JPH0250475B2 - - Google Patents
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- JPH0250475B2 JPH0250475B2 JP17879784A JP17879784A JPH0250475B2 JP H0250475 B2 JPH0250475 B2 JP H0250475B2 JP 17879784 A JP17879784 A JP 17879784A JP 17879784 A JP17879784 A JP 17879784A JP H0250475 B2 JPH0250475 B2 JP H0250475B2
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、発光ダイオードなどの発光表示素子
を用いて使用されるドツトマトリクス発光表示体
の改良及びその製造方法に関する。 従来の技術 この種の発光表示体は、マトリクス状に配列さ
れた発光素子のうち任意のものを通電点灯して任
意の文字、記号、模様などをドツトパターンとし
て表示できるようにしたものである。 このようなマトリクス表示体の基本的な構造
は、絶縁層を挟んで互いに立体格子状に配列され
た複数の上部電極と下部電極との重合部分に半導
体チツプを配置して構成されており、更に具体的
にその一般的な構造を示すと、例えば第３図、第
４図に示すごとく、上部電極１００と下部電極１
０１とが絶縁層を挟んで互いに立体格子状に配列
されるようにして、上部電極１００を形成した絶
縁板１０２と、下部電極１０１を形成した絶縁板
１０３とを貼合わせ、さらに上部電極１００を含
んだ絶縁板１０２の下部電極１０１と重合せる部
分に透孔１０４を穿孔し、その透孔１０４の各々
に、半導体チツプ１０５の下部（他方の端子）が
下部電極１０１に銀ペーストなどを用いて接続さ
れるように配置させ、さらに各々の半導体チツプ
１０５の上部（一方の端子）をボンデイングワイ
ヤ１０６により逐一上部電極１００に独立して接
続させた構造にしてある。 しかるに、このような構造のものでは超音波振
動を利用して１つ１つの半導体チツプ１０５の上
部、つまり半導体チツプ１０５の一方の端子にワ
イヤ１０６をボンデイングし、これを引き出し上
部電極１００に逐一ボンデイング接続させている
ために、特に半導体チツプ１０５にワイヤ１０６
をボンデイングする際、半導体チツプ１０５の下
部（他方の端子）を下部電極１０１に接着させた
導電性銀ペーストが硬化してからでなければボン
デイング作業をおこなうことができず（この導電
性銀ペーストが硬化しないうちにボンデイング作
業を行うと導電性ペーストが超音波振動を受けた
時に半導体チツプ１０５の下部より移動してしま
うなどして充分な接合強度が得られなくなる）、
製造に手間を要するばかりでなく、ボンデイング
ワイヤ１０６に切損を生じたりすることがあり、
出来上がつた製品の信頼性について改善すべき問
題点を有していた。 発明が解決しようとする問題点 本発明は、叙上の問題点を解決するもので、特
に信頼性が良い上に生産性の点でも改善されたド
ツトマトリクス発光表示体及びその製造方法を提
供することを目的とするものである。 問題点を解決するための手段 本発明のドツトマトリクス発光表示体は、発光
表示素子を構成する半導体チツプのうち、上部電
極を共通にしたもの同士の一方の端子を、それら
の上方に直線上に走らせた共通のリードワイヤに
より、互いに橋渡しするように連結して上部電極
に接続させた構造体になつている。 また、本発明のドツトマトリクス発光表示体を
製造する方法は、発光素子を構成する半導体チツ
プのうち、上部電極を共通にしたもの同士の一方
の端子を上部電極に接続する時に、上部電極の上
方に共通のリードワイヤを直線状に走らせて、半
導体チツプの各々の一方の端子を上部電極に互い
に橋渡させて接続することを特徴としている。 発明の作用及び効果 本発明のドツトマトリクス発光表示体によれ
ば、従来のもののように、発光表示素子を構成す
る半導体チツプの各々の一方の端子を上部電極に
独立してボンデイング接続させる構造を採らず
に、上部電極を共通にした半導体チツプの各々の
上方に直線状に走る共通のリードワイヤを橋渡
し、このリードワイヤにより半導体チツプの一方
の端子を上部電極に連結接続した構造にしてある
ので、実質的には２本のリードワイヤにより半導
体チツプの各々が上部電極に接続された構成にな
つている。このため、半導体チツプと上部電極を
接続した一方のリードワイヤが断線しても他方の
リードワイヤで上部電極が接続されているので、
通電が不能になるようなことがなく信頼性の高い
ドツトマトリクス発光表示体が得られる。 また、本発明の製造方法によれば、半導体チツ
プの各々を上部電極に接続する時に、各半導体チ
ツプの上方に共通のリードワイヤを走らせて、こ
のワイヤにより半導体チツプのうち上部電極を共
通にしたもの同士の一方の端子をリードワイヤに
より互いに橋渡連結し、導電性ペーストで上部電
極に接続させるので、ウエツジボンダーやボール
ボンダーのように超音波振動を用いて半導体チツ
プと上部電極とを接続する従来方法と異なり、半
導体チツプ下部の導電性ペーストの各々を下部電
極に接着硬化させてからでなければ作業ができな
いといつた不便さはなく、したがつて半導体チツ
プの各々の一端を上部電極に接続する作業の途中
において導電性ペーストが接着硬化するまで作業
を断続させるという不便さがなく、作業を連続的
に行うことができる。 またウエツジボンダーやボールボンダーを用い
た従来の方法に比べて作業スピードが速いので、
特に大型の発光表示体の生産に適用した場合に生
産性を著しく向上できる利点がある。 発明の実施例 以下に、本発明のドツトマトリクス発光表示体
をその製造方法とともに添付図を参照しながら説
明する。 第１図は、本発明のドツトマトリクス発光表示
体の構造を示す斜視図、第２図は第１図の−
線断面である。 第１図を参照して説明すると、１は上部電極、
２は下部電極、３はその重合部に形成された透
孔、４はガリウムりん（GaP）、ガリウム砒素
（GaAs）などによつて代表される発光表示素子
を形成する半導体チツプ、５，６は絶縁層を形成
する上、下部の絶縁基板、７は共通のリードワイ
ヤである。 上部電極１と下部電極２とは、いずれも上、下
部の絶縁基板５，６の表面に互いに平行に多列状
に配列されており、上部電極１と下部電極２とが
互いに立体格子状に配列されるようにして上、下
部の絶縁基板５，６を貼合わせて複合板Ａとなし
ている。そして、この複合板Ａの上部電極１の下
部電極２と重合する部分には、上部電極１から下
部電極２に通じる透孔３が穿孔されており、半導
体チツプを構成するpn接合チツプ４の下部、つ
まり他方の端子は対応した透孔３内に配置され、
導電性ペースト、例えば銀ペースト８などにより
下部電極２の上面に接続されている。 一方、上部電極１に穿孔された透孔３内に配置
されたpn接合チツプ４の各々の上方にはワイヤ
７が上部電極１に沿つて直線状に走つている。こ
のワイヤ７は上部電極１の上面で長手方向に沿つ
て形成された浅いガイド溝（不図示）内に嵌入さ
れて位置決めされており、各々の接合チツプ４の
上部に対応する部分を銀ペースト９により接合チ
ツプ４に接続して上部電極１に配列された接合チ
ツプ４の各々を橋渡し連結するとともに、隣接す
る接合チツプ４間に存在する個所を銀ペースト１
０を用いて上部電極１に接続させている。 つまり、第１図及び第２図より明らかなよう
に、pn接合チツプ４のうち、上部電極１を共通
にしたもの同士の上部は、各々の接合チツプ４の
上方を直線状に走る共通リードワイヤ７によつて
互いに橋渡させて上部電極１に接続された構成に
なつている。 なお、図には示されていないが、接合チツプ４
とリードワイヤ７を保護するために上部電極１の
露出した複合板Ａの少なくとも上面部をエポキ
シ、シリコンなどの透光性樹脂で形成した保護被
膜で覆うことは望ましく、実際の製造工程におい
てはこのような方法が好ましく採用される。 また、必要に応じて透孔３の内面にニツケルメ
ツキなどを施して反射面を形成することも望まし
く、このようなものでは接合チツプ４の発光時に
発光効率の低下を防止できる利点がある。 しかして、このような構造の本発明のドツトマ
トリクス発光表示体によれば、例えば図に示した
ように、上部電極１をプラス極、下部電極２をマ
イナス極とし、これら２つの極の選択によつて規
定される接合チツプ４に通電すれば、通電された
接合チツプ４が点灯して任意の文字、記号、模様
をドツトパターン表示できるものである。 次に、このような構造を特徴とした本発明のマ
トリクス表示体を製造する方法を説明すると、複
数の上部電極１を互いに平行に配列して形成した
絶縁基板５と、複数の下部電極２を互いに平行に
配列して形成した絶縁基板６とを形成する。そし
て、上部電極１の形成された絶縁基板５に、各々
の上部電極１より基板側に抜ける透孔３を所定間
隔を保持して形成し、上部電極１の形成された絶
縁基板５と下部電極２の形成された絶縁基板６と
を貼合わせ複合板Ａを形成するが、この時、上部
電極１と下部電極２とが互いに立体格子状に配列
されるようにする。かくして、形成された複合板
Ａには、上部電極１の形成された上部の絶縁基板
５の透孔３の開口部より下部電極２が露顕するこ
とになるので、ダイボンデイングなどによりpn
接合チツプ４をその対応した各々の開口部より差
し入れ、pn接合チツプ４の下部、つまり他方の
端子を銀ペースト８などを用いて下部電極２に接
続する。 しかして、pn接合チツプ４の各々を下部電極
２の上に接続させた後は、ワイヤ７をpn接合チ
ツプ４の上方に直線状に走らせた後、銀ペースト
９を用いるなどして上部電極１を共通にしたpn
接合チツプ４同士の一方の端子を互いに橋渡しさ
せ、更に別の銀ペースト１０などを用いて共通の
リードワイヤ７を介してpn接合チツプ４を上部
電極１に連結接続させる。 この場合において、前述したリードワイヤ７の
ガイド溝（不図示）を上部電極１に設けておくこ
とは望ましく、これによつて本発明の製造方法を
一層作業性の良いものにできることはいうまでも
ない。
を用いて使用されるドツトマトリクス発光表示体
の改良及びその製造方法に関する。 従来の技術 この種の発光表示体は、マトリクス状に配列さ
れた発光素子のうち任意のものを通電点灯して任
意の文字、記号、模様などをドツトパターンとし
て表示できるようにしたものである。 このようなマトリクス表示体の基本的な構造
は、絶縁層を挟んで互いに立体格子状に配列され
た複数の上部電極と下部電極との重合部分に半導
体チツプを配置して構成されており、更に具体的
にその一般的な構造を示すと、例えば第３図、第
４図に示すごとく、上部電極１００と下部電極１
０１とが絶縁層を挟んで互いに立体格子状に配列
されるようにして、上部電極１００を形成した絶
縁板１０２と、下部電極１０１を形成した絶縁板
１０３とを貼合わせ、さらに上部電極１００を含
んだ絶縁板１０２の下部電極１０１と重合せる部
分に透孔１０４を穿孔し、その透孔１０４の各々
に、半導体チツプ１０５の下部（他方の端子）が
下部電極１０１に銀ペーストなどを用いて接続さ
れるように配置させ、さらに各々の半導体チツプ
１０５の上部（一方の端子）をボンデイングワイ
ヤ１０６により逐一上部電極１００に独立して接
続させた構造にしてある。 しかるに、このような構造のものでは超音波振
動を利用して１つ１つの半導体チツプ１０５の上
部、つまり半導体チツプ１０５の一方の端子にワ
イヤ１０６をボンデイングし、これを引き出し上
部電極１００に逐一ボンデイング接続させている
ために、特に半導体チツプ１０５にワイヤ１０６
をボンデイングする際、半導体チツプ１０５の下
部（他方の端子）を下部電極１０１に接着させた
導電性銀ペーストが硬化してからでなければボン
デイング作業をおこなうことができず（この導電
性銀ペーストが硬化しないうちにボンデイング作
業を行うと導電性ペーストが超音波振動を受けた
時に半導体チツプ１０５の下部より移動してしま
うなどして充分な接合強度が得られなくなる）、
製造に手間を要するばかりでなく、ボンデイング
ワイヤ１０６に切損を生じたりすることがあり、
出来上がつた製品の信頼性について改善すべき問
題点を有していた。 発明が解決しようとする問題点 本発明は、叙上の問題点を解決するもので、特
に信頼性が良い上に生産性の点でも改善されたド
ツトマトリクス発光表示体及びその製造方法を提
供することを目的とするものである。 問題点を解決するための手段 本発明のドツトマトリクス発光表示体は、発光
表示素子を構成する半導体チツプのうち、上部電
極を共通にしたもの同士の一方の端子を、それら
の上方に直線上に走らせた共通のリードワイヤに
より、互いに橋渡しするように連結して上部電極
に接続させた構造体になつている。 また、本発明のドツトマトリクス発光表示体を
製造する方法は、発光素子を構成する半導体チツ
プのうち、上部電極を共通にしたもの同士の一方
の端子を上部電極に接続する時に、上部電極の上
方に共通のリードワイヤを直線状に走らせて、半
導体チツプの各々の一方の端子を上部電極に互い
に橋渡させて接続することを特徴としている。 発明の作用及び効果 本発明のドツトマトリクス発光表示体によれ
ば、従来のもののように、発光表示素子を構成す
る半導体チツプの各々の一方の端子を上部電極に
独立してボンデイング接続させる構造を採らず
に、上部電極を共通にした半導体チツプの各々の
上方に直線状に走る共通のリードワイヤを橋渡
し、このリードワイヤにより半導体チツプの一方
の端子を上部電極に連結接続した構造にしてある
ので、実質的には２本のリードワイヤにより半導
体チツプの各々が上部電極に接続された構成にな
つている。このため、半導体チツプと上部電極を
接続した一方のリードワイヤが断線しても他方の
リードワイヤで上部電極が接続されているので、
通電が不能になるようなことがなく信頼性の高い
ドツトマトリクス発光表示体が得られる。 また、本発明の製造方法によれば、半導体チツ
プの各々を上部電極に接続する時に、各半導体チ
ツプの上方に共通のリードワイヤを走らせて、こ
のワイヤにより半導体チツプのうち上部電極を共
通にしたもの同士の一方の端子をリードワイヤに
より互いに橋渡連結し、導電性ペーストで上部電
極に接続させるので、ウエツジボンダーやボール
ボンダーのように超音波振動を用いて半導体チツ
プと上部電極とを接続する従来方法と異なり、半
導体チツプ下部の導電性ペーストの各々を下部電
極に接着硬化させてからでなければ作業ができな
いといつた不便さはなく、したがつて半導体チツ
プの各々の一端を上部電極に接続する作業の途中
において導電性ペーストが接着硬化するまで作業
を断続させるという不便さがなく、作業を連続的
に行うことができる。 またウエツジボンダーやボールボンダーを用い
た従来の方法に比べて作業スピードが速いので、
特に大型の発光表示体の生産に適用した場合に生
産性を著しく向上できる利点がある。 発明の実施例 以下に、本発明のドツトマトリクス発光表示体
をその製造方法とともに添付図を参照しながら説
明する。 第１図は、本発明のドツトマトリクス発光表示
体の構造を示す斜視図、第２図は第１図の−
線断面である。 第１図を参照して説明すると、１は上部電極、
２は下部電極、３はその重合部に形成された透
孔、４はガリウムりん（GaP）、ガリウム砒素
（GaAs）などによつて代表される発光表示素子
を形成する半導体チツプ、５，６は絶縁層を形成
する上、下部の絶縁基板、７は共通のリードワイ
ヤである。 上部電極１と下部電極２とは、いずれも上、下
部の絶縁基板５，６の表面に互いに平行に多列状
に配列されており、上部電極１と下部電極２とが
互いに立体格子状に配列されるようにして上、下
部の絶縁基板５，６を貼合わせて複合板Ａとなし
ている。そして、この複合板Ａの上部電極１の下
部電極２と重合する部分には、上部電極１から下
部電極２に通じる透孔３が穿孔されており、半導
体チツプを構成するpn接合チツプ４の下部、つ
まり他方の端子は対応した透孔３内に配置され、
導電性ペースト、例えば銀ペースト８などにより
下部電極２の上面に接続されている。 一方、上部電極１に穿孔された透孔３内に配置
されたpn接合チツプ４の各々の上方にはワイヤ
７が上部電極１に沿つて直線状に走つている。こ
のワイヤ７は上部電極１の上面で長手方向に沿つ
て形成された浅いガイド溝（不図示）内に嵌入さ
れて位置決めされており、各々の接合チツプ４の
上部に対応する部分を銀ペースト９により接合チ
ツプ４に接続して上部電極１に配列された接合チ
ツプ４の各々を橋渡し連結するとともに、隣接す
る接合チツプ４間に存在する個所を銀ペースト１
０を用いて上部電極１に接続させている。 つまり、第１図及び第２図より明らかなよう
に、pn接合チツプ４のうち、上部電極１を共通
にしたもの同士の上部は、各々の接合チツプ４の
上方を直線状に走る共通リードワイヤ７によつて
互いに橋渡させて上部電極１に接続された構成に
なつている。 なお、図には示されていないが、接合チツプ４
とリードワイヤ７を保護するために上部電極１の
露出した複合板Ａの少なくとも上面部をエポキ
シ、シリコンなどの透光性樹脂で形成した保護被
膜で覆うことは望ましく、実際の製造工程におい
てはこのような方法が好ましく採用される。 また、必要に応じて透孔３の内面にニツケルメ
ツキなどを施して反射面を形成することも望まし
く、このようなものでは接合チツプ４の発光時に
発光効率の低下を防止できる利点がある。 しかして、このような構造の本発明のドツトマ
トリクス発光表示体によれば、例えば図に示した
ように、上部電極１をプラス極、下部電極２をマ
イナス極とし、これら２つの極の選択によつて規
定される接合チツプ４に通電すれば、通電された
接合チツプ４が点灯して任意の文字、記号、模様
をドツトパターン表示できるものである。 次に、このような構造を特徴とした本発明のマ
トリクス表示体を製造する方法を説明すると、複
数の上部電極１を互いに平行に配列して形成した
絶縁基板５と、複数の下部電極２を互いに平行に
配列して形成した絶縁基板６とを形成する。そし
て、上部電極１の形成された絶縁基板５に、各々
の上部電極１より基板側に抜ける透孔３を所定間
隔を保持して形成し、上部電極１の形成された絶
縁基板５と下部電極２の形成された絶縁基板６と
を貼合わせ複合板Ａを形成するが、この時、上部
電極１と下部電極２とが互いに立体格子状に配列
されるようにする。かくして、形成された複合板
Ａには、上部電極１の形成された上部の絶縁基板
５の透孔３の開口部より下部電極２が露顕するこ
とになるので、ダイボンデイングなどによりpn
接合チツプ４をその対応した各々の開口部より差
し入れ、pn接合チツプ４の下部、つまり他方の
端子を銀ペースト８などを用いて下部電極２に接
続する。 しかして、pn接合チツプ４の各々を下部電極
２の上に接続させた後は、ワイヤ７をpn接合チ
ツプ４の上方に直線状に走らせた後、銀ペースト
９を用いるなどして上部電極１を共通にしたpn
接合チツプ４同士の一方の端子を互いに橋渡しさ
せ、更に別の銀ペースト１０などを用いて共通の
リードワイヤ７を介してpn接合チツプ４を上部
電極１に連結接続させる。 この場合において、前述したリードワイヤ７の
ガイド溝（不図示）を上部電極１に設けておくこ
とは望ましく、これによつて本発明の製造方法を
一層作業性の良いものにできることはいうまでも
ない。
第１図は本発明のドツトマトリクス発光表示体
の一実施例を示す斜視図、第２図は第１図の−
線拡大断面図、第３図は従来公知のドツトマト
リクス発光表示体の一例を示す斜視図、第４図は
第３図の−線拡大断面図である。 符号の説明、図において、１は上部電極、２は
下部電極、３は上、下部電極の重合部に形成され
た透孔、４は半導体チツプ、５，６は絶縁層を形
成する上、下部の絶縁基板、７は共通のリードワ
イヤである。
の一実施例を示す斜視図、第２図は第１図の−
線拡大断面図、第３図は従来公知のドツトマト
リクス発光表示体の一例を示す斜視図、第４図は
第３図の−線拡大断面図である。 符号の説明、図において、１は上部電極、２は
下部電極、３は上、下部電極の重合部に形成され
た透孔、４は半導体チツプ、５，６は絶縁層を形
成する上、下部の絶縁基板、７は共通のリードワ
イヤである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁層を挟んで互いに立体格子状に配列され
た複数の上部電極と下部電極との重合部分に、発
光素子を構成する半導体チツプを配置させたドツ
トマトリクス発光表示体において、 上記半導体チツプのうち、上部電極を共通にし
たもの同士の一方の端子を直線状に走る共通のリ
ードワイヤによつて互いに橋渡させて上部電極に
接続してあることを特徴とするドツトマトリクス
発光表示体。 ２ 絶縁層を挟んで互いに立体格子状に配列され
た複数の上部電極と下部電極との重合部分に、発
光素子を構成する半導体チツプを配置させたドツ
トマトリクス発光表示体の製造方法において、 上記半導体チツプのうち、上部電極を共通にし
たもの同士の一方の端子を上記上部電極に接続す
る時に、上記上部電極の上方に共通のリードワイ
ヤを直線上に走らせて、上記半導体チツプの一方
の端子の各々を上部電極に互いに橋渡させて接続
することを特徴とするドツトマトリクス発光表示
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17879784A JPS6156385A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17879784A JPS6156385A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156385A JPS6156385A (ja) | 1986-03-22 |
| JPH0250475B2 true JPH0250475B2 (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=16054809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17879784A Granted JPS6156385A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | ドツトマトリクス発光表示体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156385A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2531756B2 (ja) * | 1988-08-08 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | 平面表示板用陽極基板の製造方法 |
| JP2020085952A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロｌｅｄ表示装置及びマイクロｌｅｄ表示装置の配線方法 |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP17879784A patent/JPS6156385A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6156385A (ja) | 1986-03-22 |
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