JP5376102B1 - Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球 - Google Patents

Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球 Download PDF

Info

Publication number
JP5376102B1
JP5376102B1 JP2013531983A JP2013531983A JP5376102B1 JP 5376102 B1 JP5376102 B1 JP 5376102B1 JP 2013531983 A JP2013531983 A JP 2013531983A JP 2013531983 A JP2013531983 A JP 2013531983A JP 5376102 B1 JP5376102 B1 JP 5376102B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
heat
substrate
substrate body
heat dissipation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013531983A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2013136758A1 (ja
Inventor
孝平 津田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2013531983A priority Critical patent/JP5376102B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5376102B1 publication Critical patent/JP5376102B1/ja
Publication of JPWO2013136758A1 publication Critical patent/JPWO2013136758A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil

Abstract

本発明のＬＥＤ用基板（１００）は、ＬＥＤチップが表面側に搭載される透光性を有する基板本体（１１）と、基板本体（１１）に設けられる、ＬＥＤチップで発生する熱を放熱させる放熱経路（１２）と、を備える。そして、基板本体（１１）は、ＬＥＤチップの配置される基板本体（１１）の表面から裏面に貫通するスルーホールが形成され、放熱経路（１２）は、スルーホールに設けられた伝熱通路部（１２ａ）と、基板本体（１１）の裏面に設けられ、伝熱通路部（１２ａ）と連結する放熱パターン部（１２ｂ）とを備える。これにより、放熱性に優れたＬＥＤ用基板（１００）を実現する。

Description

本発明は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップを搭載するＬＥＤ用基板と、ＬＥＤ用基板にＬＥＤチップを搭載したＬＥＤモジュールおよびＬＥＤモジュールを備えたＬＥＤ電球に関する。
近年、普及しつつあるＬＥＤ電球は、密閉されたグローブ内にＬＥＤモジュールを内蔵している。ＬＥＤモジュールは、ＬＥＤ用基板上にＬＥＤチップを搭載し、ＬＥＤチップを透光性の樹脂によって封止した組立部材から構成されている。
そして、ＬＥＤチップに電力を供給して発光させると、ＬＥＤチップの発光に寄与しない電力によりＬＥＤチップの温度が上昇する。この場合、ＬＥＤチップの放熱対策が不十分であると、ＬＥＤチップが故障または破損する。そこで、ＬＥＤチップの放熱性を改良したＬＥＤモジュール（ＬＥＤパッケージ）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
以下に、特許文献１に記載のＬＥＤモジュールについて、図９を用いて説明する。図９は、従来のＬＥＤモジュールの一例を示す断面正面図である。
図９に示すように、特許文献１に記載のＬＥＤモジュールは、シリコンやセラミックなどからなる基板１の一面に、底部と斜面とを有する凹部１ａが設けられている。そして、凹部１ａの中心に設置用パターン３が形成され、設置用パターン３上に導電性ペースト（図示せず）を介してＬＥＤチップ２が搭載されている。
また、凹部１ａの斜面には、配線用パターン５が形成され、配線用パターン５は、ＬＥＤチップ２と、金属細線６によって接続されている。そして、ＬＥＤチップ２、配線用パターン５および金属細線６は、透光性を有する樹脂４によって封止されている。樹脂４には、蛍光体が添加されている。
また、基板１の凹部１ａの中心から基板１の反対面までスルーホール１ｂが形成され、スルーホール１ｂには接続部７が形成されている。基板１の反対面でスルーホール１ｂの周囲には、放熱用パターン８が設けられている。そして、放熱用パターン８と設置用パターン３とは、スルーホール１ｂに設けられた接続部７を介して接続されている。これにより、従来のＬＥＤモジュールは、ＬＥＤチップ２で発生する熱を、導電性ペースト、設置用パターン３、接続部７、放熱用パターン８へと順次伝熱して、放熱用パターン８を介して外部へ放熱している。
しかし、ＬＥＤモジュールの基板１には、放熱性に優れた高価なセラミックを用いるため、ＬＥＤモジュールを備えたＬＥＤ電球のコストが上昇する。
そこで、ＬＥＤ電球のコスト上昇を抑えるために、ＬＥＤモジュールの基板１に、例えば安価なガラスを用いることが考えられる。
しかし、ガラスは熱伝導率が低いため、ＬＥＤモジュールの基板１に使用した場合、ＬＥＤチップ２で発生した熱を十分に放熱できないという課題があった。
一方、放熱性に優れたセラミックを用いてＬＥＤモジュールの基板１を形成しても、ＬＥＤチップ２の発光量が大きくなるにしたがって、ＬＥＤチップ２で発生する熱が増加する。そのため、放熱性に優れたセラミックを用いても、ＬＥＤチップ２で発生する熱を十分に放熱できない場合がある。
そこで、従来から、低コストで放熱性に優れたＬＥＤ用基板、ＬＥＤモジュールおよびＬＥＤ電球が要望されている。
特開２００９−１１７５３６号公報
上記課題を解決するために、本発明のＬＥＤ用基板は、ＬＥＤチップが表面側に搭載される透光性を有する基板本体と、基板本体に設けられる、ＬＥＤチップで発生する熱を放熱させる放熱経路と、を備える。そして、基板本体は、ＬＥＤチップの配置される基板本体の表面から裏面に貫通するスルーホールが形成され、放熱経路は、スルーホールに設けられた伝熱通路部と、基板本体の裏面に設けられ、伝熱通路部と連結する放熱パターン部とを備える。
これにより、ＬＥＤチップで発生した熱を、放熱経路の伝熱通路部から放熱パターン部へ伝熱して放熱できるので、ＬＥＤチップの過熱を抑制できる。
また、複数のＬＥＤチップが設けられる場合、放熱経路の伝熱通路部をＬＥＤチップごとに設け、それぞれの伝熱通路部と放熱パターン部とを連結する。これにより、複数のＬＥＤチップで発生した熱を、連結した伝熱通路部から放熱パターン部に伝熱して放熱できる。その結果、ＬＥＤチップの過熱を効果的に抑制できる。
また、本発明のＬＥＤモジュールは、上記ＬＥＤ用基板と、ＬＥＤ用基板の蛍光体層に搭載されたＬＥＤチップと、ＬＥＤチップを封止する蛍光体を含む透光性樹脂と、を備える。
これにより、ＬＥＤチップの過熱を抑制できるＬＥＤモジュールを実現できる。
また、本発明のＬＥＤ電球は、放熱支持部材と接続された、上記ＬＥＤモジュールをグローブ内に内蔵して構成される。
これにより、高寿命で、信頼性に優れたＬＥＤ電球を実現できる。
図１は、本発明の実施の形態１に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す底面図である。 図２は、同実施の形態に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す平面図である。 図３は、同実施の形態に係るＬＥＤモジュールを示す部分断面図である。 図４Ａは、同実施の形態に係るＬＥＤ電球を構成する放熱支持部材の一例を示す平面図である。 図４Ｂは、同実施の形態に係るＬＥＤ電球を構成する放熱支持部材の一例を示す正面図である。 図５は、同実施の形態に係るＬＥＤ電球の一例を示す正面図である。 図６は、本発明の実施の形態２に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す底面図である。 図７は、同実施の形態に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す平面図である。 図８は、同実施の形態に係るＬＥＤモジュールを示す部分断面図である。 図９は、従来のＬＥＤモジュールの一例を示す断面正面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１に係るＬＥＤ用基板とそれを有するＬＥＤモジュールおよびそれらを備えたＬＥＤ電球について、図を用いて説明する。
まず、本実施の形態に係るＬＥＤ用基板とそれを有するＬＥＤモジュールについて、図１から図３を用いて説明する。
図１は、本発明の実施の形態１に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す底面図である。図２は、同実施の形態に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す平面図である。図３は、同実施の形態に係るＬＥＤモジュールを示す部分断面図である。
図１と図２に示すように、本実施の形態のＬＥＤ用基板１００は、少なくとも嵌合孔１１ｂや接続孔１１ｄが形成された基板本体１１と、配線部１５と、放熱経路１２とから構成されている。
基板本体１１は、例えばホウケイ酸ガラスなどの透光性を有するガラスからなる、例えば長方形の板状で形成されている。配線部１５は、基板本体１１の表面１１ａ側に設けられる。なお、配線部１５間には、後述する蛍光体層１６と、蛍光体層１６上にＬＥＤチップが、所定の配置パターンで配置される。
また、放熱経路１２は、伝熱通路部１２ａと、放熱パターン部１２ｂと、接続部１２ｃとから構成されている。このとき、放熱経路１２は、例えば基板本体１１がガラス製の場合、ガラスよりも熱伝導率が高い銅、銀や銀ろう材などのペーストで形成される。
そして、伝熱通路部１２ａは、搭載されるＬＥＤチップの位置に対応して設けられ、基板本体１１の表面１１ａから裏面１１ｃに貫通するスルーホール１１ｅに上記ペーストを充填して、例えば熱硬化することにより形成される。接続部１２ｃは、後述する放熱支持部材１３の先端面１３ａと重なり合う基板本体１１の嵌合孔１１ｂの周囲の放熱パターン部１２ｂから構成される。
このとき、複数のＬＥＤチップ１０が搭載される場合、複数の伝熱通路部１２ａを連結する放熱パターン部１２ｂは、以下で詳細に説明するように、嵌合孔１１ｂを避けて、例えば格子状または梯子状に構成して、形成される。これにより、ＬＥＤチップ１０の裏面からの発光の障害とならないように、放熱パターン部１２ｂを展開して設けることができる。
つまり、図１に示すように、放熱パターン部１２ｂは、基板本体１１の裏面１１ｃ側において、基板本体１１の一方の側縁１１ｇ側の伝熱通路部１２ａと他方の側縁１１ｈ側の伝熱通路部１２ａとを結ぶように、短辺ライン１２ｂ１と、長辺ライン１２ｂ２と、センターライン１２ｂ３と、に展開して構成される。
短辺ライン１２ｂ１は、蛍光体層１６の短辺部１６ａから導出され、基板本体１１の両方の側縁１１ｇ、１１ｈ側の伝熱通路部１２ａを結ぶ。なお、基板本体１１の中心部近傍における短辺ライン１２ｂ１は、長辺ライン１２ｂ２まで結ばれ、反対側の短辺ライン１２ｂ１とは結ばれていない。長辺ライン１２ｂ２は、基板本体１１の各側縁１１ｇ、１１ｈに沿うように、短辺ライン１２ｂ１を結ぶ。
センターライン１２ｂ３は、基板本体１１の中心部近傍および両端部を除いて、例えば中心線で短辺ライン１２ｂ１を結ぶ。
このとき、放熱経路１２の放熱パターン部１２ｂの一部は、基板本体１１を介して蛍光体層１６と対向して設けられる。そのため、対向する放熱パターン部１２ｂの一部は、蛍光体層１６を介して基板本体１１の裏面１１ｃ側に放射される光を、部分的に遮る。そこで、放熱パターン部１２ｂによって遮られる蛍光体層１６の面積を、蛍光体層１６の面積に対して、例えば７５％以下とすることが好ましい。これにより、基板本体１１の裏面１１ｃ側に、効率的に光を放射することができる。
なお、同様に、図４Ａと図４Ｂで後述する放熱支持部材１３の先端面１３ａと重なり合う基板本体１１の中心部の嵌合孔１１ｂ近傍は、放熱支持部材１３によってＬＥＤチップ１０から放射される裏面１０ａへの発光が遮られる。そのため、基板本体１１の中心部の放熱パターン部１２ｂは、蛍光体層１６と全面で対向して、全面に設けてもよい。
また、本実施の形態の放熱パターン部１２ｂは、基板本体１１の裏面１１ｃに、例えばサンドブラスト法で、溝１１ｆ（図３参照）を形成し、形成した溝１１ｆに、例えば銅、銀や銀ろう材などの材料を充填することにより設けられる。これにより、放熱パターン部１２ｂとＬＥＤ用基板１００の基板本体１１との密着性が向上して信頼性を高めることができる。また、基板本体１１の裏面１１ｃ上に薄く形成する場合と比べて、放熱パターン部１２ｂの断面積を大きくできるため、さらに放熱性を向上できる。
以上のように、本実施の形態の放熱パターン部１２ｂが構成される。
また、図１と図２に示すように、基板本体１１の嵌合孔１１ｂは、基板本体１１の中心部近傍に形成され、放熱支持部材１３（ヒートシンク）の先端面１３ａに設けられた突起１３ｂ（図４Ｂ参照）が嵌入されて、放熱支持部材１３を固定する。
また、基板本体１１の接続孔１１ｄは、基板本体１１の両端側の配線部１５に設けられ、ＬＥＤ電球３００に備えられる一対のリード線１４（図５参照）と接続される。
また、図２に示すように、基板本体１１の表面１１ａ側に設けられる配線部１５は、例えば銀ペーストなどにより形成され、例えば接続孔１１ｄを含む部分と基板本体１１の両方の側縁１１ｇ、１１ｈに沿う部分のＬＥＤチップ１０間に設けられている。このとき、基板本体１１の両方の側縁１１ｇ、１１ｈに沿う配線部１５は、離散的に、不連続かつ等間隔に設けられている。
以上により、本実施の形態のＬＥＤ用基板１００が構成される。
以下に、本実施の形態のＬＥＤモジュールについて、図１と図２を参照しながら、図３を用いて説明する。
図３は、同実施の形態に係るＬＥＤモジュールを示す断面正面図である。
図３に示すように、本実施の形態のＬＥＤモジュール２００は、少なくともＬＥＤ用基板１００の表面１１ａ側に設けられた蛍光体層１６と、蛍光体層１６上に搭載されたＬＥＤチップ１０と、少なくともＬＥＤチップを封止する蛍光体を含む透光性樹脂１８とから構成されている。このとき、ＬＥＤチップ１０と配線部１５とは、例えば金などの金属細線１７で接続される。なお、透光性樹脂１８は、ＬＥＤチップ１０を個々に封止せず、生産性などを考慮すると、列ごとに封止することが好ましい。しかし、ＬＥＤチップ１０を個々に封止してもよいことは、いうまでもない。
蛍光体層１６上に搭載される、平面視が正方形状のＬＥＤチップ１０は、図２に示す基板本体１１の表面１１ａに設けた配線部１５間に設けられている。なお、図２には、ＬＥＤチップ１０を、基板本体１１の両方の側縁１１ｇ、１１ｈに沿った平行な２列に設けた例で示しているが、これに限られない。例えば、１列または３列以上に設けてもよい。また、１列に含まれるＬＥＤチップ１０の個数も、図２に示す例に限定されないことはいうまでもない。
そして、蛍光体層１６は、ＬＥＤチップ１０の裏面１０ａ側から放射される光を所定の色に変換する。そして、変換された光は、基板本体１１の裏面１１ｃから放射される。なお、蛍光体層１６は、ＬＥＤチップ１０の外形よりも大きい、長方形状で形成することが好ましい。同様に、透光性樹脂１８は、ＬＥＤチップ１０の表面１０ｂ側から放射される光を所定の色に変換する。そして、変換された光は、透光性樹脂１８から放射される。これらにより、ＬＥＤチップ１０から放射される光を有効に利用できるとともに、ＬＥＤモジュールの上下方向から広範囲に光を放射できる。
また、図３に示すように、基板本体１１のＬＥＤチップ１０を搭載する位置には、基板本体１１の表面１１ａから裏面１１ｃにスルーホール１１ｅが形成されている。このとき、スルーホール１１ｅは、安価な、例えばサンドブラスト法などにより、基板本体１１の表面１１ａ側が小径で、裏面１１ｃ側が大径となる、漏斗形状に形成されている。
そして、スルーホール１１ｅ内に、例えば銅、銀や銀ろう材などのペースト材料を充填することにより、例えば截頭円錐形状の放熱経路１２の伝熱通路部１２ａが形成される。このとき、伝熱通路部１２ａを截頭円錐形状で形成することにより、円柱状の伝熱通路部１２ａと比較して、伝熱通路部１２ａと基板本体１１との接触面積が大きくできるとともに、楔のように打ち込まれた状態にできる。これにより、放熱性が高まるとともに、伝熱通路部１２ａと基板本体１１との密着性を向上させて信頼性を高めることができる。なお、スルーホール１１ｅの形状として、截頭円錐形状の漏斗形状を例に説明したが、これに限られない。例えば、截頭角錐形状のテーパ形状で形成してもよい。
以上により、本実施の形態のＬＥＤモジュール２００が構成される。
以下に、本実施の形態のＬＥＤ電球について、図を用いて説明する。
まず、ＬＥＤ電球３００に内蔵されるＬＥＤモジュール２００を支持する放熱支持部材１３について、図４Ａと図４Ｂを用いて説明する。
図４Ａは、同実施の形態に係るＬＥＤ電球を構成する放熱支持部材の一例を示す平面図である。図４Ｂは、同実施の形態に係るＬＥＤ電球を構成する放熱支持部材の一例を示す正面図である。
図４Ａと図４Ｂに示すように、放熱支持部材１３の先端面１３ａの両側縁１３ｃは基板本体１１と同一幅の２本の平行な直線で形成され、先端面１３ａの両端１３ｄは円弧形で形成された、いわゆる小判形状を有している。また、放熱支持部材１３の先端面１３ａには、ＬＥＤ用基板１００の基板本体１１の嵌合孔１１ｂと嵌合する突起１３ｂが設けられている。なお、放熱支持部材１３は、基板本体１１もしくは放熱経路１２の材質よりも熱伝導率が大きい、例えばアルミニウム合金などの材料で成形することが好ましい。これにより、放熱支持部材１３への熱伝導を向上させて、効果的に放熱できる。しかし、放熱支持部材１３の熱伝導率が、放熱経路１２の材質の熱伝導率よりも大きいことは、必ずしも必要ではない。
そして、放熱支持部材１３の突起１３ｂを基板本体１１の嵌合孔１１ｂに嵌入することにより、基板本体１１の裏面１１ｃの中心部分と重なり合って、ＬＥＤモジュール２００を構成するＬＥＤ用基板１００を支持する。このとき、放熱支持部材１３の先端面１３ａが放熱経路１２の中心部の放熱パターン部１２ｂ、すなわち接続部１２ｃと重なり合って接続される。
以上により、ＬＥＤモジュール２００を支持する放熱支持部材１３が形成され、ＬＥＤ電球３００を構成するグローブ１９内に収納される。
つぎに、本実施の形態のＬＥＤ電球について、図５を用いて説明する。
図５は、同実施の形態に係るＬＥＤ電球の一例を示す正面図である。
図５に示すように、本実施の形態のＬＥＤ電球３００は、放熱支持部材１３に支持されたＬＥＤモジュール２００が、基端部で口金２０と一体化されるグローブ１９内に内蔵して構成される。このとき、口金２０内のベース（図示せず）に放熱支持部材１３の基端が固定される。また、ベースから導出される一対のリード線１４の先端部が、ＬＥＤモジュール２００を構成するＬＥＤ用基板１００の接続孔１１ｄと接続される。これにより、一対のリード線１４からＬＥＤ用基板１００の接続孔１１ｄ、配線部１５、金属細線１７を介して、ＬＥＤチップ１０に通電される。
そして、通電されたＬＥＤチップ１０は、表面１０ｂおよび裏面１０ａから光を放射する。ＬＥＤチップ１０から放射された光は、透光性樹脂１８に含まれている蛍光体および蛍光体層１６によって、所定の色に変換されて、グローブ１９の略全面（全面を含む）から放射される。なお、放熱支持部材１３の先端面１３ａが基板本体１１の裏面１１ｃと重なり合う部分では、ＬＥＤチップ１０の裏面から放射された光が遮られるが、ＬＥＤ電球３００全体から放射される光に対する影響は少ないので、問題とはならない。
このとき、通常、ＬＥＤチップ１０は、発光により熱が発生する。
しかし、本実施の形態によれば、発生した熱は、放熱経路１２の伝熱通路部１２ａから放熱パターン部１２ｂに伝熱され、放熱パターン部１２ｂを介して放熱される。さらに、発生した熱は、放熱パターン部１２ｂの接続部１２ｃと接続された放熱支持部材１３に伝熱され、放熱支持部材１３を介しても放熱される。そのため、発光により発生した熱が、ＬＥＤチップ１０に蓄熱されない。
また、ＬＥＤチップ１０の裏面１０ａから放射された光は、蛍光体層１６を通過して、一部が放熱経路１２の放熱パターン部１２ｂに遮られて放射される。しかし、本実施の形態によれば、ＬＥＤ用基板１００に設けられた放熱パターン部１２ｂと蛍光体層１６との重なる面積を、蛍光体層１６の面積の７５％以下としている。そのため、ＬＥＤ電球３００の光の放射の支障とならない。
上述したように、本実施の形態のＬＥＤ電球は、放熱経路１２によりＬＥＤチップ１０の光の放射の性能を低下させることなく、ＬＥＤチップ１０で発生した熱を効率的に放熱できる。これにより、ＬＥＤチップ１０の過熱を防止して、故障や損傷を未然に防止できる。その結果、長寿命で、高い信頼性を有するＬＥＤ電球を実現できる。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係るＬＥＤ用基板とそれを有するＬＥＤモジュールおよびそれらを備えたＬＥＤ電球について、図６から図８を用いて説明する。
図６は、本発明の実施の形態２に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す底面図である。図７は、同実施の形態に係るＬＥＤモジュールの概略構成を示す平面図である。図８は、同実施の形態に係るＬＥＤモジュールを示す部分断面図である。
本実施の形態は、放熱経路１２の構成が、実施の形態１の放熱経路１２と異なる。なお、他の構成や動作は、実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。また、実施の形態１で説明した部分と同一部分は、同一符号を付して説明する。
すなわち、図８に示すように、本実施の形態のＬＥＤ用基板１００は、円筒状のスルーホール１１ｅが形成され、スルーホール１１ｅに、例えば銅、銀や銀ろう材などのペースト材料を充填して伝熱通路部１２ａが設けられている。なお、円筒状のスルーホール１１ｅは、例えばドリルなどによって形成される。
また、図６に示すように、伝熱通路部１２ａに連結される放熱パターン部１２ｂは、図３で説明した放熱支持部材１３の先端面１３ａと同じ形状の全面的に重なり合う接続部１２ｃと、接続部１２ｃの両側に、例えばフィッシュボーンチャートのような形状のパターン１２ｄから構成されている。
そして、図６に示すように、放熱経路１２の両側の放熱パターン部１２ｂを構成するパターン１２ｄは、基本的に、隣り合う蛍光体層１６と蛍光体層１６との間に形成される。
さらに、放熱経路１２の放熱パターン部１２ｂは、蛍光体層１６の長辺から伝熱通路部１２ａと連続するように形成される。
このとき、蛍光体層１６が長方形状に形成されているので、蛍光体層１６の長辺側とＬＥＤチップ１０との距離Ｗが、蛍光体層１６の短辺側とＬＥＤチップ１０との距離Ｌよりも短くなる。
これにより、放熱パターン部１２ｂのパターン１２ｄは、放熱経路１２のそれぞれの伝熱通路部１２ａと最短距離で連続するように形成される。その結果、蛍光体層１６を横切る放熱パターン部１２ｂ（パターン１２ｄ）の面積を小さくできる。
つまり、上記放熱パターン部１２ｂのパターン１２ｄは、接続部１２ｃ以外の箇所において、基板本体１１を介して必要最小限の範囲（面積）で蛍光体層１６と対向して設けられる。これにより、放熱パターン部１２ｂで部分的に遮られる、蛍光体層１６を介して基板本体１１の裏面１１ｃ側に放射される光の量を、さらに抑制できる。その結果、より発光量の大きいＬＥＤモジュールおよびそれを備えるＬＥＤ電球を実現できる。
そして、図８に示すように、上記ＬＥＤ用基板１００の蛍光体層１６上にＬＥＤチップ１０を搭載して、ＬＥＤチップ１０とＬＥＤ用基板１００の配線部１５とを金属細線１７によって接続する。さらに、蛍光体を含む透光性樹脂１８で、ＬＥＤチップ１０や金属細線１７を封止する。これにより、本実施の形態のＬＥＤモジュール２００が構成される。
さらに、上記ＬＥＤモジュール２００の基板本体１１の嵌合孔１１ｂに、図４Ａと図４Ｂに示した放熱支持部材１３の先端面１３ａに設けられた突起１３ｂを嵌入する。これにより、放熱支持部材１３の先端面１３ａが放熱経路１２の中心部の放熱パターン部１２ｂ、すなわち接続部１２ｃと重なり合った状態で接続される。
また、図５に示すように、放熱支持部材１３に支持されたＬＥＤモジュール２００をグローブ１９内に内蔵することにより、ＬＥＤ電球３００が構成される。
本実施の形態によれば、実施の形態１で説明したように、ＬＥＤチップ１０の発光により発生した熱は、放熱経路１２の伝熱通路部１２ａから放熱パターン部１２ｂに伝熱され、放熱パターン部１２ｂを介して放熱される。さらに、発生した熱は、放熱パターン部１２ｂの接続部１２ｃと接続された放熱支持部材１３に伝熱され、放熱支持部材１３を介しても放熱される。そのため、発光により発生した熱が、ＬＥＤチップ１０に蓄熱されない。このとき、放熱パターン部１２ｂの接続部１２ｃは、放熱支持部材１３の先端面１３ａと全面で接続されるので、より、効率的に、ＬＥＤチップ１０で発生した熱を放熱支持部材１３に伝熱できる。
なお、本実施の形態では、円筒状のスルーホール１１ｅは、ＬＥＤチップ１０に対して１本だけ形成する例で説明したが、これに限られない。例えば、少なくともＬＥＤチップ１０の形状の範囲内であれば、複数のスルーホールを形成して、放熱経路１２の伝熱通路部１２ａを形成してもよい。これにより、例えば小さい穴しか開けられない加工方法の場合、複数の小径のスルーホールを開けて導電性の材料を充填して伝熱通路部１２ａを形成できる。その結果、放熱経路１２の伝熱通路部１２ａによる熱の放熱経路の面積を大きくして、ＬＥＤチップ１０で発生する熱を効果的に放熱できる。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定することなく種々変更することができる。
すなわち、図１や図６に示した放熱経路１２の放熱パターン部１２ｂは、一例であって、他に種々のパターンがあることはいうまでもない。例えば、図１に示した放熱パターン部と、図６に示した放熱パターン部１２ｂとを組み合わせてもよい。
また、実施の形態１では、基板本体１１に溝１１ｆを形成し、溝１１ｆに放熱経路１２の放熱パターン部１２ｂを充填して設ける例で説明したが、これに限られない。放熱する熱が少ない場合には、例えば図８に示す実施の形態２のように、基板本体１１の裏面１１ｃに、銅、銀や銀ろう材を塗布して設けてもよい。これにより、生産性などが向上する。
また、上記各実施の形態では、ＬＥＤ用基板１００の基板本体１１をガラスで構成した例で説明したが、これに限られない。さらに、放熱性能の向上を目的とする場合には、例えばガラス以外に透光性セラミックなどで形成してもよい。この場合、ＬＥＤ用基板１００の基板本体１１の材質の熱伝導率より大きな熱伝導率を有する放熱経路１２の材料を選択することが好ましい。
また、上記各実施の形態では、ＬＥＤ用基板１００およびＬＥＤモジュール２００を支持する放熱支持部材１３を備えるＬＥＤ電球３００を例に説明したが、これに限られず、放熱支持部材１３を備えない構成でもよい。この場合、特に、ＬＥＤ用基板１００の放熱支持部材１３に支持される箇所に放熱経路１２の放熱パターン部１２ｂを形成する必要がない。
また、上記各実施の形態では、蛍光体層１６を設けたＬＥＤモジュール２００を例に説明したが、これに限らず、蛍光体層１６を設けない構成であってもよい。これにより、構成を簡略にできるとともに、ＬＥＤチップ１０で発生した熱を、基板本体１１により効果的に伝熱して、放熱できる。
以上で説明したように、本発明のＬＥＤ用基板は、ＬＥＤチップが表面側に搭載される透光性を有する基板本体と、基板本体に設けられる、ＬＥＤチップで発生する熱を放熱させる放熱経路と、を備える。そして、基板本体は、ＬＥＤチップの配置される基板本体の表面から裏面に貫通するスルーホールが形成され、放熱経路は、スルーホールに設けられた伝熱通路部と、基板本体の裏面に設けられ、伝熱通路部と連結する放熱パターン部とを備える。
この構成によれば、ＬＥＤチップで発生した熱を、放熱経路の伝熱通路部から放熱パターン部へ伝熱して放熱できるので、ＬＥＤチップの過熱を抑制できる。
また、本発明のＬＥＤ用基板は、基板本体に、搭載される複数のＬＥＤチップに対応して、複数のスルーホールに設けられた複数の伝熱通路部を有し、格子状または梯子状からなる放熱パターン部により、伝熱通路部が連結されてもよい。
この構成によれば、複数のＬＥＤチップが設けられる場合、放熱経路の伝熱通路部をＬＥＤチップごとに設け、それぞれの伝熱通路部と放熱パターン部とを連結する。これにより、複数のＬＥＤチップで発生した熱を、連結した伝熱通路部から放熱パターン部に伝熱して放熱できる。その結果、ＬＥＤチップの過熱を効果的に抑制できる。
また、本発明のＬＥＤ用基板は、スルーホールは、基板本体の表面側よりも裏面側を拡径した漏斗形状に形成されていてもよい。
この構成によれば、スルーホールを漏斗形状、例えば截頭円錐形状または截頭角錐形状に設け、そのスルーホールに伝熱通路部が設けられる。これにより、円柱状の伝熱通路部と比較して、伝熱通路部を大きくして、放熱性を高めることができる。さらに、伝熱通路部と基板本体との接触面積が大きく、かつ楔のように打ち込まれた状態で設けることができる。その結果、伝熱通路部と基板本体との密着性が向上して、信頼性を高めることができる。
また、本発明のＬＥＤ用基板は、基板本体の裏面側に溝が設けられ、放熱パターン部は、溝に設けられていてもよい。
この構成によれば、放熱パターン部を充填などにより溝に形成できる。これにより、放熱パターン部とＬＥＤ用基板の基板本体との密着性が向上して信頼性を高めることができる。また、放熱パターン部の断面積を、基板本体の裏面に薄く形成する場合と比較して大きくできるため、さらに放熱性を向上できる。
また、本発明のＬＥＤ用基板は、基板本体の裏面に、放熱支持部材と接続する接続部を設けてもよい。
これにより、接続部に放熱支持部材が接続してＬＥＤ電球を構成した場合、ＬＥＤチップで発生した熱を放熱経路の伝熱通路部から放熱パターン部を経由して、放熱支持部材からＬＥＤ電球の口金などの部材へ放熱される。その結果、ＬＥＤチップで発生した熱を、効果的に外部に放熱できる。
また、本発明のＬＥＤ用基板は、基板本体の表面で、ＬＥＤチップを搭載する位置に、さらに蛍光体層を備え、放熱経路の放熱パターン部が基板本体を介して蛍光体層と対向して設けられていてもよい。
この構成によれば、放熱経路の放熱パターン部がＬＥＤチップの裏面から放射される光を遮っても、放熱経路の放熱パターン部が光の放射の障害とならない。つまり、放熱経路の放熱パターン部を、基板本体を挟んで蛍光体層と対向させることにより、ＬＥＤチップの裏面で発光した光は、基板本体の裏面から所期の光量で放射することができる。
また、本発明のＬＥＤモジュールは、上記ＬＥＤ用基板と、ＬＥＤ用基板の蛍光体層に搭載されたＬＥＤチップと、ＬＥＤチップを封止する蛍光体を含む透光性樹脂と、を備えてもよい。
この構成によれば、ＬＥＤ用基板に搭載されたＬＥＤチップの発光により、発生したＬＥＤチップの熱を、放熱経路を伝熱して放熱できる。これにより、ＬＥＤチップの過熱を抑制できるＬＥＤモジュールを実現できる。
また、本発明のＬＥＤ電球は、放熱支持部材と接続された、上記ＬＥＤモジュールをグローブ内に内蔵して構成されていてもよい。
この構成によれば、ＬＥＤチップが発光しても過熱されないＬＥＤモジュールが備える。これにより、高寿命で、信頼性に優れたＬＥＤ電球を実現できる。
本発明は、放熱特性に優れたＬＥＤ用基板およびＬＥＤモジュールを、ＬＥＤ電球の構成部品として有効に利用できる。そのため、低コストで高い信頼性が要望される、白熱電球の代替光源として好適なＬＥＤ電球などの分野に有用である。
１ 基板
１ａ 凹部
１ｂ，１１ｅ スルーホール
２，１０ ＬＥＤチップ
３ 設置用パターン
４ 樹脂
５ 配線用パターン
６，１７ 金属細線
７，１２ｃ 接続部
８ 放熱用パターン
１０ａ，１１ｃ 裏面
１０ｂ，１１ａ 表面
１１ 基板本体
１１ｂ 嵌合孔
１１ｄ 接続孔
１１ｆ 溝
１１ｇ，１１ｈ 側縁
１２ 放熱経路
１２ａ 伝熱通路部
１２ｂ 放熱パターン部
１２ｂ１ 短辺ライン
１２ｂ２ 長辺ライン
１２ｂ３ センターライン
１２ｄ パターン
１３ 放熱支持部材
１３ａ 先端面
１３ｃ 両側縁
１３ｂ 突起
１３ｄ 両端
１４ リード線
１５ 配線部
１６ 蛍光体層
１６ａ 短辺部
１８ 透光性樹脂
１９ グローブ
２０ 口金
１００ ＬＥＤ用基板
２００ ＬＥＤモジュール
３００ ＬＥＤ電球

Claims (7)

  1. ＬＥＤチップが表面側に搭載される透光性を有する基板本体と、
    前記基板本体に設けられる、前記ＬＥＤチップで発生する熱を放熱させる放熱経路と、を備え、
    前記基板本体は、前記ＬＥＤチップの配置される前記基板本体の表面から裏面に貫通するスルーホールが形成され、
    前記放熱経路は、
    前記スルーホールに設けられた伝熱通路部と、
    前記基板本体の裏面に設けられ、前記伝熱通路部と連結する放熱パターン部とを備え、前記基板本体は、搭載される複数の前記ＬＥＤチップに対応して、複数の前記スルーホールに設けられた複数の前記伝熱通路部を有し、
    格子状または梯子状からなる前記放熱パターン部により、前記伝熱通路部が連結されているＬＥＤ用基板。
  2. 前記スルーホールは、前記基板本体の表面側よりも裏面側を拡径した漏斗形状に形成されている請求項１に記載のＬＥＤ基板。
  3. 前記基板本体の裏面側に溝が設けられ、
    前記放熱パターン部は、前記溝に設けられる請求項１に記載のＬＥＤ用基板。
  4. 前記基板本体の裏面に、放熱支持部材と接続する接続部が設けられている請求項１に記載のＬＥＤ用基板。
  5. 前記基板本体の表面で、前記ＬＥＤチップを搭載する位置に、さらに蛍光体層を備え、
    前記放熱経路の前記放熱パターン部が前記基板本体を介して前記蛍光体層と対向して設けられる請求項１に記載のＬＥＤ用基板。
  6. 請求項１に記載のＬＥＤ用基板と、前記ＬＥＤ用基板の蛍光体層に搭載されたＬＥＤチップと、
    前記ＬＥＤチップを封止する蛍光体を含む透光性樹脂と、を備えるＬＥＤモジュール。
  7. 放熱支持部材と接続された、請求項６に記載のＬＥＤモジュールをグローブ内に内蔵して構成されるＬＥＤ電球。
JP2013531983A 2012-03-15 2013-03-11 Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球 Expired - Fee Related JP5376102B1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013531983A JP5376102B1 (ja) 2012-03-15 2013-03-11 Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012058295 2012-03-15
JP2012058295 2012-03-15
JP2013531983A JP5376102B1 (ja) 2012-03-15 2013-03-11 Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球
PCT/JP2013/001553 WO2013136758A1 (ja) 2012-03-15 2013-03-11 Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5376102B1 true JP5376102B1 (ja) 2013-12-25
JPWO2013136758A1 JPWO2013136758A1 (ja) 2015-08-03

Family

ID=49160690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013531983A Expired - Fee Related JP5376102B1 (ja) 2012-03-15 2013-03-11 Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9166133B2 (ja)
EP (1) EP2827394A4 (ja)
JP (1) JP5376102B1 (ja)
CN (1) CN104170106A (ja)
WO (1) WO2013136758A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112010003715T8 (de) * 2009-09-20 2013-01-31 Viagan Ltd. Baugruppenbildung von elektronischen Bauelementen auf Waferebene
KR101440452B1 (ko) 2013-10-18 2014-09-17 주식회사 금경라이팅 엘이디용 인쇄회로기판
KR20160013706A (ko) * 2014-07-28 2016-02-05 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조 방법
HK1207250A2 (en) * 2014-10-15 2016-01-22 新照明設計有限公司 號 Substrate for led package, a tridimensional led package having the substrate, a light bulb having the tridimensional led package and methods for producing the same led led led
JP6713890B2 (ja) * 2015-09-19 2020-06-24 日本特殊陶業株式会社 配線基板およびその製造方法
US20170141278A1 (en) * 2015-11-17 2017-05-18 Toshiba Corporation Led assembly for led package with sidewall electrodes
TWI820026B (zh) * 2017-06-21 2023-11-01 荷蘭商露明控股公司 具有改善的熱行為的照明組件
EP3751271A4 (en) * 2018-02-09 2021-11-10 Hamamatsu Photonics K.K. SAMPLE CARRIERS, IONIZATION METHOD AND MASS SPECTROMETRIC METHOD
JP7137947B2 (ja) * 2018-03-22 2022-09-15 ローム株式会社 窒化物半導体装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001243809A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Mitsubishi Electric Lighting Corp Ｌｅｄ電球
JP2005209763A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2007043155A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Samsung Electronics Co Ltd Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法、それを用いたｌｅｄアレイモジュール
JP2009267006A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Rohm Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP2009267289A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2010135718A (ja) * 2008-11-07 2010-06-17 Toppan Printing Co Ltd Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いたｌｅｄ発光素子
JP2011119343A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Mitsuboshi Belting Ltd 素子搭載基板及び発光装置
JP2011176060A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Seiko Instruments Inc 発光装置
JP2011211154A (ja) * 2010-03-12 2011-10-20 Asahi Glass Co Ltd 発光装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW413874B (en) * 1999-04-12 2000-12-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd BGA semiconductor package having exposed heat dissipation layer and its manufacturing method
JP4514292B2 (ja) 2000-07-07 2010-07-28 Ｈｏｙａ株式会社 ストロボ装置
KR100991830B1 (ko) * 2001-12-29 2010-11-04 항조우 후양 신잉 띠앤즈 리미티드 Ｌｅｄ 및 ｌｅｄ램프
JP3801931B2 (ja) * 2002-03-05 2006-07-26 ローム株式会社 Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
AU2003246272A1 (en) 2002-07-09 2004-01-23 Kenichiro Miyahara Substrate for forming thin film, thin film substrate, optical wave guide, luminescent element and substrate for carrying luminescent element
US6903381B2 (en) 2003-04-24 2005-06-07 Opto Tech Corporation Light-emitting diode with cavity containing a filler
EP1712662A4 (en) 2003-06-30 2009-12-02 Kenichiro Miyahara SUBSTRATE FOR THE MANUFACTURE OF THIN FILMS, SUBSTRATE FOR THIN FILMS AND LIGHT EMITTING ELEMENT
WO2005004246A1 (ja) 2003-06-30 2005-01-13 Kenichiro Miyahara 発光素子搭載用基板及び発光素子
US20080043444A1 (en) * 2004-04-27 2008-02-21 Kyocera Corporation Wiring Board for Light-Emitting Element
KR101241650B1 (ko) * 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
JP2007243809A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp 半導体集積回路装置
US20070235739A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Edison Opto Corporation Structure of heat dissipation of implant type light emitting diode package and method for manufacturing the same
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
JP2009117536A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Towa Corp 樹脂封止発光体及びその製造方法
TWI471995B (zh) 2008-11-07 2015-02-01 Toppan Printing Co Ltd 導線架及其製造方法、以及使用該導線架之半導體發光裝置
CN101482252B (zh) * 2008-12-08 2010-10-13 上海三思电子工程有限公司 一种对流散热式led照明灯
TWI380483B (en) 2008-12-29 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Led device and method of packaging the same
CN101539250A (zh) * 2009-04-21 2009-09-23 薛信培 一种大功率led灯
CN201401671Y (zh) * 2009-04-21 2010-02-10 薛信培 一种大功率led灯
TW201123411A (en) 2009-12-30 2011-07-01 Harvatek Corp A light emission module with high-efficiency light emission and high-efficiency heat dissipation and applications thereof
US8773007B2 (en) * 2010-02-12 2014-07-08 Cree, Inc. Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters
WO2012163535A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Huizhou Light Engine Ltd. Light bulb with thermally conductive globe

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001243809A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Mitsubishi Electric Lighting Corp Ｌｅｄ電球
JP2005209763A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2007043155A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Samsung Electronics Co Ltd Ｌｅｄパッケージおよびその製造方法、それを用いたｌｅｄアレイモジュール
JP2009267006A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Rohm Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP2009267289A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2010135718A (ja) * 2008-11-07 2010-06-17 Toppan Printing Co Ltd Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いたｌｅｄ発光素子
JP2011119343A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Mitsuboshi Belting Ltd 素子搭載基板及び発光装置
JP2011176060A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Seiko Instruments Inc 発光装置
JP2011211154A (ja) * 2010-03-12 2011-10-20 Asahi Glass Co Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2827394A4 (en) 2015-04-08
WO2013136758A1 (ja) 2013-09-19
US9166133B2 (en) 2015-10-20
JPWO2013136758A1 (ja) 2015-08-03
EP2827394A1 (en) 2015-01-21
CN104170106A (zh) 2014-11-26
US20150091432A1 (en) 2015-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5376102B1 (ja) Ｌｅｄ用基板、ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ電球
JP4787783B2 (ja) アノダイジング絶縁層を有するｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP5203529B2 (ja) 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法
JP4123105B2 (ja) 発光装置
JP4241658B2 (ja) 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源
JP5082083B2 (ja) Ｌｅｄ照明装置
JP5291268B1 (ja) 発光モジュールおよびこれを用いた照明用光源、照明装置
JP4808550B2 (ja) 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP5446843B2 (ja) Ｌｅｄ発光装置
JP4674487B2 (ja) 表面実装型発光装置
JP2012142406A (ja) ランプ及び照明装置
JP2014116411A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
JP4938611B2 (ja) 半導体発光装置
JP6537410B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2019016728A (ja) 発光装置、照明装置、及び、実装基板
JP2013030598A (ja) 発熱デバイス
JP5538989B2 (ja) 発光ダイオード構造
JP2010129834A (ja) 光半導体装置およびその実装構造
KR101259876B1 (ko) 열전 소자를 갖는 엘이디 패키지 및 이의 제조 방법
JP2019021742A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2008211019A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
JP2007243057A (ja) 発光装置
JP6592974B2 (ja) 光源装置
JP2019021665A (ja) 発光装置、照明装置、及び、実装基板
TWI476968B (zh) 發光裝置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130909

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees