WO2013136758A1 - Led用基板、ledモジュールおよびled電球 - Google Patents

Led用基板、ledモジュールおよびled電球 Download PDF

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WO2013136758A1
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孝平 津田
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パナソニック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an LED substrate on which an LED (Light Emitting Diode) chip is mounted, an LED module in which the LED chip is mounted on the LED substrate, and an LED bulb including the LED module.
  • LED Light Emitting Diode
  • the LED module has an LED chip mounted on a substrate for LED, and is composed of an assembly member in which the LED chip is sealed by a translucent resin.
  • the temperature of the LED chip is increased by the power which does not contribute to the light emission of the LED chip.
  • the LED chip breaks down or is damaged.
  • the LED module (LED package) which improved the heat dissipation of the LED chip is proposed (for example, refer patent document 1).
  • FIG. 9 is a cross-sectional front view showing an example of a conventional LED module.
  • a recess 1 a having a bottom and a slope is provided on one surface of a substrate 1 made of silicon, ceramic or the like.
  • the installation pattern 3 is formed in the center of the recessed part 1a, and the LED chip 2 is mounted on the installation pattern 3 via a conductive paste (not shown).
  • the wiring pattern 5 is formed on the slope of the recess 1 a, and the wiring pattern 5 is connected to the LED chip 2 by the metal thin wire 6.
  • the LED chip 2, the wiring pattern 5 and the thin metal wire 6 are sealed by a light transmitting resin 4.
  • a phosphor is added to the resin 4.
  • a through hole 1 b is formed from the center of the recess 1 a of the substrate 1 to the opposite surface of the substrate 1, and a connection 7 is formed in the through hole 1 b.
  • a heat dissipation pattern 8 is provided around the through hole 1 b on the opposite surface of the substrate 1.
  • the heat dissipation pattern 8 and the installation pattern 3 are connected via the connection portion 7 provided in the through hole 1 b.
  • the cost of the LED bulb provided with the LED module increases because an expensive ceramic excellent in heat dissipation is used for the substrate 1 of the LED module.
  • the heat generated in the LED chip 2 increases as the light emission amount of the LED chip 2 increases. Therefore, even when using a ceramic excellent in heat dissipation, the heat generated by the LED chip 2 may not be sufficiently dissipated.
  • the substrate for LED of the present invention is a substrate body which has a translucent property by which an LED chip is mounted in the surface side, and heat dissipation which radiates the heat generated in the LED chip provided in the substrate body And a path. Then, the substrate body is formed with a through hole penetrating from the front surface to the back surface of the substrate body on which the LED chip is disposed, and the heat dissipation path is provided in the heat transfer passage portion provided in the through hole and the back surface of the substrate body And a heat dissipation pattern portion connected to the heat transfer passage portion.
  • heat generated in the LED chip can be transferred from the heat transfer passage portion of the heat dissipation path to the heat dissipation pattern portion and dissipated, so that overheating of the LED chip can be suppressed.
  • the heat transfer passage portion of the heat radiation path is provided for each LED chip, and the heat transfer passage portion and the heat radiation pattern portion are connected.
  • heat generated in the plurality of LED chips can be transferred from the heat transfer passage portion connected to the heat dissipation pattern portion to be dissipated.
  • overheating of the LED chip can be effectively suppressed.
  • the LED module of the present invention includes the above-mentioned substrate for an LED, an LED chip mounted on a phosphor layer of the substrate for an LED, and a translucent resin containing a phosphor for sealing the LED chip.
  • the LED module which can control overheating of a LED chip is realizable.
  • the LED light bulb of the present invention is configured by incorporating the above-mentioned LED module connected to the heat dissipation support member in a glove.
  • FIG. 1 is a bottom view showing a schematic configuration of an LED module according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the LED module according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing the LED module according to the same embodiment.
  • FIG. 4A is a plan view showing an example of a heat dissipating support member constituting the LED bulb according to the embodiment.
  • FIG. 4B is a front view showing an example of a heat dissipating support member constituting the LED bulb according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a front view showing an example of the LED bulb according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a bottom view showing a schematic configuration of an LED module according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 1 is a bottom view showing a schematic configuration of an LED module according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the LED module according to the embodiment
  • FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of the LED module according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing the LED module according to the same embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional front view showing an example of a conventional LED module.
  • Embodiment 1 a substrate for an LED according to Embodiment 1 of the present invention, an LED module having the same, and an LED bulb including the same will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a bottom view showing a schematic configuration of an LED module according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the LED module according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing the LED module according to the same embodiment.
  • the LED substrate 100 includes the substrate body 11 in which at least the fitting holes 11 b and the connection holes 11 d are formed, the wiring portion 15, and the heat radiation path 12. It is done.
  • the substrate body 11 is formed, for example, in a rectangular plate shape made of translucent glass such as borosilicate glass.
  • the wiring portion 15 is provided on the surface 11 a side of the substrate body 11.
  • LED chips are disposed in a predetermined arrangement pattern on the phosphor layer 16 described later and the phosphor layer 16.
  • the heat dissipation path 12 is composed of a heat transfer passage portion 12a, a heat dissipation pattern portion 12b, and a connection portion 12c.
  • the heat radiation path 12 is formed of a paste such as copper, silver or a silver brazing material having a thermal conductivity higher than that of glass.
  • the heat transfer passage portion 12a is provided corresponding to the position of the mounted LED chip, and the through holes 11e penetrating from the front surface 11a to the back surface 11c of the substrate main body 11 are filled with the paste, for example, thermally cured. It is formed by The connection part 12c is comprised from the thermal radiation pattern part 12b around the fitting hole 11b of the substrate main body 11 which overlaps with the front end surface 13a of the thermal radiation support member 13 mentioned later.
  • the heat radiation pattern portion 12b connecting the plurality of heat transfer passage portions 12a avoids the fitting holes 11b, for example, in a grid shape as will be described in detail below. Or it is formed in ladder form.
  • the heat radiation pattern portion 12 b can be developed and provided so as not to be an obstacle to light emission from the back surface of the LED chip 10.
  • the heat radiation pattern portion 12 b is a heat transfer passage portion 12 a on one side edge 11 g side and a heat transfer on the other side edge 11 h side on the back surface 11 c side of the substrate body 11.
  • the short side line 12b1, the long side line 12b2, and the center line 12b3 are developed so as to connect with the passage portion 12a.
  • the short side line 12b1 is derived from the short side portion 16a of the phosphor layer 16 and connects the heat transfer passage portions 12a on the side edges 11g and 11h of the substrate body 11.
  • the short side line 12b1 in the vicinity of the central portion of the substrate body 11 is connected to the long side line 12b2 and is not connected to the opposite short side line 12b1.
  • the long side lines 12 b 2 connect the short side lines 12 b 1 along the side edges 11 g and 11 h of the substrate body 11.
  • the center line 12 b 3 connects the short side line 12 b 1 at the center line, for example, except for the vicinity of the center portion and both end portions of the substrate body 11.
  • the heat radiation pattern portion 12 b of the heat radiation path 12 is provided to face the phosphor layer 16 via the substrate body 11. Therefore, a part of the opposing heat radiation pattern portion 12 b partially blocks the light emitted to the back surface 11 c side of the substrate main body 11 through the phosphor layer 16. Therefore, the area of the phosphor layer 16 blocked by the heat radiation pattern portion 12 b is preferably, for example, 75% or less with respect to the area of the phosphor layer 16. Thereby, light can be efficiently radiated to the back surface 11 c side of the substrate main body 11.
  • the light emission to 10a is interrupted. Therefore, the heat radiation pattern portion 12 b at the central portion of the substrate main body 11 may be provided on the entire surface so as to face the phosphor layer 16 on the entire surface.
  • the groove 11f (see FIG. 3) is formed on the back surface 11c of the substrate body 11, for example, by sandblasting, and copper, silver or silver solder is formed on the formed groove 11f. It is provided by filling with a material such as a material. Thereby, the adhesiveness of the thermal radiation pattern part 12b and the board
  • the heat dissipation pattern portion 12b of the present embodiment is configured.
  • the fitting hole 11b of the substrate body 11 is formed in the vicinity of the central portion of the substrate body 11, and the protrusion 13b is provided on the tip surface 13a of the heat dissipation support member 13 (heat sink). (See FIG. 4B) is inserted to fix the heat dissipating support member 13.
  • connection holes 11 d of the substrate body 11 are provided in the wiring portions 15 on both end sides of the substrate body 11, and are connected to a pair of lead wires 14 (see FIG. 5) provided in the LED bulb 300.
  • the wiring portion 15 provided on the surface 11 a side of the substrate body 11 is formed of, for example, silver paste, and for example, the side edge 11 g of both the portion including the connection hole 11 d and the substrate body 11 It is provided between the LED chips 10 in a portion along 11h.
  • the wiring portions 15 along the both side edges 11g and 11h of the substrate body 11 are discretely provided discontinuously and at equal intervals.
  • the LED substrate 100 of the present embodiment is configured.
  • FIG. 3 is a cross-sectional front view showing the LED module according to the same embodiment.
  • the LED module 200 of the present embodiment includes a phosphor layer 16 provided at least on the surface 11 a side of the LED substrate 100, and an LED chip 10 mounted on the phosphor layer 16. It is comprised from the translucent resin 18 containing the fluorescent substance which seals an LED chip at least. At this time, the LED chip 10 and the wiring portion 15 are connected by a metal thin line 17 such as gold, for example. In addition, it is preferable not to seal the LED chips 10 individually but to seal each row in consideration of productivity and the like. However, it goes without saying that the LED chips 10 may be sealed individually.
  • the LED chip 10 mounted on the phosphor layer 16 and having a square shape in plan view is provided between the wiring portions 15 provided on the surface 11 a of the substrate main body 11 shown in FIG. 2.
  • FIG. 2 shows an example in which the LED chips 10 are provided in two parallel rows along both side edges 11g and 11h of the substrate body 11, the invention is not limited thereto. For example, it may be provided in one row or three or more rows. Further, it goes without saying that the number of LED chips 10 included in one row is not limited to the example shown in FIG.
  • the phosphor layer 16 converts the light emitted from the back surface 10 a side of the LED chip 10 into a predetermined color.
  • the converted light is emitted from the back surface 11 c of the substrate body 11.
  • the phosphor layer 16 is preferably formed in a rectangular shape larger than the outer shape of the LED chip 10.
  • the translucent resin 18 converts light emitted from the surface 10 b side of the LED chip 10 into a predetermined color. Then, the converted light is emitted from the translucent resin 18. While being able to utilize the light radiated
  • through holes 11 e are formed in the surface 11 a to the back surface 11 c of the substrate body 11 at the positions of the substrate body 11 where the LED chips 10 are mounted.
  • the through holes 11 e are formed in a funnel shape having a small diameter on the surface 11 a side of the substrate main body 11 and a large diameter on the back surface 11 c side, for example, by sandblasting.
  • the heat transfer passage portion 12 a of the heat radiation path 12 having a frusto-conical shape is formed.
  • the contact area between the heat transfer passage portion 12a and the substrate body 11 can be increased as compared with the cylindrical heat transfer passage portion 12a. It can be in a state of being driven in like a spear.
  • the heat dissipation property is enhanced, and the adhesion between the heat transfer passage 12a and the substrate main body 11 can be improved to improve the reliability.
  • the funnel shape of frusto-conical shape was demonstrated to the example as a shape of the through hole 11e, it is not restricted to this. For example, it may be formed in a tapered shape having a truncated pyramid shape.
  • the LED module 200 of the present embodiment is configured.
  • the heat radiation supporting member 13 for supporting the LED module 200 built in the LED light bulb 300 will be described with reference to FIGS. 4A and 4B.
  • FIG. 4A is a plan view showing an example of a heat dissipating support member constituting the LED bulb according to the embodiment.
  • FIG. 4B is a front view showing an example of a heat dissipating support member constituting the LED bulb according to the embodiment.
  • the both-sides edge 13c of the front end surface 13a of the thermal radiation support member 13 is formed by two parallel straight lines of the same width as the board
  • a protrusion 13 b to be fitted to the fitting hole 11 b of the substrate body 11 of the LED substrate 100 is provided on the front end surface 13 a of the heat dissipating support member 13, a protrusion 13 b to be fitted to the fitting hole 11 b of the substrate body 11 of the LED substrate 100 is provided.
  • the heat dissipating support member 13 is preferably formed of a material such as an aluminum alloy, which has a thermal conductivity larger than that of the material of the substrate body 11 or the heat dissipating path 12.
  • the heat conduction to the heat radiation supporting member 13 can be improved, and the heat can be effectively radiated.
  • the heat conductivity of the heat dissipating support member 13 be larger than the heat conductivity of the material of the heat dissipating path 12.
  • the projection 13 b of the heat dissipation support member 13 is inserted into the fitting hole 11 b of the substrate body 11 to overlap the central portion of the back surface 11 c of the substrate body 11 to support the LED substrate 100 constituting the LED module 200.
  • the tip end surface 13 a of the heat dissipating support member 13 is connected to the heat dissipating pattern portion 12 b at the central portion of the heat dissipating path 12, that is, the connecting portion 12 c in an overlapping manner.
  • the heat dissipating support member 13 for supporting the LED module 200 is formed, and the heat dissipating support member 13 is accommodated in the globe 19 constituting the LED light bulb 300.
  • FIG. 5 is a front view showing an example of the LED bulb according to the embodiment.
  • the LED light bulb 300 of the present embodiment is configured by incorporating the LED module 200 supported by the heat dissipation support member 13 in the globe 19 integrated with the base 20 at the proximal end. Ru.
  • the base end of the heat dissipating support member 13 is fixed to the base (not shown) in the base 20.
  • the tip end portions of the pair of lead wires 14 led out from the base are connected to the connection holes 11 d of the LED substrate 100 constituting the LED module 200.
  • the LED chip 10 is energized from the pair of lead wires 14 through the connection holes 11 d of the LED substrate 100, the wiring portions 15, and the thin metal wires 17.
  • the energized LED chip 10 emits light from the front surface 10 b and the back surface 10 a.
  • the light emitted from the LED chip 10 is converted to a predetermined color by the phosphor and the phosphor layer 16 contained in the translucent resin 18 and emitted from substantially the entire surface (including the entire surface) of the globe 19. Ru.
  • the light emitted from the back surface of the LED chip 10 is blocked in the portion where the front end surface 13 a of the heat dissipation support member 13 overlaps the back surface 11 c of the substrate body 11, the influence on the light emitted from the entire LED bulb 300 is small. So it doesn't matter.
  • the LED chip 10 generates heat by light emission.
  • the generated heat is transferred from the heat transfer passage portion 12 a of the heat dissipation path 12 to the heat dissipation pattern portion 12 b and dissipated through the heat dissipation pattern portion 12 b. Further, the generated heat is transferred to the heat dissipating support member 13 connected to the connection portion 12 c of the heat dissipating pattern portion 12 b, and is also dissipated through the heat dissipating support member 13. Therefore, the heat generated by the light emission is not stored in the LED chip 10.
  • the overlapping area of the heat dissipation pattern portion 12 b provided on the LED substrate 100 and the phosphor layer 16 is 75% or less of the area of the phosphor layer 16. Therefore, the light emission of the LED light bulb 300 is not hindered.
  • the LED bulb according to the present embodiment can efficiently dissipate the heat generated by the LED chip 10 without degrading the light emission performance of the LED chip 10 by the heat dissipation path 12. Thereby, overheating of the LED chip 10 can be prevented, and failure or damage can be prevented in advance. As a result, it is possible to realize an LED bulb having a long life and high reliability.
  • FIG. 6 is a bottom view showing a schematic configuration of an LED module according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of the LED module according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing the LED module according to the same embodiment.
  • the present embodiment is different from the heat dissipation path 12 of the first embodiment in the configuration of the heat dissipation path 12.
  • the other configurations and operations are similar to those of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
  • the same parts as the parts described in the first embodiment will be described with the same reference numerals.
  • a cylindrical through hole 11e is formed, and the through hole 11e is filled with a paste material such as copper, silver or silver brazing material, for example.
  • the heat transfer passage 12a is provided.
  • the cylindrical through hole 11 e is formed by, for example, a drill or the like.
  • the heat radiation pattern portion 12b connected to the heat transfer passage portion 12a is a completely overlapping connection portion 12c having the same shape as the tip end surface 13a of the heat radiation support member 13 described in FIG.
  • a pattern 12d shaped like a fishbone chart is formed on both sides of the connection portion 12c.
  • the patterns 12 d that constitute the heat radiation pattern portions 12 b on both sides of the heat radiation path 12 are basically formed between the adjacent phosphor layers 16 and the phosphor layers 16.
  • the heat dissipation pattern portion 12 b of the heat dissipation path 12 is formed to be continuous with the heat transfer passage portion 12 a from the long side of the phosphor layer 16.
  • the distance W between the long side of the phosphor layer 16 and the LED chip 10 is the distance between the short side of the phosphor layer 16 and the LED chip 10 It is shorter than L.
  • the patterns 12 d of the heat radiation pattern portion 12 b are formed to be continuous with the respective heat transfer passage portions 12 a of the heat radiation path 12 at the shortest distance. As a result, the area of the heat radiation pattern portion 12 b (pattern 12 d) crossing the phosphor layer 16 can be reduced.
  • the pattern 12 d of the heat radiation pattern portion 12 b is provided opposite to the phosphor layer 16 in the minimum necessary range (area) via the substrate main body 11 at a location other than the connection portion 12 c.
  • the LED chip 10 is mounted on the phosphor layer 16 of the LED substrate 100, and the LED chip 10 and the wiring portion 15 of the LED substrate 100 are connected by the thin metal wires 17. Furthermore, the LED chip 10 and the metal thin line 17 are sealed with a translucent resin 18 containing a phosphor.
  • the LED module 200 of the present embodiment is configured.
  • the protrusion 13b provided on the front end surface 13a of the heat dissipation support member 13 shown in FIGS. 4A and 4B is fitted into the fitting hole 11b of the substrate body 11 of the LED module 200.
  • the front end surface 13 a of the heat dissipating support member 13 is connected in a state of being overlapped with the heat dissipating pattern portion 12 b at the central portion of the heat dissipating path 12, that is, the connecting portion 12 c.
  • the LED light bulb 300 is configured by incorporating the LED module 200 supported by the heat dissipation support member 13 in the globe 19.
  • the heat generated by the light emission of the LED chip 10 is transferred from the heat transfer passage 12a of the heat radiation path 12 to the heat radiation pattern 12b, and the heat radiation pattern Heat is dissipated through the portion 12b. Further, the generated heat is transferred to the heat dissipating support member 13 connected to the connection portion 12 c of the heat dissipating pattern portion 12 b, and is also dissipated through the heat dissipating support member 13. Therefore, the heat generated by the light emission is not stored in the LED chip 10.
  • connection portion 12c of the heat dissipation pattern portion 12b is connected to the entire end surface 13a of the heat dissipation support member 13, the heat generated by the LED chip 10 is transferred to the heat dissipation support member 13 more efficiently. it can.
  • a plurality of through holes may be formed to form the heat transfer passage portion 12 a of the heat radiation path 12.
  • a plurality of small diameter through holes can be opened and filled with a conductive material to form the heat transfer passage 12a.
  • the present invention can be variously modified without being limited to the above embodiments.
  • the heat radiation pattern portion 12b of the heat radiation path 12 shown in FIGS. 1 and 6 is an example, and there are various other patterns.
  • the heat radiation pattern portion shown in FIG. 1 and the heat radiation pattern portion 12b shown in FIG. 6 may be combined.
  • the groove 11f is formed in the substrate main body 11 and the heat dissipation pattern portion 12b of the heat dissipation path 12 is filled in the groove 11f. If there is little heat to be dissipated, copper, silver or a silver brazing material may be applied to the back surface 11c of the substrate main body 11 as in the second embodiment shown in FIG. 8, for example. This improves productivity and the like.
  • the said each embodiment demonstrated the example which comprised the board
  • the LED light bulb 300 including the LED substrate 100 and the heat dissipation support member 13 for supporting the LED module 200 has been described as an example.
  • the present invention is not limited thereto. Good. In this case, it is not particularly necessary to form the heat dissipation pattern portion 12 b of the heat dissipation path 12 at a portion of the LED substrate 100 supported by the heat dissipation support member 13.
  • the LED module 200 which provided the fluorescent substance layer 16 was demonstrated to the example, not only this but the structure which does not provide the fluorescent substance layer 16 may be sufficient.
  • the structure can be simplified, and the heat generated in the LED chip 10 can be effectively transferred to the substrate main body 11 to be dissipated.
  • the LED substrate according to the present invention has a light-transmitting substrate main body on which the LED chip is mounted on the front surface side, and a heat radiation path for dissipating heat generated by the LED chip provided on the substrate main body And. Then, the substrate body is formed with a through hole penetrating from the front surface to the back surface of the substrate body on which the LED chip is disposed, and the heat dissipation path is provided in the heat transfer passage portion provided in the through hole and the back surface of the substrate body And a heat dissipation pattern portion connected to the heat transfer passage portion.
  • the heat generated in the LED chip can be transferred from the heat transfer passage portion of the heat dissipation path to the heat dissipation pattern portion and dissipated, so that overheating of the LED chip can be suppressed.
  • the LED substrate of the present invention has a plurality of heat transfer passage portions provided in a plurality of through holes corresponding to a plurality of LED chips mounted on the substrate body, and is formed in a lattice or ladder shape.
  • the heat transfer passage portion may be connected by the heat dissipation pattern portion.
  • the heat transfer passage portion of the heat dissipation path is provided for each LED chip, and the heat transfer passage portion and the heat dissipation pattern portion are connected.
  • heat generated in the plurality of LED chips can be transferred from the heat transfer passage portion connected to the heat dissipation pattern portion to be dissipated.
  • overheating of the LED chip can be effectively suppressed.
  • the through holes may be formed in a funnel shape in which the diameter of the back surface side is larger than that of the front surface side of the substrate body.
  • the through hole is provided in a funnel shape, for example, a truncated cone shape or a truncated pyramid shape, and the heat transfer passage is provided in the through hole.
  • the heat transfer passage can be enlarged and the heat dissipation can be enhanced, as compared with the cylindrical heat transfer passage.
  • the contact area between the heat transfer passage portion and the substrate body is large, and can be provided in a state of being punched like a weir. As a result, the adhesion between the heat transfer passage portion and the substrate body can be improved, and the reliability can be improved.
  • channel is provided in the back surface side of the board
  • the heat dissipation pattern portion can be formed in the groove by filling or the like.
  • the adhesion between the heat dissipation pattern portion and the substrate body of the LED substrate can be improved to improve the reliability.
  • the cross-sectional area of the heat radiation pattern portion can be made larger as compared with the case where it is thinly formed on the back surface of the substrate body, the heat radiation can be further improved.
  • the LED substrate of the present invention may be provided with a connection portion connected to the heat dissipation support member on the back surface of the substrate body.
  • the heat generated in the LED chip is transferred from the heat transfer passage portion of the heat dissipation path via the heat dissipation pattern portion to the heat dissipation support member
  • the heat is dissipated to a member such as a base.
  • the heat generated in the LED chip can be effectively dissipated to the outside.
  • the LED substrate of the present invention further includes a phosphor layer on the surface of the substrate body at the position where the LED chip is mounted, and the heat radiation pattern portion of the heat radiation path faces the phosphor layer through the substrate body. It may be provided.
  • the heat radiation pattern portion of the heat radiation path does not become an obstacle for the light radiation. That is, by making the heat radiation pattern portion of the heat radiation path face the phosphor layer across the substrate body, the light emitted from the back surface of the LED chip can be radiated from the back surface of the substrate body with a predetermined amount of light.
  • the LED module of the present invention is also provided with the above LED substrate, an LED chip mounted on the phosphor layer of the LED substrate, and a translucent resin containing a phosphor for sealing the LED chip. Good.
  • the LED module which can control overheating of a LED chip is realizable.
  • the LED light bulb of the present invention may be configured by incorporating the above-mentioned LED module connected to the heat dissipation support member in a glove.
  • the LED module is not overheated even if the LED chip emits light. This makes it possible to realize a highly reliable LED bulb with a long life.
  • the present invention can effectively utilize the LED substrate and the LED module having excellent heat dissipation characteristics as components of the LED bulb. Therefore, it is useful to fields, such as a LED lightbulb suitable as an alternative light source of an incandescent lamp in which low cost and high reliability are required.

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Abstract

 本発明のLED用基板(100)は、LEDチップが表面側に搭載される透光性を有する基板本体(11)と、基板本体(11)に設けられる、LEDチップで発生する熱を放熱させる放熱経路(12)と、を備える。そして、基板本体(11)は、LEDチップの配置される基板本体(11)の表面から裏面に貫通するスルーホールが形成され、放熱経路(12)は、スルーホールに設けられた伝熱通路部(12a)と、基板本体(11)の裏面に設けられ、伝熱通路部(12a)と連結する放熱パターン部(12b)とを備える。これにより、放熱性に優れたLED用基板(100)を実現する。

Description

LED用基板、LEDモジュールおよびLED電球
 本発明は、LED(Light Emitting Diode)チップを搭載するLED用基板と、LED用基板にLEDチップを搭載したLEDモジュールおよびLEDモジュールを備えたLED電球に関する。
 近年、普及しつつあるLED電球は、密閉されたグローブ内にLEDモジュールを内蔵している。LEDモジュールは、LED用基板上にLEDチップを搭載し、LEDチップを透光性の樹脂によって封止した組立部材から構成されている。
 そして、LEDチップに電力を供給して発光させると、LEDチップの発光に寄与しない電力によりLEDチップの温度が上昇する。この場合、LEDチップの放熱対策が不十分であると、LEDチップが故障または破損する。そこで、LEDチップの放熱性を改良したLEDモジュール(LEDパッケージ)が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
 以下に、特許文献1に記載のLEDモジュールについて、図9を用いて説明する。図9は、従来のLEDモジュールの一例を示す断面正面図である。
 図9に示すように、特許文献1に記載のLEDモジュールは、シリコンやセラミックなどからなる基板1の一面に、底部と斜面とを有する凹部1aが設けられている。そして、凹部1aの中心に設置用パターン3が形成され、設置用パターン3上に導電性ペースト(図示せず)を介してLEDチップ2が搭載されている。
 また、凹部1aの斜面には、配線用パターン5が形成され、配線用パターン5は、LEDチップ2と、金属細線6によって接続されている。そして、LEDチップ2、配線用パターン5および金属細線6は、透光性を有する樹脂4によって封止されている。樹脂4には、蛍光体が添加されている。
 また、基板1の凹部1aの中心から基板1の反対面までスルーホール1bが形成され、スルーホール1bには接続部7が形成されている。基板1の反対面でスルーホール1bの周囲には、放熱用パターン8が設けられている。そして、放熱用パターン8と設置用パターン3とは、スルーホール1bに設けられた接続部7を介して接続されている。これにより、従来のLEDモジュールは、LEDチップ2で発生する熱を、導電性ペースト、設置用パターン3、接続部7、放熱用パターン8へと順次伝熱して、放熱用パターン8を介して外部へ放熱している。
 しかし、LEDモジュールの基板1には、放熱性に優れた高価なセラミックを用いるため、LEDモジュールを備えたLED電球のコストが上昇する。
 そこで、LED電球のコスト上昇を抑えるために、LEDモジュールの基板1に、例えば安価なガラスを用いることが考えられる。
 しかし、ガラスは熱伝導率が低いため、LEDモジュールの基板1に使用した場合、LEDチップ2で発生した熱を十分に放熱できないという課題があった。
 一方、放熱性に優れたセラミックを用いてLEDモジュールの基板1を形成しても、LEDチップ2の発光量が大きくなるにしたがって、LEDチップ2で発生する熱が増加する。そのため、放熱性に優れたセラミックを用いても、LEDチップ2で発生する熱を十分に放熱できない場合がある。
 そこで、従来から、低コストで放熱性に優れたLED用基板、LEDモジュールおよびLED電球が要望されている。
特開2002-23229号公報
 上記課題を解決するために、本発明のLED用基板は、LEDチップが表面側に搭載される透光性を有する基板本体と、基板本体に設けられる、LEDチップで発生する熱を放熱させる放熱経路と、を備える。そして、基板本体は、LEDチップの配置される基板本体の表面から裏面に貫通するスルーホールが形成され、放熱経路は、スルーホールに設けられた伝熱通路部と、基板本体の裏面に設けられ、伝熱通路部と連結する放熱パターン部とを備える。
 これにより、LEDチップで発生した熱を、放熱経路の伝熱通路部から放熱パターン部へ伝熱して放熱できるので、LEDチップの過熱を抑制できる。
 また、複数のLEDチップが設けられる場合、放熱経路の伝熱通路部をLEDチップごとに設け、それぞれの伝熱通路部と放熱パターン部とを連結する。これにより、複数のLEDチップで発生した熱を、連結した伝熱通路部から放熱パターン部に伝熱して放熱できる。その結果、LEDチップの過熱を効果的に抑制できる。
 また、本発明のLEDモジュールは、上記LED用基板と、LED用基板の蛍光体層に搭載されたLEDチップと、LEDチップを封止する蛍光体を含む透光性樹脂と、を備える。
 これにより、LEDチップの過熱を抑制できるLEDモジュールを実現できる。
 また、本発明のLED電球は、放熱支持部材と接続された、上記LEDモジュールをグローブ内に内蔵して構成される。
 これにより、高寿命で、信頼性に優れたLED電球を実現できる。
図1は、本発明の実施の形態1に係るLEDモジュールの概略構成を示す底面図である。 図2は、同実施の形態に係るLEDモジュールの概略構成を示す平面図である。 図3は、同実施の形態に係るLEDモジュールを示す部分断面図である。 図4Aは、同実施の形態に係るLED電球を構成する放熱支持部材の一例を示す平面図である。 図4Bは、同実施の形態に係るLED電球を構成する放熱支持部材の一例を示す正面図である。 図5は、同実施の形態に係るLED電球の一例を示す正面図である。 図6は、本発明の実施の形態2に係るLEDモジュールの概略構成を示す底面図である。 図7は、同実施の形態に係るLEDモジュールの概略構成を示す平面図である。 図8は、同実施の形態に係るLEDモジュールを示す部分断面図である。 図9は、従来のLEDモジュールの一例を示す断面正面図である。
 以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
 (実施の形態1)
 以下、本発明の実施の形態1に係るLED用基板とそれを有するLEDモジュールおよびそれらを備えたLED電球について、図を用いて説明する。
 まず、本実施の形態に係るLED用基板とそれを有するLEDモジュールについて、図1から図3を用いて説明する。
 図1は、本発明の実施の形態1に係るLEDモジュールの概略構成を示す底面図である。図2は、同実施の形態に係るLEDモジュールの概略構成を示す平面図である。図3は、同実施の形態に係るLEDモジュールを示す部分断面図である。
 図1と図2に示すように、本実施の形態のLED用基板100は、少なくとも嵌合孔11bや接続孔11dが形成された基板本体11と、配線部15と、放熱経路12とから構成されている。
 基板本体11は、例えばホウケイ酸ガラスなどの透光性を有するガラスからなる、例えば長方形の板状で形成されている。配線部15は、基板本体11の表面11a側に設けられる。なお、配線部15間には、後述する蛍光体層16と、蛍光体層16上にLEDチップが、所定の配置パターンで配置される。
 また、放熱経路12は、伝熱通路部12aと、放熱パターン部12bと、接続部12cとから構成されている。このとき、放熱経路12は、例えば基板本体11がガラス製の場合、ガラスよりも熱伝導率が高い銅、銀や銀ろう材などのペーストで形成される。
 そして、伝熱通路部12aは、搭載されるLEDチップの位置に対応して設けられ、基板本体11の表面11aから裏面11cに貫通するスルーホール11eに上記ペーストを充填して、例えば熱硬化することにより形成される。接続部12cは、後述する放熱支持部材13の先端面13aと重なり合う基板本体11の嵌合孔11bの周囲の放熱パターン部12bから構成される。
 このとき、複数のLEDチップ10が搭載される場合、複数の伝熱通路部12aを連結する放熱パターン部12bは、以下で詳細に説明するように、嵌合孔11bを避けて、例えば格子状または梯子状に構成して、形成される。これにより、LEDチップ10の裏面からの発光の障害とならないように、放熱パターン部12bを展開して設けることができる。
 つまり、図1に示すように、放熱パターン部12bは、基板本体11の裏面11c側において、基板本体11の一方の側縁11g側の伝熱通路部12aと他方の側縁11h側の伝熱通路部12aとを結ぶように、短辺ライン12b1と、長辺ライン12b2と、センターライン12b3と、に展開して構成される。
 短辺ライン12b1は、蛍光体層16の短辺部16aから導出され、基板本体11の両方の側縁11g、11h側の伝熱通路部12aを結ぶ。なお、基板本体11の中心部近傍における短辺ライン12b1は、長辺ライン12b2まで結ばれ、反対側の短辺ライン12b1とは結ばれていない。長辺ライン12b2は、基板本体11の各側縁11g、11hに沿うように、短辺ライン12b1を結ぶ。
 センターライン12b3は、基板本体11の中心部近傍および両端部を除いて、例えば中心線で短辺ライン12b1を結ぶ。
 このとき、放熱経路12の放熱パターン部12bの一部は、基板本体11を介して蛍光体層16と対向して設けられる。そのため、対向する放熱パターン部12bの一部は、蛍光体層16を介して基板本体11の裏面11c側に放射される光を、部分的に遮る。そこで、放熱パターン部12bによって遮られる蛍光体層16の面積を、蛍光体層16の面積に対して、例えば75%以下とすることが好ましい。これにより、基板本体11の裏面11c側に、効率的に光を放射することができる。
 なお、同様に、図4Aと図4Bで後述する放熱支持部材13の先端面13aと重なり合う基板本体11の中心部の嵌合孔11b近傍は、放熱支持部材13によってLEDチップ10から放射される裏面10aへの発光が遮られる。そのため、基板本体11の中心部の放熱パターン部12bは、蛍光体層16と全面で対向して、全面に設けてもよい。
 また、本実施の形態の放熱パターン部12bは、基板本体11の裏面11cに、例えばサンドブラスト法で、溝11f(図3参照)を形成し、形成した溝11fに、例えば銅、銀や銀ろう材などの材料を充填することにより設けられる。これにより、放熱パターン部12bとLED用基板100の基板本体11との密着性が向上して信頼性を高めることができる。また、基板本体11の裏面11c上に薄く形成する場合と比べて、放熱パターン部12bの断面積を大きくできるため、さらに放熱性を向上できる。
 以上のように、本実施の形態の放熱パターン部12bが構成される。
 また、図1と図2に示すように、基板本体11の嵌合孔11bは、基板本体11の中心部近傍に形成され、放熱支持部材13(ヒートシンク)の先端面13aに設けられた突起13b(図4B参照)が嵌入されて、放熱支持部材13を固定する。
 また、基板本体11の接続孔11dは、基板本体11の両端側の配線部15に設けられ、LED電球300に備えられる一対のリード線14(図5参照)と接続される。
 また、図2に示すように、基板本体11の表面11a側に設けられる配線部15は、例えば銀ペーストなどにより形成され、例えば接続孔11dを含む部分と基板本体11の両方の側縁11g、11hに沿う部分のLEDチップ10間に設けられている。このとき、基板本体11の両方の側縁11g、11hに沿う配線部15は、離散的に、不連続かつ等間隔に設けられている。
 以上により、本実施の形態のLED用基板100が構成される。
 以下に、本実施の形態のLEDモジュールについて、図1と図2を参照しながら、図3を用いて説明する。
 図3は、同実施の形態に係るLEDモジュールを示す断面正面図である。
 図3に示すように、本実施の形態のLEDモジュール200は、少なくともLED用基板100の表面11a側に設けられた蛍光体層16と、蛍光体層16上に搭載されたLEDチップ10と、少なくともLEDチップを封止する蛍光体を含む透光性樹脂18とから構成されている。このとき、LEDチップ10と配線部15とは、例えば金などの金属細線17で接続される。なお、透光性樹脂18は、LEDチップ10を個々に封止せず、生産性などを考慮すると、列ごとに封止することが好ましい。しかし、LEDチップ10を個々に封止してもよいことは、いうまでもない。
 蛍光体層16上に搭載される、平面視が正方形状のLEDチップ10は、図2に示す基板本体11の表面11aに設けた配線部15間に設けられている。なお、図2には、LEDチップ10を、基板本体11の両方の側縁11g、11hに沿った平行な2列に設けた例で示しているが、これに限られない。例えば、1列または3列以上に設けてもよい。また、1列に含まれるLEDチップ10の個数も、図2に示す例に限定されないことはいうまでもない。
 そして、蛍光体層16は、LEDチップ10の裏面10a側から放射される光を所定の色に変換する。そして、変換された光は、基板本体11の裏面11cから放射される。なお、蛍光体層16は、LEDチップ10の外形よりも大きい、長方形状で形成することが好ましい。同様に、透光性樹脂18は、LEDチップ10の表面10b側から放射される光を所定の色に変換する。そして、変換された光は、透光性樹脂18から放射される。これらにより、LEDチップ10から放射される光を有効に利用できるとともに、LEDモジュールの上下方向から広範囲に光を放射できる。
 また、図3に示すように、基板本体11のLEDチップ10を搭載する位置には、基板本体11の表面11aから裏面11cにスルーホール11eが形成されている。このとき、スルーホール11eは、安価な、例えばサンドブラスト法などにより、基板本体11の表面11a側が小径で、裏面11c側が大径となる、漏斗形状に形成されている。
 そして、スルーホール11e内に、例えば銅、銀や銀ろう材などのペースト材料を充填することにより、例えば截頭円錐形状の放熱経路12の伝熱通路部12aが形成される。このとき、伝熱通路部12aを截頭円錐形状で形成することにより、円柱状の伝熱通路部12aと比較して、伝熱通路部12aと基板本体11との接触面積が大きくできるとともに、楔のように打ち込まれた状態にできる。これにより、放熱性が高まるとともに、伝熱通路部12aと基板本体11との密着性を向上させて信頼性を高めることができる。なお、スルーホール11eの形状として、截頭円錐形状の漏斗形状を例に説明したが、これに限られない。例えば、截頭角錐形状のテーパ形状で形成してもよい。
 以上により、本実施の形態のLEDモジュール200が構成される。
 以下に、本実施の形態のLED電球について、図を用いて説明する。
 まず、LED電球300に内蔵されるLEDモジュール200を支持する放熱支持部材13について、図4Aと図4Bを用いて説明する。
 図4Aは、同実施の形態に係るLED電球を構成する放熱支持部材の一例を示す平面図である。図4Bは、同実施の形態に係るLED電球を構成する放熱支持部材の一例を示す正面図である。
 図4Aと図4Bに示すように、放熱支持部材13の先端面13aの両側縁13cは基板本体11と同一幅の2本の平行な直線で形成され、先端面13aの両端13dは円弧形で形成された、いわゆる小判形状を有している。また、放熱支持部材13の先端面13aには、LED用基板100の基板本体11の嵌合孔11bと嵌合する突起13bが設けられている。なお、放熱支持部材13は、基板本体11もしくは放熱経路12の材質よりも熱伝導率が大きい、例えばアルミニウム合金などの材料で成形することが好ましい。これにより、放熱支持部材13への熱伝導を向上させて、効果的に放熱できる。しかし、放熱支持部材13の熱伝導率が、放熱経路12の材質の熱伝導率よりも大きいことは、必ずしも必要ではない。
 そして、放熱支持部材13の突起13bを基板本体11の嵌合孔11bに嵌入することにより、基板本体11の裏面11cの中心部分と重なり合って、LEDモジュール200を構成するLED用基板100を支持する。このとき、放熱支持部材13の先端面13aが放熱経路12の中心部の放熱パターン部12b、すなわち接続部12cと重なり合って接続される。
 以上により、LEDモジュール200を支持する放熱支持部材13が形成され、LED電球300を構成するグローブ19内に収納される。
 つぎに、本実施の形態のLED電球について、図5を用いて説明する。
 図5は、同実施の形態に係るLED電球の一例を示す正面図である。
 図5に示すように、本実施の形態のLED電球300は、放熱支持部材13に支持されたLEDモジュール200が、基端部で口金20と一体化されるグローブ19内に内蔵して構成される。このとき、口金20内のベース(図示せず)に放熱支持部材13の基端が固定される。また、ベースから導出される一対のリード線14の先端部が、LEDモジュール200を構成するLED用基板100の接続孔11dと接続される。これにより、一対のリード線14からLED用基板100の接続孔11d、配線部15、金属細線17を介して、LEDチップ10に通電される。
 そして、通電されたLEDチップ10は、表面10bおよび裏面10aから光を放射する。LEDチップ10から放射された光は、透光性樹脂18に含まれている蛍光体および蛍光体層16によって、所定の色に変換されて、グローブ19の略全面(全面を含む)から放射される。なお、放熱支持部材13の先端面13aが基板本体11の裏面11cと重なり合う部分では、LEDチップ10の裏面から放射された光が遮られるが、LED電球300全体から放射される光に対する影響は少ないので、問題とはならない。
 このとき、通常、LEDチップ10は、発光により熱が発生する。
 しかし、本実施の形態によれば、発生した熱は、放熱経路12の伝熱通路部12aから放熱パターン部12bに伝熱され、放熱パターン部12bを介して放熱される。さらに、発生した熱は、放熱パターン部12bの接続部12cと接続された放熱支持部材13に伝熱され、放熱支持部材13を介しても放熱される。そのため、発光により発生した熱が、LEDチップ10に蓄熱されない。
 また、LEDチップ10の裏面10aから放射された光は、蛍光体層16を通過して、一部が放熱経路12の放熱パターン部12bに遮られて放射される。しかし、本実施の形態によれば、LED用基板100に設けられた放熱パターン部12bと蛍光体層16との重なる面積を、蛍光体層16の面積の75%以下としている。そのため、LED電球300の光の放射の支障とならない。
 上述したように、本実施の形態のLED電球は、放熱経路12によりLEDチップ10の光の放射の性能を低下させることなく、LEDチップ10で発生した熱を効率的に放熱できる。これにより、LEDチップ10の過熱を防止して、故障や損傷を未然に防止できる。その結果、長寿命で、高い信頼性を有するLED電球を実現できる。
 (実施の形態2)
 本発明の実施の形態2に係るLED用基板とそれを有するLEDモジュールおよびそれらを備えたLED電球について、図6から図8を用いて説明する。
 図6は、本発明の実施の形態2に係るLEDモジュールの概略構成を示す底面図である。図7は、同実施の形態に係るLEDモジュールの概略構成を示す平面図である。図8は、同実施の形態に係るLEDモジュールを示す部分断面図である。
 本実施の形態は、放熱経路12の構成が、実施の形態1の放熱経路12と異なる。なお、他の構成や動作は、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。また、実施の形態1で説明した部分と同一部分は、同一符号を付して説明する。
 すなわち、図8に示すように、本実施の形態のLED用基板100は、円筒状のスルーホール11eが形成され、スルーホール11eに、例えば銅、銀や銀ろう材などのペースト材料を充填して伝熱通路部12aが設けられている。なお、円筒状のスルーホール11eは、例えばドリルなどによって形成される。
 また、図6に示すように、伝熱通路部12aに連結される放熱パターン部12bは、図3で説明した放熱支持部材13の先端面13aと同じ形状の全面的に重なり合う接続部12cと、接続部12cの両側に、例えばフィッシュボーンチャートのような形状のパターン12dから構成されている。
 そして、図6に示すように、放熱経路12の両側の放熱パターン部12bを構成するパターン12dは、基本的に、隣り合う蛍光体層16と蛍光体層16との間に形成される。
 さらに、放熱経路12の放熱パターン部12bは、蛍光体層16の長辺から伝熱通路部12aと連続するように形成される。
 このとき、蛍光体層16が長方形状に形成されているので、蛍光体層16の長辺側とLEDチップ10との距離Wが、蛍光体層16の短辺側とLEDチップ10との距離Lよりも短くなる。
 これにより、放熱パターン部12bのパターン12dは、放熱経路12のそれぞれの伝熱通路部12aと最短距離で連続するように形成される。その結果、蛍光体層16を横切る放熱パターン部12b(パターン12d)の面積を小さくできる。
 つまり、上記放熱パターン部12bのパターン12dは、接続部12c以外の箇所において、基板本体11を介して必要最小限の範囲(面積)で蛍光体層16と対向して設けられる。これにより、放熱パターン部12bで部分的に遮られる、蛍光体層16を介して基板本体11の裏面11c側に放射される光の量を、さらに抑制できる。その結果、より発光量の大きいLEDモジュールおよびそれを備えるLED電球を実現できる。
 そして、図8に示すように、上記LED用基板100の蛍光体層16上にLEDチップ10を搭載して、LEDチップ10とLED用基板100の配線部15とを金属細線17によって接続する。さらに、蛍光体を含む透光性樹脂18で、LEDチップ10や金属細線17を封止する。これにより、本実施の形態のLEDモジュール200が構成される。
 さらに、上記LEDモジュール200の基板本体11の嵌合孔11bに、図4Aと図4Bに示した放熱支持部材13の先端面13aに設けられた突起13bを嵌入する。これにより、放熱支持部材13の先端面13aが放熱経路12の中心部の放熱パターン部12b、すなわち接続部12cと重なり合った状態で接続される。
 また、図5に示すように、放熱支持部材13に支持されたLEDモジュール200をグローブ19内に内蔵することにより、LED電球300が構成される。
 本実施の形態によれば、実施の形態1で説明したように、LEDチップ10の発光により発生した熱は、放熱経路12の伝熱通路部12aから放熱パターン部12bに伝熱され、放熱パターン部12bを介して放熱される。さらに、発生した熱は、放熱パターン部12bの接続部12cと接続された放熱支持部材13に伝熱され、放熱支持部材13を介しても放熱される。そのため、発光により発生した熱が、LEDチップ10に蓄熱されない。このとき、放熱パターン部12bの接続部12cは、放熱支持部材13の先端面13aと全面で接続されるので、より、効率的に、LEDチップ10で発生した熱を放熱支持部材13に伝熱できる。
 なお、本実施の形態では、円筒状のスルーホール11eは、LEDチップ10に対して1本だけ形成する例で説明したが、これに限られない。例えば、少なくともLEDチップ10の形状の範囲内であれば、複数のスルーホールを形成して、放熱経路12の伝熱通路部12aを形成してもよい。これにより、例えば小さい穴しか開けられない加工方法の場合、複数の小径のスルーホールを開けて導電性の材料を充填して伝熱通路部12aを形成できる。その結果、放熱経路12の伝熱通路部12aによる熱の放熱経路の面積を大きくして、LEDチップ10で発生する熱を効果的に放熱できる。
 なお、本発明は、上記各実施の形態に限定することなく種々変更することができる。
 すなわち、図1や図6に示した放熱経路12の放熱パターン部12bは、一例であって、他に種々のパターンがあることはいうまでもない。例えば、図1に示した放熱パターン部と、図6に示した放熱パターン部12bとを組み合わせてもよい。
 また、実施の形態1では、基板本体11に溝11fを形成し、溝11fに放熱経路12の放熱パターン部12bを充填して設ける例で説明したが、これに限られない。放熱する熱が少ない場合には、例えば図8に示す実施の形態2のように、基板本体11の裏面11cに、銅、銀や銀ろう材を塗布して設けてもよい。これにより、生産性などが向上する。
 また、上記各実施の形態では、LED用基板100の基板本体11をガラスで構成した例で説明したが、これに限られない。さらに、放熱性能の向上を目的とする場合には、例えばガラス以外に透光性セラミックなどで形成してもよい。この場合、LED用基板100の基板本体11の材質の熱伝導率より大きな熱伝導率を有する放熱経路12の材料を選択することが好ましい。
 また、上記各実施の形態では、LED用基板100およびLEDモジュール200を支持する放熱支持部材13を備えるLED電球300を例に説明したが、これに限られず、放熱支持部材13を備えない構成でもよい。この場合、特に、LED用基板100の放熱支持部材13に支持される箇所に放熱経路12の放熱パターン部12bを形成する必要がない。
 また、上記各実施の形態では、蛍光体層16を設けたLEDモジュール200を例に説明したが、これに限らず、蛍光体層16を設けない構成であってもよい。これにより、構成を簡略にできるとともに、LEDチップ10で発生した熱を、基板本体11により効果的に伝熱して、放熱できる。
 以上で説明したように、本発明のLED用基板は、LEDチップが表面側に搭載される透光性を有する基板本体と、基板本体に設けられる、LEDチップで発生する熱を放熱させる放熱経路と、を備える。そして、基板本体は、LEDチップの配置される基板本体の表面から裏面に貫通するスルーホールが形成され、放熱経路は、スルーホールに設けられた伝熱通路部と、基板本体の裏面に設けられ、伝熱通路部と連結する放熱パターン部とを備える。
 この構成によれば、LEDチップで発生した熱を、放熱経路の伝熱通路部から放熱パターン部へ伝熱して放熱できるので、LEDチップの過熱を抑制できる。
 また、本発明のLED用基板は、基板本体に、搭載される複数のLEDチップに対応して、複数のスルーホールに設けられた複数の伝熱通路部を有し、格子状または梯子状からなる放熱パターン部により、伝熱通路部が連結されてもよい。
 この構成によれば、複数のLEDチップが設けられる場合、放熱経路の伝熱通路部をLEDチップごとに設け、それぞれの伝熱通路部と放熱パターン部とを連結する。これにより、複数のLEDチップで発生した熱を、連結した伝熱通路部から放熱パターン部に伝熱して放熱できる。その結果、LEDチップの過熱を効果的に抑制できる。
 また、本発明のLED用基板は、スルーホールは、基板本体の表面側よりも裏面側を拡径した漏斗形状に形成されていてもよい。
 この構成によれば、スルーホールを漏斗形状、例えば截頭円錐形状または截頭角錐形状に設け、そのスルーホールに伝熱通路部が設けられる。これにより、円柱状の伝熱通路部と比較して、伝熱通路部を大きくして、放熱性を高めることができる。さらに、伝熱通路部と基板本体との接触面積が大きく、かつ楔のように打ち込まれた状態で設けることができる。その結果、伝熱通路部と基板本体との密着性が向上して、信頼性を高めることができる。
 また、本発明のLED用基板は、基板本体の裏面側に溝が設けられ、放熱パターン部は、溝に設けられていてもよい。
 この構成によれば、放熱パターン部を充填などにより溝に形成できる。これにより、放熱パターン部とLED用基板の基板本体との密着性が向上して信頼性を高めることができる。また、放熱パターン部の断面積を、基板本体の裏面に薄く形成する場合と比較して大きくできるため、さらに放熱性を向上できる。
 また、本発明のLED用基板は、基板本体の裏面に、放熱支持部材と接続する接続部を設けてもよい。
 これにより、接続部に放熱支持部材が接続してLED電球を構成した場合、LEDチップで発生した熱を放熱経路の伝熱通路部から放熱パターン部を経由して、放熱支持部材からLED電球の口金などの部材へ放熱される。その結果、LEDチップで発生した熱を、効果的に外部に放熱できる。
 また、本発明のLED用基板は、基板本体の表面で、LEDチップを搭載する位置に、さらに蛍光体層を備え、放熱経路の放熱パターン部が基板本体を介して蛍光体層と対向して設けられていてもよい。
 この構成によれば、放熱経路の放熱パターン部がLEDチップの裏面から放射される光を遮っても、放熱経路の放熱パターン部が光の放射の障害とならない。つまり、放熱経路の放熱パターン部を、基板本体を挟んで蛍光体層と対向させることにより、LEDチップの裏面で発光した光は、基板本体の裏面から所期の光量で放射することができる。
 また、本発明のLEDモジュールは、上記LED用基板と、LED用基板の蛍光体層に搭載されたLEDチップと、LEDチップを封止する蛍光体を含む透光性樹脂と、を備えてもよい。
 この構成によれば、LED用基板に搭載されたLEDチップの発光により、発生したLEDチップの熱を、放熱経路を伝熱して放熱できる。これにより、LEDチップの過熱を抑制できるLEDモジュールを実現できる。
 また、本発明のLED電球は、放熱支持部材と接続された、上記LEDモジュールをグローブ内に内蔵して構成されていてもよい。
 この構成によれば、LEDチップが発光しても過熱されないLEDモジュールが備える。これにより、高寿命で、信頼性に優れたLED電球を実現できる。
 本発明は、放熱特性に優れたLED用基板およびLEDモジュールを、LED電球の構成部品として有効に利用できる。そのため、低コストで高い信頼性が要望される、白熱電球の代替光源として好適なLED電球などの分野に有用である。
 1  基板
 1a  凹部
 1b,11e  スルーホール
 2,10  LEDチップ
 3  設置用パターン
 4  樹脂
 5  配線用パターン
 6,17  金属細線
 7,12c  接続部
 8  放熱用パターン
 10a,11c  裏面
 10b,11a  表面
 11  基板本体
 11b  嵌合孔
 11d  接続孔
 11f  溝
 11g,11h  側縁
 12  放熱経路
 12a  伝熱通路部
 12b  放熱パターン部
 12b1  短辺ライン
 12b2  長辺ライン
 12b3  センターライン
 12d  パターン
 13  放熱支持部材
 13a  先端面
 13c  両側縁
 13b  突起
 13d  両端
 14  リード線
 15  配線部
 16  蛍光体層
 16a  短辺部
 18  透光性樹脂
 19  グローブ
 20  口金
 100  LED用基板
 200  LEDモジュール
 300  LED電球

Claims (8)

  1. LEDチップが表面側に搭載される透光性を有する基板本体と、
    前記基板本体に設けられる、前記LEDチップで発生する熱を放熱させる放熱経路と、を備え、
    前記基板本体は、前記LEDチップの配置される前記基板本体の表面から裏面に貫通するスルーホールが形成され、
    前記放熱経路は、
    前記スルーホールに設けられた伝熱通路部と、
    前記基板本体の裏面に設けられ、前記伝熱通路部と連結する放熱パターン部とを備えるLED用基板。
  2. 前記基板本体は、搭載される複数の前記LEDチップに対応して、複数の前記スルーホールに設けられた複数の前記伝熱通路部を有し、
    格子状または梯子状からなる前記放熱パターン部により、前記伝熱通路部が連結されている請求項1に記載のLED用基板。
  3. 前記スルーホールは、前記基板本体の表面側よりも裏面側を拡径した漏斗形状に形成されている請求項1に記載のLED用基板。
  4. 前記基板本体の裏面側に溝が設けられ、
    前記放熱パターン部は、前記溝に設けられる請求項1に記載のLED用基板。
  5. 前記基板本体の裏面に、放熱支持部材と接続する接続部が設けられている請求項1に記載のLED用基板。
  6. 前記基板本体の表面で、前記LEDチップを搭載する位置に、さらに蛍光体層を備え、
    前記放熱経路の前記放熱パターン部が前記基板本体を介して前記蛍光体層と対向して設けられる請求項1に記載のLED用基板。
  7. 請求項1に記載のLED用基板と、前記LED用基板の蛍光体層に搭載されたLEDチップと、
    前記LEDチップを封止する蛍光体を含む透光性樹脂と、を備えるLEDモジュール。
  8. 放熱支持部材と接続された、請求項7に記載のLEDモジュールをグローブ内に内蔵して構成されるLED電球。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101440452B1 (ko) 2013-10-18 2014-09-17 주식회사 금경라이팅 엘이디용 인쇄회로기판
CN105307382A (zh) * 2014-07-28 2016-02-03 三星电机株式会社 印刷电路板及其制造方法
JP2017059831A (ja) * 2015-09-19 2017-03-23 日本特殊陶業株式会社 配線基板およびその製造方法
JP2019117936A (ja) * 2014-10-15 2019-07-18 シム ライティング デザイン カンパニー リミテッド Led封止に使用する基板、3次元led封止体、3次元led封止体を有する電球及びこれらの製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102576789B (zh) * 2009-09-20 2016-08-24 维亚甘有限公司 电子器件的晶片级封装
US20170141278A1 (en) * 2015-11-17 2017-05-18 Toshiba Corporation Led assembly for led package with sidewall electrodes
TWI820026B (zh) * 2017-06-21 2023-11-01 荷蘭商露明控股公司 具有改善的熱行為的照明組件
EP3751271A4 (en) * 2018-02-09 2021-11-10 Hamamatsu Photonics K.K. SAMPLE CARRIERS, IONIZATION METHOD AND MASS SPECTROMETRIC METHOD
JP7137947B2 (ja) * 2018-03-22 2022-09-15 ローム株式会社 窒化物半導体装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001243809A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Mitsubishi Electric Lighting Corp Led電球
JP2002023229A (ja) 2000-07-07 2002-01-23 Asahi Optical Co Ltd ストロボ装置
JP2005209763A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2007043155A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Samsung Electronics Co Ltd Ledパッケージおよびその製造方法、それを用いたledアレイモジュール
JP2009267006A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Rohm Co Ltd Ledランプ
JP2009267289A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2010135718A (ja) * 2008-11-07 2010-06-17 Toppan Printing Co Ltd Led発光素子用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いたled発光素子
JP2011119343A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Mitsuboshi Belting Ltd 素子搭載基板及び発光装置
JP2011176060A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Seiko Instruments Inc 発光装置
JP2011211154A (ja) * 2010-03-12 2011-10-20 Asahi Glass Co Ltd 発光装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW413874B (en) * 1999-04-12 2000-12-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd BGA semiconductor package having exposed heat dissipation layer and its manufacturing method
US7497596B2 (en) * 2001-12-29 2009-03-03 Mane Lou LED and LED lamp
JP3801931B2 (ja) * 2002-03-05 2006-07-26 ローム株式会社 Ledチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
JPWO2004005216A1 (ja) 2002-07-09 2005-11-04 宮原 健一郎 薄膜形成用基板、薄膜基板、光導波路、発光素子、及び発光素子搭載用基板
US6903381B2 (en) * 2003-04-24 2005-06-07 Opto Tech Corporation Light-emitting diode with cavity containing a filler
KR20060031629A (ko) 2003-06-30 2006-04-12 켄이치로 미야하라 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자
EP1712662A4 (en) 2003-06-30 2009-12-02 Kenichiro Miyahara SUBSTRATE FOR THE MANUFACTURE OF THIN FILMS, SUBSTRATE FOR THIN FILMS AND LIGHT EMITTING ELEMENT
WO2005106973A1 (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Kyocera Corporation 発光素子用配線基板
KR101241650B1 (ko) * 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
JP2007243809A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Seiko Epson Corp 半導体集積回路装置
US20070235739A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Edison Opto Corporation Structure of heat dissipation of implant type light emitting diode package and method for manufacturing the same
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
JP2009117536A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Towa Corp 樹脂封止発光体及びその製造方法
TWI471995B (zh) 2008-11-07 2015-02-01 Toppan Printing Co Ltd 導線架及其製造方法、以及使用該導線架之半導體發光裝置
CN101482252B (zh) * 2008-12-08 2010-10-13 上海三思电子工程有限公司 一种对流散热式led照明灯
TWI380483B (en) 2008-12-29 2012-12-21 Everlight Electronics Co Ltd Led device and method of packaging the same
CN101539250A (zh) * 2009-04-21 2009-09-23 薛信培 一种大功率led灯
CN201401671Y (zh) * 2009-04-21 2010-02-10 薛信培 一种大功率led灯
TW201123411A (en) 2009-12-30 2011-07-01 Harvatek Corp A light emission module with high-efficiency light emission and high-efficiency heat dissipation and applications thereof
US8773007B2 (en) * 2010-02-12 2014-07-08 Cree, Inc. Lighting devices that comprise one or more solid state light emitters
US20120307498A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Chung Wai Paul Lo Light bulb with thermally conductive glass globe

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001243809A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Mitsubishi Electric Lighting Corp Led電球
JP2002023229A (ja) 2000-07-07 2002-01-23 Asahi Optical Co Ltd ストロボ装置
JP2005209763A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2007043155A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Samsung Electronics Co Ltd Ledパッケージおよびその製造方法、それを用いたledアレイモジュール
JP2009267006A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Rohm Co Ltd Ledランプ
JP2009267289A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP2010135718A (ja) * 2008-11-07 2010-06-17 Toppan Printing Co Ltd Led発光素子用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いたled発光素子
JP2011119343A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Mitsuboshi Belting Ltd 素子搭載基板及び発光装置
JP2011176060A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Seiko Instruments Inc 発光装置
JP2011211154A (ja) * 2010-03-12 2011-10-20 Asahi Glass Co Ltd 発光装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2827394A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101440452B1 (ko) 2013-10-18 2014-09-17 주식회사 금경라이팅 엘이디용 인쇄회로기판
CN105307382A (zh) * 2014-07-28 2016-02-03 三星电机株式会社 印刷电路板及其制造方法
JP2019117936A (ja) * 2014-10-15 2019-07-18 シム ライティング デザイン カンパニー リミテッド Led封止に使用する基板、3次元led封止体、3次元led封止体を有する電球及びこれらの製造方法
JP2017059831A (ja) * 2015-09-19 2017-03-23 日本特殊陶業株式会社 配線基板およびその製造方法

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