TWI404242B - 發光二極體及其製程 - Google Patents

Description

發光二極體及其製程

本發明是有關於一種發光二極體及其製程，特別是指一種適合應用於光電封裝產品上的發光二極體及其製程。

參閱圖1與圖2，現有製造發光二極體的製程具有下列步驟：步驟101是先在一基板11沿一第一方向I形成多數條相間隔且鏤空的槽道110，並於該基板11的一上、一下表面分別形成一上、一下電極層12、13，每一槽道110都是由二平行該第一方向I的側壁面111，及二連接在該二側壁面111之間的端壁面112所界定形成。

步驟102是分別對該上、下電極層12、13蝕刻，以形成多數沿該第一方向I配置的上、下電極部121、131，及多數個分別介於該等上、下電極部121、131間的上、下蝕刻部122、132。

步驟103是在每一槽道110的二側壁面111形成多數個相間隔且分別與該等上、下電極部121、131電連接的連接電極部14。

步驟104是在每一上蝕刻部122二側的二上電極部121之間設置分別與該二上電極部121電連接的發光二極體晶片15。

步驟105是在該基板11的上表面形成多數條避開該等槽道110且包覆該等發光二極體晶片15與該等上電極部121的透明覆蓋層16。

步驟106是沿一與該第一方向I垂直的第二方向II切割該基板11及該等覆蓋層16以形成多數個發光二極體。

雖然透過前述製程可製得發光二極體，但為了形成分別與該等上、下電極部121、131電連接的連接電極部14，須先在該基板11形成多數條條狀鏤空的槽道110，該等槽道110會導致該基板11的實質面積大幅縮小，單位面積基板11可製造的發光二極體數量相對較少，使該現有製程具有基板利用率較低而較浪費的缺失。

參閱圖3與圖4，現有另一種發光二極體的製程則具有下列步驟：

步驟201是提供一基板21，並分別在該基板21的一上、一下表面分別形成一上、一下電極層22、23。

步驟202是利用蝕刻分別使該上、下電極層22、23形成多數個上、下電極部221、231，及多數個分別介於該等上、下電極部221、231間的上、下蝕刻部222、232。

步驟203是以雷射鑽孔方式形成多數個相間隔且分別自該等 下電極部231延伸穿過該基板21但未貫穿該等上電極部221的盲孔210。

步驟204是對經步驟203處理的基板21電鍍，以分別形成覆蓋該等上電極部221的上電鍍層241、覆蓋該等下電極部231的下電鍍層242，及覆蓋於每一盲孔210的一內周壁面211及一內端面212的連接電鍍層243。每一盲孔210的內端面212是形成於該上電極部221的底面。

步驟205是在每一上蝕刻部222二側的二上電極部221之間設置分別與該二上電極部221電連接的發光二極體晶片25。

步驟206是在該基板21的上表面一包覆該等發光二極體晶片25與該等上電極部221的透明覆蓋層26，並透過該等上極部221擋抵以防止該覆蓋層26的膠料流入該等盲孔210內。

步驟207是切割該基板21與該覆蓋層26以形成多數個發光二極體。

雖然藉由前述製法也能製得發光二極體，但在步驟203進行鑽孔時，必須控制不鑽穿該等上電極部221以形成該等盲孔210，並透過該等上電極部221在步驟206設置覆蓋層26時防止形成覆蓋層26的膠料流入孔內，由於上電極部221厚度極薄，因此必須使用較精密的工具控制鑽孔的深度，如此，由於用到較精密的工具設備導致製造成本提高，為了控制鑽孔深度無法進行快速鑽孔，也會使製程時間延長而降低製造效率。

此外，由於該上、下電極層22、23分別是透過一黏膠層(圖未示)貼覆至該基板21，其經蝕刻所形成的上、下電極部221、231亦留有黏膠層，進行鑽孔時，為了避免鑽穿該等上電極部221，容易有黏膠殘留在該等盲孔210的內端面212，導致在步驟204電鍍時無法順利附著形成連接電鍍層243，進而造成所製出的每一發光二極體的上、下電極部221、223無法獲得穩定的電連接，使所製出的產品易有導電性不良的問題。

因此，本發明的目的，是在提供一種能有效提升基板的利用率與增加發光二極體設計角度內的發光強度的發光二極體及其製程。

於是，本發明的第一種發光二極體的製程，包含下列步驟：(i)提供一基板，並分別在該基板的一上、一下表面形成一上電極層及一下電極層；(ii)形成多數個相間隔排列且貫穿該基板與該上、下電極層，並分別在該上、下電極層形成多數個上開口、多數個下開口的孔洞；(iii)對該上、下電極層進行蝕刻，在該基板的上、下表面沿一第一方向分別形成多數條的上電極部、下電極部、多數條介於該等上電極部之間的上蝕刻部，及多數條介於該等下電極部之間的下蝕刻部，且每一上電極部具有多數的上開口 ，每一下電極部具有多數的下開口；(iv)分別在每一界定出該孔洞的內周壁面形成一與該基板上、下電極部電連接的連接電極部；(v)形成多數封閉每一上電極部的多數上開口的第一阻隔層，並形成多數分別位於該等第一阻隔層上且黏滯性小於該第一阻隔層的黏滯性的第二阻隔層；(vi)在位於每一條上蝕刻部二側的二上電極部之間，設置多數個相間隔的發光二極體晶片，每一發光二極體晶片分別與該二上電極部電連接；(vii)在該基板的上表面形成一包覆住該等發光二極體晶片與該等上電極部且由透明材質製成的覆蓋層；及(viii)沿該第一方向且經該等孔洞地切割該基板，並沿一垂直於該第一方向的第二方向切割該基板，以形成多數個發光二極體。

此外，本發明還提供一第二種發光二極體的製程。其中，該第二種發光二極體的製程的步驟(i)~(iii)分別與第一種製程的步驟(i)~(iii)相同，且其步驟(v)~(vii)也分別與第一種製程的步驟(vi)~(viii)相同，因此，在此不再贅述，僅針對步驟(iv)提出說明。

(iv)是分別在該等孔洞填入導電膠作為使該等上、下電極部電連接的連接電極部。

進一步地，本發明還提供一第三種發光二極體的製程，其包含下列步驟：(i)提供一基板，並在該基板的一下表面形成一下電極層；(ii)形成多數個相間隔排列且貫穿該基板與該下電極層，並分別在該基板的上表面及下電極層形成多數個上開口、多數個下開口的孔洞；(iii)對該下電極層進行蝕刻，在該基板的下表面沿一第一方向形成多數條的下電極部，及多數條介於該等下電極部之間的下蝕刻部，且每一下電極部具有多數的下開口；(iv)沿該第一方向在該基板的上表面設置多數條相間隔且封閉該等上開口並當作上電極部的導電薄膜層，並在該等導電薄膜層之間界定形成多數條上間隔部；(v)對經步驟(iv)處理的基板進行電鍍，以分別在該等導電薄膜層上表面形成上電鍍層，在該等下電極部表面形成下電鍍層，以及在界定出該等孔洞的內周壁面形成連接電鍍層，該連接電鍍層使該導電薄膜層與該下電極部形成電連接；(vi)在位於每一條上間隔部二側的二上電鍍層之間，設置多數個相間隔的發光二極體晶片，每一發光二極體晶片分別與該二上電鍍層電連接；(vii)在該基板的上表面形成一包覆住該等發光二極體晶片、該等上電鍍層且由透明材質製成的覆蓋層；及 (viii)沿該第一方向且經該等孔洞地切割該基板，並沿一垂直於該第一方向的第二方向切割該基板，以形成多數個發光二極體。

本發明發光二極體的製程的有益效果在於：藉在該基板形成孔洞，並在孔洞的內周壁面設置連接電極部或連接電極層，再經該等孔洞切割該基板而形成多數個發光二極體的方式，可有效減少基板廢料的產生，進而提升基板利用率與降低製造成本，並能透過切割方式的設計，分別製成正向及側向的發光二極體。此外，前述三種發光二極體的製程分別利用該第一、第二薄膜層、導電膠及導電薄膜層封蓋該孔洞，能防止形成該覆蓋層的膠料流入孔洞，並能便於進行覆蓋層成型(molding)製程，藉此增進使所製出的發光二極體設計角度內的發光強度。其中，在該第三種發光二極體的製程中，還藉由先形成貫穿的孔洞再設置導電薄膜層的製程順序，不必考慮鑽孔深度而能簡化形成孔洞的技術，而有助於簡化製程。

本發明還進一步提供可透過前述製程所製得的發光二極體。本發明的第一種型式的發光二極體包含一基材、相間隔地設置於該基材的一第一電極、一第二電極、一分別與該第一、第二電極電連接的發光二極體晶片、一分別設置在該第一、第二電極上的阻隔單元，及一封蓋住該第一、第二電極、該阻隔單元及該發光二極體晶片的覆蓋體。

該基材包括一上表面、一下表面，及相間隔地設置且分別連 接於該上、下表面的一第一溝槽部、一第二溝槽部。

該第一電極包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部，及一設置在該第一溝槽部且連接於該上、下電極部之間的連接電極部。

該第二電極包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部，及一設置在該第二溝槽部且連接於該上、下電極部之間的連接電極部。

該阻隔單元包括二分別連接於該第一、第二電極的連接電極部且鄰近於該等上電極部的第一阻隔層，及二分別形成在該等第一阻隔層上且黏滯性小於該等第一阻隔層的黏滯性的第二阻隔層。

該覆蓋體是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、該阻隔單元，及該發光二極體晶片。

進一步地，本發明的第二種型式的發光二極體包含一基材、相間隔地設置於該基材的一第一電極、一第二電極、一分別與該第一、第二電極電連接的發光二極體晶片，及一封蓋住該第一、第二電極及該發光二極體晶片的覆蓋體。

該基材包括一上表面、一下表面、相間隔地設置且分別連接於該上、下表面之間的一第一溝槽部及一第二溝槽部。

該第一電極包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部，及一設置於該第一溝槽部且電連接該上、 下電極部的連接電極部。

該第二電極包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部，及一形成於該第二溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部。

該覆蓋體是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、該等連接電極部，及該發光二極體晶片。

此外，本發明的第三種型式的發光二極體則包含一基材、相間隔地設置於該基材的一第一電極、一第二電極、一分別與該第一、第二電極電連接的發光二極體晶片，及一封蓋住該第一、第二電極及該發光二極體晶片的覆蓋體。

該基材包括一上表面、一下表面、相間隔地設置且分別連接於該上、下表面之間的一第一溝槽部及一第二溝槽部。

該第一電極包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部、一設置在該第一溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部，及一與該連接電極部相間隔設置，且穿設該基材並電連接該上電極部與下電極部的輔助連接電極部。

該第二電極包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部、一設置在該第二溝槽部且電連接該上、下電極部的連接電極部，及一與該連接電極部相間隔設置且穿設該基材並電連接該上電極部與下電極部的輔助連接電極部。

該覆蓋體是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、連接電極部、輔助連接電極部，及該發光二極體晶片。

本發明發光二極體的有益效果在於：藉由對應該第一、第二溝槽部的位置分別設置該第一、第二電極的上、下電極部的設計，在製造時相對較容易配合發光二極體晶片的大小調整該第一、第二電極之上電極部及第一、第二溝槽部的位置，藉此，能將基材尺寸縮小到與該發光二極體晶片的尺寸相近，達到產品小型化以提升製造時基板的利用率，及增加單位基板的產品產量，使該發光二極體相對具有較低的製造成本。其中，在該第三種型式的發光二極體中藉由設置輔助連接電極，可確保該第一、第二電極的上、下電極部獲得穩定的電連接，以預防因該連接電極部導電性不良而導致該發光二極體的效能受影響的情形發生，使該發光二極體具有較佳的可靠性。

31‧‧‧基板

311‧‧‧上表面

312‧‧‧下表面

32‧‧‧上電極層

320‧‧‧上開口

321‧‧‧上電極部

322‧‧‧上蝕刻部

331‧‧‧下電極部

332‧‧‧下蝕刻部

330‧‧‧下開口

340‧‧‧孔洞

351‧‧‧連接電極部

352‧‧‧連接電極部

360‧‧‧第一阻隔層

362‧‧‧第二阻隔層

363‧‧‧遮蓋單元

37‧‧‧發光二極體晶片

38‧‧‧覆蓋層

381‧‧‧覆蓋體

382‧‧‧溝槽

383‧‧‧塊體

39‧‧‧反射層

40‧‧‧發光二極體

41‧‧‧基材

411‧‧‧上表面

412‧‧‧下表面

413‧‧‧第一溝槽部

414‧‧‧第二溝槽部

42‧‧‧第一電極

421‧‧‧上電極部

422‧‧‧下電極部

423‧‧‧連接電極部

43‧‧‧第二電極

431‧‧‧上電極部

432‧‧‧下電極部

433‧‧‧連接電極部

44‧‧‧發光二極體晶片

45‧‧‧阻隔單元

451‧‧‧第一阻隔層

452‧‧‧第一阻隔層

46‧‧‧覆蓋體

47‧‧‧反射杯

50‧‧‧發光二極體

51‧‧‧基材

511‧‧‧上表面

52‧‧‧第一電極

521‧‧‧上電極部

523‧‧‧連接電極部

53‧‧‧第二電極

531‧‧‧上電極部

533‧‧‧連接電極部

54‧‧‧發光二極體晶片

55‧‧‧覆蓋體

56‧‧‧反射杯

61‧‧‧基板

610‧‧‧上開口

611‧‧‧下表面

612‧‧‧上表面

62‧‧‧下電極層

620‧‧‧下開口

621‧‧‧下電極部

622‧‧‧下蝕刻部

630‧‧‧孔洞

631‧‧‧內周壁面

641‧‧‧導電薄膜層

642‧‧‧上間隔部

651‧‧‧上電鍍層

652‧‧‧下電鍍層

653‧‧‧連接電鍍層

66‧‧‧導電膠

660‧‧‧輔助穿孔

67‧‧‧發光二極體晶片

68‧‧‧覆蓋層

681‧‧‧覆蓋體

682‧‧‧溝槽

69‧‧‧反射層

70‧‧‧發光二極體

71‧‧‧基材

711‧‧‧上表面

712‧‧‧下表面

713‧‧‧第一溝槽部

714‧‧‧第二溝槽部

72‧‧‧第一電極

721‧‧‧上電極部

722‧‧‧下電極部

723‧‧‧連接電極部

724‧‧‧輔助連接電極部

73‧‧‧第二電極

731‧‧‧上電極部

732‧‧‧下電極部

733‧‧‧連接電極部

734‧‧‧輔助連接電極部

74‧‧‧發光二極體晶片

75‧‧‧覆蓋體

76‧‧‧反射杯

III、V‧‧‧第一方向

IV、VI‧‧‧第二方向

i、ii、iii‧‧‧切割線

圖1是一俯視示意圖，說明現有製造發光二極體的製程在一基板形成多數條鏤空的槽道的情形；圖2是一剖視示意圖，說明以該現有製程製得發光二極體的情形；圖3是一剖視示意圖，說明在另一種現有製造發光二極體的製程中對一基板進行鑽孔的情形； 圖4是一剖視示意圖，說明以該另一種製程製得發光二極體的情形；圖5是一剖視示意圖，說明以本發明發光二極體的製程一第一較佳實施例在一基板分別形成一上電極層與一下電極層的情形；圖6是一俯視示意圖，說明在該第一較佳實施例中形成貫穿的孔洞的情形；圖7是一俯視示意圖，說明在該第一較佳實施例中蝕刻該上電極層形成多數條相間隔的上電極部的情形；圖8是一剖視示意圖，說明在該第一較佳實施例中設置一包覆住多數個發光二極體晶片的覆蓋層的情形；圖9是一立體示意圖，說明將該覆蓋層切割為多數個塊狀突起的覆蓋體的情形；圖10是一剖視示意圖，說明設置反射層後進行切割以製成多數個發光二極體的情形；圖11是一剖視示意圖，說明以本發明的第一較佳實施例所製出的發光二極體；圖12是一剖視示意圖，說明在本發明製程的一第二較佳實施例中，在孔洞內填滿導電膠再設置覆蓋層的情形；圖13是一剖視示意圖，說明在該第二較佳實施例中設置反射層後進行切割以形成多數個發光二極體的情形； 圖14是一剖視示意圖，說明以本發明製程的第二、第三較佳實施例所製出的發光二極體；圖15是一剖視示意圖，說明在本發明製程的一第三較佳實施例中，分別在多數個孔洞上設置多數個遮蓋單元的情形；圖16是一剖視示意圖，說明利用該等遮蓋單元移除位於其上方的塊體的情形；圖17是一剖視示意圖，說明在本發明製程的一第四較佳實施例中，形成多數個貫穿該基板與該下電極層的孔洞的情形；圖18是一俯視示意圖，說明在該基板上沿一第一方向在每一孔洞二相反側分別形成二個輔助穿孔的的情形；圖19是一剖視示意圖，說明在該第四較佳實施例中設置反射層後進行切割以形成多數個發光二極體的情形；及圖20是一剖視示意圖，說明以本發明製程的第四較佳實施例所製出的發光二極體。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之數個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。

在本發明被詳細描述之前，要注意的是，以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

本發明發光二極體的製程一第一較佳實施例，並包含下列步 驟：

參閱圖5與圖6，步驟301是提供一基板31，並分別在該基板31的一上、一下表面311、312形成一上電極層32及一下電極層33。

步驟302是形成多數個相間隔排列且貫穿該基板31與該上、下電極層32、33，並分別在該上、下電極層32、33形成多數個上開口320、多數個下開口330的孔洞340。

參閱圖7與圖8，步驟303是對該上、下電極層32、33進行蝕刻，在該基板31的上、下表面311、312沿一第一方向III分別形成多數條的上電極部321、下電極部331、多數條介於該等上電極部321之間的上蝕刻部322，及多數條介於該等下電極部331之間的下蝕刻部332，且每一上電極部321具有多數的上開口320，每一下電極部331具有多數的下開口330。

步驟304是分別在每一界定出該孔洞340的內周壁面341形成一與該基板31的上、下電極部321、331電連接的連接電極部351。在本實施例中，該連接電極部351為以電鍍方式附著在該內周壁面341上的電鍍層。

步驟305是以網板印刷的方式形成多數封閉每一上電極部321的多數上開口320的第一阻隔層361，並形成多數分別位於該等第一阻隔層361上且黏滯性小於該第一阻隔層361的黏滯性的第二阻隔層362，此外，該等第二阻隔層362的硬度是大於該等第一阻隔層361的硬度。在本實施例中，該等第一阻隔 層361為綠漆，該等第二阻隔層362是由一選自下列群組中的材質所製成：環氧樹脂、矽氧樹脂及合成樹脂。

步驟306是在位於每一條上蝕刻部322二側的二上電極部321之間，設置多數個相間隔的發光二極體晶片37，每一發光二極體晶片37分別以打線接合與覆晶的其中一種方式與該二上電極部321電連接。

步驟307是以射出成型(injection molding)與轉注成型(transfer molding)的其中一種方式，在該基板31的上表面311形成一包覆住該等發光二極體晶片37、該等上電極部321及該等第二阻隔層362，且由環氧樹脂類的透明材質製成的覆蓋層38。該覆蓋層38也可以由摻雜螢光粉的透明材質製成，藉以增進發光二極體晶片37的發光效果。

參閱圖8、圖9與圖10，步驟308是切割該覆蓋層38以形成多數個突起的塊狀覆蓋體381，及多數個圍繞該等覆蓋體381的溝槽382，並以射出成型與轉注成型的其中一種方式，在該等溝槽382填滿可反射光線的材質以形成圍繞該等覆蓋體381的反射層39。該反射層39並含有一選自下列群組中的物質：二氧化鈦、二氧化矽，及其等的組合，藉此可達到較佳反射光線效果。

步驟309是沿該第一方向III(參照圖7)且經該等孔洞340地切割該基板31，並沿一垂直於該第一方向III的第二方向IV(參照圖7)切割該基板31，以形成多數個如圖11所示的發光二極 體40。

值得說明的是，在本實施例中，是沿如圖7所示的多數條平行該第一方向III的切割線i與多數條平行該第二方向IV的切割線ii分別切割該基板31，因此，在步驟309所製得的發光二極體40(見圖11)是屬於正向發光型，但該製程的切割方式並不以此為限，也可以調整該等發光二極體晶片37的設置位置，且除了切割線i、ii外還另外沿平行該第二方向IV且通過該等孔洞340的切割線切割該基板31，如此就能製得側向發光型的發光二極體。

參閱圖11，以下再針對經由上述製程所製出的發光二極體40的結構進行說明。該發光二極體40包含一基材41、相間隔地設置於該基材41的一第一電極42、一第二電極43、一分別與該第一、第二電極42、43電連接的發光二極體晶片44、一分別設置在該第一、第二電極42、43上的阻隔單元45、一封蓋住該第一、第二電極42、43、該阻隔單元45及該發光二極體晶片44的覆蓋體46，及一圍繞該覆蓋體46設置在該基材41上的反射杯47。

該基材41包括一上表面411、一下表面412，及相間隔地設置且分別連接於該上、下表面411、412的一第一溝槽部413、一第二溝槽部414。

該第一電極42包括分別設置於該基材41的上、下表面411、412的一上電極部421、一下電極部422，及一設置在該第一 溝槽部413且連接於該上、下電極部421、422之間的連接電極部423。

該第二電極43包括分別設置於該基材41的上、下表面411、412的一上電極部431、一下電極部432，及一設置在該第二溝槽部414且連接於該上、下電極部431、431之間的連接電極部433。其中，該第一、第二電極42、43的連幹電極部433為前述製程步驟304中所形成的電鍍層。

該發光二極體晶片44分別與該第一、第二電極42、43的上電極部421、431電連接。

該阻隔單元45包括二分別連接於該第一、第二電極42、43的連接電極部423、433且鄰近於該等上電極部421、431的第一阻隔層451，及二分別形成在該等第一阻隔層451上且黏滯性小於該等第一阻隔層451的黏滯性，且硬度大於該等第一阻隔層451的硬度的第二阻隔層452。該等第一、第二阻隔層451、452的材質與該第一較佳實施例之製程所述相同。

該覆蓋體46是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極42、43的上電極部421、431、該阻隔單元45，及該發光二極體晶片44。

該反射杯47是由可反射光線的材質所製成，且是圍繞該覆蓋體46，並沿該基材41的上表面411及該阻隔單元45的該等第二阻隔層452設置。該覆蓋體46的材質與該反射杯47中所含物質亦與該第一較佳實施例之製程所述相同。

本發明發光二極體的製程一第二較佳實施例，則包含步驟401~步驟408。且其步驟401~步驟403分別與該第一較佳實施例的步驟301~303相同，故不再贅述。

參閱圖12，步驟404是分別在該等孔洞340填入導電膠作為使該等上、下電極部321、331電連接的連接電極部352。其中，該導電膠為摻雜導電粉末的環氧樹脂。

步驟405與該第一較佳實施例的步驟306相同。

步驟406是以射出成型與轉注成型的其中一種方式，在該基板31的上表面311形成一包覆住該等發光二極體晶片37、該等上電極部321及該等連接電極部322的覆蓋層38。

步驟407與該第一較佳實施例的步驟308相同。

參閱圖13，步驟408是以如該第一較佳實施例的步驟309所述的方式切割該基板31，經切割後可形成多數個如圖14所示的發光二極體50。

本發明發光二極體的製程一第三較佳實施例包含步驟501~509。其中，步驟501~505分別與該第二實施例的步驟401~405相同，故不再贅述。

參閱圖7與圖15，步驟506是沿該第一方向III設置多數封閉該等上開口320且可移除的遮蓋單元363。其中，該遮蓋單元363可以是可撕除的乾膜，也可以是可移除的模具。且該乾膜可以是具有黏膠層的銅箔或膠帶。

步驟507是設置覆蓋層38，且方式與該第二較佳實施例的步驟406相同，故不再贅述。

參閱圖7、圖15與圖16，步驟508是在該覆蓋層38未完全固化前，將該遮蓋單元363移除，同時移除位於該遮蓋單元363上的塊體383，並沿該第二方向IV切割該覆蓋層38以形成多數個突起的塊狀覆蓋體381及多數個圍繞該等覆體體381的溝槽382，並在該等溝槽382填滿反射光線的材質以分別形成圍繞該等覆蓋體381的反射層39(見圖13)。藉由此種方式不需透過切割就能快速形成覆蓋體382與溝槽382。

步驟509與步驟408相同，且經切割後，同樣可獲得如圖14所述的發光二極體50。

參閱圖14，為經由第二、第三較佳實施例之製程所製出的發光二極體50，並包含一基材51、相間隔地設置於該基材51的一第一電極52、一第二電極53、一分別與該第一、第二電極52、53電連接的發光二極體晶片54、一封蓋住該第一、第二電極52、53及該發光二極體晶片54的覆蓋體55，及一圍繞該覆蓋體55設置在該基材51上的反射杯56。

參閱圖12與圖14，該發光二極體50與經第一較佳實施例所製出的發光二極體40(見圖11)的主要差別為：該發光二極體50由於在製造過程中是在該等孔洞340(見圖12)填入導電膠，且藉由固化充填在該等孔洞340內的導電膠就能防止後續製程中的覆蓋層38的原料流入孔洞中340，所以不需另外再設 阻隔單元45(見圖11)。

以下僅針對該發光二極體50與第一較佳實施例所製出的發光二極體40(見圖11)作說明，其他相同結構部分不再贅述。

該第一、第二電極52、53的連接電極部523、533是由該第二、第三較佳實施例中的步驟404或步驟504的導電膠所製成，且同樣能達到電連接該第一、第二電極52、53的上電極部521、531與下電極部522、532的功能。

該覆蓋體55是由透明材質製成，且是封蓋住該第一、第二電極52、53的上電極部521、531、連接電極部523、533，及該發光二極體晶片54。

該反射杯56是由可反射光線的材質所製成，且是圍繞該覆蓋體55，並沿該基材51的上表面511及該第一、第二電極52、53的連接電極部523、533設置。

本發明發光二極體的製程一第四較佳實施例，則包含下列步驟：

參閱圖17，步驟601是提供一基板61，並在該基板61的一下表面611形成一下電極層62。

步驟602是形成多數個相間隔排列且貫穿該基板61與該下電極層62，並分別在該基板的上表面612、下電極層62形成多數個上開口610、多數個下開口620的孔洞630。

步驟603是對該下電極層62進行蝕刻，在該基板61的下表面 611沿一第一方向V(見圖18)形成多數條的下電極部621，及多數條介於該等下電極部621之間的下蝕刻部622，且每一下電極部621具有多數的下開口620。

參閱圖18與圖19，步驟604是沿該第一方向V在該基板61的上表面612設置多數條相間隔且封閉該等上開口610並當作上電極部的導電薄膜層641，並在該等導電薄膜層641之間界定形成多數條上間隔部642。

步驟605是對經步驟604處理的基板61進行電鍍，以分別在該等導電薄膜層641表面形成上電鍍層651，在該等下電極部621表面形成下電鍍層652，以及在界定出該等孔洞630的內周壁面631形成連接電鍍層653，該連接電鍍層653使該導電薄膜層641與該下電極部621形成電連接。

步驟606是沿該第一方向V在每一孔洞630二相反側形成貫穿該等下電鍍層652、下電極部621、基板61、導電薄膜層641與上電鍍層651的多數個輔助穿孔660，並於每一個輔助穿孔660填滿導電膠66。該導電膠66為摻雜導電粉末的環氧樹脂。

步驟607是在位於每一條上間隔部642二側的二上電鍍層651之間，設置多數個相間隔的發光二極體晶片67，每一發光二極體晶片67分別與該二上電鍍層651電連接。

步驟608是以射出成型與轉注成型的其中一種方式在該基板61的上表面612形成一包覆住該等發光二極體晶片67、該等 上電鍍層651且由透明材質製成的覆蓋層68。該覆蓋層68也可以由摻雜螢光粉的透明材質製成，並透過螢光粉提升發光效果。

步驟609是切割該覆蓋層68以形成多數個突起的塊狀覆蓋體681及多數個圍繞該等覆蓋體681的溝槽682，並在該等溝槽682填滿可反射光線的材質以形成圍繞該等覆蓋體681的反射層69。

步驟610是沿該第一方向V且經該等孔洞630地切割該基板61，並沿一垂直於該第一方向V的第二方向VI切割該基板61，以形成多數個如圖20所示的發光二極體70。

參閱圖20，為經由第四較佳實施例之製程所製出的發光二極體70，並包含一基材71、相間隔地設置於該基材71的一第一電極72、一第二電極73、一分別與該第一、第二電極72、73電連接的發光二極體晶片74、一封蓋住該第一、第二電極72、73及該發光二極體晶片74的覆蓋體75，及一圍繞該覆蓋體75設置在該基材71上的反射杯76。

該基材71包括一上表面711、一下表面712、相間隔地設置且分別連接於該上、下表面711、712之間的一第一溝槽部713及一第二溝槽部714。

該第一電極72包括分別設置於該基材71的上、下表面711、712的一上電極部721、一下電極部722、一設置在該第一溝槽部713且電連接該上、下電極部721、722的連接電極部723 ，及一與該連接電極部723相間隔設置，且穿設該基材71並電連接該上電極部721與下電極部722的輔助連接電極部724。

該第二電極73包括分別設置於該基材71的上、下表面711、712的一上電極部731、一下電極部732、一設置在該第二溝槽部713且電連接該上、下電極部731、732的連接電極部733，及一與該連接電極部733相間隔設置且穿設該基材71並電連接該上電極部731與下電極部732的輔助連接電極部734。

該發光二極體晶片74分別與該第一、第二電極72、73的上電極部721、731電連接。

該覆蓋體75是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極72、73的上電極部721、731、連接電極部723、733、輔助連接電極部724、734，及該發光二極體晶片74。

該反射杯76是由可反射光線的材質所製成，且是圍繞該覆蓋體75，並沿該基材71的上表面711及該第一、第二電極72、73的連接電極部723、733設置。

該發光二極體70的第一、第二電極72、73除了透過該連接電極部723、733電連接該上電極部721、731與下電極部722、732外，還能藉由該輔助連接電極724、734確保該上、下電極部721、731、722、732恆獲得穩定的電連接，而使該發光二極體70具有佳的使用品質與可靠度。

歸納上述，本發明發光二極體40、50、70及其製程，可獲致 下述的功效及優點，故能達到本發明的目的：

一、藉在該基板31、61形成孔洞340、630，並在孔洞340、630內設置連接電極部351、352或連接電鍍層653就能藉此電連接上、下電極部321、331或下電部部621與導電薄膜層641，進而使發光二極體40、50、70能正常運作，因此，可方便地藉由調整孔洞340、630的大小與設置位置，改變所製出的發光二極體40、50、70的尺寸並減少廢料的產生，使本發明製程能提升基板利用率及降低製造成本。

二、本發明製程利用在該基板31、61形成孔洞340、630，並在孔洞340、630設置連接電極部351、352或連接電鍍層653的設計，因此能藉由改變切割方式，分別製成正向或側向的發光二極體40、50、70，使本發明製程具有容易因應產品型式調整製程彈性的優點。

三、本發明製程藉由在孔洞340、630上設置第一、第二阻隔層361、362、遮蓋單元363、導電薄膜層641及在孔洞340填入導電膠等方式而形成的封閉結構，有效防止覆蓋層38、68與反射層39、69的膠料經由孔洞340、630流入基板31、61，並能藉此分別就覆蓋層38、68與反射層39、69進行二次成型製程，以利用所製的發光二極體40、50、70上的覆蓋體46、55、75與反射杯47、56、76的設置進一步增進其在設計角度內的發光強度，使本發明製程可製出具有較佳發光效果之發光二極體40、50、70。

四、在該發光二極體的製程的第四較佳實施例中，還藉由先形成貫穿的孔洞630再設置導電薄膜層641的製程順序，由於直接形成貫穿的孔洞630而不必考慮鑽孔深度，因此能以簡單的機械鑽孔達到相同的結果，藉此能簡化製程並提高製造效率。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

50‧‧‧發光二極體

51‧‧‧基材

52‧‧‧第一電極

521‧‧‧上電極部

522‧‧‧下電極部

523‧‧‧連接電極部

53‧‧‧第二電極

531‧‧‧上電極部

532‧‧‧下電極部

533‧‧‧連接電極部

54‧‧‧發光二極體晶片

55‧‧‧覆蓋體

56‧‧‧反射杯

Claims (31)

1. 一種發光二極體的製程，包含下列步驟：(i)提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、多數條沿一第一方向相間隔地設置在該基板一上表面的上電極部、多數條介於該等上電極部之間的上蝕刻部、多數條沿該第一方向相間隔地設置在該基板一下表面的下電極部、多數條介於該等下電極部之間的下蝕刻部，及多數個相間隔且貫穿該基板與該等上、下電極部的孔洞，該等孔洞分別在該等上、下電極部界定形成多數個上開口及多數個下開口；(ii)分別在界定出每一孔洞的內周壁面，形成一與該基板組合體的上、下電極部電性連接的連接電極部；(iii)形成多數個分別封閉每一上電極部的多數上開口的阻隔單元；(iv)在位於每一條上蝕刻部二側的二上電極部之間，設置多數個相間隔的發光二極體晶片，每一發光二極體晶片分別與該二上電極部電性連接；(v)在該基板的上表面形成一包覆住該等發光二極體晶片、該等上電極部與該等上蝕刻部與該等阻隔單元且由透明材質製成的覆蓋層；及(vi)沿該第一方向且經該等孔洞地切割該基板，並沿一垂直於該第一方向的第二方向切割該基板，以形成多數個發光二極體。
2. 依據申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(iii)中，該等阻隔單元各具有一封閉住該等上開口的第一阻隔層，及一位於該第一阻隔層上的第二阻隔層，且該等第二阻隔層的黏滯性是小於該等第一阻隔層的黏滯性，其硬度則大於該等第一阻隔層的硬度。
3. 依據申請專利範圍第2項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(iii)中，該等第一阻隔層為綠漆，該等第二阻隔層是由一選自下列群組中的材質所製成：環氧樹脂、矽氧樹脂及合成樹脂。
4. 依據申請專利範圍第2項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(iii)中，該等第一阻隔層是以網板印刷方式形成。
5. 依據申請專利範圍第2項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(v)中，該覆蓋層是由一選自於下列群組中的材質所製成：透明材質及摻雜螢光粉的透明材質。
6. 依據申請專利範圍第5項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(v)中，該覆蓋層是以射出成型與轉注成型的其中一種方式包覆住該等發光二極體、上電極部與上蝕刻部。
7. 依據申請專利範圍第5項所述的發光二極體的製程，更包含一在步驟(v)之後的步驟(a)，在步驟(a)中，是切割該覆蓋層以形成多數個突起的塊狀覆蓋體及多數個圍繞該等覆蓋體的溝槽，並在該等溝槽填滿可反射光線的材質以形成圍繞該等覆蓋體的反射層。
8. 依據申請專利範圍第7項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(a)中，該反射層含有一選自下列群組中的物質：二 氧化鈦、二氧化矽，及其等的組合。
9. 依據申請專利範圍第7項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(a)中，該反射層是以射出成型與轉注成型的其中一種方式使該可反射光線材質填滿該等溝槽。
10. 依據申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(iv)中，該發光二極體晶片是以打線接合與覆晶的其中一種方式與該二上電極部電性連接。
11. 一種發光二極體的製程，包含下列步驟：(i)提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、多數條沿一第一方向相間隔地設置在該基板一上表面的上電極部、多數條介於該等上電極部之間的上蝕刻部、多數條沿該第一方向相間隔地設置在該基板一下表面的下電極部、多數條介於該等下電極部之間的下蝕刻部，及多數個相間隔且貫穿該基板與該等上、下電極部的孔洞，該等孔洞分別在該等上、下電極部界定形成多數個上開口及多數個下開口；(ii)分別在該等孔洞填入導電膠作為使該等上、下電極部電性連接的連接電極部，該導電膠為摻雜導電粉末的環氧樹脂；(iii)在位於每一條上蝕刻部二側的二上電極部之間，設置多數個相間隔的發光二極體晶片，每一發光二極體晶片分別與該二上電極部電性連接；更包含一步驟(a)，步驟(a)是沿該第一方向設置多數封閉該等上開口且可移除的遮蓋單元，該等遮蓋單元為可撕除的乾膜或可移除的模具(iv)在該基板的上表面形成一包覆住該等發光二極體晶片與 該等上電極部且由透明材質製成的覆蓋層；及(v)沿該第一方向且經該等孔洞地切割該基板，並沿一垂直於該第一方向的第二方向切割該基板，以形成多數個發光二極體。
12. 依據申請專利範圍第11項所述的發光二極體的製程，更包含一在該步驟(iv)之後的步驟(b)，在步驟(b)中，是在該覆蓋層未完全固化前，將該遮蓋單元移除，同時移除位於該遮蓋單元上的塊體，並沿該第二方向切割該覆蓋層以形成多數個突起的塊狀覆蓋體及多數個圍繞該等覆蓋體的溝槽，並在該等溝槽填滿可反射光線的材質以形成圍繞該等覆蓋體的反射層。
13. 依據申請專利範圍第11項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(iv)中，該覆蓋層是由一選自於下列群組中的材質所製成：透明材質，及摻雜螢光粉的透明材質。
14. 依據申請專利範圍第12項或第13項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(iv)中，該覆蓋層是以射出成型與轉注成型的其中一種方式包覆住該等發光二極體、上電極部與上蝕刻部。
15. 依據申請專利範圍第13項所述的發光二極體的製程，更包含一在該步驟(iv)之後的步驟(c)，在步驟(c)中，是切割該覆蓋層以形成多數個突起的塊狀覆蓋體及多數個圍繞該等覆蓋體的溝槽，並在該等溝槽填滿可反射光線的材質以形成圍繞該等覆蓋體的反射層。
16. 一種發光二極體的製程，包含下列步驟： (i)提供一基板組合體，該基板組合體具有一基板、多數條沿一第一方向相間隔地設置在該基板一上表面的上電極部、多數條介於該等上電極部之間的上蝕刻部、多數條沿該第一方向相間隔地設置在該基板一下表面的下電極部、多數條介於該等下電極部之間的下蝕刻部，及多數個相間隔且貫穿該基板與該等上、下電極部的孔洞，該等孔洞分別在該等上、下電極部界定形成多數個上開口及多數個下開口；(ii)沿該第一方向在該基板的上表面設置多數條相間隔且封閉該等上開口並當作上電極部的導電薄膜層，並在該等導電薄膜層之間界定形成多數條上間隔部；(iii)對經步驟(ii)處理的基板進行電鍍，以分別在該等導電薄膜層表面形成上電鍍層，在該等下電極部表面形成下電鍍層，以及在界定出該等孔洞的內周壁面形成連接電鍍層，該連接電鍍層使該導電薄膜層與該下電極部形成電性連接；(iv)在位於每一條上間隔部二側的二上電鍍層之間，設置多數個相間隔的發光二極體晶片，每一發光二極體晶片分別與該二上電鍍層電性連接；(v)在該基板的上表面形成一包覆住該等發光二極體晶片、該等上電鍍層與該等上間隔部且由透明材質製成的覆蓋層；及(vi)沿該第一方向且經該等孔洞地切割該基板，並沿一垂直於該第一方向的第二方向切割該基板，以形成多數個發光二極體。
17. 依據申請專利範圍第16項所述的發光二極體的製程，更包含 一在該步驟(ii)之後的步驟(a)，在步驟(a)，是沿該第一方向在每一孔洞二相反側形成貫穿該等下電極部、基板、導電薄膜層的多數個輔助穿孔，並於每一個輔助穿孔填滿導電膠。
18. 依據申請專利範圍第16項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(a)中，該導電膠為摻雜導電粉末的環氧樹脂。
19. 依據申請專利範圍第16項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(v)中，該覆蓋層是由一選自於下列群組中的材質所製成：透明材質及摻雜螢光粉的透明材質。
20. 依據申請專利範圍第19項所述的發光二極體的製程，其中，在步驟(v)中，該覆蓋層是以射出成型與轉注成型的其中一種方式包覆住該等發光二極體、上電極部與上間隔部。
21. 依據申請專利範圍第19項所述的發光二極體的製程，更包含一在該步驟(v)之後的步驟(b)，在步驟(b)中，是切割該覆蓋層以形成多數個突起的塊狀覆蓋體及多數個圍繞該等覆蓋體的溝槽，並在該等溝槽填滿可反射光線的材質以形成圍繞該等覆蓋體的反射層。
22. 一種發光二極體，包含：一基材，包括一上表面、一下表面，及相間隔地設置且分別連接於該上、下表面的一第一溝槽部、一第二溝槽部，且每一溝槽部各具有一形成於該上表面的上端缺口；一第一電極，包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部，及一設置在該第一溝槽部且連接於該上、下電極部之間的連接電極部； 一第二電極，與該第一電極相間隔，包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部，及一設置在該第二溝槽部且連接於該上、下電極部之間的連接電極部；一發光二極體晶片，分別與該第一、第二電極的上電極部電性連接；二阻隔單元，分別連接於該第一、第二電極的連接電極部且分別封住該第一、第二溝槽部的上端缺口；及一覆蓋體，是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、該二阻隔單元，及該發光二極體晶片。
23. 依據申請專利範圍第22項所述的發光二極體，其中，該二阻隔單元各包括設置在該第一、第二電極的連接電極部的一第一阻隔層，及一形成在該第一阻隔層上的第二阻隔層，該第二阻隔層的黏滯性小於該第一阻隔層的黏滯性，其硬度則大於該第一阻隔層的硬度。
24. 依據申請專利範圍第23項所述的發光二極體，其中，該二阻隔單元的第一阻隔層為綠漆，及其第二阻隔層為一選自下列群組中的材質所製成：環氧樹脂、矽氧樹脂及合成樹脂。
25. 依據申請專利範圍第23項所述的發光二極體，其中，該覆蓋體是由一選自於下列群組中的材質所製成：透明材質及摻雜螢光粉的透明材質。
26. 依據申請專利範圍第23項所述的發光二極體，還包含一反射杯，是由可反射光線的材質所製成，且是圍繞該覆蓋體設置。
27. 依據申請專利範圍第26項所述的發光二極體，其中，該反射 杯中含有一選自下列群組中的物質：二氧化鈦、二氧化矽，及其等的組合。
28. 一種發光二極體，包含：一基材，包括一上表面、一下表面、相間隔地設置且分別連接於該上、下表面之間的一第一溝槽部及一第二溝槽部，且每一溝槽部各具有一形成於該上表面的上端缺口；一第一電極，包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部、一設置在該第一溝槽部且電性連接該上、下電極部的連接電極部，及一與該連接電極部相間隔設置，且穿設該基材並電性連接該上電極部與下電極部的輔助連接電極部，其中，該上電極部都是封蓋住該第一溝槽部的上端缺口；一第二電極，與該第一電極相間隔，包括分別設置於該基材的上、下表面的一上電極部、一下電極部、一設置在該第二溝槽部且電性連接該上、下電極部的連接電極部，及一與該連接電極部相間隔設置且穿設該基材並電性連接該上電極部與下電極部的輔助連接電極部，其中，該上電極是封蓋住該第二溝槽部的上端缺口；一發光二極體晶片，分別與該第一、第二電極的上電極部電性連接；及一覆蓋體，是由透明材質製成，且封蓋住該第一、第二電極的上電極部、連接電極部、輔助連接電極部，及該發光二極體晶片。
29. 依據申請專利範圍第28項所述的發光二極體，其中，該第一 、第二電極的輔助連接電極部是由導電膠所製成。
30. 依據申請專利範圍第29項所述的發光二極體，其中，該第一、第二電極的上電極部都具有一銅箔。
31. 依據申請專利範圍第30項所述的發光二極體，還包含一反射杯，是由可反射光線的材質所製成，且是圍繞該覆蓋體設置。