法としてはこの他種々の方
法を適用することができる。さらに上述の実施の形態に
おいては、異方性導電材としてACF3を用いた場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、要は、絶縁材
内に複数の導電粒子2が分散して混入されている異方性
導電材料であれば、この他種々の異方性導電材を適用し
得る。
体チツプ10のバンプ11をボールバンプ法により形成
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、バンプ11の形成方法としてはこの他種々の方
法を適用することができる。さらに上述の実施の形態に
おいては、異方性導電材としてACF3を用いた場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、要は、絶縁材
内に複数の導電粒子2が分散して混入されている異方性
導電材料であれば、この他種々の異方性導電材を適用し
得る。
【0035】さらに上述の実施の形態においては、本発
明を半導体チツプ10及びその製造方法並びにその実装
方法に適用するようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、その他種々の表面実装型電子部品及
びその製造方法並びにその実装方法に広く適用し得る。
明を半導体チツプ10及びその製造方法並びにその実装
方法に適用するようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、その他種々の表面実装型電子部品及
びその製造方法並びにその実装方法に広く適用し得る。
【0036】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、表面実装
型電子部品に信号入出力用の電極と、電極上に形成され
た先端部に所定の大きさのくぼみを有する突起電極とを
設けるようにしたことにより、表面実装型電子部品を異
方性導電材を介してプリント配線基板上に実装する際、
突起電極のくぼみが異方性導電材内の導電粒子を捕獲し
た状態で当該突起電極とプリント配線基板の対応する電
極とのギヤツプを狭めることができ、かくして実装の信
頼性を向上し得る表面実装型電子部品を実現できる。
型電子部品に信号入出力用の電極と、電極上に形成され
た先端部に所定の大きさのくぼみを有する突起電極とを
設けるようにしたことにより、表面実装型電子部品を異
方性導電材を介してプリント配線基板上に実装する際、
突起電極のくぼみが異方性導電材内の導電粒子を捕獲し
た状態で当該突起電極とプリント配線基板の対応する電
極とのギヤツプを狭めることができ、かくして実装の信
頼性を向上し得る表面実装型電子部品を実現できる。
【0037】また表面実装型電子部品の製造方法におい
て、表面実装型電子部品の電極上に突起電極を形成する
第1の工程と、突起電極の先端部に所定の大きさのくぼ
みを形成する第2の工程とを設けるようにしたことによ
り、突起電極のくぼみが異方性導電材内の導電粒子を捕
獲した状態で当該突起電極とプリント配線基板の対応す
る電極とのギヤツプを狭めることができ、かくして実装
の信頼性を向上し得る表面実装型電子部品の製造方法を
実現できる。
て、表面実装型電子部品の電極上に突起電極を形成する
第1の工程と、突起電極の先端部に所定の大きさのくぼ
みを形成する第2の工程とを設けるようにしたことによ
り、突起電極のくぼみが異方性導電材内の導電粒子を捕
獲した状態で当該突起電極とプリント配線基板の対応す
る電極とのギヤツプを狭めることができ、かくして実装
の信頼性を向上し得る表面実装型電子部品の製造方法を
実現できる。
【0038】さらに表面実装型電子部品をプリント配線
基板上に実装する実装方法において、表面実装型電子部
品の電極上に突起電極を形成する第1のステツプと、突
起電極の先端部に所定の大きさのくぼみを形成する第2
のステツプと、表面実装型電子部品を異方性導電材を介
してプリント配線基板上に実装する第3のステツプとを
設けるようにしたことにより、表面実装型電子部品をプ
リント配線基板上に実装する際、突起電極のくぼみが異
方性導電材内の導電粒子を捕獲した状態で当該突起電極
とプリント配線基板の対応する電極とのギヤツプを狭め
ることができ、かくして実装の信頼性を向上し得る表面
実装型電子部品を実現できる。
基板上に実装する実装方法において、表面実装型電子部
品の電極上に突起電極を形成する第1のステツプと、突
起電極の先端部に所定の大きさのくぼみを形成する第2
のステツプと、表面実装型電子部品を異方性導電材を介
してプリント配線基板上に実装する第3のステツプとを
設けるようにしたことにより、表面実装型電子部品をプ
リント配線基板上に実装する際、突起電極のくぼみが異
方性導電材内の導電粒子を捕獲した状態で当該突起電極
とプリント配線基板の対応する電極とのギヤツプを狭め
ることができ、かくして実装の信頼性を向上し得る表面
実装型電子部品を実現できる。
【図1】本実施の形態による半導体チツプの構成を示す
部分的断面図である。
部分的断面図である。
【図2】本実施の形態によるバンプの構成を示す端面図
である。
である。
【図3】本実施の形態による半導体チツプをACFを用
いてプリント配線基板上に実装した状態を部分的に端面
をとつて示す端面図である。
いてプリント配線基板上に実装した状態を部分的に端面
をとつて示す端面図である。
【図4】本実施の形態による半導体チツプの製造工程の
説明に供する部分的断面図である。
説明に供する部分的断面図である。
【図5】ボールバンプ法によるバンプの形成工程の説明
に供する部分的断面図である。
に供する部分的断面図である。
【図6】バンプのレベリング工程前後を示す部分的断面
図である。
図である。
【図7】くぼみ加工工程の説明に供する部分的断面図で
ある。
ある。
【図8】ACFの構成の説明に供する斜視図である。
【図9】従来のACFを用いたフリツプチツプ実装法の
説明に供する部分的断面図である。
説明に供する部分的断面図である。
1……ベースフイルム、2……導電粒子、3……AC
F、4、4A……プリント回路基板、5、10……半導
体チツプ、5A、10A……実装面、6……パツド、
7、11、22、22A、23……バンプ、8……プリ
ント配線基板、8A……基板面、9……ランド、11A
……くぼみ、20……キヤピラリ、21……金属ワイ
ヤ、21A……金ボール、30……治具。
F、4、4A……プリント回路基板、5、10……半導
体チツプ、5A、10A……実装面、6……パツド、
7、11、22、22A、23……バンプ、8……プリ
ント配線基板、8A……基板面、9……ランド、11A
……くぼみ、20……キヤピラリ、21……金属ワイ
ヤ、21A……金ボール、30……治具。
Claims (5)
- 【請求項1】信号入出力用の電極と、 上記電極上に形成された先端部に所定の大きさのくぼみ
を有する突起電極とを具えることを特徴とする表面実装
型電子部品。 - 【請求項2】表面実装型電子部品の電極上に突起電極を
形成する第1の工程と、 上記突起電極の先端部に所定の大きさのくぼみを形成す
る第2の工程とを具えることを特徴とする表面実装型電
子部品の製造方法。 - 【請求項3】上記突起電極は、金属ワイヤの先端を上記
表面実装型電子部品の上記電極上に接合した後、当該金
属ワイヤを引きちぎることにより形成され、 上記突起電極の上記くぼみは、上記引きちぎられた金属
ワイヤの先端の高さを揃えるレベリング時に形成された
ことを特徴とする請求項2に記載の表面実装型電子部品
の製造方法。 - 【請求項4】表面実装型電子部品をプリント配線基板上
に実装する表面実装型電子部品の実装方法において、 上記表面実装型電子部品の電極上に突起電極を形成する
第1のステツプと、 上記突起電極の先端部に所定の大きさのくぼみを形成す
る第2のステツプと、 上記表面実装型電子部品を異方性導電材を介して上記プ
リント配線基板上に実装する第3のステツプとを具える
ことを特徴とする表面実装型電子部品の実装方法。 - 【請求項5】上記突起電極は、金属ワイヤの先端を上記
表面実装型電子部品の上記電極上に接合した後、当該金
属ワイヤを引きちぎることにより形成され、 上記突起電極の上記くぼみは、上記引きちぎられた金属
ワイヤの先端の高さを揃えるレベリング時に形成された
ことを特徴とする請求項4に記載の表面実装型電子部品
の実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14912697A JPH10340906A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 表面実装型電子部品及びその製造方法並びにその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14912697A JPH10340906A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 表面実装型電子部品及びその製造方法並びにその実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10340906A true JPH10340906A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15468304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14912697A Pending JPH10340906A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 表面実装型電子部品及びその製造方法並びにその実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10340906A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105405825A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-16 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种覆晶薄膜封装结构 |
CN105551986A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-05-04 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种覆晶薄膜(cof)封装方法 |
CN105551987A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-05-04 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种覆晶薄膜(cof)封装方法 |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP14912697A patent/JPH10340906A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105405825A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-16 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种覆晶薄膜封装结构 |
CN105551986A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-05-04 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种覆晶薄膜(cof)封装方法 |
CN105551987A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-05-04 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 一种覆晶薄膜(cof)封装方法 |
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