CN103426979B - 发光二极管的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供第一电极、第二电极，在所述第一电极及第二电极的一侧表面分别形成第一挡墙及第二挡墙；提供基板，将所述第一电极、第二电极结合于所述基板上共同形成基座，所述第一电极、第二电极通过所述基板相互间隔，所述第一挡墙及第二挡墙间隔设置；在所述基座顶端表面上形成开设有收容杯的封装体，并使所述第一挡墙及第二挡墙外露于所述封装体的外侧面；提供发光芯片，将所述发光芯片电性连接至第一电极及第二电极；在所述封装体的收容杯内填充荧光粉形成覆盖发光芯片于收容杯底部的封装层，从而形成发光二极管。

Description

发光二极管的制造方法

技术领域

本发明涉及一种半导体的制造方法，特别设计一种发光二极管的制造方法。

背景技术

发光二极管作为一种新兴的光源，目前已广泛应用于多种照明场合之中，并大有取代传统光源的趋势。

现有的发光二极管的制造方法通常包括提供一基板，在该基板上形成两电极，然后在电极上形成一与其电性连接的发光芯片，再在该基板上形成一覆盖该电极及发光芯片的封装体，从而形成一发光二极管。但是采用这种方法制成的发光二极管，由于其两电极设于该封装体的底部且仅其底面外露，这种发光二极管安装时，一般只能使电极外露的底面贴设在电路板上，安装方式单一，安装适应性较差。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种可多方位安装的发光二极管的制造方法。

一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：

提供第一电极、第二电极，在所述第一电极及第二电极的一侧表面分别形成第一挡墙及第二挡墙；

提供基板，将所述第一电极、第二电极结合于所述基板上共同形成基座，所述第一电极、第二电极通过所述基板相互间隔，所述第一挡墙及第二挡墙间隔设置；

在所述基座顶端表面上形成开设有收容杯的封装体，并使所述第一挡墙及第二挡墙外露于所述封装体的外侧面；

提供发光芯片，将所述发光芯片电性连接至第一电极及第二电极；

在所述封装体的收容杯内填充荧光粉形成覆盖发光芯片于收容杯底部的封装层，从而形成发光二极管。

采用本发明提供的发光二极管制造方法制成的发光二极管，可以实现多方位的侧向安装，还可以适应电路板上不同的安装电路，具有较强的安装适应性。

下面参照附图，结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明中的发光二极管制造方法的步骤流程示意图。

图2至图8为本发明第一实施例中的发光二极管制造方法的各步骤示意图。

图9至图13为本法发明第二实施例中的形成发光二极管第一电极、第二电极及第一挡墙、第二挡墙的各步骤示意图。

图14为本发明第三实施例中的形成发光二极管第一电极、第二电极及第一挡墙、第二挡墙的步骤示意图。

主要元件符号说明

发光二极管	1
		第一电极	11
第二电极	13
		第一挡墙	15
第二挡墙	17
		第一金属板	21
第二金属板	23
		第一组合部	25
第二组合部	27
		基板	30
第一电极层	31
		第二电极层	33
基座	40
		封装体	50
收容杯	51
		封装层	53
发光芯片	60
		金属引线	61、62
模具	70
		承载部	73
隔挡部	75
		第一凸起结构	115
第二凸起结构	117
		主体部	301
凸伸部	303
		第一通孔	711
第二通孔	713

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

图1示出了本发明提供的发光二极管的制作流程示意图，其包括：

提供第一电极11、第二电极13，在所述第一电极11及第二电极13的一侧表面分别形成第一挡墙15及第二挡墙17；

提供基板30，所述第一电极11及第二电极13结合于所述基板30上共同形成基座40，所述第一电极11、第二电极13通过所述基板30相互间隔，所述第一挡墙15及第二挡墙17间隔设置；

在所述基座40顶端表面上形成开设有收容杯51的封装体50，并使所述第一挡墙15及第二挡墙17外露于所述封装体50的外侧面；

提供发光芯片60，将所述发光芯片60电性连接至第一电极11及第二电极13；

在所述封装体50的收容杯51内填充荧光粉形成覆盖发光芯片60于收容杯51底部的封装层53，从而形成发光二极管1。

下面结合其他图示对该流程作详细说明。

在第一实施例中，所述发光二极管1的制造包括如下步骤：

第一步，请参见图2及图3，提供一第一电极11、第二电极13及一第一金属板21、第二金属板23，并将该第一金属板21及第二金属板23分别贴设于该第一电极11及第二电极13一侧表面；该第一电极11及第二电极13为厚度相等的矩形板体。该第一金属板21与第二金属板23与该第一电极11及第二电极13的结构类似，也为厚度相等的矩形板体，不同的是，该第一金属板21、第二金属板23的厚度大于第一电极11、第二电极13的厚度。第一金属板21与第二金属板23贴设于第一电极11及第二电极13后其各边缘分别与第一电极11及第二电极13的各边缘平行共面。

第二步，请参见图4，采用蚀刻的方式蚀刻第一金属板21及第二金属板23，以去除部分第一金属板21及部分第二金属板23，从而在第一电极11及第二电极13的一侧表面相对两侧分别形成二间隔的第一挡墙15及二间隔的第二挡墙17。

该每一第一挡墙15及每一第二挡墙17均为一纵长的金属条。二间隔的第一挡墙15分别贴设于第一电极11一侧表面的相对两侧中部，且每一第一挡墙15的一外侧面与第一电极11相应的一侧面平行共面，二第一挡墙15与外侧面相对的内侧面间隔设置，每一第一挡墙15的二端面位于第一电极11二端面的内侧且与第一电极11的所述一侧表面共同形成一“Ｌ”形的第一组合部25。

二间隔的第二挡墙17分别贴设于第二电极13一侧表面的相对两侧中部，且每一第二挡墙17的一外侧面与第二电极13相应的一侧面平行共面，二第二挡墙17与外侧面相对的内侧面间隔设置，每一第二挡墙17的二端面位于第二电极13二端面的内侧，且与第二电极13的所述一侧表面共同形成一“L”形的第二组合部27。

第三步，请参见图5，提供一基板30，将该基板30设置在第一电极11、第二电极13之间并使其与第一电极11、第二电极13固定连接，该基板30与该第一电极11、第二电极13共同形成一基座40。

该基板30为一纵长的绝缘板体，其沿该基座40纵向的截面呈“凸”字型，该基板30包括一纵长的主体部301及自主体部301中部一体向上延伸的纵长的一凸伸部303。该凸伸部303沿基座40纵向延伸的宽度较主体部301沿基座40纵向延伸的宽度小，且该凸伸部303的相对的两端面分别与该主体部301相对的两端面平行共面，如此，使基板30沿基座40横向延伸的两侧边分别形成一Ｌ形的台阶部。

该第一电极11、第二电极13与该基板30组合时，该基板30夹设于第一电极11、第二电极13以及二第一挡墙15、二第二挡墙17之间，并使第一组合部25与第二组合部27分别与基板30相对两侧的台阶部卡合，如此便将第一电极11、第二电极13及基板30组合在一起。此时，第一电极11、第二电极13的相对两侧面分别与基板30的相对两端面平行共面，第一电极11远离第一挡墙15的一侧表面以及第二电极13远离第二挡墙17的一侧表面均与基板30的凸伸部303远离主体部301的一端表面平行共面，而主体部301远离凸伸部303的一端表面位于二第一挡墙15、二第二挡墙17相互靠近的两端面的内侧。不难理解，本步骤中，该基板30也可以仅夹设于该第一电极11及第二电极13之间，而不与该第一挡墙15及第二挡墙17连接。

第四步，请参见图6，在该基座40的顶端表面上形成一覆盖该基座40的封装体50，该封装体50的各向边缘分别与该基座40的各向边缘平行共面，并使所述第一挡墙15及第二挡墙17外露于所述封装体的外侧面。

该封装体50大致为一长方体，其覆盖于该基板30的凸伸部303远离主体部301的一端表面、第一电极11及第二电极13的远离第一挡墙15、第二挡墙17的一侧表面上，并使该封装体50的各向边缘分别与该基座40的各向边缘平行共面。

该封装体50的材质为环氧树脂，硅树脂或聚邻苯二甲酰胺（Polyphthalamide,PPA）中的任何一种具有反射作用的材料。

该封装体50的中部进一步开设有一上下贯穿的收容杯51，该收容杯51用以容置后续的发光芯片60，该收容杯51的顶端及底端的横截面均为一圆面，该收容杯51的内径自顶端向底端逐渐减小，该收容杯51的顶端的横截面为发光芯片60的出光面。

第五步，请参见图7，提供一发光芯片60，将该发光芯片60电性连接至第一电极11及第二电极13；具体的，将该发光芯片60固定于该第一电极11远离第一挡墙15的一侧表面的中部，且位于所述收容杯51的底部。该发光芯片60的两个电极分别通过二金属引线61、62与该第一电极11及第二电极13电性连接。可以理解的，该发光芯片60也可以设置于第二电极13上或直接设置于基板30的凸伸部303的顶端，该发光芯片60还可以通过倒装式或共晶的方式与第一电极11及第二电极13电性连接。

第六步，请参见图8，在该封装体50的收容杯51内填充荧光粉形成一封装层53，该封装层53覆盖该发光芯片60于该收容杯51的底部。具体的，将荧光粉填充于该收容杯51内，并使荧光粉包覆该发光芯片60，该收容杯51及其周围的封装体50共同形成一杯状结构，该杯状结构用于将发光芯片60发出的侧向光线集中于该收容杯51的顶端的圆面出射，从而提高了该发光二极管1的正向出光强度。

在第二实施例中，第一、第二电极11、13与第一、第二金属板21、23也可通过压模方式形成组合在一起，具体情况如下所述：

步骤一，请参见图9，提供一厚度相等的第一电极层31及第二电极层33，该第一电极层31及第二电极层33均为矩形的板体，其由金属导电材料制成。

步骤二，请参见图10，提供一模具70，该模具70具有一设有二第一通孔711及二第二通孔713的承载部73及若干装设于该承载部73上的隔挡部75。所述二第一通孔711及二第二通孔713分别位于二相邻的隔挡部75之间并沿模具70横向延伸的方向间隔设置，该第一通孔711、第二通孔713均沿该模具70的厚度方向贯穿整个模具70，且均为长方体的穿孔，不同的是，该第一通孔711沿模具70纵向延伸的长度大于第二通孔713沿模具70纵向延伸的长度。二相邻的隔挡部75相互靠近的两侧边均为一竖直的平面，其用以抵顶第一电极层31、第二电极层33的相互远离的二端面，且该隔挡部75沿模具70厚度方向垂直向上延伸的高度应大于或者等于该第一电极层31及第二电极层33的厚度。本实施例中，该隔挡部75为沿模具70的横向方向延伸的纵截面为矩形的凸块。不难理解，该隔挡部75也可以为沿模具70横向方向延伸的纵截面为三角形的凸块等其他形状。

步骤三，请一并参见图11及图12，将第一电极层31及第二电极层33分别间夹设于二相邻的隔挡部75之间，并分别对应第一通孔711及第二通孔713，且该第一电极层31及第二电极层33的一侧面相对两端分别抵顶承载部73装设有隔挡部75的一侧表面，然后自第一电极层31及第二电极层33远离承载部73的一侧表面按压第一电极层31及第二电极层33，使第一电极层31及第二电极层33分别朝向承载部73的第一通孔711及第二通孔713向外凸伸，第一电极层31及第二电极层33受压而形成一位于承载部73上方的第一电极11及第二电极13，以及分别位于二第一通孔711及二第二通孔713内的二第一凸起结构115及二第二凸起结构117。

步骤四，请参见图13，竖直向上移除该第一电极11、第二电极13以及分别形成于第一电极11、第二电极13一侧表面的二第一凸起结构115及二第二凸起结构117，使之与该模具70分离，并利用切刀或其他切具将该二第一凸起结构115的外侧面与第一电极11相应的侧面切齐，从而形成位于第一电极11一侧表面的二间隔的第一挡墙15；同时也将二第二凸起结构117的外侧面与第二电极13相应的侧面且齐，从而形成位于第二电极13一侧表面的二间隔的第二挡墙17。

在第三实施例中，该第一电极11、第二电极13与第一、第二金属板21、23还可通过电镀的方式组合在一起，具体情况如下所述：

请参见图14，首先提供一等厚度的第一电极11及一第二电极13，且该第一电极11及第二电极13分别为长方形板体，然后在第一电极11及第二电极13的相对一侧表面的相对两侧分别电镀形成二间隔的第一挡墙15及二间隔的第二挡墙17。

综上，采用本方法制成的发光二极管1在贴装时，由于该第一电极11及第二电极13的一侧表面相对两侧设置有第一挡墙15及第二挡墙17，使得该第一电极11、第二电极13的一侧面及与之相应的第一挡墙15、第二挡墙17外侧面同时与电路板贴设，增大了其与电路板的接触面积，使得二者的接触更加牢固，同时也增大了其散热面积，再由于该发光二极管1未与电路板接触的部分第一电极11、第二电极13、第一挡墙15及第二挡墙17直接外露于空气中，从而增强了其散热效果。同时该第一挡墙15及第二挡墙17外露于该发光二极管1的底部，因此可以进行多方位安装，还可以适应不同的电路板安装，具有较强的安装适应性。

Claims (8)

1.一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：

提供第一电极、第二电极，在所述第一电极及第二电极的一侧表面分别形成第一挡墙及第二挡墙；

提供基板，将所述第一电极、第二电极结合于所述基板上共同形成基座，所述第一电极、第二电极通过所述基板相互间隔，所述第一挡墙及第二挡墙间隔设置；

在所述基座顶端表面上形成开设有收容杯的封装体，并使所述第一挡墙及第二挡墙外露于所述封装体的外侧面；

提供发光芯片，将所述发光芯片电性连接至第一电极及第二电极；

在所述封装体的收容杯内填充荧光粉形成覆盖发光芯片于收容杯底部的封装层，从而形成发光二极管；

所述第一挡墙及第二挡墙采用压模的方式形成，包括提供第一电极层、第二电极层及模具，所述模具包括承载部及装设于所述承载部上的隔挡部，所述承载部设有第一通孔及第二通孔，所述第一通孔及第二通孔被所述隔挡部间隔设置，将第一电极层及第二电极层分别夹设于所述隔挡部之间，并分别对应承载部的第一通孔及第二通孔，按压所述第一电极层及第二电极层，使第一电极层及第二电极层分别朝向承载部的第一通孔及第二通孔凸伸，所述第一电极层及第二电极层受压而形成位于承载部上方的所述第一电极及第二电极、以及分别位于第一通孔及第二通孔内的第一凸起结构及第二凸起结构，所述第一凸起结构、第二凸起结构分别形成所述第一挡墙、第二挡墙。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一挡墙及第二挡墙采用蚀刻的方式形成。

3.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：采用蚀刻的方式形成第一挡墙及第二挡墙包括提供第一金属板及第二金属板分别贴设于所述第一电极及第二电极的一侧表面上，再采用蚀刻的方式蚀刻所述第一金属板及第二金属板以去除部分第一金属板及部分第二金属板，从而在所述第一电极及第二电极的一侧表面上分别形成第一挡墙及第二挡墙。

4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一凸起结构、第二凸起结构分别形成所述第一挡墙、第二挡墙包括将所述第一凸起结构、第二凸起结构的外侧面与第一电极、第二电极相应的侧面分别切齐。

5.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一挡墙及第二挡墙采用直接电镀的方式形成。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述基板仅夹设于所述第一电极及第二电极之间，或由所述第一电极、第二电极以及第一挡墙、第二挡墙共同夹设。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一挡墙及第二挡墙的相对两端面分别位于所述第一电极及第二电极的一侧表面的内侧。

8.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一挡墙及第二挡墙的一外侧面分别与所述第一电极及第二电极相应的一侧面平行共面。