KR20090046701A - 수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법 - Google Patents

수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090046701A
KR20090046701A KR1020080108335A KR20080108335A KR20090046701A KR 20090046701 A KR20090046701 A KR 20090046701A KR 1020080108335 A KR1020080108335 A KR 1020080108335A KR 20080108335 A KR20080108335 A KR 20080108335A KR 20090046701 A KR20090046701 A KR 20090046701A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
light
sealing
pattern
led
Prior art date
Application number
KR1020080108335A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101162404B1 (ko
Inventor
카즈키 카와쿠보
Original Assignee
토와 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토와 가부시기가이샤 filed Critical 토와 가부시기가이샤
Publication of KR20090046701A publication Critical patent/KR20090046701A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101162404B1 publication Critical patent/KR101162404B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C70/00—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
    • B29C70/68—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts by incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or layers, e.g. foam blocks
    • B29C70/70—Completely encapsulating inserts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
    • B29L2011/0016—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

LED 패키지(1A)는, 복수의 영역(16)을 갖는 기판(15)을 포함하는 밀봉체(14)를 개편화(separated)하여 형성된다. 해당 LED 패키지(1A)는, 기판(2)의 윗면의 오목부에 장착된 LED 칩(3)과, 영역(16)의 전면을 덮는 밀봉 수지(4)와, 오목부의 내저면에 마련되고 LED 칩(3)이 설치되는 설치용 패턴(5)과, 오목부의 내저면에 마련된 배선용 패드(8)와, 오목부의 사면(9)에 마련되고 광반사부를 겸하는 배선용 패턴(10)과, LED 칩(3)의 전극과 배선용 패드(8)를 접속하는 와이어(13)와, 기판(2)의 하면에 마련된 외부 단자(12)와, 배선용 패드(8)에 연결되는 배선용 패턴(10)과 외부 단자(12)를 접속하는 접속부(11)와, LED 칩(3)에서 발생한 열을 LED 패키지(1A)의 외부로 달아나게 할 목적으로 하면에 마련된 방열용 패턴(7)을 구비한다. 설치용 패턴(5)은 접속부(6)에 의해 방열용 패턴(7)에 접속되어 있다.
기판(회로 기판), LED 칩, 밀봉 수지, 설치용 패턴

Description

수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법{Resin-Sealed Light Emitting Device and Its Manufacturing Method}
본 발명은, 우수한 방열성 및 발광 효율을 갖는 수지 밀봉 발광체와 그 제조 방법에 관한 것이다.
투광성 수지를 사용하여 LED 칩을 수지 밀봉하여 수지 밀봉 발광체(이하 적절히 「LED 패키지」라고 한다)를 제조하는 종래의 방법을 설명한다.
LED 칩을 수지 밀봉하는 방법으로서, 회로 기판(이하, 적절히 「기판」이라고 한다)에 마련된 복수의 영역에 각각 LED 칩을 장착하고, 그들의 LED 칩을 일괄하여 수지 밀봉하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 일본 특개2006-106479호 공보(제 10 내지 11페이지, 도 4) 참조). 그 후에, 복수의 LED 칩이 일괄하여 수지 밀봉된 밀봉체를 절단함에 의해 각 영역 단위로 개편화(separated)하여, 하나의 영역에 상당하는 1개의 LED 패키지를 완성시킨다.
그러나, 상술한 종래의 기술에 의하면, LED 패키지로서의 방열성이 불충분하 다는 문제가 있다. 특히, 기판으로서 유리 에폭시 기판으로 이루어지는 프린트 기판을 사용하는 경우에는, 이 문제는 현저하다. 또한, 이 문제는, LED 패키지의 고출력화(LED 패키지 2개당의 광속의 증가)라는 근래의 경향에 수반하여 더욱 현저하게 되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 수지 밀봉 발광체의 방열성이 불충분한 것 및 우수한 방열성을 갖는 수지 밀봉 발광체의 제조 방법이 제공되어 있지 않은 것이다.
하기한 괄호 내의 부호는, 각 설명에 있어서의 용어와 도면에 도시된 구성 요소를 대비하기 쉽게 하는 목적으로 기재된 것이다. 또한, 이들의 부호를 붙이는 것은, 「도면에 도시된 구성 요소로 한정하여 각 용어의 의의를 해석하는 것」을 의미하는 것이 아니다.
상술한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)는, 단수 또는 복수의 영역(16)을 갖는 회로 기판(15)과, 해당 회로 기판(15)의 한쪽의 면에서 하나 또는 복수의 영역(16)에 각각 마련된 오목부(26)와, 오목부(26)에 각각 장착된 하나 또는 복수의 LED 칩(3)과, 적어도 오목 부(26)를 덮도록 하여 마련된 투광성의 밀봉 수지(4)를 갖는다. 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)는, 오목부(26)의 저면에 마련되고 하나 또는 복수의 LED 칩(3)이 설치되는 하나의 설치용 패턴(5) 또는 복수의 LED 칩(3)이 각각 설치되는 복수의 설치용 패턴(5)과, 오목부(26)의 측면에 마련된 사면(9)과, 사면(9)에 마련된 광반사부(10)와, 하나 또는 복수의 LED 칩(3)에 대해 전기 신호를 수수할 목적으로 오목부(26)의 저면에 마련된 배선용 패드(8)와, 하나 또는 복수의 LED 칩(3)에 마련된 전극과 배선용 패드(8)를 전기적으로 접속하는 도전성 재료(13)와, 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)와 외부 기기를 전기적으로 접속하는 목적으로 회로 기판(15)의 다른쪽의 면 또는 한쪽의 면에 마련된 외부 단자(12)와, 배선용 패드(8)와 외부 단자(12)를 전기적으로 접속하는 배선용 패턴(10)과, 하나 또는 복수의 LED 칩(3)에서 발생한 열을 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)의 외부로 달아나게 할 목적으로 마련된 하나 또는 복수의 방열용 패턴(7)을 구비한다. 하나 또는 복수의 방열용 패턴(7)은 하나의 설치용 패턴(5) 또는 복수의 설치용 패턴(5)에 접속되어 있다.
상술한 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)는, 복수의 영역(16)으로 이루어지는 부분이 개편화됨에 의해 형성되어도 좋고, 각 영역(16)마다 개편화됨에 의해 형성되어도 좋다.
또한, 상술한 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)에 있어서, 회로 기판(2, 15)은 실리콘 기판, 수지 베이스 기판, 금속 베이스 기판, 또는 세라믹 베이스 기판의 어느 하나로 이루어지는 것이라도 좋다.
또한, 상술한 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)에 있어서, 광반사부(10)는 금속층으로 이루어지는 것이라도 좋다.
또한, 상술한 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)에 있어서, 영역(16)에 밀봉 수지(4)로 이루어지는 렌즈(20)가 마련되어도 좋다.
또한, 상술한 수지 밀봉 발광체(1B, 14)에 있어서, 밀봉 수지(4)를 통하여 외부에 방사되는 광은 실질적으로 백색광이라도 좋다. 예를 들면, 백색광은, 다른 파장의 광을 각각 방사하는 복수의 LED 칩(3)이 하나 또는 복수의 설치용 패턴(5)에 장착됨에 의해 얻어진다. 또한, 백색광은, 소정의 파장의 광을 방사하는 하나 또는 복수의 LED 칩(3)이 하나 또는 복수의 설치용 패턴(5)에 장착됨과 함께 밀봉 수지(4)에 소정의 형광체가 혼입됨에 의해서도 얻어진다.
본 발명에 관한 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)의 제조 방법은, 다음과 같은 구성의 수지 밀봉 발광체의 제조 방법이다. 해당 수지 밀봉 발광체는, 하나 또는 복수의 영역(16)을 갖는 회로 기판(15)과, 해당 회로 기판(15)의 한쪽의 면에서 하나 또는 복수의 영역(16)에 각각 마련된 오목부(26)와, 해당 오목부(26)의 저면에 마련된 하나 또는 복수의 설치용 패턴(5)과, 하나의 설치용 패턴(5)에 장착된 하나 또는 복수의 LED 칩(3) 또는 복수의 설치용 패턴(5)에 각각 장착된 하나의 LED 칩(3)과, 오목부(26)의 저면에 마련된 배선용 패드(8)와, 하나 또는 복수의 LED 칩(3)에 마련된 전극과 배선용 패드(8)를 전기적으로 접속하는 도전성 재료(13)와, 외부 기기와의 사이에서 전기 신호를 수수할 목적으로 회로 기판(15)의 다른쪽의 면 또는 한쪽의 면에 마련된 외부 단자(12)와, 배선용 패드(8) 와 외부 단자(12)를 전기적으로 접속하고 광반사부를 겸하는 배선용 패턴(10)과, 설치용 패턴에 접속되고 LED 칩에서 발생한 열을 외부로 달아나게 할 목적으로 마련되어 있는 방열용 패턴과, 적어도 오목부(26)를 덮도록 하여 마련된 투광성의 밀봉 수지(4)를 갖는다. 상기 제조 방법은, 상형(28)과 하형(29)으로 이루어지는 성형틀을 준비하는 공정과, 오목부(26)를 아래로 향하게 하여 상기 회로 기판(15)을 상형(28)에 지지하는 공정과, 하형(29)에 마련된 캐비티(32)를 투광성의 유동성 수지(34)에 의해 충전된 상태로 하는 공정과, 상형(28)과 하형(29)을 서로 대향하도록 배치하는 공정과, 상형(28)과 하형(29)을 클로징함에 의해 회로 기판(15)의 한쪽의 면에서의 복수의 LED 칩(3)을 유동성 수지(34)에 침지하는 공정과, 상형(28)과 하형(29)이 클로징된 상태에 있어서 유동성 수지(34)를 경화시켜서 밀봉 수지(4)를 일괄하여 형성함에 의해 밀봉체(14)를 형성하는 공정과, 상형(28)과 하형(29)을 오프닝하는 공정과, 밀봉체(14)를 취출하는 공정과, 상기 복수의 영역중의 적어도 하나의 영역을 포함하도록 밀봉체(14)를 개편화하는 공정을 구비한다.
상술한 제조 방법에 있어서, 개편화하는 공정에서는, 예를 들면 회전날, 밴드 쏘(band saw), 와이어 쏘(wire saw), 워터 제트, 또는 레이저광을 사용할 수 있다.
또한, 상술한 제조 방법에 있어서, 회로 기판(2, 15)은 실리콘 기판, 수지 베이스 기판, 금속 베이스 기판, 또는 세라믹 베이스 기판의 어느 하나로 이루어지는 것이라도 좋다.
또한, 상술한 제조 방법에 있어서, 밀봉체(14)를 형성하는 공정에서는, 복수 의 영역(16)의 각각에 있어서 밀봉 수지(4)로 이루어지는 렌즈(20)를 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 제조 방법에 있어서, 밀봉 수지(4)를 통하여 외부에 방사되는 광이 실질적으로 백색광이 되도록, 다른 파장의 광을 각각 방사하는 복수의 LED 칩(3)을 하나 또는 복수의 설치용 패턴(5)에 장착하여도 좋다. 또한, 밀봉 수지(4)를 통하여 외부에 방사되는 광이 실질적으로 백색광이 되도록, 소정의 파장의 광을 방사하는 하나 또는 복수의 LED 칩(3)을 하나 또는 복수의 설치용 패턴(5)에 장착함과 함께 밀봉 수지(4)에 소정의 형광체를 혼입하여도 좋다.
또한, 상술한 제조 방법은, 캐비티(32)를 유동성 수지(34)에 의해 충전된 상태로 하는 공정 전에, 캐비티(32)의 일부를 규정하는 하형의 형면에 따라 필름(33)을 팽팽하게 설치(tensioned state)하는 공정을 구비하는 것이라도 좋다.
본 발명에 의하면, LED 칩(3)이 설치되는 설치용 패턴(5)과, LED 칩(3)에서 발생한 열을 수지 밀봉 발광체(IA, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)의 외부로 달아나게 할 목적으로 마련된 방열용 패턴(7)이 마련되고, 설치용 패턴(5)과 방열용 패턴(7)이 접속되어 있다. 이로써, LED 칩(3)에서 발생한 열이, 설치용 패턴(5)과 방열용 패턴(7)을 순차로 경유하여 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)의 외부에 효과적으로 방출된다. 따라서, 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)의 방열성이 향상한다. 따라서 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)의 고신 뢰화와 장수명화가 가능해진다.
또한, 본 발명에 의하면, 회로 기판(15)의 한쪽의 면에서의 하나 또는 복수의 영역(16)에 각각 오목부(26)가 마련되고, 오목부(26)의 사면(斜面)(9)에 광반사부(10)가 마련된다. 이로써, LED 칩(3)에 의해 방사된 광의 일부는, 광반사부(10)에 의해 효율적으로 반사되어 예를 들면 상방으로 방사된다. 따라서 상술한 효과에 더하여, 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)의 발광 효율이 향상한다.
또한, 본 발명의 한 예에 의하면, 회로 기판(15)의 한쪽의 면에서의 복수의 영역(16)에 각각 오목부(26)를 마련하고, 그들의 오목부(26)에 각각 장착된 하나 또는 복수의 LED 칩(3)을, 회로 기판(15) 전체로 일괄하여 수지 밀봉한다. 그리고, 필요에 따라 하나 또는 복수의 영역(16)을 단위로 하여 개편화함에 의해, 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)를 제조한다. 따라서 상술한 효과에 더하여, 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)가 효율적으로 제조된다.
또한, 본 발명의 한 예에 의하면, 상술한 효과에 더하여, 회로 기판(2, 15)으로서, 실리콘 기판, 수지 베이스 기판, 금속 베이스 기판, 또는 세라믹 베이스 기판의 어느 하나를 사용하여 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 한 예에 의하면, 상술한 효과에 더하여, 렌즈(20)를 갖는 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 한 예에 의하면, 상술한 효과에 더하여, 다른 파장의 광을 각각 방사하는 복수의 LED 칩(3)이 하나 또는 복수의 설치용 패턴(5)에 장착됨에 의해, 그들의 광이 가법혼색(additive color mixture)된다. 따라서 다른 파장의 광을 적당하게 선택함에 의해, 실질적인 백색광을 방사하는 수지 밀봉 발광체(1B, 14)를 얻을 수 있다. 또한, 소정의 파장의 광을 방사하는 하나 또는 복수의 LED 칩(3)이 하나 또는 복수의 설치용 패턴(5)에 장착됨과 함께 밀봉 수지(4)에 소정의 형광체가 혼입되어짐에 의해서도, 실질적인 백색광을 방사하는 수지 밀봉 발광체(1A, 1B, 14, 19, 21, 23, 25)를 얻을 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징, 국면 및 이점은, 첨부한 도면과 관련하여 이해되는 본 발명에 관한 다음의 상세한 설명으로부터 분명해질 것이다.
복수의 영역(16)을 갖는 기판(15)을 포함하는 밀봉체(14)를 개편화하여, LED 패키지(IA)를 제조한다. LED 패키지(1A)는, 기판(2)의 한쪽의 면에 마련된 오목부에 장착된 LED 칩(3)과, 영역(16)의 전면에 마련된 밀봉 수지(4)와, 오목부의 내저면에 마련되고 LED 칩(3)이 설치되는 설치용 패턴(5)과, 오목부의 사면(9)에 마련되고 광반사부를 겸하는 배선용 패턴(10)과, 오목부의 내저면에 마련된 배선용 패드(8)와, LED 칩(3)의 전극과 배선용 패드(8)를 접속하는 와이어(13)와, 기판(2)의 다른쪽의 면에 마련된 외부 단자(12)와, 배선용 패드(8)에 연결되는 배선용 패턴(10)에 포함되고 그 배선용 패드(8)와 외부 단자(12)를 접속하는 접속부(11)와, LED 칩(3)에서 발생한 열을 LED 패키지(1A)의 외부로 달아나게 할 목적으로 기판(2)의 다른쪽의 면에 마련된 방열용 패턴(7)을 구비한다. 설치용 패턴(5)은 접속 부(6)에 의해 방열용 패턴(7)에 접속되어 있다.
[실시예 1]
도 1A, B를 참조하여, 본 발명에 관한 수지 밀봉 발광체에 관한 실시예 1을 설명한다. 도 1A는 본 실시예에 관한 수지 밀봉 발광체를, 도 1B는 도 1A의 수지 밀봉 발광체의 제조 공정에 있어서의 중간체인 밀봉체를, 각각 도시하는 정면 종단면도이다. 또한, 이하의 설명에서 사용하는 도면은, 알기 쉽게 하기 위해 모두 과장하여 또는 간략화하여 그려져 있다. 또한, 각 도면에서 나타난 부호가 같은 것은, 그 부호가 붙은 구성 요소가 같은 것을 나타낸다.
우선, 도 1A에 도시되어 있는, 수지 밀봉 발광체인 LED 패키지(1A)를 설명한다. LED 패키지(1A)의 주된 구성 요소는, 기판(2)과, 기판(2)의 한쪽의 면(도면에서는 윗면)에 마련된 오목부(도 7A의 오목부(26) 참조)에 장착된 LED 칩(3)과, 투광성을 갖는 밀봉 수지(4)이다. 오목부의 저면에는 설치용 패턴(5)이 형성되고, 설치용 패턴(5)에 LED 칩(3)이 도전성 페이스트(도시 생략)를 통하여 장착되어 있다. 설치용 패턴(5)은, 기판(2)을 관통하여 마련된 접속부(스루홀)(6)를 통하여, 기판(2)의 다른쪽의 면(도면에서는 하면)에 마련된 방열용 패턴(7)에 접속되어 있다.
오목부의 저면에는 배선용 패드(8)가 형성되고, 오목부의 측면에는 사면(9)이 마련되어 있다. 배선용 패드(8)에는 배선용 패턴(10)이 접속되고, 배선용 패턴(10)은 사면(9)에 따라 비스듬히 위로 늘어나도록 형성되어 있다. 배선용 패턴(10)중 사면(9)에 형성되어 있는 부분은, 광반사부를 겸하고 있다. 배선용 패턴(10)은, 기판(2)의 한쪽의 면으로부터 다른쪽의 면에, 그 배선용 패턴(10)의 일 부를 구성하는 접속부(11)를 통하여 인출되어 있다. 그리고, 배선용 패턴(10)은, 다른쪽의 면에 마련된 외부 단자(12)에 접속되어 있다. 외부 단자(12)는, LED 패키지(1A)와 그 LED 패키지(1A)가 부착되는 프린트 기판 등으로 이루어지는 외부 기기를 전기적으로 접속하기 위해 사용된다. LED 칩(3)에 마련된 전극(도시 생략)과 배선용 패드(8)는, 와이어 본딩에 의해 형성된 와이어(금속 세선)(13)에 의해 접속되어 있다. 또한, 사면(9)에 있어서 배선용 패턴(10)이 형성되어 있는 부분 이외의 장소에, 배선용 패턴(10)은 전기적으로 무관계한 광반사부를 형성하여도 좋다.
다음에, 도 1B에 도시되어 있는 밀봉체(14)를 설명한다. 밀봉체(14)는, LED 패키지(1A)를 제조하는 공정에 있어서의 중간체이다. 밀봉체(14)는 기판(15)을 가지며, 기판(15)은 격자형상으로 구획된 복수의 영역(16)을 갖는다. 도 1B에는, 복수의 영역(16)이 4(=2×2)개만큼 마련된 예가 편의적으로 도시되어 있다. 실제로는, 훨씬 많은 영역을 기판(15)에 마련할 수 있다.
도 1B에 도시하는 각 영역(16)의 경계에는, 각각 절단선(17)이 가상적으로 기재되어 있다. 각 영역(16)에는 오목부(부호 없음)가 형성되고, 오목부의 저면에는 설치용 패턴(5)이 형성되어 있다. 여기서, 절단선(17)에 있어서 밀봉체(14)가 절단되고 개편화됨에 의해, 각 영역(16)에 각각 상당하는 LED 패키지(1A)가 완성된다. 따라서 밀봉체(14)는 LED 패키지(1A)를 제조하는 공정에 있어서의 중간체라고 할 수 있다. 또한, 도 1A에서의 기판(2)은, 도 1B에서의 기판(15)이 각 영역(16)을 단위로 하여 절단된 것에 상당한다.
이하, LED 패키지(1A)의 몇가지의 구성 요소에 사용되고 있는 재료에 관해 설명한다. 우선, 기판(2)은, 실리콘 기판(실리콘 웨이퍼), 수지 베이스 기판, 금속 베이스 기판, 또는, 세라믹 베이스 기판의 어느 하나에 의해 구성된다. 여기서, 실리콘 기판을 사용하는 경우에는, 오목부를 에칭에 의해 형성하고, 접속부(11)는 주지의 방법에 의해 형성할 수 있다(예를 들면, 후지쿠라기보, 제 109호, P.60 내지 P.63, 주식회사 후지쿠라, 2005년 10월). 따라서 오목부가 에칭에 의해 형성되기 때문에, 오목부에 있어서의 사면(9)은 경면(mirror surface)이 된다. 또한, 수지 베이스 기판, 금속 베이스 기판, 또는 세라믹 베이스 기판을 사용하는 경우에는, 오목부를 기계 가공에 의해 형성할 수 있다. 또한, 수지 베이스 기판으로서, 입체 성형 회로 기판(MID ; Molded Interconnect Device)을 사용할 수 있다.
또한, 설치용 패턴(5), 접속부(6), 방열용 패턴(7), 배선용 패드(8), 광반사부를 겸하는 배선용 패턴(10), 접속부(11), 및 외부 단자(12)는, 구리, 알루미늄 등의 금속에 의해 구성된다. 구리에 의해 구성되는 패턴류 및 외부 단자(12)에는, 금도금이 시행되어 있다. 와이어(13)는, 금, 알루미늄 등에 의해 구성된다.
또한, 투광성을 갖는 밀봉 수지(4)는, 예를 들면, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등으로 이루어지는 열경화성 수지에 의해 구성된다. 그리고, LED 칩(3)이 방사하는 광과 LED 패키지(1A)로부터 방사시키고 싶은 광과의 각각의 파장에 따라, 밀봉 수지(4)에는 적절히 형광체가 첨가된다. 예를 들면, LED 칩(3)이 청색광을 방사하고, LED 패키지(1A)로부터 방사시키고 싶은 광이 백색광인 경우에는, 밀봉 수지(4)에 황색의 형광체가 첨가된다.
본 실시예에 관한 수지 밀봉 발광체, 즉 LED 패키지(1A)는, 다음과 같은 특 징을 갖는다. 첫째, LED 칩(3)에서 발생하는 열이, 도전성 페이스트(도시 생략)와 설치용 패턴(5)과 접속부(6)를 순차로 통하여, 기판(2)의 다른쪽의 면(도면에서는 하면)에 마련된 방열용 패턴(7)으로부터 방열된다. 그리고, 방열용 패턴(7)을 외부 기기의 방열 수단(예를 들면, 프린트 기판의 구리박이나 외부 기기에 마련된 히트 싱크 등)에 열적으로 접속함에 의해, LED 칩(3)에서 발생하는 열이 LED 패키지(1A)의 외부에 효과적으로 방출된다. 따라서 LED 패키지(1A)의 방열 특성이 개선되기 때문에, LED 패키지(1A)의 고신뢰화와 장수명화가 가능해진다.
둘째, LED 칩(3)으로부터 방사된 광이, 광반사부에 의해 상방을 향하여 반사되고 밀봉 수지(4)를 투과하여 상방으로 방사된다. 이로써, LED 패키지(1A)의 발광 효율이 향상한다. 특히, 실리콘 기판을 사용하는 경우에는, 광반사부를 구성하는 사면(9)이 경면으로 되어 있기 때문에, 이 효과가 커진다. 또한, 수지 베이스 기판, 금속 베이스 기판, 또는 세라믹 베이스 기판을 사용하는 경우에는, 광반사부를 겸하는 배선용 패턴(10)에 금도금이 시행되어 있기 때문에, 이 효과가 커진다. 여기서, 본 실시예에서는, 밀봉 수지(4)는 평판 렌즈로서 기능한다.
셋째, 밀봉체(14)가 각 영역(16)을 단위로 하여 개편화됨에 의해, 각 영역(16)에 각각 상당하는 LED 패키지(1A)가 완성된다. 이로써, LED 패키지(1A)를 제조할 때의 효율이 향상한다.
또한, 본 실시예에서는, 몇가지의 변형예를 채용할 수 있다. 그리고, 그와 같은 변형예는, 금후 설명하는 다른 실시예에서도 적절히 적용되는 것이다. 그와 같은 변형예로서는, 다음의 것이 있다.
제 1의 변형예로서, LED 칩(3)의 이면(광을 방사하지 않는 면)이 장착되는 설치용 패턴(5)을 특정한 전위로 설정할 수 있다. 예를 들면, 도전성 페이스트(도시 생략)를 통하여 LED 칩(3)의 이면을 GND 전위(접지 단자의 전위)로 설정한다. 이 경우에는, 설치용 패턴(5)은 방열에 기여할 뿐만 아니라 접지용 패턴으로서도 기능한다. 또한, 접지용 패턴이 사면(9)에 있어서의 광반사부를 겸하는 것으로 하여도 좋다.
또한, 본 실시예에서는, 와이어 본딩을 사용하여, LED 칩(3)의 전극(도시 생략)과 배선용 패드(8)가 와이어(13)에 의해 전기적으로 접속된다. 이에 대신하여, 제 2의 변형예로서, 플립칩 본딩을 사용하여, LED 칩(3)의 전극과 배선용 패드(8)를 전기적으로 접속하여도 좋다. 플립칩 본딩에 의한 전기적인 접속에는, 금이나 솔더 등으로 이루어지는 범프, 도전성 접착제, 이방성 도전막 등의 도전성 재료가 사용된다. 그리고, 이 경우에는, LED 칩(3)과 기판(2) 사이에는 우수한 열전도성을 갖는 물질을 충전하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에서는, 밀봉체(14)가 절단되어 개편화됨에 의해, 각 영역(16)에 각각 상당하는 LED 패키지(1A)가 완성된다. 이에 대신하여, 제 3의 변형예로서, 밀봉체(14)를 절단하는 일 없이, 복수의 영역(16)의 전부를 포함하는 밀봉체(14) 자체를 1개의 LED 패키지로 하여도 좋다. 이 경우에는, 밀봉체(14) 자체가 개편이고, 밀봉체(14) 자체를 1개의 LED 패키지로서 취급한다.
또한, 제 4의 변형예로서, 밀봉체(14)의 외부 테두리에 존재하는 불필요부를 절단하여 제거함에 의해, 복수의 영역(16)의 전부를 1개의 LED 패키지로 하여도 좋 다. 이 경우에는, 밀봉체(14)가 4개(2×2=4)의 영역으로 이루어지는 1개의 LED 패키지로 개편화된 것이 된다. 제 3 및 제 4의 변형예에서는, 1개의 LED 패키지는 4개의 LED 칩(3)을 갖지만, 1개 LED 패키지에 포함되는 LED 칩(3)의 수를 늘릴 수도 있다. 예를 들면 대형의 기판, 200㎜ 지름이나 300㎜ 지름의 실리콘 웨이퍼 등을 사용함에 의해, 대형의 수지 밀봉 발광체(면발광체)를 효율적으로 제조할 수 있다.
또한, 제 5의 변형예로서, 밀봉체(14)를 절단하여, 4개의 영역(16)의 일부로 이루어지는 복수의 영역(16)을, 1개의 LED 패키지로 하여도 좋다. 예를 들면 2개(1×2=2 또는 2×1=2)의 영역(16)으로, 1개의 LED 패키지를 구성할 수 있다. 따라서 복수개의 LED 칩(3)을 포함하여 정사각형 또는 가늘고 긴 평면 형상을 갖는 LED 패키지가 용이하게 제조된다. 또한, 더욱 다수의 영역, 예를 들면 16개(4×4)의 영역(16)을 포함하는 밀봉체를 절단하여, 2개(1×2)의 영역(16)을 포함하는 2개의 LED 패키지와, 4개(2×2)의 영역(16)을 포함하는 1개의 LED 패키지와, 8개(2×4)의 영역(16)을 포함하는 1개의 LED 패키지를 제작하는 것도 가능하다.
또한, 제 6의 변형예로서, 제 4 또는 제 5의 변형예에 있어서의 1개의 LED 패키지에 포함되는 복수개의 LED 칩(3)을, 각각 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 광을 방사하는 LED 칩으로 하여도 좋다. 그리고, 이웃하는 LED 칩(3)이 각각 다른 색의 광을 방사하도록 구성하는 것이 바람직하다. 이로써, LED 패키지로부터 방사되는 광은, R, G, B의 3색의 광이 가법혼색된 실질적인 백색광이 된다. 따라서 실질적인 백색광을 방사하는 LED 패키지(면발광체)를 얻을 수 있다.
[실시예 2]
도 2A, B를 참조하여, 본 발명에 관한 수지 밀봉 발광체에 관한 실시예 2를 설명한다. 도 2A는 본 실시예에 관한 수지 밀봉 발광체를, 도 2B는 도 2A의 수지 밀봉 발광체의 제조 공정에 있어서의 중간체인 밀봉체를, 각각 도시하는 정면 종단면도이다.
본 실시예에서는, 도 2A에 도시되어 있는 바와 같이, 기판(2)의 한쪽의 면(도면에서는 윗면)에 마련된 오목부(부호 없음)에는 복수개의 LED 칩(3)이 장착된다. 구체적으로는, 오목부에 마련된 3개의 설치용 패턴(5)의 각각에 1개의 LED 칩(3)이 장착된다. 따라서 오목부에는 3개의 LED 칩(3)이 장착되게 된다(도면에는 2개밖에 그려져 있지 않다). 그리고, 3개의 LED 칩(3)은, 각각 R, G, B의 광을 방사한다. 이로써, LED 패키지(1B)로부터 방사되는 광은, R, G, B의 3색의 광이 가법혼색된 실질적인 백색광이 된다. 따라서 본 실시예에 의하면, 실시예 1과 같은 특징을 갖는 것과 함께 실질적인 백색광을 방사하는 LED 패키지(1B)를 얻을 수 있다. 또한, 3개의 설치용 패턴(5)에 각각 대응하여, 접속부(6)와 방열용 패턴(7)이 3개씩 마련되어 있다.
본 실시예의 제 1의 변형예로서, 같은 색의 광을 방사하는 LED 칩(3)을, 3개만 오목부에 장착하여도 좋다. 이 경우에는, 우수한 발광 효율을 갖는 LED 패키지(1B)를 얻을 수 있다. 같은 색의 광을 방사하는 LED 칩(3)의 개수는, 2개 이상이면 좋다.
또한, 상술한 예에서는, 오목부에는 3개의 설치용 패턴(5)이 마련되고, 3개의 LED 칩(3)은 1개씩 각 설치용 패턴(5)에 장착되고, 각 설치용 패턴(5)은 각 접 속부(6)를 통하여 각 방열용 패턴(7)에 접속되는 것으로 하였다. 이에 대신하여, 제 2의 변형예로서, 3개의 LED 칩(3)이 12개의 공통되는 설치용 패턴(5)에 장착되는 것으로 하여도 좋다. 그리고, 1개의 공통되는 설치용 패턴(5)에 3개보다도 많은 수의 접속부(6)를 마련할 수 있다. 이로써, 3개의 LED 칩(3)으로부터 열이 더욱 효율적으로 방출되기 때문에, 방열 특성이 개선된 LED 패키지(1B)를 얻을 수 있다.
또한, 제 3의 변형예로서, 3개의 LED 칩(3)의 발열 특성이 다른 경우에는, 각각의 발열 특성에 따라 설치용 패턴(5)과 접속부(6)와 방열용 패턴(7)의 사이즈를 바꾸어도 좋다. 예를 들면, 큰 발열량을 갖는 LED 칩(3)에 대해서는, 설치용 패턴(5)과 방열용 패턴(7)의 면적을 크게 하고, 접속부(6)의 단면적을 크게 하면 좋다. 이로써, 3개의 LED 칩(3)의 발열 특성이 다른 경우에도, 우수한 방열 특성을 갖는 LED 패키지(1B)를 얻을 수 있다.
[실시예 3]
도 3을 참조하여, 본 발명에 관한 수지 밀봉 발광체에 관한 실시예 3을 설명한다. 도 3은 본 실시예에 관한 수지 밀봉 발광체를 도시하는 정면 종단면도이다.
도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 본 실시예에 의하면, 오목부의 측면에 마련된 사면이 곡면(18)으로 되어 있다. 그리고, 이 곡면에, 광반사부를 겸하는 배선용 패턴(10)이 형성된다. 이로써, 곡면(18)의 곡률을 적당하게 정함에 의해, LED 칩(3)으로부터 방사된 광이, 광반사부에 의해 상방을 향하여 효율적으로 반사된다. 따라서 본 실시예에 의하면, 실시예 1과 같은 특징을 갖는 것과 함께 우수한 발광 효율을 갖는 LED 패키지(1A)를 얻을 수 있다.
여기서, 오목부의 측면에 마련된 곡면(18)을 형성하는 방법을 설명한다. 실리콘 기판을 사용하는 경우에는, 등방성 에칭에 의해 오목부를 형성함에 의해, 이와 같은 곡면(18)을 얻을 수 있다. 등방성 에칭에 의해 형성된 곡면(18)은 경면으로 되어 있기 때문에, 배선용 패턴(10)이 형성되지 않은 부분에서도 LED 칩(3)으로부터 방사된 광이 상방을 향하여 효율적으로 반사된다. 또한, 수지 베이스 기판, 금속 베이스 기판, 또는 세라믹 베이스 기판을 사용하는 경우에는, 오목부를 기계 가공에 의해 형성함에 의해, 이와 같은 곡면을 얻을 수 있다.
[실시예 4]
도 4A, B와 도 5A, B를 참조하여, 본 발명에 관한 수지 밀봉 발광체에 관한 실시예 4와 그 변형예를 설명한다. 도 4A는 본 실시예에 관한 수지 밀봉 발광체를, 도 4B는 본 실시예의 제 1의 변형예를, 각각 도시하는 정면 종단면도이다. 도 5A는 본 실시예의 제 2의 변형예를 도시하는 정면 종단면도이고, 도 5B는 도 5A의 수지 밀봉 발광체의 우 종단면도이다.
도 4A에 도시되어 있는 바와 같이, 본 실시예에 관한 LED 패키지(19)에는, 밀봉 수지(4)로 이루어지는 렌즈(볼록 렌즈)(20)가 마련되어 있다. 이로써, LED 칩(3)으로부터 방사된 광이 렌즈(20)에 의해 집광되어, 상방을 향하여 방사된다. 또한, 본 실시예에서는, LED 패키지(19)의 윗면은 전부 밀봉 수지(4)에 의해 덮여 있다. 따라서 본 실시예에 의하면, 실시예 1과 같은 특징을 갖는 것과 함께 렌즈(20)를 갖고 있고 윗면의 전면이 밀봉 수지(4)에 의해 덮인 LED 패키지(19)를 얻을 수 있다.
또한, 도 4B에 도시되어 있는 LED 패키지(21)는, 본 실시예의 제 1의 변형예이다. 이 LED 패키지(21)에서는, 윗면의 주연부에 있어서 밀봉 수지(4)에 의해 덮여 있지 않은 노출부(22)가 형성된다. 본 변형예에 의하면, 실시예 1과 같은 특징을 갖는 것과 함께 렌즈(20)를 갖고 있고 윗면의 주연부에서 노출부(22)가 형성된 LED 패키지(21)를 얻을 수 있다. 따라서 본 변형예에 의하면, LED 패키지(21)의 제조 공정에서의 밀봉 수지(4)의 소비량이 삭감된다. 또한, LED 패키지(21)에 있어서의 불필요한 방향(도면에서는 수평 방향에 가까운 방향)으로의 광의 방사가 억제된다. 본 변형예에 관한 LED 패키지(21)를 제조하는데는, 밀봉 수지(4)로 이루어지는 렌즈(20)끼리를 접속하는 연결부를 마련하는 일 없이, 밀봉 수지(4)를 형성하면 좋다.
또한, 도 5A, B에 도시되어 있는 LED 패키지(23)는, 본 실시예의 제 2의 변형예이다. 이 LED 패키지(23)에서는, 설치용 패턴(5)과 방열용 패턴(7)이, 접속부(6)에 더하여 LED 패키지(23)의 측면에 마련된 접속부(24)에 의해서도 접속된다. 이 접속부(24)를 형성하는데는, 다음과 같이 하여 행하면 좋다. 우선, LED 패키지(23)를 제조할 때에 사용되는 절단선(도 1B의 절단선(17) 참조)에 따라, 복수개의 접속부(스루홀)를 형성한다. 다음에, 절단선에 따라 절단한다. 이로써, 복수개의 접속부(스루홀)가 거의 중심에서 절단되기 때문에, LED 패키지(23)의 측면에서 세로길이로 가늘고 길게 노출한 복수개의 접속부(24)가 형성된다. 제 2의 변형예에 의하면, 접속부(24)는 노출하여 있기 때문에, LED 칩(3)에서 발생하는 열이 방열용 패턴(7)과 접속부(24)로부터 LED 패키지(23)의 외부에 더욱 효과적으로 방출된다. 따라서 본 실시예에 의하면, 실시예 1과 같은 특징을 갖는 것과 함께 렌즈(20)를 갖고 있고 방열 특성이 더욱 개선된 LED 패키지(23)를 얻을 수 있다.
또한, 제 2의 변형예에서는, 제 1의 변형 예(도 4B 참조)에 노출부(22)로서 도시되어 있는 바와 같이, LED 패키지(23)의 윗면의 주연부에 있어서 밀봉 수지(4)에 의해 덮여 있지 않은 노출부를 형성하여도 좋다. 이로써, 접속부(24)에 연결되는 배선용 패턴(10)의 일부가 노출하기 때문에, 방열 특성이 더욱 개선된 LED 패키지(23)를 얻을 수 있다.
[실시예 5]
도 6A, B를 참조하여, 본 발명에 관한 수지 밀봉 발광체에 관한 실시예 5를 설명한다. 도 6A는 본 실시예에 관한 수지 밀봉 발광체를 도시하는 정면 종단면도, 도 6B는 도 6A의 수지 밀봉 발광체의 우 종단면도이다.
도 6A, B에 도시되어 있는 바와 같이, 본 실시예에 의하면, LED 패키지(25)에 있어서, 방열용 패턴(7)과 외부 단자(12)가, 기판(2)에 있어서 LED 칩(3)이 장착되어 있는 면(도면에서는 윗면)에 마련되어 있다. 또한, 윗면의 주연부에 있어서 밀봉 수지(4)에 의해 덮여 있지 않은 노출부(22)가 형성되어 있다. 본 변형예에 관한 LED 패키지(25)를 제조하는데는, 밀봉 수지(4)로 이루어지는 렌즈(20)를 각각 독립하여 형성하고, 렌즈(20)끼리를 접속하는 연결부를 마련하는 일 없이 밀봉 수지(4)를 형성하면 좋다.
본 실시예에 의하면, 기판(2)의 윗면에서만, 설치용 패턴(5), 방열용 패턴(7), 배선용 패드(8), 광반사부를 겸하는 배선용 패턴(10), 및 외부 단자(12)가 마련된다. 또한, 기판(2)에 있어서, 하면의 패턴과, 상하 양면의 패턴끼리를 접속하는 접속부를 마련할 필요가 없다. 이로써, 기판(2)의 구성이 간소화되기 때문에, 기판(2)을 저렴하게 제작할 수 있다. 따라서 LED 패키지(25)를 저렴하게 할 수 있다. 또한, 도 4B에 도시되어 있는 LED 패키지(21)에서의 효과와 같은 효과를 얻을 수 있다.
더하여, 방열용 패턴(7)은 밀봉 수지(4)로부터 노출하기 때문에, LED 칩(3)에서 발생하는 열이 LED 패키지(25)의 외부에 효과적으로 방출된다. 또한, 설치용 패턴(5)을 GND 전위에 접속하는 경우에는, 방열용 패턴(7)은, 외부 기기(도시 생략)의 접지 단자에 접속하기 위한 외부 단자로서도 기능한다. 또한, 외부 단자(12)는 밀봉 수지(4)로부터 노출하여 있기 때문에, 그들의 외부 단자(12)를 사용하여 외부 기기에 대한 전기적인 접속을 할 수 있다.
[실시예 6]
도 7A, B 내지 도 9A, B를 참조하여, 본 발명에 관한 수지 밀봉 발광체의 제조 방법에 관한 실시예 6을 설명한다. 도 7A, B는, 유동성 수지에 의해 캐비티가 충전된 상태로 되어 있는 하형에 대향하고, 복수의 LED 칩이 장착된 기판을 배치하기까지의 공정을 도시하는 종단면도이다. 도 8A, B는, 유동성 수지가 경화하여 밀봉체가 형성되기까지의 공정을 도시하는 종단면도이다. 도 9A, B는, 밀봉체가 절단되어 LED 패키지가 완성되기까지의 공정을 도시하는 종단면도이다.
우선, 도 7A에 도시하는 바와 같이, 기판(15)과 기판(15)에 마련된 복수의 오목부(26)에 각각 장착된 LED 칩(3)을 포함하는 밀봉 전 기판(27)을 준비한다. 또 한, 상형(28)과 상형(28)에 대향하는 하형(29)을 준비한다. 여기서, 하형(29)에는 주캐비티(main cavity:30)가 마련되고, 주캐비티(30)에 있어서 복수의 오목부(26)에 각각 대향하는 위치에는 독립한 오목부로 이루어지는 부캐비티(sub cavity:31)가 마련되어 있다. 주캐비티(30)와 부캐비티(31)로, 전체 캐비티(32)를 구성한다. 여기서, 오목부(26)의 평면 형상으로서는, 원형, 타원형, 긴 타원형, 직사각형, 사각형 이외의 다각형 등이 생각된다.
다음에, 하형(29)의 형면에 따라 이형 필름(33)을 팽팽하게 설치한다. 이형 필름(33)을 흡착함에 의해, 하형(29)의 형면에 이형 필름(33)을 밀착시킨다.
다음에, 흡착이나 클램프 등의 주지의 방법에 의해, 오목부(26)를 아래로 향한 밀봉 전 기판(27)을 상형(28)의 형면에 지지(고정)한다. 여기서, 상형(28)의 형면에 밀봉 전 기판(27)을 지지할 때에는, 각 LED 칩(3)과 각 부캐비티(31)의 중심끼리를 위치 맞춘다. 또한, 하형(29)과는 대향하지 않는 위치에서 상형(28)의 형면에 밀봉 전 기판(27)을 지지하고, 그 후에 상형(28)을 이동시켜서 각 LED 칩(3)과 각 부캐비티(31)의 중심끼리를 위치 맞춤하여도 좋다.
다음에, 도 7B에 도시하는 바와 같이, 전체 캐비티(32)를, 열경화성 수지로 이루어지는 유동성 수지(34)에 의해 충전한다. 전체 캐비티(32)에 유동성 수지(34)를 충전하는데는, 상온에서 액상인 수지(액상 수지)를, 디스펜서 등을 사용하여 전체 캐비티(32)에 적하하여 공급하다. 또한, 상형(28)은 대향하지 않는 위치에서 전체 캐비티(32)에 액상 수지를 적하하고, 그 후에 하형(29)을 이동시켜서 각 LED 칩(3)과 각 부캐비티(31)의 중심끼리를 위치 맞춤하여도 좋다.
다음에, 도 8A에 도시하는 바와 같이, 상형(28)을 하강시켜서 상형(28)과 하형(29)을 클로징한다. 그로 인해 각 LED 칩(3)을 유동성 수지(34)에 침지하고, 클로징한 상태를 유지하여 유동성 수지(34)를 경화시켜서, 밀봉 수지(4)를 형성한다. 여기서, 부캐비티(31)(도 7A 참조)에서 경화한 밀봉 수지(4)가 렌즈(20)를 구성한다. 그 후에, 상형(28)을 상승시켜서 상형(28)과 하형(29)을 오프닝한다(도 8A의 화살표 참조). 여기서, 이형 필름(33)을 사용하고 있기 때문에, 하형(29)의 형면으로부터 밀봉체(14)(도 8B 참조)를 용이하게 이형시킬 수 있다. 또한, 클로징과 오프닝을 행하는데는, 상형(28)과 하형(29)을 수직 방향으로 상대적으로 이동시키면 좋다.
여기까지의 공정에 의해, 도 8B에 도시하는 바와 같이, 복수의 오목부(26)(도 7A, B 참조)의 각각에 있어서, 수지 밀봉된 LED 칩(3)과 그 LED 칩(3)에 대해 중심끼리가 위치 맞춤된 렌즈(20)를 갖는, 밀봉체(14)가 완성된다. 그리고, 흡착을 해제하여 상형(28)으로부터 밀봉체(14)를 분리한다. 그 후에, 적당한 반송 수단을 사용하여, 밀봉체(14)를 다음 공정으로 반송한다.
다음에, 도 9A에 도시하는 바와 같이, 흡착, 점착, 클램프 등의 주지의 방법에 의해, 절단 장치의 테이블(35)에, 밀봉 수지(4)를 위를 향하여 밀봉체(14)를 지지(고정)한다. 그 후에, 절단 장치의 회전날(36)을 사용하여, 각 절단선(17)에서 밀봉 수지(4)와 기판(15)을 순차로 절단한다. 여기서, 테이블(35)에서 각 절단선(17)에 대응하는 위치에 마련된 릴리즈 홈(37)에 회전날(36)의 외부 테두리가 수용될 때까지, 절단이 행하여진다. 이로써, 각 절단선(17)에서 밀봉체(14)는 완전하 게 절단되어(풀 컷트되어), 각 LED 패키지(19)로 개편화된다.
여기까지의 공정에 의해, 도 9B에 도시하는 바와 같이, 밀봉체(14)를 각 영역(16) 단위로 풀 컷트함에 의해, 각 LED 패키지(19)를 완성시킬 수 있다. 또한, 실시예 1 내지 5에서 설명한 LED 패키지를 제조하는 경우에, 본 실시 형태에 관한 수지 밀봉 발광체의 제조 방법을 적용할 수 있다.
본 실시예에 의하면, 기판(15)의 한쪽의 면에서의 복수의 영역(16)에 각각 오목부(26)를 마련하고, 그들의 오목부(26)에 각각 장착된 LED 칩(3)을, 기판(15) 전체로서 일괄하여 수지 밀봉한다. 그리고, 필요에 따라 하나 또는 복수의 영역(16)을 단위로 하여 밀봉체를 개편화함에 의해 LED 패키지를 제조한다. 따라서 소망하는 치수·형상을 갖는 LED 패키지를 효율적으로 제조할 수 있다.
또한, 기판(15)에 장착된 복수의 LED 칩(3)을 유동성 수지(34)에 침지하고, 금형을 클로징한 상태를 유지하여 유동성 수지(34)를 경화시켜서, 밀봉 수지(4)를 형성한다. 이로써, LED 칩(3)의 측에서 본 유동성 수지(34)의 유동을, 도 7B의 상하 방향에서의 미소한 거리로 멈출 수 있다. 따라서 와이어(13)에 가하여지는 외력이 감소하기 때문에, 불량률을 저감할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서 전체 캐비티(32)를 유동성 수지(34)에 의해 충전된 상태로 하는데는, 다음의 방법을 채택할 수도 있다. 예를 들면 전체 캐비티(32)에 분말상, 과립상, 괴상, 원판형상, 원주형상, 시트형상 등의 수지 재료를 공급하고, 그 수지 재료를 가열하여 용융시키면 좋다. 원판형상, 원주형상, 또는 시트형상의 수지 재료를 사용하는 경우에는, 전체 캐비티(32)의 치수·형상에 따라 그들 의 수지 재료의 치수·형상·수량을 결정하여도 좋다. 이들의 경우에 있어서도, 상형(28)은 대향하지 않는 위치에 있어서 전체 캐비티(32)에 수지 재료를 공급하고, 그 후에 하형(29)을 이동시켜서 각 LED 칩(3)과 각 부캐비티(31)의 중심끼리를 위치 맞춤하여도 좋다.
또한, 밀봉 수지(4)를 형성할 때에는, 우선 평판 렌즈의 부분을 형성하고, 다음에 다른 금형을 사용하여 볼록 렌즈의 부분을 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 평판 렌즈의 부분과 볼록 렌즈의 부분을 각각 구성하는 재료를, 적절히 바꿀 수 있다.
또한, 하형(29)에 있어서, 주캐비티(30)를 마련하지 않고 부캐비티(31)만을 마련하여도 좋다. 이 경우에는, 도 6A, B에 도시된 바와 같이, 주위에 연결부를 갖지 않는 렌즈(20)와, 외부 테두리 부근에서의 노출부(22)를 갖는 LED 패키지를 제조할 수 있다. 또한, 렌즈(20)가 각각 독립하여 형성됨과 함께, 렌즈(20)끼리를 연결하는 연결부가 존재하지 않음에 의해, LED 패키지의 제조 공정에 있어서의 밀봉 수지의 소비량이 삭감된다. 또한, LED 패키지에 있어서의 불필요한 방향(도면에서는 수평 방향에 가까운 방향)으로의 광의 방사가 억제된다.
상술한 설명에서는, 렌즈(20)로서 볼록 렌즈를 갖는 LED 패키지의 예에 관해 설명하였다. 그러나, 이것으로 한하지 않고, 부캐비티(31)에서의 형면에 적당한 가공을 시행함에 의해, 예를 들면 렌즈(20)로서 프레넬 렌즈를 갖는 LED 패키지를 제조할 수도 있다. 또한, 부캐비티(31)의 유무를 불문하고, 전체 캐비티(32)에 있어서의 형면 전체에 프레넬 렌즈에 대응하는 미세한 패턴을 다수개 마련함에 의해, 밀봉 수지(4)의 표면에 다수의 초소형 프레넬 렌즈를 형성할 수도 있다. 또한, 렌즈(20)로서 오목 렌즈를 갖는 LED 패키지를 제조할 수도 있다. 따라서 본 실시예에 의하면, 집광, 광의 확산, 및 평행광의 방사라는 기능을 각각 갖는 다른 타입의 LED 패키지를 제조할 수 있다.
또한, 이형 필름(33)으로서, 유동성 수지(34)에 접촉하는 측의 면(도면에서는 윗면)에 미세한 패턴을 형성한 이형 필름을 사용할 수도 있다. 이 경우에는, 그들의 미세한 패턴이 밀봉 수지(4)의 표면에 전사됨에 의해, 밀봉 수지(4)의 표면에 미세한 패턴을 형성할 수 있다. 이 경우에는, 이형 필름(33)은 전사용의 형으로서도 기능한다.
또한, 하형(29)을 구성한 재료 및 유동성 수지(34)의 각각의 특성에 의해서는, 이형 필름(33)을 사용하지 않고 밀봉체(14)를 완성시킬 수 있다. LED 패키지에 가하여지는 외력이 작도록 이형 기구를 채용한 경우도, 이형 필름(33)을 사용하지 않고 밀봉체(14)를 완성시킬 수 있다.
또한, 밀봉체(14)를 두께 방향의 도중까지 절삭하여(하프 컷트하여) 홈을 형성하고, 그 후에 밀봉체(14)에 외력을 가하여 밀봉체(14)를 각 LED 패키지(19)로 개편화하여도 좋다. 또한, 회전날, 밴드 쏘, 와이어 쏘, 워터 제트, 또는 레이저광의 어느 하나를, 또는 이들을 조합시켜서, 사용하여도 좋다.
또한, 플립칩 본딩을 사용하여, LED 칩(3)의 전극과 배선용 패드(8)를 도전성 재료에 의해 전기적으로 접속하여도 좋다. 또한, 플립칩 본딩에 의한 전기적인 접속에는, 금이나 솔더 등으로 이루어지는 범프, 도전성 접착제, 이방성 도전막 등 의 도전성 재료를 사용할 수 있다.
본 발명은, 상술한 각 실시예로 한정되는 것이 아니다. 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 필요에 따라, 임의로 또한 적절하게 상기 구성을 조합시키고, 변경하고, 또는 선택하여 채용할 수 있다.
본 발명을 상세히 설명하여 나타내어 왔지만, 이것은 예시를 위한 것일 뿐으로서, 한정으로 취해서는 안 되고, 발명의 범위는 첨부한 청구의 범위에 의해 해석되는 것이 분명히 이해될 것이다.
도 1A는 실시예 1에 관한 수지 밀봉 발광체를, 도 1B는 도 1A의 수지 밀봉 발광체의 제조 공정에 있어서의 중간체인 밀봉체를, 각각 도시하는 정면 종단면도.
도 2A는 실시예 2에 관한 수지 밀봉 발광체를, 도 2B는 도 2A의 수지 밀봉 발광체의 제조 공정에 있어서의 중간체인 밀봉체를, 각각 도시하는 정면 종단면도.
도 3은, 실시예 3에 관한 수지 밀봉 발광체를 도시하는 정면 종단면도.
도 4A는 실시예 4에 관한 수지 밀봉 발광체를, 도 4B는 본 실시예의 제 1의 변형예를, 각각 도시하는 정면 종단면도.
도 5A는 실시예 4의 제 2의 변형예를 도시하는 정면 종단면도, 도 5B는 도 5A의 수지 밀봉 발광체의 우(右)종단면도.
도 6A는 실시예 5에 관한 수지 밀봉 발광체를 도시하는 정면 종단면도, 도 6B는 도 6A의 수지 밀봉 발광체의 우 종단면도.
도 7A, B는, 실시예 6에 관한 수지 밀봉 발광체의 제조 방법에 있어서, 유동성 수지에 의해 캐비티가 충전된 상태가 되어 있는 하형에 대향하여, 복수의 LED 칩이 장착된 기판을 배치하기까지의 공정을 도시하는 종단면도.
도 8A, B는, 실시예 6에 관한 수지 밀봉 발광체의 제조 방법에 있어서, 유동성 수지가 경화하여 밀봉체가 형성되기까지의 공정을 도시하는 종단면도.
도 9A, B는, 실시예 6에 관한 수지 밀봉 발광체의 제조 방법에 있어서, 밀봉체가 절단되어 LED 패키지가 완성되기까지의 공정을 도시하는 종단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1A, 1B, 19, 21, 23, 25 : LED 패키지(수지 밀봉 발광체)
2 : 기판(회로 기판) 3 : LED 칩
4 : 밀봉 수지 5 : 설치용 패턴
6 : 접속부 7 : 방열용 패턴
8 : 배선용 패드 9 : 사면
10 : 배선용 패턴(광 반사부) 11 : 접속부
12 : 외부 단자 13 : 와이어(도전성 재료)
14 : 밀봉체(수지 밀봉 발광체) 15 : 기판(회로 기판)
16 : 영역 17 : 절단선
18 : 곡면 20 : 렌즈
22 : 노출부 24 : 접속부
26 : 오목부 27 : 밀봉 전 기판
28 : 상형 29 : 하형
30 : 주캐비티 31 : 부캐비티
32 : 전체 캐비티(캐비티) 33 : 이형 필름(필름)
34 : 유동성 수지 35 : 테이블
36 : 회전날 37 : 릴리프 홈

Claims (12)

  1. 적어도 하나의 영역을 갖는 회로 기판과, 해당 회로 기판의 한쪽의 면에서 상기 영역마다 마련된 오목부와, 상기 오목부마다 장착된 LED 칩과, 적어도 상기 오목부를 덮도록 마련된 투광성의 밀봉 수지를 갖는 수지 밀봉 발광체에 있어서,
    상기 오목부의 저면에 마련되고 상기 LED 칩이 설치되는 설치용 패턴과,
    상기 오목부의 측면에 마련된 사면과,
    상기 사면에 마련된 광반사부와,
    상기 LED 칩에 대해 전기 신호를 수수할 목적으로 상기 오목부의 저면에 마련된 배선용 패드와,
    상기 LED 칩에 마련된 전극과 상기 배선용 패드를 전기적으로 접속하는 도전성 재료와,
    상기 수지 밀봉 발광체와 외부 기기를 전기적으로 접속하는 목적으로 상기 회로 기판의 다른쪽의 면 또는 상기 한쪽의 면에 마련된 외부 단자와,
    상기 배선용 패드와 상기 외부 단자를 전기적으로 접속하는 배선용 패턴과,
    상기 LED 칩에서 발생한 열을 상기 수지 밀봉 발광체의 외부로 달아나게 할 목적으로 마련된 방열용 패턴을 구비하고,
    상기 방열용 패턴은 상기 설치용 패턴에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 수지 밀봉 발광체는, 복수의 상기 영역을 포함하는 밀봉체에 있어서의 상기 복수의 영역중의 적어도 하나의 영역을 포함하도록 상기 밀봉체를 개편화함으로써 제작된 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 회로 기판은 실리콘 기판, 수지 베이스 기판, 금속 베이스 기판, 또는 세라믹 베이스 기판의 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 광반사부는 금속층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 영역에 있어서 상기 밀봉 수지로 이루어지는 렌즈가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 밀봉 수지를 통하여 외부에 방사되는 광은 실질적으로 백색광이고,
    상기 백색광은, 다른 파장의 광을 각각 방사하는 복수의 상기 LED 칩이 상기 설치용 패턴에 장착됨에 의해, 또는, 소정의 파장의 광을 방사하는 상기 복수의 LED 칩이 상기 설치용 패턴에 장착됨과 함께 상기 밀봉 수지에 소정의 형광체가 혼입됨에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체.
  7. 적어도 하나의 영역을 갖는 회로 기판의 한쪽의 면에서 상기 영역마다 마련된 오목부와, 해당 오목부의 저면에 마련된 설치용 패턴과, 상기 설치용 패턴에 장착된 LED 칩과, 상기 오목부의 저면에 마련된 배선용 패드와, 상기 LED 칩에 마련된 전극과 상기 배선용 패드를 전기적으로 접속하는 도전성 재료와, 외부 기기와의 사이에서 전기 신호를 수수할 목적으로 상기 회로 기판의 다른쪽의 면 또는 상기 한쪽의 면에 마련된 외부 단자와, 상기 배선용 패드와 상기 외부 단자를 전기적으로 접속하고 광반사부를 겸하는 배선용 패턴과, 상기 설치용 패턴에 접속되고 상기 LED 칩에서 발생한 열을 외부로 달아나게 할 목적으로 마련되어 있는 방열용 패턴과, 적어도 상기 오목부를 덮도록 마련된 투광성의 밀봉 수지를 갖는 수지 밀봉 발광체의 제조 방법에 있어서,
    상형과 하형으로 이루어지는 성형틀을 준비하는 공정과,
    상기 오목부를 아래로 향하게 하여, 복수의 상기 영역과, 복수의 상기 설치용 패턴과, 복수의 상기 LED 칩과, 복수의 상기 도전성 재료와, 복수의 상기 외부 단자와, 복수의 상기 배선용 패턴과, 복수의 상기 방열용 패턴을 갖는 상기 회로 기판을 상기 상형에 지지하는 공정과,
    상기 하형에 마련된 캐비티를 투광성의 유동성 수지에 의해 충전된 상태로 하는 공정과,
    상기 상형과 상기 하형을 서로 대향하도록 배치하는 공정과,
    상기 상형과 상기 하형을 클로징함에 의해 상기 회로 기판의 상기 한쪽의 면에서의 상기 복수의 LED 칩을 상기 유동성 수지에 침지하는 공정과,
    상기 상형과 상기 하형이 클로징된 상태에서 상기 유동성 수지를 경화시켜서 상기 밀봉 수지를 일괄하여 형성함에 의해 상기 복수의 영역을 갖는 밀봉체를 형성하는 공정과,
    상기 상형과 상기 하형을 오프닝하는 공정과,
    상기 밀봉체를 취출하는 공정과,
    상기 복수의 영역중의 적어도 하나의 영역을 포함하도록 상기 밀봉체를 개편화하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체의 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 개편화하는 공정에서는, 회전날, 밴드 쏘, 와이어 쏘, 워터 제트, 또는 레이저광을 사용하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체의 제조 방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 회로 기판은 실리콘 기판, 수지 베이스 기판, 금속 베이스 기판, 또는 세라믹 베이스 기판의 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광 체의 제조 방법.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 밀봉체를 형성하는 공정에서는, 상기 복수의 영역의 각각에 있어서 상기 밀봉 수지로 이루어지는 렌즈를 형성하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체의 제조 방법.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 밀봉 수지를 통하여 외부에 방사되는 광이 실질적으로 백색광이 되도록, 다른 파장의 광을 각각 방사하는 상기 복수의 LED 칩을 상기 설치용 패턴에 장착하는 공정, 또는, 상기 복수의 LED 칩을 상기 설치용 패턴에 장착함과 함께 상기 밀봉 수지에 소정의 형광체를 혼입하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체의 제조 방법.
  12. 제 7항에 있어서,
    상기 캐비티를 상기 유동성 수지에 의해 충전된 상태로 하는 공정 전에, 상기 캐비티의 일부를 규정하는 상기 하형의 형면에 따라 필름을 팽팽하게 설치하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉 발광체의 제조 방법.
KR1020080108335A 2007-11-05 2008-11-03 수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법 KR101162404B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-287546 2007-11-05
JP2007287546A JP2009117536A (ja) 2007-11-05 2007-11-05 樹脂封止発光体及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090046701A true KR20090046701A (ko) 2009-05-11
KR101162404B1 KR101162404B1 (ko) 2012-07-04

Family

ID=40587210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080108335A KR101162404B1 (ko) 2007-11-05 2008-11-03 수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090114937A1 (ko)
JP (1) JP2009117536A (ko)
KR (1) KR101162404B1 (ko)
MY (1) MY159521A (ko)
TW (1) TWI441350B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011002208A2 (ko) * 2009-07-03 2011-01-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US8269418B2 (en) 2009-08-26 2012-09-18 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and light unit
KR101453748B1 (ko) * 2011-12-30 2014-10-23 루미마이크로 주식회사 발광다이오드 패키지
KR20180125578A (ko) * 2016-04-13 2018-11-23 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 반사기를 구비한 소자 및 소자들을 제조하기 위한 방법

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP2011077164A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
DE102009051746A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
TWI404242B (zh) * 2009-11-26 2013-08-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其製程
JP5192477B2 (ja) * 2009-11-30 2013-05-08 三菱電機株式会社 画像表示素子及びその製造方法
KR101619832B1 (ko) * 2009-11-30 2016-05-13 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 구비한 발광다이오드 패키지 모듈과 그 제조 방법, 및 이를 구비한 헤드 램프 모듈과 그 제어 방법
TWI407598B (zh) * 2010-05-26 2013-09-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝製程
CN102263187A (zh) * 2010-05-31 2011-11-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102376845A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
KR101711961B1 (ko) * 2010-09-10 2017-03-03 삼성전자주식회사 발광 디바이스
IT1402806B1 (it) * 2010-11-29 2013-09-18 St Microelectronics Srl Dispositivo fotomoltiplicatore incapsulato di materiale semiconduttore, in particolare per l'utilizzo in macchine per l'esecuzione della tomografia ad emissione di positroni.
TWI400824B (zh) * 2010-12-08 2013-07-01 Au Optronics Corp 光源模組及背光模組
CN102569595A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
TWI416772B (zh) * 2010-12-30 2013-11-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構
CN102563557B (zh) * 2010-12-30 2016-08-17 欧司朗股份有限公司 用于灯条的封装方法
CN103443943B (zh) * 2011-01-17 2017-07-21 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括密封的led封装
KR101847938B1 (ko) 2011-03-14 2018-04-13 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101752447B1 (ko) * 2011-06-01 2017-07-05 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 어셈블리
KR20130022052A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
CN103101875A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 精材科技股份有限公司 半导体封装件及其制法
CN103187487A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装制程及其封装结构
KR20130081515A (ko) * 2012-01-09 2013-07-17 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지용 기판 및 ｌｅｄ 패키지 제조방법
CN104170106A (zh) * 2012-03-15 2014-11-26 松下电器产业株式会社 Led用基板、led模块和led灯
CN103378226A (zh) * 2012-04-25 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
CN103531702A (zh) * 2012-07-03 2014-01-22 深圳市蓝科电子有限公司 一种倒装晶片的led结构
CN103730567A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 清华大学 一种led器件及其制备方法
JP6102408B2 (ja) * 2013-03-27 2017-03-29 豊田合成株式会社 発光装置、及びその製造方法
JP6205897B2 (ja) * 2013-06-27 2017-10-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6661890B2 (ja) 2014-05-21 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6379786B2 (ja) * 2014-07-18 2018-08-29 大日本印刷株式会社 貫通電極基板、配線基板および半導体装置
TWI512292B (zh) * 2014-09-04 2015-12-11 Taiwan Green Point Entpr Co 薄膜式生物晶片之製作方法
DE102015105470A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements
DE102015115824A1 (de) * 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP6409818B2 (ja) 2016-04-26 2018-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
KR102551354B1 (ko) * 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP6806218B2 (ja) * 2018-10-31 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光モジュール、発光装置及び発光モジュールの製造方法
DE102018009292A1 (de) * 2018-11-26 2020-05-28 Harting Ag Elektrooptische Baugruppe mit Wärmeabführung sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Baugruppe

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2714272B2 (ja) * 1991-06-04 1998-02-16 シャープ株式会社 電子部品
JP3424061B2 (ja) * 1997-01-31 2003-07-07 スタンレー電気株式会社 発光ダイオードの製造方法
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
JP3680005B2 (ja) * 1998-07-10 2005-08-10 アピックヤマダ株式会社 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
US6552487B1 (en) * 1999-10-27 2003-04-22 Patent-Treuhand-Gesellschaft Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Phosphor for light sources, and associated light source
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2004079750A (ja) * 2002-08-16 2004-03-11 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置
US6599768B1 (en) * 2002-08-20 2003-07-29 United Epitaxy Co., Ltd. Surface mounting method for high power light emitting diode
JP4123105B2 (ja) * 2003-05-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP2006019666A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Phenitec Semiconductor Corp 発光器及び発光装置
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
JP5192646B2 (ja) * 2006-01-16 2013-05-08 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止方法、その樹脂封止装置、および、その製造方法
JP2007227737A (ja) 2006-02-24 2007-09-06 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2007288050A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5036372B2 (ja) * 2007-04-02 2012-09-26 Ｔｏｗａ株式会社 光電子部品および光電子部品の製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9048391B2 (en) 2009-07-03 2015-06-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
WO2011002208A3 (ko) * 2009-07-03 2011-04-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US9786827B2 (en) 2009-07-03 2017-10-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
WO2011002208A2 (ko) * 2009-07-03 2011-01-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US9472743B2 (en) 2009-07-03 2016-10-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
US8796706B2 (en) 2009-07-03 2014-08-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
US9257624B2 (en) 2009-07-03 2016-02-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
US8319427B2 (en) 2009-08-26 2012-11-27 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and light unit
US8749136B2 (en) 2009-08-26 2014-06-10 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and light unit
US8269418B2 (en) 2009-08-26 2012-09-18 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and light unit
KR101453748B1 (ko) * 2011-12-30 2014-10-23 루미마이크로 주식회사 발광다이오드 패키지
KR20180125578A (ko) * 2016-04-13 2018-11-23 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 반사기를 구비한 소자 및 소자들을 제조하기 위한 방법
US10615323B2 (en) 2016-04-13 2020-04-07 Osram Oled Gmbh Component having a reflector and method of producing components

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009117536A (ja) 2009-05-28
KR101162404B1 (ko) 2012-07-04
TW200931688A (en) 2009-07-16
US20090114937A1 (en) 2009-05-07
MY159521A (en) 2017-01-13
TWI441350B (zh) 2014-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101162404B1 (ko) 수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법
JP5512509B2 (ja) 半導体発光デバイスパッケージ及び方法
JP4279388B2 (ja) 光半導体装置及びその形成方法
US8053259B2 (en) Manufacturing method of light emitting diode
JP5520243B2 (ja) 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ
US6730533B2 (en) Plastic packaging of LED arrays
TWI528508B (zh) 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
US20070278513A1 (en) Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
KR101766299B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101181112B1 (ko) 발광 다이오드, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드 모듈
US8502261B2 (en) Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
JP2011507228A (ja) Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
KR20050092300A (ko) 고출력 발광 다이오드 패키지
US20090122554A1 (en) Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light
JP2003163381A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
KR20090028709A (ko) 발광소자 실장용 기판과 그 제조방법, 발광소자 모듈과 그 제조방법, 표시장치, 조명장치 및 교통 신호기
WO2004102685A1 (en) Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof
JP2002270901A (ja) 発光ダイオードとその製造方法
KR100757825B1 (ko) 발광 다이오드 제조방법
JP2008103402A (ja) 上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体および上下電極型発光ダイオード用パッケージ集合体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J501 Disposition of invalidation of trial
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150508

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160426

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180619

Year of fee payment: 7