JPH01201934A - ワイヤボンディング方法及びキャピラリチップ - Google Patents
ワイヤボンディング方法及びキャピラリチップInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ワイヤホンテインク方法及びキャピラリチ
ップに係り、特に半導体装置のアルミ電極等の被ボンデ
ィング体上にワイヤ先端の金属ボールを接合さぜる方法
及びその装置に関するものである。
ップに係り、特に半導体装置のアルミ電極等の被ボンデ
ィング体上にワイヤ先端の金属ボールを接合さぜる方法
及びその装置に関するものである。
一般に、この種のボンデインク方法は、第8図(a)〜
(e)に示されるような工程に従って行われる。
(e)に示されるような工程に従って行われる。
ます、キャピラリチップ(1)内を挿通する銅ワイヤ(
2)の先端部にトーチ(3)により加熱して銅ボール(
4)を形成しな後(第8図(a))、キャピラリチップ
(1)を降下させて銅ボール(4)を銅系リードフレー
ム(5)のタイスパッF(6)上に配置されている半導
体素子(7)のアルミニウム電極(8)上に圧接し塑性
変形させる (第8図(b))。このとき、タイスパッ
ド(6)はヒートフロック(9)上に配置されており、
半導体素子(7)はこのヒートフロック(9)によって
温度300〜400°Cに加熱されると共にキャピラリ
チップ(1)には振動装置(図示せず)により超音波振
動か印加される。これにより、鋼ワイヤ(2)とアルミ
ニウム電極(8)の百合属元素か相互拡散し、銅ワイヤ
(2)はアルミニラム電極(8)に固着される。
2)の先端部にトーチ(3)により加熱して銅ボール(
4)を形成しな後(第8図(a))、キャピラリチップ
(1)を降下させて銅ボール(4)を銅系リードフレー
ム(5)のタイスパッF(6)上に配置されている半導
体素子(7)のアルミニウム電極(8)上に圧接し塑性
変形させる (第8図(b))。このとき、タイスパッ
ド(6)はヒートフロック(9)上に配置されており、
半導体素子(7)はこのヒートフロック(9)によって
温度300〜400°Cに加熱されると共にキャピラリ
チップ(1)には振動装置(図示せず)により超音波振
動か印加される。これにより、鋼ワイヤ(2)とアルミ
ニウム電極(8)の百合属元素か相互拡散し、銅ワイヤ
(2)はアルミニラム電極(8)に固着される。
次に、キャピラリチップ(1)を上昇させつつその先端
部から銅ワイヤ(2)を繰り出しな後(第8図(C))
、リードフレーム(5)のインナーリート(10)上に
キャピラリチップ(1)を降下させて銅ワイヤ(2)を
インナーリード(10)のワイヤ接続面(11)上に圧
接しく第8図(d))、銅ワイヤ(2)のルーピンクを
行う。このとき3.インナーリード(10)はピー1〜
フロツク(9)上に配置されて温度300〜400℃に
加熱されると共にキャピラリチップ(1)には振動装置
(図示せず)により超音波振動か印加される。これによ
り、銅ワイヤ(2)とインナーリー1〜(10)のワイ
ヤ接続面(11)の百合属元素か相互拡散し、銅ワイヤ
(2)はワイヤ接続面(11)に固着される。
部から銅ワイヤ(2)を繰り出しな後(第8図(C))
、リードフレーム(5)のインナーリート(10)上に
キャピラリチップ(1)を降下させて銅ワイヤ(2)を
インナーリード(10)のワイヤ接続面(11)上に圧
接しく第8図(d))、銅ワイヤ(2)のルーピンクを
行う。このとき3.インナーリード(10)はピー1〜
フロツク(9)上に配置されて温度300〜400℃に
加熱されると共にキャピラリチップ(1)には振動装置
(図示せず)により超音波振動か印加される。これによ
り、銅ワイヤ(2)とインナーリー1〜(10)のワイ
ヤ接続面(11)の百合属元素か相互拡散し、銅ワイヤ
(2)はワイヤ接続面(11)に固着される。
その後、クランパ(12)により多聞ワイヤ(2)を固
定しながらキャピラリチップ(1)を−上昇させて銅ワ
イヤ(2)を切断する (第8図(e))。
定しながらキャピラリチップ(1)を−上昇させて銅ワ
イヤ(2)を切断する (第8図(e))。
このようにしてワイヤホンデイ〉・りか行なわれるか、
従来のキャピラリチップ(1)の先端部は第9図(a)
及び(1〕)に示すように角度45°の円すい状の面取
り部(13)を有していた。
従来のキャピラリチップ(1)の先端部は第9図(a)
及び(1〕)に示すように角度45°の円すい状の面取
り部(13)を有していた。
従って、このようなキャピラリチップ(1)により銅ボ
ール(4)を塑性変形して形成される銅ワイヤ(2)と
アルミニウム電極(8)の接合部は第10図のような構
造となっていた。すなわち、キャピラリチップ(1)の
円すい状の面取り部(13)と平坦な荷重面(14)と
によりそれぞれ荷重が加えられて塑性変形した銅ボール
(4)は円すい状の被荷重面(15)と平坦な被荷重面
(16)とを有し、この銅ボール(4)の下部に銅 ア
ルミニウム合金層(17)が形成される。なお、アルミ
ニウム電極(8)の下部にはSiや絶縁膜などの電極下
地層(18)か形成されている。
ール(4)を塑性変形して形成される銅ワイヤ(2)と
アルミニウム電極(8)の接合部は第10図のような構
造となっていた。すなわち、キャピラリチップ(1)の
円すい状の面取り部(13)と平坦な荷重面(14)と
によりそれぞれ荷重が加えられて塑性変形した銅ボール
(4)は円すい状の被荷重面(15)と平坦な被荷重面
(16)とを有し、この銅ボール(4)の下部に銅 ア
ルミニウム合金層(17)が形成される。なお、アルミ
ニウム電極(8)の下部にはSiや絶縁膜などの電極下
地層(18)か形成されている。
ところで、銅ボール(4)圧接時に銅ボール(4)に加
わる荷重のベクトル(19)(第9図参照〉はキャピラ
リチップ(1)の面取り部(13)と荷重面(14)に
よって決まり、面取り部(13)ては接合部の中心付近
に向かい、荷重面(14)ではアルミニウム電極(8)
の面に垂直となる。従って、銅ボール(4)を形成する
銅元素の滑り方向か一意的に固定され、第11図に示す
ように銅ボール(4)の裏面には接合部の中心付近に滑
り線の少ない核(20)が大きく生じていた。
わる荷重のベクトル(19)(第9図参照〉はキャピラ
リチップ(1)の面取り部(13)と荷重面(14)に
よって決まり、面取り部(13)ては接合部の中心付近
に向かい、荷重面(14)ではアルミニウム電極(8)
の面に垂直となる。従って、銅ボール(4)を形成する
銅元素の滑り方向か一意的に固定され、第11図に示す
ように銅ボール(4)の裏面には接合部の中心付近に滑
り線の少ない核(20)が大きく生じていた。
その結果、アルミニウム電極(8)の加熱エネルキーと
銅ボール(4)に加えられる超音波振動エネルキーとに
より相互拡散して形成される合金層(17)は不均一な
ものとなり、ホンデインクの信頼性の低下を招くという
問題点を有していた。
銅ボール(4)に加えられる超音波振動エネルキーとに
より相互拡散して形成される合金層(17)は不均一な
ものとなり、ホンデインクの信頼性の低下を招くという
問題点を有していた。
また、近年の半導体装置の高密度化に伴い、ボンディン
グのための電極部は必然的に小さくなっているので、よ
り小さな金属ボールを用いたボンディングか要求されて
いる。ところが、従来のキャピラリチップ(1)の面取
り部(13)と荷重面(14)との境界部(21)では
荷重ベクトル(19)の方向が急激に変化するため、銅
ボール(4)の大きさが小さい場合には、境界部(21
)が銅ボール(4)を突き破ってアルミニウム電極(8
)に衝突してしまう恐れがあった。
グのための電極部は必然的に小さくなっているので、よ
り小さな金属ボールを用いたボンディングか要求されて
いる。ところが、従来のキャピラリチップ(1)の面取
り部(13)と荷重面(14)との境界部(21)では
荷重ベクトル(19)の方向が急激に変化するため、銅
ボール(4)の大きさが小さい場合には、境界部(21
)が銅ボール(4)を突き破ってアルミニウム電極(8
)に衝突してしまう恐れがあった。
この発明はこのような課題を解消するためになされたも
ので、接合部全体にわたって均一な合金層を形成し、信
頼性の高いボンディング構造を形成することのできるワ
イヤボンディング方法及びキャピラリチップを得ること
を目的とする。
ので、接合部全体にわたって均一な合金層を形成し、信
頼性の高いボンディング構造を形成することのできるワ
イヤボンディング方法及びキャピラリチップを得ること
を目的とする。
この発明に係るワイヤボンディング方法は、ワイヤの先
端部に形成された金属ボールを被ボンディング体上に位
置さぜな後、連続的に滑らかに変化する荷重方向を有す
る荷重をこの金属ボールに加えてこれを被ボンディング
体に圧接し塑性変形させ、さらにこの金属ボールに超音
波振動を印加して金属ボールと被ボンディング体の双方
の構成元素を相互拡散させる方法である。
端部に形成された金属ボールを被ボンディング体上に位
置さぜな後、連続的に滑らかに変化する荷重方向を有す
る荷重をこの金属ボールに加えてこれを被ボンディング
体に圧接し塑性変形させ、さらにこの金属ボールに超音
波振動を印加して金属ボールと被ボンディング体の双方
の構成元素を相互拡散させる方法である。
また、このような方法は、金属ボールを圧接するための
平坦な荷重面と、この荷重面に開口しワイヤを挿通させ
る挿通孔と、この挿通孔の開口部に形成されると共に連
続的に滑らかに変化する凸曲面を有する面取り部とを備
えたキャピラリチップを用いることにより実施すること
がてきる。
平坦な荷重面と、この荷重面に開口しワイヤを挿通させ
る挿通孔と、この挿通孔の開口部に形成されると共に連
続的に滑らかに変化する凸曲面を有する面取り部とを備
えたキャピラリチップを用いることにより実施すること
がてきる。
この発明においては、金属ボールに連続的に滑らかに変
化する荷重方向を有する荷重が加えられるので、金属ボ
ールの金属組織の滑りは接合部全体にわたって発生する
。従って、金属ボールと被ボンディング体との間に均一
な合金層が形成される。
化する荷重方向を有する荷重が加えられるので、金属ボ
ールの金属組織の滑りは接合部全体にわたって発生する
。従って、金属ボールと被ボンディング体との間に均一
な合金層が形成される。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第1図(、)及び(b)はそれぞれこの発明のワイヤボ
ンディング装置の一実施例に係るキャピラリチップの要
部を示す断面図及び端面図である。このキャピラリチッ
プ(1)の先端部には平坦な荷重面(14)か形成され
ており、また中心部には銅ワイヤを挿通するためのボー
ル径り、の挿通孔(22)が設けられている。この挿通
孔(22)は荷重面(14)に開口しており、その開口
周縁部には面取り部(13)か形成されている。この面
取り部(13)は挿通孔(22)内に挿通される銅ワイ
ヤの径D2より小さな曲率半径Rて挿通孔(22)の内
壁面から荷重面(14)に向かって連続的に滑らかに変
化する凸曲面を有している。
ンディング装置の一実施例に係るキャピラリチップの要
部を示す断面図及び端面図である。このキャピラリチッ
プ(1)の先端部には平坦な荷重面(14)か形成され
ており、また中心部には銅ワイヤを挿通するためのボー
ル径り、の挿通孔(22)が設けられている。この挿通
孔(22)は荷重面(14)に開口しており、その開口
周縁部には面取り部(13)か形成されている。この面
取り部(13)は挿通孔(22)内に挿通される銅ワイ
ヤの径D2より小さな曲率半径Rて挿通孔(22)の内
壁面から荷重面(14)に向かって連続的に滑らかに変
化する凸曲面を有している。
このようなキャピラリチップ(1)を用いると共に上述
した第8図(a)〜(e)に示される工程と同様にして
ワイヤボンディングを行った。
した第8図(a)〜(e)に示される工程と同様にして
ワイヤボンディングを行った。
すなわち、ます、キャピラリチップ(1)の挿通孔(2
2)内に銅ワイヤ(2)を挿通し、その銅ワイヤ(2)
の先端部をトーチ(3)により加熱してここに銅ワイヤ
(2)の径D2の15〜25倍の直径を有する銅ボール
(4)を形成する。次に、キャピラリチップ(1)を降
下させて銅ボール(4)を銅系リードフレーム(5)の
タイスパッド(6)上に配置されている半導体素子(7
)のアルミニウム電極(8)(被ボンディング体)上に
位置させ、さらにキャピラリチップ(1)を降下させて
銅ボール(4)を塑性変形させる。
2)内に銅ワイヤ(2)を挿通し、その銅ワイヤ(2)
の先端部をトーチ(3)により加熱してここに銅ワイヤ
(2)の径D2の15〜25倍の直径を有する銅ボール
(4)を形成する。次に、キャピラリチップ(1)を降
下させて銅ボール(4)を銅系リードフレーム(5)の
タイスパッド(6)上に配置されている半導体素子(7
)のアルミニウム電極(8)(被ボンディング体)上に
位置させ、さらにキャピラリチップ(1)を降下させて
銅ボール(4)を塑性変形させる。
このとき、キャピラリチップ(1)の面取り部(13)
は曲率半径Rて連続的に滑らかに変化する凸曲面を有し
ているので、銅ボール(4)に加えられる荷重(19)
は連続的に滑らかに変化した方向を有することになる。
は曲率半径Rて連続的に滑らかに変化する凸曲面を有し
ているので、銅ボール(4)に加えられる荷重(19)
は連続的に滑らかに変化した方向を有することになる。
また、ダイスバット(6)はヒー1へフロック(9)上
に配置されており、半導体素子(7)はこのヒートフロ
ック(9)によって温度300〜400 ’Cに加熱さ
れている。この状態て、キャピラリチップ(1)に振動
装置(図示せず)により超音波振動が印加される。これ
により、銅ワイヤ(2)とアルミニウム電極(8)の両
金属元素か相互拡散し、銅ワイヤ(2)はアルミニウム
電極(8)に固着される。
に配置されており、半導体素子(7)はこのヒートフロ
ック(9)によって温度300〜400 ’Cに加熱さ
れている。この状態て、キャピラリチップ(1)に振動
装置(図示せず)により超音波振動が印加される。これ
により、銅ワイヤ(2)とアルミニウム電極(8)の両
金属元素か相互拡散し、銅ワイヤ(2)はアルミニウム
電極(8)に固着される。
次に、キャピラリチップ(1)を上昇させつつその先端
部から銅ワイヤ(2)を繰り出した後、ソートフレーム
(5)のインナーリーF(10)上にキャピラリチップ
(1)を降下させて銅ワイヤ(2)をインナーリーF(
10)のワイヤ接続面(11)上に圧接し、銅ワイヤ(
2)のルーピングを行う。このとき、インナーリート(
10)はヒートフロック(9)上に配置されて温度30
0〜400℃に加熱されると共にキャピラリデツプ(1
)には振動装置(図示セす)により超音波振動か印加さ
れる。これにより、銅ワイヤ(2)とインナーリート(
10)のワイヤ接続面(11)の両金属元素か相互拡散
し、銅ワイヤ(2)はワイヤ接続面(11)に固着され
る。
部から銅ワイヤ(2)を繰り出した後、ソートフレーム
(5)のインナーリーF(10)上にキャピラリチップ
(1)を降下させて銅ワイヤ(2)をインナーリーF(
10)のワイヤ接続面(11)上に圧接し、銅ワイヤ(
2)のルーピングを行う。このとき、インナーリート(
10)はヒートフロック(9)上に配置されて温度30
0〜400℃に加熱されると共にキャピラリデツプ(1
)には振動装置(図示セす)により超音波振動か印加さ
れる。これにより、銅ワイヤ(2)とインナーリート(
10)のワイヤ接続面(11)の両金属元素か相互拡散
し、銅ワイヤ(2)はワイヤ接続面(11)に固着され
る。
その後、クランパ(12)により銅ワイヤ(2)を固定
しなからキャピラリチップ(1)を上昇させて銅ワイヤ
(2)を切断する。
しなからキャピラリチップ(1)を上昇させて銅ワイヤ
(2)を切断する。
このようにして形成された銅ワイヤ(2)とアルミニウ
ム電極(8)との接合部の構造を第2図に示す。すなわ
ち、キャピラリチップ(1)の凸曲面状の面取り部(1
3)と平坦な荷重面(14)とによりそれぞれ荷重か加
えられて塑性変形した銅ボール(4)は凹曲面状の被荷
重面(15)と平坦な被荷重面(16)とを有し、この
銅ボール(4)の下部に銅アルミニウム合金層(17)
か形成される。なお、アルミニウム電極(8)の下部に
はSiや絶縁膜なとの電極下地層(18)か形成されて
いる。
ム電極(8)との接合部の構造を第2図に示す。すなわ
ち、キャピラリチップ(1)の凸曲面状の面取り部(1
3)と平坦な荷重面(14)とによりそれぞれ荷重か加
えられて塑性変形した銅ボール(4)は凹曲面状の被荷
重面(15)と平坦な被荷重面(16)とを有し、この
銅ボール(4)の下部に銅アルミニウム合金層(17)
か形成される。なお、アルミニウム電極(8)の下部に
はSiや絶縁膜なとの電極下地層(18)か形成されて
いる。
ところで、上述したように、銅ボール(4)圧接時に銅
ボール(4)に加わる荷重のヘクトル(1つ)はキャピ
ラリチップ(1)の凸曲面状の面取り部(13)により
方向が徐々に且つ滑らかに連続的に変化する(第1図参
照)。この分散した荷重は、銅ボール(4)のキャピラ
リチップ(1)との接合面付近の金属元素のみならす、
銅ボール(4)内部の金属元素にも作用し、銅ボール(
4)の裏面には第3図に示すように広範囲に滑り線が現
れて滑り線の少ない核(20)は小さいものとなる。そ
の結果、銅ボール(4)とアルミニウム電極(8)との
接合部全体にわたって銅 アルミニウム合金層(17)
がほぼ均一に形成される。
ボール(4)に加わる荷重のヘクトル(1つ)はキャピ
ラリチップ(1)の凸曲面状の面取り部(13)により
方向が徐々に且つ滑らかに連続的に変化する(第1図参
照)。この分散した荷重は、銅ボール(4)のキャピラ
リチップ(1)との接合面付近の金属元素のみならす、
銅ボール(4)内部の金属元素にも作用し、銅ボール(
4)の裏面には第3図に示すように広範囲に滑り線が現
れて滑り線の少ない核(20)は小さいものとなる。そ
の結果、銅ボール(4)とアルミニウム電極(8)との
接合部全体にわたって銅 アルミニウム合金層(17)
がほぼ均一に形成される。
尚、キャピラリチップ(1)の挿通孔(22)のボール
径D1と銅ワイヤの径D2との比り、/D2を変化させ
てワイヤポンチインクを行い、それぞれの銅アルミニウ
ム合金層(17)の均一度を調へたところ、第4図のよ
うな結果が得られた。すなわち、比り、/D2か13未
満の場合には銅ワイヤは挿通孔(22)内を滑らかに動
くことができすにルーピンク不可の状態となり、ISよ
り大きい場合には合金層(17)の均一度か低下してし
まう。従って、ボール径DIと銅ワイヤの径D2との比
D1/D2は、13〜15が最適範囲である。
径D1と銅ワイヤの径D2との比り、/D2を変化させ
てワイヤポンチインクを行い、それぞれの銅アルミニウ
ム合金層(17)の均一度を調へたところ、第4図のよ
うな結果が得られた。すなわち、比り、/D2か13未
満の場合には銅ワイヤは挿通孔(22)内を滑らかに動
くことができすにルーピンク不可の状態となり、ISよ
り大きい場合には合金層(17)の均一度か低下してし
まう。従って、ボール径DIと銅ワイヤの径D2との比
D1/D2は、13〜15が最適範囲である。
また、ボンデインク後の銅ボール(4)の高さHと銅
アルミニウム合金層(17)の厚みTとの関係を第5図
の曲線(23)に示す。たたし、ボンティングは荷重1
30 Hu+、超音波振動の振動数60KHz及び印加
時間30m5ecで行った。この第5図かられかるよう
に、キャピラリチップ(1)の凸曲面状の面取り部(1
3)と平坦な荷重面(14)とが滑らかに接続している
ので、銅ボール(4)の大きさが小さくても荷重が集中
して銅ボール(4)を突き破ることはなく、ボンティン
グ後の銅ボール(4)の高さHを6μm程度まで小さく
しても正常なボンティングを行うことかできる。従って
、超音波振動エネルキーの効果を最大限に発揮すること
か可能となる。この第5図には、比較参照するために、
従来の方法てポンチインクした銅ボール(4)の高さH
と銅 アルミニウム合金層(17)の厚みTとの関係が
曲線(24)で示されている。
アルミニウム合金層(17)の厚みTとの関係を第5図
の曲線(23)に示す。たたし、ボンティングは荷重1
30 Hu+、超音波振動の振動数60KHz及び印加
時間30m5ecで行った。この第5図かられかるよう
に、キャピラリチップ(1)の凸曲面状の面取り部(1
3)と平坦な荷重面(14)とが滑らかに接続している
ので、銅ボール(4)の大きさが小さくても荷重が集中
して銅ボール(4)を突き破ることはなく、ボンティン
グ後の銅ボール(4)の高さHを6μm程度まで小さく
しても正常なボンティングを行うことかできる。従って
、超音波振動エネルキーの効果を最大限に発揮すること
か可能となる。この第5図には、比較参照するために、
従来の方法てポンチインクした銅ボール(4)の高さH
と銅 アルミニウム合金層(17)の厚みTとの関係が
曲線(24)で示されている。
尚、上記実施例では、キャピラリチップ(1)の面取り
部(13)か連続的に滑らかに変化する1つの凸曲面か
ら構成されていたが、第6図に示すように互いに曲率中
心の異なる複数の凸曲面(25)及び(26)て構成す
ることもできる。また、第7図(a)及び(b)に示す
ように、平坦な荷重面(14)に向かって拡径された円
すい面(27)上に部分的に複数の凸曲面部(28)が
配置されていても同様の効果か得られる。
部(13)か連続的に滑らかに変化する1つの凸曲面か
ら構成されていたが、第6図に示すように互いに曲率中
心の異なる複数の凸曲面(25)及び(26)て構成す
ることもできる。また、第7図(a)及び(b)に示す
ように、平坦な荷重面(14)に向かって拡径された円
すい面(27)上に部分的に複数の凸曲面部(28)が
配置されていても同様の効果か得られる。
上記実施例では、銅ワイヤ(2)の先端部に形成された
銅ボール(4)とアルミニウム電極(8)とのボンディ
ンクについて述へたが、これに限るものではなく、この
発明は銅以外の金属からなる金属ワイヤ及び金属ボール
にも適用でき、また被ボンディング体としてアルミニウ
ム以外の金属を用いてもよい。
銅ボール(4)とアルミニウム電極(8)とのボンディ
ンクについて述へたが、これに限るものではなく、この
発明は銅以外の金属からなる金属ワイヤ及び金属ボール
にも適用でき、また被ボンディング体としてアルミニウ
ム以外の金属を用いてもよい。
以上説明したようにこの発明によれは、金属ボールに連
続的に滑らかに変化する荷重方向を有する荷重か加えら
れるのて、金属ボールの金属元素の滑りは接合部全体に
わたって発生し、金属ボールと被ポンチインク体との間
にほぼ均一な合金層か形成される。
続的に滑らかに変化する荷重方向を有する荷重か加えら
れるのて、金属ボールの金属元素の滑りは接合部全体に
わたって発生し、金属ボールと被ポンチインク体との間
にほぼ均一な合金層か形成される。
また、ホンデインク後の金属ボールの高さを広範囲に設
定することかできるので、被ボンデインク体に衝撃を与
えることなく超音波振動エネルギーを最大効率て印加し
て信頼性の高いワイヤボンディングを行うことが可能と
なると共に、ボンデインク可能なテハイスの範囲か拡大
される。
定することかできるので、被ボンデインク体に衝撃を与
えることなく超音波振動エネルギーを最大効率て印加し
て信頼性の高いワイヤボンディングを行うことが可能と
なると共に、ボンデインク可能なテハイスの範囲か拡大
される。
第1図(a)及び(b)はそれぞれこの発明の一実施例
に係るキャピラリチップの要部を示す断面図及び端面図
、第2図は実施例により形成されたポンチインク部の断
面図、第3図は第2図の銅ボールの裏面における金属元
素の滑り線を示す図、第4図は実施例におけるキャピラ
リチップの挿通孔のボール径D1と銅ワイヤの径D2と
の比り、/D2に対する銅 アルミニウム合金層の均一
度を示すグラフ、第5図はホンティング後の銅ボールの
高さHと銅アルミニウム合金層の厚みTとの関係を示す
グラフ、第6図及び第7図(a)、(b)はそれぞれ他
の実施例を示す図、第8図は一般的なワイヤボンディン
グ方法を示す工程図、第9図(a)及び(b)はそれそ
れ従来のキャピラリチップの要部を示す断面図及び端面
図、第10図は従来のポンチインク部の断面図、第11
図は第10図の銅ボールの裏面における金属元素の滑り
線を示す図である。 図において、(1)はキャピラリチップ、(2)は銅ワ
イヤ、(4)は銅ボール、(8)はアルミニウム電極、
(9)はヒートフロック、(13)は面取り部、(17
)は銅・アルミニウム合金層、(22)は挿通孔、(2
5)及び(26)は凸曲面、(27)は円すい面、(2
8)は凸曲面部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 rcO トリ (’J(Q
に係るキャピラリチップの要部を示す断面図及び端面図
、第2図は実施例により形成されたポンチインク部の断
面図、第3図は第2図の銅ボールの裏面における金属元
素の滑り線を示す図、第4図は実施例におけるキャピラ
リチップの挿通孔のボール径D1と銅ワイヤの径D2と
の比り、/D2に対する銅 アルミニウム合金層の均一
度を示すグラフ、第5図はホンティング後の銅ボールの
高さHと銅アルミニウム合金層の厚みTとの関係を示す
グラフ、第6図及び第7図(a)、(b)はそれぞれ他
の実施例を示す図、第8図は一般的なワイヤボンディン
グ方法を示す工程図、第9図(a)及び(b)はそれそ
れ従来のキャピラリチップの要部を示す断面図及び端面
図、第10図は従来のポンチインク部の断面図、第11
図は第10図の銅ボールの裏面における金属元素の滑り
線を示す図である。 図において、(1)はキャピラリチップ、(2)は銅ワ
イヤ、(4)は銅ボール、(8)はアルミニウム電極、
(9)はヒートフロック、(13)は面取り部、(17
)は銅・アルミニウム合金層、(22)は挿通孔、(2
5)及び(26)は凸曲面、(27)は円すい面、(2
8)は凸曲面部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 rcO トリ (’J(Q
Claims (10)
- (1)ワイヤの先端部に形成された金属ボールを被ボン
ディング体上に位置させる工程と、 連続的に滑らかに変化する荷重方向を有する荷重を前記
金属ボールに加えてこれを前記被ボンディング体に圧接
し塑性変形させる工程と、 塑性変形された前記金属ボールに超音波振動を印加して
前記金属ボールと前記被ボンディング体の双方の構成元
素を相互拡散させることにより前記金属ボールを前記被
ボンディング体に固着させる工程と を有することを特徴とするワイヤボンディング方法。 - (2)前記被ボンディング体は温度300〜400℃に
加熱されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のワイヤボンディング方法。 - (3)前記ワイヤ及び前記金属ボールは銅からなること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のワイヤボンデ
ィング方法。 - (4)前記金属ボールは塑性変形される前に前記ワイヤ
の径の1.5〜2.5倍の直径を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のワイヤボンディング方法
。 - (5)ワイヤの先端部に形成された金属ボールを被ボン
ディング体に圧接して塑性変形させた後、前記金属ボー
ルに超音波振動を印加して前記金属ボールと前記被ボン
ディング体とを接合させるためのキャピラリチップであ
って、 前記金属ボールを圧接するための平坦な荷重面と、 該荷重面に開口し前記ワイヤを挿通させる挿通孔と、 該挿通孔の開口部に形成されると共に連続的に滑らかに
変化する凸曲面を有する面取り部とを備えたことを特徴
とするキャピラリチップ。 - (6)前記凸曲面は前記挿通孔の内壁面から前記荷重面
に向かって連続的に滑らかに変化することを特徴とする
特許請求の範囲第5項記載のキャピラリチップ。 - (7)前記面取り部はそれぞれ曲率中心の異なる複数の
凸曲面を有することを特徴とする特許請求の範囲第5項
記載のキャピラリチップ。 - (8)前記面取り部は前記挿通孔の内壁面から前記荷重
面に向かって拡径される円すい面と該円すい面上に形成
された複数の凸曲面部とを有することを特徴とする特許
請求の範囲第5項記載のキャピラリチップ。 - (9)前記凸曲面は前記ワイヤの径より小さい曲率半径
を有することを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の
キャピラリチップ。 - (10)前記挿通孔の開口部付近の径は前記ワイヤの径
の1.3〜1.5倍であることを特徴とする特許請求の
範囲第5項記載のキャピラリチップ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63025683A JPH01201934A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | ワイヤボンディング方法及びキャピラリチップ |
US07/230,376 US4886200A (en) | 1988-02-08 | 1988-08-10 | Capillary tip for bonding a wire |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63025683A JPH01201934A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | ワイヤボンディング方法及びキャピラリチップ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01201934A true JPH01201934A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12172585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63025683A Pending JPH01201934A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | ワイヤボンディング方法及びキャピラリチップ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4886200A (ja) |
JP (1) | JPH01201934A (ja) |
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1988
- 1988-02-08 JP JP63025683A patent/JPH01201934A/ja active Pending
- 1988-08-10 US US07/230,376 patent/US4886200A/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
US4886200A (en) | 1989-12-12 |
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