JPH05235002A - バンプ形成方法 - Google Patents

バンプ形成方法

Info

Publication number
JPH05235002A
JPH05235002A JP4035929A JP3592992A JPH05235002A JP H05235002 A JPH05235002 A JP H05235002A JP 4035929 A JP4035929 A JP 4035929A JP 3592992 A JP3592992 A JP 3592992A JP H05235002 A JPH05235002 A JP H05235002A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
wire
ball
bump
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4035929A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Haji
宏 土師
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4035929A priority Critical patent/JPH05235002A/ja
Publication of JPH05235002A publication Critical patent/JPH05235002A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 バンプ高やバンプ径のばらつきのないバンプ
を形成できる手段を提供する。 【構成】 キャピラリ51から導出されたワイヤ36の
下端部に、トーチ電極によりボールを形成する工程と、
キャピラリ51を下降させて、ボールB’をチップPの
電極64に押し付ける工程と、このキャピラリ51を下
降させたまま、このキャピラリ51が上記ボールB’を
押し付ける押付力を減少させて、このキャピラリ51を
わずかに水平移動させることにより、ワイヤ36のボー
ルB’からの立ち上り部36aを脆弱化させる工程と、
キャピラリ51を上昇させて、クランパ63によりワイ
ヤ36をクランプして引き上げることにより、上記立ち
上り部36aからワイヤ36を切断する工程を構成して
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はバンプ形成方法に関し、
詳しくは、ワイヤボンディング手段により、バンプ高に
ばらつきのないバンプを形成するための手段に関する。
【0002】
【従来の技術】ワイヤボンディング手段により、チップ
にバンプを形成してフリップチップ等を製造することが
知られている。ワイヤボンディング手段は、キャピラリ
から導出されたワイヤの下端部にトーチ電極を接近させ
てボールを形成し、次いでこのボールをキャピラリの下
端部によりチップの電極に押し付けてボンディングし、
次いでクランパによりワイヤをクランプして、ワイヤを
引き上げることにより、ボールとワイヤの接合部からワ
イヤを切断して、バンプを形成するものである。
【0003】ところで、ワイヤをクランプしてそのまま
引き上げて切断すると、ワイヤの切断箇所が安定せず、
ワイヤの切れ残りが長短様々にバンプから残存突出し、
このためバンプ高がばらつきやすい問題があった。
【0004】この問題点を解消する従来手段として、例
えば特開昭57−163919号公報に記載されたもの
が知られている。この方法は、図3に示すように、キャ
ピラリ100を下降させて、ワイヤ101のボール10
2をチップ103の電極104に押し付け、次いで同図
一点鎖線のようにキャピラリ100を上昇させるととも
に、このキャピラリ100を同図破線のようにわずかに
水平移動させた後、同図実線のように再度キャピラリ1
00を下降させて、ボール102からの立ち上り部をキ
ャピラリ100の下面によりボール102に強く押し付
け、次いでワイヤ101をクランプして引き上げること
により、ワイヤ101とボール102の接合部からワイ
ヤ101を切断するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この従来方
法では、図3に示すようにワイヤ101の立ち上り部1
01aを脆弱化させるために、キャピラリ100の上
昇、水平移動、再下降という作業をするが、この一連の
作業は極めて短時間で行われるため、キャピラリ100
をボール102に再押圧する際の押圧力のコントロール
が難しかった。すなわちこの押圧力が過大の場合には、
同図2点鎖線に示すようにボール102が押し潰されす
ぎてバンプ高が低く、且つバンプ径が大きいバンプが形
成され、これにより隣接する電極にボール102が接触
して電気的不良となり、また押圧力が過小の場合には、
ボール102の上面が十分に平坦にならずに、バンプ高
の高いバンプとなっていた。
【0006】そこで本発明は、バンプ高やバンプ径のば
らつきのないバンプを形成できる手段を提供することを
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、キャピラリか
ら導出されたワイヤの下端部に、トーチ電極によりボー
ルを形成する工程と、キャピラリを下降させて、上記ボ
ールをチップの電極に押し付ける工程と、このキャピラ
リを下降させたまま、このキャピラリが上記ボールを押
し付ける押付力を減少させて、このキャピラリをわずか
に水平移動させることにより、ワイヤのボールからの立
ち上り部を脆弱化させる工程と、キャピラリを上昇させ
て、クランパによりワイヤをクランプして引き上げるこ
とにより、上記立ち上り部からワイヤを切断する工程を
構成している。
【0008】
【作用】上記構成において、ワイヤの下端部に形成され
たボールを、キャピラリによりチップの電極に押し付け
てボンディングし、次いでキャピラリを下降させたまま
で、このキャピラリが上記ボールを押し付ける押付力を
減少させて、キャピラリをわずかに水平移動させること
により、ワイヤのボールからの立ち上り部を脆弱化さ
せ、次いでクランパによりワイヤをクランプして引き上
げることにより、この立ち上り部からワイヤを切断す
る。このように、上記キャピラリの水平移動の際、上記
押付力を減少させているので、バンプがキャピラリから
受ける力の方向は、略水平を向く。したがって、この水
平移動に伴ってボールの上部が、ワイヤの立ち上り部も
ろともに剥ぎ取られるというようなダメージを受けるこ
とがなく、バンプ高が低下せず、バンプ高のばらつきを
防ぐことができる。しかも、キャピラリを水平移動させ
た後、キャピラリを昇降させながら再押圧(押付力のコ
ントロールが難しい)させるようなことはなく、従来手
段のように、この再押圧による押付力が過大となって、
バンプ径が大きくなり過ぎるようなおそれがない。
【0009】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図1および図2は本発明に係るワイヤボンデ
ィング装置によるバンプの形成工程を示す動作図であ
り、一連の動作を示している。60はトーチ電極であ
り、水平方向に揺動することにより、キャピラリ51か
ら導出されたワイヤ36の下端部に接近して、電気的ス
パークによりワイヤ36の下端部にボールB’を形成す
る。62、63はワイヤ36をクランプするテンション
クランパとカットクランパ、64はチップPの上面に形
成された電極であり、この電極64に上記ボールB’を
ボンディングしてバンプBを形成する。
【0010】本装置は上記のような構成より成り、次に
動作の説明を行う。キャピラリ51から導出されたワイ
ヤ36の下端部にトーチ電極60を接近させ、電気的ス
パークによりワイヤ36の下端部にボールB’を形成す
る(図1(a))。次いでトーチ電極60を側方へ退去
させたうえで、キャピラリ51を下降させ、ボールB’
をチップPの電極64に押し付けてボンディングする
(同図(b))。
【0011】次いでキャピラリ51を下降させたまま、
この押付力を上記押付力の約半分〜零に減少させる(図
2(a))。ここで押付力は、減少方向に変化するの
で、ボールB' が押し潰され過ぎて、バンプBの径が過
大となることはない。なお、この押付力の削減は、周知
手段により簡単に行うことができる。
【0012】そして、図2(b)に示すように、キャピ
ラリ51を下降させたまま、このキャピラリ51を数十
μm程度わずかに水平移動させる。これにより、ワイヤ
36の立ち上り部36aを脆弱化させることができる。
この際上記押付力を、減少させているので、ボールB’
に作用する力の合力は、図2(b)右下を向くのではな
く、図2(b)の略真右(略水平方向)を向く。したが
って、ボールB’の上部が、鎖線Sで示すように、上記
立ち上り部36aもろともに剥ぎ取られるようなダメー
ジを受けることはない。なお、図2(b)に示すように
立ち上り部36aを脆弱化した上で、ほとんどキャピラ
リ51を昇降させないまま、若干上記押付力を増加する
と、立ち上り部36aを一層脆弱化することができる。
この押付力の再増加は必ずしも行われねばならぬもので
はなく、低い押圧力を維持したままでも良い。上記水平
移動の結果、この状態において亀裂Xが発生する。
【0013】次いで、キャピラリ51をそのままで上昇
させ(図2(c))、次いでカットクランパ63により
ワイヤ36をクランプして、ワイヤ36を引き上げる。
すると、ワイヤ36は脆弱化した立ち上り部36aから
切断され、チップの電極64にはバンプBが形成される
(同図(d))。このバンプBの上面は、ワイヤ36が
立ち上り部36aから切断されていることから、ほぼフ
ラットな面となっている。Cはワイヤ36(図2(c)
参照)の切断により生じた突起である。この突起Cは、
バンプBの中央から偏心した位置にでき、しかもこの突
起Cはきわめて小さいものであり、バンプ高には実質的
に影響しない。
【0014】また本手段は、上述した従来手段のように
一度バンプから上昇させたキャピラリの下面を再び下降
させてバンプに押圧しないので、チップPに加わる衝撃
を少なくすることができ、しかも高速度で行われるワイ
ヤボンディングの一工程中において、キャピラリ51が
上昇下降を複数回繰り返すような複雑な動作をせず、動
作音を小さくすることができる。このように本手段によ
れば、フラットな上面を有し、バンプ高にばらつきのな
いバンプBを簡単に形成できる。殊に本手段は、従来の
バンプ形成装置をそのまま使って、上記形状のバンプB
を形成できる利点がある。
【0015】
【発明の効果】本発明は、キャピラリから導出されたワ
イヤの下端部に、トーチ電極によりボールを形成する工
程と、キャピラリを下降させて、上記ボールをチップの
電極に押し付ける工程と、このキャピラリを下降させた
まま、このキャピラリが上記ボールを押し付ける押付力
を減少させて、このキャピラリをわずかに水平移動させ
ることにより、ワイヤのボールからの立ち上り部を脆弱
化させる工程と、キャピラリを上昇させて、クランパに
よりワイヤをクランプして引き上げることにより、上記
立ち上り部からワイヤを切断する工程とからバンプ形成
方法を構成しているので、ボールにダメージを与えるこ
となく、均一のとれたバンプを簡単に形成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るボンディング装置によるバンプの
形成工程を示す動作図
【図2】本発明に係るボンディング装置によるバンプの
形成工程を示す動作図
【図3】従来のバンプの形成工程を示す動作図
【符号の説明】
36 ワイヤ 36a 立ち上り部 51 キャピラリ 60 トーチ電極 62 テンションクランパ 63 カットクランパ 64 電極 B’ ボール P チップ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)キャピラリから導出されたワイヤの
    下端部に、トーチ電極によりボールを形成する工程と、 (b)キャピラリを下降させて、上記ボールをチップの
    電極に押し付ける工程と、 (c)このキャピラリを下降させたまま、このキャピラ
    リが上記ボールを押し付ける押付力を減少させて、この
    キャピラリをわずかに水平移動させることにより、ワイ
    ヤのボールからの立ち上り部を脆弱化させる工程と、 (d)キャピラリを上昇させて、クランパによりワイヤ
    をクランプして引き上げることにより、上記立ち上り部
    からワイヤを切断する工程とから成ることを特徴とする
    バンプ形成方法。
JP4035929A 1992-02-24 1992-02-24 バンプ形成方法 Pending JPH05235002A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4035929A JPH05235002A (ja) 1992-02-24 1992-02-24 バンプ形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4035929A JPH05235002A (ja) 1992-02-24 1992-02-24 バンプ形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05235002A true JPH05235002A (ja) 1993-09-10

Family

ID=12455726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4035929A Pending JPH05235002A (ja) 1992-02-24 1992-02-24 バンプ形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05235002A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6260753B1 (en) * 1998-08-07 2001-07-17 Stmicroelectronics S.R.L. Gold bumps bonding on connection pads and subsequent coining of their vertex
US7153764B2 (en) 2003-10-03 2006-12-26 Renesas Technology Corp. Method of manufacturing a semiconductor device including a bump forming process
JP2011222813A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Denso Corp ワイヤボンディング方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6260753B1 (en) * 1998-08-07 2001-07-17 Stmicroelectronics S.R.L. Gold bumps bonding on connection pads and subsequent coining of their vertex
US7153764B2 (en) 2003-10-03 2006-12-26 Renesas Technology Corp. Method of manufacturing a semiconductor device including a bump forming process
US7510958B2 (en) 2003-10-03 2009-03-31 Renesas Technology Corp. Method of manufacturing a semiconductor device including a bump forming process
JP2011222813A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Denso Corp ワイヤボンディング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5953624A (en) Bump forming method
JP2001118873A (ja) ピン状ワイヤ等の形成方法
US20070029367A1 (en) Semiconductor device
US5981371A (en) Bump forming method
US6244499B1 (en) Structure of a ball bump for wire bonding and the formation thereof
JP2735022B2 (ja) バンプ製造方法
JP2631013B2 (ja) バンプ形成方法
US6260753B1 (en) Gold bumps bonding on connection pads and subsequent coining of their vertex
JPH05235002A (ja) バンプ形成方法
KR970063505A (ko) 범프형성방법 및 그의 형성장치
US6270000B1 (en) Wire bonding method
JP2976645B2 (ja) バンプ形成方法
JP3128717B2 (ja) バンプ形成方法
JP3322642B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5889833A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2977990B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3202193B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3532361B2 (ja) Ic電極上への突起電極形成方法
JPH04324942A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2894344B1 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH039525A (ja) バンプ形成方法及びその形成装置
JPH0574779A (ja) バンプ形成方法
JPH05347308A (ja) ボールバンプ形成方法
JPH09129645A (ja) バンプ電極形成方法
JPH06163551A (ja) バンプ電極形成装置