JP3855532B2 - Icチップと回路基板との接続方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ICチップのパッドと回路基板のランドとをワイヤボンディングで形成された導線によって電気的に接続する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ICチップおよび回路基板(配線基板)とをAuワイヤを用いたワイヤボンディングにて電気的に接続する場合に、一般に、回路基板上の配線材料がCu等のようなAuワイヤとの接合性の悪い材料であると、配線(ランド)上に直接ボンディングを行うことができないとされている。
【0003】
このような回路基板でICチップの電極(パッド)および回路基板の電極(ランド)とにワイヤボンディングを行う手順を図5に基づいて説明する。
まず、回路基板のランド上にAuワイヤにて予め接合性のよいボールボンディングを行ってバンプを予め形成しておく(図5(a)、(b))。次に、ICチップのパッド上に1次ボンディングを行い(図5(c))、続いて配線上に形成しておいたバンプに2次ボンディングを行う(図5(d))。以上の図5(a)〜(d)に示す工程によって、Auワイヤボンディングの接合性を確保している。
【0004】
この方法によれば、回路基板のCu等のランドとAuワイヤは接合性のよいボールボンディングで接合し、さらに配線上のバンプとAuワイヤは通常のウェッジボンディングで同質同材のAu同士の接合を行うことによって良好な接合を得ることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、ICチップ上に形成されているボンディングパッドは多ピン、狭ピッチ化が進んでおり、ICチップ上のパッドにボールボンディングを行う際には、パッドの大きさに応じて小径のボールを用いなければならない。このとき、チップ上のパッドにボールボンディングを行うのと同じボール径のボールを用いて、基板上のCu等のランドにボールボンディングを行ったとすると、ボールの体積が小さいため、Cu等のランドとAuワイヤの界面が十分接合されないうちにつぶれてしまうことになる。その結果、ボンディング後の接合強度が弱いばかりでなく、ボンディング中においても接合が確保されず、はがれてしまうという不具合が発生する。
【0006】
また、逆に基板ランド上へのボンディング性を確保するために、ランドにボールボンディングを行うのと同じボール径のボールを用いてICチップ上のパッドにボールボンディングと行うとすれば、ボールがパッドから大きくはみ出してしまい隣り合うパッドでショートしてしまうという不具合が発生する。
本発明は、上記点に鑑み、ICチップと回路基板とをワイヤボンディングで形成された導線によって電気的に接続する方法において、回路基板と導線との接合性を確保するとともに多ピンかつ狭ピッチのICチップへのボンディングを可能とすることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、第1のボール(5a)を形成してボールボンディングを行うことにより、ワイヤボンディングの2次側となるランド(4)にバンプ(6)を形成するバンプ形成工程と、パッド(3a)に応じて第1のボール(5a)より小径の第2のボール(5b)を形成してボールボンディングを行うことにより、パッド(3a)を1次側としてワイヤボンディングを行う1次側ボンディング工程と、バンプ(6)を2次側としてワイヤボンディングを行って導線(10)を形成し、ICチップ(3)および回路基板(1)とを電気的に接続する2次側ボンディング工程とを備えることを特徴としている。
【0008】
これにより、回路基板(1)上のランド(4)にボンディングを行う際には、大径の第1のボール(5a)を用いてボールボンディングを行って接合性を確保できるとともに、ICチップ(3)上のパッド(3a)にボンディングを行う際には、第1のボール(5a)より小径の第2のボール(5b)を用いてボールボンディングを行い、パッド(3a)からのはみ出しや、ショートを防ぐことができ、多ピンかつ狭ピッチのICチップ(3)へのボンディングが可能となる。
【0009】
また、請求項2に記載の発明は、バンプ形成工程は、ワイヤボンディングの2次側となるランド(4)のすべてについて連続してバンプ(6)を形成することを特徴としている。
このようにすべてのランド(4)について連続してボンディングを行うことにより、ランド(4)とパッド(3a)で異なるボール径のボールを形成してボールボンディングを行う場合に、ボール径を変更することなくランド(4)にボールボンディングを行うことができ、ボンディングを効率よく行うことができる。
【0010】
また、請求項3に記載の発明は、ICチップ(3)が複数であり、異なるボール径の第2のボール(5b)を必要とするパッド(3a)が存在する場合には、ボンディング工程において、パッド(3a)に応じて第2のボール(5b)のボール径を変更するとともに、同じボール径の第2のボール(5b)に対応するパッド(3a)のすべてについて連続してワイヤボンディングを行うことを特徴としている。
【0011】
これにより、複数のICチップ(3)が回路基板(1)に設置されており、各ICチップ(3)におけるパッド(3a)の大きさ等が異なる場合には、それぞれのパッド(3a)からはみ出したりすることなくボンディングを行うことができ、同じボール径の第2のボール(5b)を必要するパッド(3a)についてボール径を変更することなく連続してボンディングを行うことができ、ボンディングを効率よく行うことができる。
【0012】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用したICチップと回路基板との接続方法について図に基づいて説明する。
図1から3は、本発明の第1実施形態に係るICチップ3と回路基板1との接続方法を示す工程図であり、図4はボンディング後の回路基板を示している。なお、図4ではICチップ3上のパッド3aを省略している。以下、接続工程順に説明する。
【0014】
まず、回路基板(セラミック基板やプリント基板などの基板)1を用意する。この回路基板1の一面上には、ダイマウントペースト2(例えばはんだやAgペースト)によりICチップ3がダイマウントされ、ICチップ3上には、ICチップ3の内部回路と電気的に接続されたパッド3aが設けられている。本実施形態では、回路基板1には複数のICチップ3が設置されている。
【0015】
一方、回路基板1の一面上のうちICチップ3の設置領域と異なる部分には、Cu、Ni、フラッシュAuめっき等のようにAuワイヤと接合性の悪い配線材料を用いたランド4が形成されている。
そして、図1(a)〜(d)に示すように、このランド4上に、Auよりなる凸状のAuバンプ6を、Auワイヤ5を用いてボールボンディングにより形成する。これは、ICチップ3のパッド3aとランド4との間をAuワイヤ5を用いてワイヤボンディングして後述の導線10を形成する場合に、Auバンプ6と導線10とを同質材質のAuにより構成することにより、導線10の接合性を良くするためである。
【0016】
具体的には、図1(a)に示すように、キャピラリ7の貫通孔7aにAuワイヤ5を挿通した状態で、トーチ電極8からの放電によりキャピラリ7から突出したAuワイヤ5の先端に第1のボール5aを形成する。
このとき、使用するAuワイヤ5の径が30μmの場合には、第1のボール5aのボール径dを70〜80μmとすることがランド4とAuワイヤ5との接続性を確保するために最適である。本実施形態においては、第1のボール5aのボール径dを例えば75μmとしている。
【0017】
次に、図1(b)に示すように、キャピラリ7をランド4上に位置させてボールボンディングを行う。このボールボンディングによってAuバンプ6を形成する。
次に、図1(c)に示すように、キャピラリ7を後方(Auバンプ6に対しICチップ3と反対側の方向)に移動させてウェッジボンディングを行う。このとき、キャピラリ7をランド4上に押しつけてAuバンプ6から延びるAuワイヤ5を切断する。
【0018】
次に、再度、キャピラリ7を上方に移動させ、図1(d)に示すように、トーチ電極8からの放電により、Auワイヤ5の先端に第1のボール5aを形成する。
以上の図1(a)〜(d)の工程を順次繰り返し、回路基板1のすべてのランド4上にAuバンプ6を形成していく。図4(a)はすべてのランド4上にAuバンプ6を形成した状態の配線基板1を示す。
【0019】
次に、図2(a)に示すように、キャピラリ7の貫通孔7aにAuワイヤ5を挿通した状態で、トーチ電極8からの放電によりキャピラリ7から突出したAuワイヤ5の先端に上記第1のボール5aより小径の第2のボール5bを形成する。このとき、ICチップ3上におけるパッド3aの大きさが90〜110μmであり、隣り合うパッド3aの間隔が100〜140μmであるとすると、パッド3aからのはみ出し等を防止するためには第2のボール5bのボール径を60〜70μmとすることが最適である。本実施形態では、トーチ電極8の電圧、電流量を調整することにより第2のボール5bのボール径eを例えば65μmとしている。
【0020】
次に、図2(b)に示すように、ICチップ3に形成されたパッド3a上にボールボンディング(1次ボンディング)を行うとともに、図2(c)に示すように、上記工程で形成したランド4上のバンプ6にウェッジボンディング(2次ボンディング)を行う。これにより、ICチップ3のパッド3aとランド4上のバンプ6との間にAuよりなる上記導線10が形成され、ICチップ3と回路基板1とが電気的に接続される。
【0021】
以上の図2(a)〜(c)の工程を順次繰り返して、第2のボール5bの同じボール径eを必要とするすべてのパッド3a、すなわち大きさや間隔が同程度であるすべてのパッド3aについてボンディングを行う。図4(b)は、以上の図2(a)〜(c)の工程により、大きさ、間隔が同じであるすべてのパッド3aにボンディングが終了した後の回路基板1を示している。
【0022】
また、本実施形態のように複数のICチップ3が回路基板1に設置されており、さらに、各ICチップ3でパッド3aの大きさ等が異なる場合には、各ICチップ3ごとに、そのパッド3aの大きさ、間隔に応じたボール径の第2のボール5bを形成する。例えば、図3に示すように、上記のボール径eより大きく第1のボールのボール径dより小さいボール径fの第2のボール5bをトーチ8の電流、電圧量を調整して形成する。
【0023】
そして、上記で図2(b)、(c)に基づいて説明したのと同様に、ICチップ3に形成されたパッド3a上にボールボンディング(1次ボンディング)を行うとともに、ランド4上のバンプ6にウェッジボンディング(2次ボンディング)を行う。図4(c)は、以上の工程によってすべてのパッド3aにボンディングが終了し、ICチップ3と回路基板1とが電気的に接続された後の回路基板1を示している。
【0024】
以上のように、本発明によれば、回路基板1上のランド4側は大きなボール径の第1のボール5aにてボールボンディングを行って接合性を確保することができる。そして、ICチップ3のパッド3a側はパッド3aの大きさ、間隔に合わせて、第1のボール5aより小径の第2のボール5bを形成し、この第2のボール5bにてボールボンディングを行うことにより、パッド3aからのはみ出し、ショートを防止することができる。従って、回路基板1と導線10との接合性を確保できるとともに多ピンかつ狭ピッチのICチップ3へのボンディングを可能にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1のボールにてランド上にバンプを形成する手順を示す工程図である。
【図2】第2のボールにてパッドとバンプとを接続する手順を示す工程図である。
【図3】第2のボールのボール径を変更した場合を示す側面図である。
【図4】ICチップと配線基板とを接続する各段階における配線基板の状態を示す平面図である。
【図5】従来技術のICチップと配線基板との接続手順を示す工程図である。
【符号の説明】
1…回路基板、3…ICチップ、3a…パッド、4…ランド、5…Auワイヤ、5a…第1のボール、5b…第2のボール、6…凸状のAuバンプ、10…導線。
Claims (3)
- ICチップ(3)のパッド(3a)および回路基板(1)のランド(4)とをワイヤボンディングで形成された導線(10)で電気的に接続する方法であって、
第1のボール(5a)を形成してボールボンディングを行うことにより、ワイヤボンディングの2次側となる前記ランド(4)にバンプ(6)を形成するバンプ形成工程と、
前記第1のボール(5a)より小さいボール径の第2のボール(5b)を形成してボールボンディングを行うことにより、前記パッド(3a)を1次側としてワイヤボンディングを行うとともに、前記バンプ(6)を2次側としてワイヤボンディングを行って前記導線(10)を形成し、前記ICチップ(3)および前記回路基板(1)とを電気的に接続するボンディング工程とを備えることを特徴とするICチップと回路基板との接続方法。 - 前記バンプ形成工程は、ワイヤボンディングの2次側となる前記ランド(4)のすべてについて連続して前記バンプ(6)を形成することを特徴とする請求項1に記載のICチップと回路基板との接続方法。
- 前記ICチップ(3)が複数であり、異なるボール径の前記第2のボール(5b)を必要とする前記パッド(3a)が存在する場合には、
前記ボンディング工程において、前記パッド(3a)に応じて前記第2のボール(5b)のボール径を変更するとともに、同じボール径の前記第2のボール(5b)に対応する前記パッド(3a)のすべてについて連続してワイヤボンディングを行うことを特徴とする請求項2記載のICチップと回路基板との接続方法。
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