JPS6156385A - ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法 - Google Patents
ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法Info
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- JPS6156385A JPS6156385A JP17879784A JP17879784A JPS6156385A JP S6156385 A JPS6156385 A JP S6156385A JP 17879784 A JP17879784 A JP 17879784A JP 17879784 A JP17879784 A JP 17879784A JP S6156385 A JPS6156385 A JP S6156385A
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- Japan
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- dot matrix
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- semiconductor chip
- terminal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、発光ダイオードなどの発光表示素子を用いて
使用されるドツトマトリクス発光表示体の改良及びその
製造方法に関する。
使用されるドツトマトリクス発光表示体の改良及びその
製造方法に関する。
従来の技術
この種の発光表示体は、マトリクス状に配列された発光
素子のうち任意のものを通電点灯して任意の文字、記号
９ＭＡ様などをドツトパターンとして表示できるように
したものである。
素子のうち任意のものを通電点灯して任意の文字、記号
９ＭＡ様などをドツトパターンとして表示できるように
したものである。
このようなマトリクス表示体の基本的な構造は、絶縁層
を挟んで互いに立体格子状に配列された複数の上部電極
と下部電極との重合部分に半ぶ体チシプを配置して構成
されており、更に具体的にその一般的な構造を示すと、
例えば第３１２１．第４図に示すごとく、上部電極１０
０と下部電極１０１とが絶縁層を挟んで互いに立体格子
状に配列されるようにして、上部電極１０Ｇを形成した
絶縁板１０２と、下部電極１０１を形成した絶縁板１゜
３とを貼合わせ、さらに上部電極１００を含んだ絶縁板
１０２の下部電極１０１と重合せる部分に透孔１０４を
穿孔し、その透孔１０４の各々に、半導体チップ１０５
の下部（他方の端子）が下部電極１０１に銀ペーストな
どを用いて接続されるように配置させ、さらに各々の半
導体チップ１０５の上部（一方の端子）をボンディング
ワイヤ１０６により逐一上部電極１００に独立して接続
させた構造にしである。
を挟んで互いに立体格子状に配列された複数の上部電極
と下部電極との重合部分に半ぶ体チシプを配置して構成
されており、更に具体的にその一般的な構造を示すと、
例えば第３１２１．第４図に示すごとく、上部電極１０
０と下部電極１０１とが絶縁層を挟んで互いに立体格子
状に配列されるようにして、上部電極１０Ｇを形成した
絶縁板１０２と、下部電極１０１を形成した絶縁板１゜
３とを貼合わせ、さらに上部電極１００を含んだ絶縁板
１０２の下部電極１０１と重合せる部分に透孔１０４を
穿孔し、その透孔１０４の各々に、半導体チップ１０５
の下部（他方の端子）が下部電極１０１に銀ペーストな
どを用いて接続されるように配置させ、さらに各々の半
導体チップ１０５の上部（一方の端子）をボンディング
ワイヤ１０６により逐一上部電極１００に独立して接続
させた構造にしである。
しかるに、このような構造のものでは超音波振動を利用
して１つ１つの半導体チップ１０５の上部、つまり半導
体チップ１０５の一方の端子にワイヤ１０６をボンディ
ングし、これを引き出し上部電極１００に逐一ボンディ
ング接続させているために、特に半導体チップ１０５に
ワイヤ１０６をボンディングする際、ｌｉ Ａワ、体ナ
ツプ１０５の下部（他方の端子）を下部電極＋０１に接
着させた４電性銀ペーストが硬化してからでなければボ
ンディング作業をおこなうことができず（この導電性銀
ペーストが硬化しないうちにボンディング作業を行うと
導電性ペーストが超音波振動を受けた時に半導体チップ
１０５の下部より移動してしまうなどして充分な接合強
度が得られなくなる）、製造に手間を要するばかりでな
く、ボンディングワイヤ１０６に切損を生じたりするこ
とがあり、出来上がった製品の信頼性について改善すべ
き問題点を有していた。
して１つ１つの半導体チップ１０５の上部、つまり半導
体チップ１０５の一方の端子にワイヤ１０６をボンディ
ングし、これを引き出し上部電極１００に逐一ボンディ
ング接続させているために、特に半導体チップ１０５に
ワイヤ１０６をボンディングする際、ｌｉ Ａワ、体ナ
ツプ１０５の下部（他方の端子）を下部電極＋０１に接
着させた４電性銀ペーストが硬化してからでなければボ
ンディング作業をおこなうことができず（この導電性銀
ペーストが硬化しないうちにボンディング作業を行うと
導電性ペーストが超音波振動を受けた時に半導体チップ
１０５の下部より移動してしまうなどして充分な接合強
度が得られなくなる）、製造に手間を要するばかりでな
く、ボンディングワイヤ１０６に切損を生じたりするこ
とがあり、出来上がった製品の信頼性について改善すべ
き問題点を有していた。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、叙上の問題点を解決するもので、特に信頼性
が良い上に生産性の点でも改善されたドントマトリクス
発光表示体及びその製造方法を提供することを目的とす
るものである。
が良い上に生産性の点でも改善されたドントマトリクス
発光表示体及びその製造方法を提供することを目的とす
るものである。
問題点を解決するための手段
本発明のトントマト！Ｊクス発光表示体は、発光
！表示素子を構成する半導体チップ
のうち、上部電極を共通にしたもの同士の一方の端子を
、それらの上方に直線状に走らせた共通のリードワイヤ
により、互いに橋渡しするように連結して上部電極に接
続させた構造体になっている。
！表示素子を構成する半導体チップ
のうち、上部電極を共通にしたもの同士の一方の端子を
、それらの上方に直線状に走らせた共通のリードワイヤ
により、互いに橋渡しするように連結して上部電極に接
続させた構造体になっている。
また、本発明のドントマトリクス発光表示体を製造する
方法は、発光素子を構成する半導体チップのうち、上部
電極を共通にしたもの同士の一方の端子を上部電極に接
続する時に、上部電極の上方に共通のリードワイヤを直
線状に走らせて、半導体チップの各々の一方の端子を上
部電極に互いに橋渡させて接続することを特徴としてい
る。
方法は、発光素子を構成する半導体チップのうち、上部
電極を共通にしたもの同士の一方の端子を上部電極に接
続する時に、上部電極の上方に共通のリードワイヤを直
線状に走らせて、半導体チップの各々の一方の端子を上
部電極に互いに橋渡させて接続することを特徴としてい
る。
発明の作用及び効果
本発明のドントマトリクス発光表示体によれば、従来の
もののように、発光表示素子を構成する半導体チップの
各々の一方の端子を上部電極に独立してポンディグ接続
させる構造を採らずに、上部電極を共通にした半導体チ
ップの各々の上方に直線状に走ろ共通のリードワイヤを
橋渡し、このリードワイヤにより半導体チップの一方の
端子を上部電極に連結接続した構造にしであるので、実
質的には２本のリードワイヤにより半導体チップの各々
が上部電極に接続された構成になっている。このため、
半導体チップと上部電極を接続した一方のリードワイヤ
が断線しても他方のリードワイヤで上部電極が接続され
ているので、１ｉｌｌ電が不能になるようなことがなく
信頼性の高いドントマトリクス発光表示体が得られる。
もののように、発光表示素子を構成する半導体チップの
各々の一方の端子を上部電極に独立してポンディグ接続
させる構造を採らずに、上部電極を共通にした半導体チ
ップの各々の上方に直線状に走ろ共通のリードワイヤを
橋渡し、このリードワイヤにより半導体チップの一方の
端子を上部電極に連結接続した構造にしであるので、実
質的には２本のリードワイヤにより半導体チップの各々
が上部電極に接続された構成になっている。このため、
半導体チップと上部電極を接続した一方のリードワイヤ
が断線しても他方のリードワイヤで上部電極が接続され
ているので、１ｉｌｌ電が不能になるようなことがなく
信頼性の高いドントマトリクス発光表示体が得られる。
また、本発明の製造方法によれば、半導体チップの各々
を上部電極に接続する時に、各半導体チップの上方に共
通のリードワイヤを走らせて、このワイヤにより半導体
チップのうち上部電極を共通にしたもの同士の一方の端
子をリードワイヤにより互いに橋渡連結し、導電性ペー
ストで上部電極に接続させるので、ウェッジボンダーや
ボールボンダーのように超音波振動を用いて半導体チッ
プと上部電極とを接続する従来方法と異なり、半導体チ
ップ下部の４電性ペーストの各々を下部電極に接着硬化
させてからでなければ作業ができないといった不便さは
なく、したがっ゛ζ半導体チップの各々の一端を上部電
極に接続する作業の途中において導電性ペーストが接着
硬化するまで作業を断続させるという不便さがなく、作
業を連続的に行うことができる。
を上部電極に接続する時に、各半導体チップの上方に共
通のリードワイヤを走らせて、このワイヤにより半導体
チップのうち上部電極を共通にしたもの同士の一方の端
子をリードワイヤにより互いに橋渡連結し、導電性ペー
ストで上部電極に接続させるので、ウェッジボンダーや
ボールボンダーのように超音波振動を用いて半導体チッ
プと上部電極とを接続する従来方法と異なり、半導体チ
ップ下部の４電性ペーストの各々を下部電極に接着硬化
させてからでなければ作業ができないといった不便さは
なく、したがっ゛ζ半導体チップの各々の一端を上部電
極に接続する作業の途中において導電性ペーストが接着
硬化するまで作業を断続させるという不便さがなく、作
業を連続的に行うことができる。
またウェッジボンダーやポールボンダーを用いた従来の
方法に比べて作業スピードが速いので、特に大型の発光
表示体の生産に適用した場合に生産性を著しく向上でき
る利点がある。
方法に比べて作業スピードが速いので、特に大型の発光
表示体の生産に適用した場合に生産性を著しく向上でき
る利点がある。
発明の実施例
以下に、本発明のドツトマトリクス発光表示体をその製
造方法とともに添付図を参照しながら説明する。
造方法とともに添付図を参照しながら説明する。
第１図は、本発明のドツトマトリクス発光表示体の構造
を示す斜視図、第２図は第１図の■−■線断面である。
を示す斜視図、第２図は第１図の■−■線断面である。
第１図を参照して説明すると、１は上部！極、２は下部
電極、３はその重合部に形成された透孔、４はガリウム
リん（ＧａＰ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）などによっ
て代表される発光表示素子を形成する半導体チップ、５
．６は絶縁層を形成する上、下部の絶縁基板、７は共通
のリードワイヤである。
電極、３はその重合部に形成された透孔、４はガリウム
リん（ＧａＰ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）などによっ
て代表される発光表示素子を形成する半導体チップ、５
．６は絶縁層を形成する上、下部の絶縁基板、７は共通
のリードワイヤである。
上部電極ｌと下部電極２とは、いずれも上、下部の絶縁
基板５．６の表面に互いに平行に多列状に配列されてお
り、上部電極工と下部電極２とが互いに立体格子状に配
列されるようにして上、下部の絶ｌｉ基板５．６を貼合
わ廿て重合Ｆｉ、Ａとなしている。そして、この複合板
Ａの上部電極ｌの下部電極２と重合する部分には、上部
電極ｌから下部電極２に通じる透孔３が穿孔されており
、半導体チップを構成するｐｎ接合チップ４の下部、つ
まり他方の端子は対応した透孔３内に配置され、導電性
ペースト、例えば銀ペースト８などにより下部電極２の
上面に接続されている。
基板５．６の表面に互いに平行に多列状に配列されてお
り、上部電極工と下部電極２とが互いに立体格子状に配
列されるようにして上、下部の絶ｌｉ基板５．６を貼合
わ廿て重合Ｆｉ、Ａとなしている。そして、この複合板
Ａの上部電極ｌの下部電極２と重合する部分には、上部
電極ｌから下部電極２に通じる透孔３が穿孔されており
、半導体チップを構成するｐｎ接合チップ４の下部、つ
まり他方の端子は対応した透孔３内に配置され、導電性
ペースト、例えば銀ペースト８などにより下部電極２の
上面に接続されている。
一方、上部電極１に穿孔された透孔３内に配置されたｐ
ｎ接合チチップの各々の上方にはワイヤ７が上部電極ｌ
に沿つて直線状に走っている。このワイヤ７は上部電極
１の上面で長手方向に沿って形成された浅いガイド溝（
不図示）内に嵌入されて位置決めされており、各々の接
合チップ４の上部に対応する部分を銀ペースト９により
接合チップ４に接続して上部電極ｌに配列された接合チ
ップ４の各々を１ｌｌｌｌ！シ連結するとともに、隣接
する接合チップ４間に存在する個所を銀ペーストｌＯを
用いて上部電極１に接続させている。
ｎ接合チチップの各々の上方にはワイヤ７が上部電極ｌ
に沿つて直線状に走っている。このワイヤ７は上部電極
１の上面で長手方向に沿って形成された浅いガイド溝（
不図示）内に嵌入されて位置決めされており、各々の接
合チップ４の上部に対応する部分を銀ペースト９により
接合チップ４に接続して上部電極ｌに配列された接合チ
ップ４の各々を１ｌｌｌｌ！シ連結するとともに、隣接
する接合チップ４間に存在する個所を銀ペーストｌＯを
用いて上部電極１に接続させている。
つまり、第Ｆ図及び第２図より明らかなように、ｐｎｎ
接合チフィ４うち、上部電極ｌを共通にしたもの同士の
上部は、各々の接合チップ４の上方を直線状に走る共通
リードワイヤ７によって互いに橋渡させて上部電極１に
接続された構成になっている。
接合チフィ４うち、上部電極ｌを共通にしたもの同士の
上部は、各々の接合チップ４の上方を直線状に走る共通
リードワイヤ７によって互いに橋渡させて上部電極１に
接続された構成になっている。
なお、図には示されていないが、接合チップ４とリード
ワイヤ７を保護するために上部電極１の露出した複合板
Ａの少なくとも上面部をエポキシ、シリコンなどの透光
性樹脂で形成した保護被膜で覆うことは望ましく、実際
の製造工程においてはこのような方法が好ましく採用さ
れる。
ワイヤ７を保護するために上部電極１の露出した複合板
Ａの少なくとも上面部をエポキシ、シリコンなどの透光
性樹脂で形成した保護被膜で覆うことは望ましく、実際
の製造工程においてはこのような方法が好ましく採用さ
れる。
また、必要に応じて透孔３の内面にニッケルメッキなど
を施して反射面を形成することも望ましく、このような
ものでは接合チップ４の発光時に発光効率の低下を防止
できる利点がある。
を施して反射面を形成することも望ましく、このような
ものでは接合チップ４の発光時に発光効率の低下を防止
できる利点がある。
しかして、このような構造の本発明のドツトマトリクス
発光表示体によれば、例えば図に示したように、上部電
極ｌをプラス掻、下部電極２をマイナス極とし、これら
２つの極の選択によって規定される接合チップ４に通電
すれば、通電された接合チップ４が点灯して任意の文字
、記号、模様をトンドパターン表示できるものである。
発光表示体によれば、例えば図に示したように、上部電
極ｌをプラス掻、下部電極２をマイナス極とし、これら
２つの極の選択によって規定される接合チップ４に通電
すれば、通電された接合チップ４が点灯して任意の文字
、記号、模様をトンドパターン表示できるものである。
次に、このような構造を特徴とした本発明のマトリクス
表示体を製造する方法を説明すると、複数の上部電極ｌ
を互いに平行に配列して形成した絶縁基板５と、複数の
下部電極２を互いに平行に配列して形成した絶縁基板６
とを形成する。そして、上部電極１の形成された絶縁基
板５に、各々の下部電極１より基板側に抜ける透孔３を
所定間隔を保持して形成し、上部電極ｌの形成された絶
縁基板５と下部電極２の形成された絶縁基板６とを貼合
わせ複合板Ａを形成するが、この時、上部電極１と下部
電極２とが互いに立体格子状に配列されるようにする。
表示体を製造する方法を説明すると、複数の上部電極ｌ
を互いに平行に配列して形成した絶縁基板５と、複数の
下部電極２を互いに平行に配列して形成した絶縁基板６
とを形成する。そして、上部電極１の形成された絶縁基
板５に、各々の下部電極１より基板側に抜ける透孔３を
所定間隔を保持して形成し、上部電極ｌの形成された絶
縁基板５と下部電極２の形成された絶縁基板６とを貼合
わせ複合板Ａを形成するが、この時、上部電極１と下部
電極２とが互いに立体格子状に配列されるようにする。
かり−シて、形成された複合板Ａには、上部電極１の形
成された上部の絶縁基仮５の透孔３の開口部より下部型
−２がｎ顕することになるので、グイボンディングなど
によりｐｎｎ接合チップをその対応した各々の開口部よ
り差し入れ、ｐｎ接合チチッ４の下部、つまり他方の端
子を銀ペースト８などを用いて下部電極２に接続する。
成された上部の絶縁基仮５の透孔３の開口部より下部型
−２がｎ顕することになるので、グイボンディングなど
によりｐｎｎ接合チップをその対応した各々の開口部よ
り差し入れ、ｐｎ接合チチッ４の下部、つまり他方の端
子を銀ペースト８などを用いて下部電極２に接続する。
しかして、ｐｎ接合チップ４の各々を下部電極２の上に
接続させた後は、ワイヤ７をｐｎ接合チップ４の上方に
直線状に走らせた後、銀ペースト９を用いるなどして上
部電極ｌを共通にしたｐｎ接合チップ４同士の一方の端
子を互いに橋渡しさせ、更に別の銀ペースト１０などを
用いて共通のリードワイヤ７を介してｐｎｎ接合チップ
を上部電極１に連結接続させる。
接続させた後は、ワイヤ７をｐｎ接合チップ４の上方に
直線状に走らせた後、銀ペースト９を用いるなどして上
部電極ｌを共通にしたｐｎ接合チップ４同士の一方の端
子を互いに橋渡しさせ、更に別の銀ペースト１０などを
用いて共通のリードワイヤ７を介してｐｎｎ接合チップ
を上部電極１に連結接続させる。
この場合において、前述したリードワイヤ７のガイド溝
（不図示）を上部電極ｌに設けておくことは望ましく、
これによって本発明の製造方法を一層作業性の良いもの
にできることはいうまでもな
（不図示）を上部電極ｌに設けておくことは望ましく、
これによって本発明の製造方法を一層作業性の良いもの
にできることはいうまでもな
第１図は本発明のドントマトリクス発光表示体の一実施
例を示す斜視図、第２図は第１図のｎ−■線拡大断面図
、第３図は従来公知のドア）マトリクス発光表示体の一
例を示す斜視図、第４図は第３図のｒＶ−ｒＶ線線入大
断面図ある。 符号の説明 図において、１は上部電極、２は下部電極、３は上、下
部電極の重合部に形成された透孔、４は半導体チップ、
５．６は絶縁Ｍを形成する上、下部の絶縁基板、７は共
通のリードワイヤである。 特許出願人 タキロン株式会社 手 ３σε 行１１ 正 書（方式）昭和６
０年 ２月２８日 １ 事件の表示 昭和５９年特許願第１７１１７９７号 ２ 発明の名称 ト、トマ） ＋７クス発光表示体及びその、装造方法３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 タキロン株式会社 昭和６０年１月２９日（発送日） ６ 補正により増加する発明の数 なし７ 補
正の対象 「明４（Ｂ書の発明の詳細な説明」の欄８、補正の内界
例を示す斜視図、第２図は第１図のｎ−■線拡大断面図
、第３図は従来公知のドア）マトリクス発光表示体の一
例を示す斜視図、第４図は第３図のｒＶ−ｒＶ線線入大
断面図ある。 符号の説明 図において、１は上部電極、２は下部電極、３は上、下
部電極の重合部に形成された透孔、４は半導体チップ、
５．６は絶縁Ｍを形成する上、下部の絶縁基板、７は共
通のリードワイヤである。 特許出願人 タキロン株式会社 手 ３σε 行１１ 正 書（方式）昭和６
０年 ２月２８日 １ 事件の表示 昭和５９年特許願第１７１１７９７号 ２ 発明の名称 ト、トマ） ＋７クス発光表示体及びその、装造方法３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 タキロン株式会社 昭和６０年１月２９日（発送日） ６ 補正により増加する発明の数 なし７ 補
正の対象 「明４（Ｂ書の発明の詳細な説明」の欄８、補正の内界
Claims (2)
- （１）絶縁層を挟んで互いに立体格子状に配列された複
数の上部電極と下部電極との重合部分に、発光素子を構
成する半導体チップを配置させたドットマトリクス発光
表示体において、 上記半導体チップのうち、上部電極を共通にしたもの同
士の一方の端子を直線状に走る共通のリードワイヤによ
って互いに橋渡させて上部電極に接続してあることを特
徴とするドットマトリクス発光表示体。 - （２）絶縁層を挟んで互いに立体格子状に配列された複
数の上部電極と下部電極との重合部分に、発光素子を構
成する半導体チップを配置させたドットマトリクス発光
表示体の製造方法において、上記半導体チップのうち、
上部電極を共通にしたもの同士の一方の端子を上記上部
電極に接続する時に、上記上部電極の上方に共通のリー
ドワイヤを直線状に走らせて、上記半導体チップの一方
の端子の各々を上部電極に互いに橋渡させて接続するこ
とを特徴とするドットマトリクス発光表示体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17879784A JPS6156385A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17879784A JPS6156385A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156385A true JPS6156385A (ja) | 1986-03-22 |
| JPH0250475B2 JPH0250475B2 (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=16054809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17879784A Granted JPS6156385A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156385A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246487A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Nec Corp | 平面表示板 |
| WO2020100449A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロｌｅｄ表示装置及びマイクロｌｅｄ表示装置の配線方法 |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP17879784A patent/JPS6156385A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246487A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Nec Corp | 平面表示板 |
| WO2020100449A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロｌｅｄ表示装置及びマイクロｌｅｄ表示装置の配線方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0250475B2 (ja) | 1990-11-02 |
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