JPS61198690A - 発光ダイオ−ド表示素子 - Google Patents
発光ダイオ−ド表示素子Info
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- JPS61198690A JPS61198690A JP60037888A JP3788885A JPS61198690A JP S61198690 A JPS61198690 A JP S61198690A JP 60037888 A JP60037888 A JP 60037888A JP 3788885 A JP3788885 A JP 3788885A JP S61198690 A JPS61198690 A JP S61198690A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- wiring pattern
- electrodes
- type layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/141—Disposition
- H01L2224/1418—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/14181—On opposite sides of the body
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、発光ダイオードチップを平面上に多数個並
べ、必要な発光ダイオードチップに通電して発光させる
ことで所望の字形を発光表示する発光ダイオード表示素
子の改良に関する。
べ、必要な発光ダイオードチップに通電して発光させる
ことで所望の字形を発光表示する発光ダイオード表示素
子の改良に関する。
(従来の技術〕
従来の発光ダイオード表示素子としては、例えば、最新
電子部品ハンドブック・(社)日本電子機械工業会績(
昭和53年2月:電波新聞社発行)第385頁の図4に
示すようなものがある。
電子部品ハンドブック・(社)日本電子機械工業会績(
昭和53年2月:電波新聞社発行)第385頁の図4に
示すようなものがある。
このような発光ダイオード表示素子は、予め表面に所望
形状の回路がプリント配線されたセラミック等の基板上
に、PN接合されたP型層及びN型層の両外面に電極を
設けた発光ダイオードチップをマトリックス状に並べて
多数個配置し、その下面側の電極を基板上の配線パター
ンに接続して、その配線パターンで横方向の導通(例え
ばアノードが共通)をとる一方、金線のボンディングワ
イヤで上面側の電極を接続して、このボンディングワイ
ヤで縦方向の導通(例えばカソードが共通)をとるよう
にしている。
形状の回路がプリント配線されたセラミック等の基板上
に、PN接合されたP型層及びN型層の両外面に電極を
設けた発光ダイオードチップをマトリックス状に並べて
多数個配置し、その下面側の電極を基板上の配線パター
ンに接続して、その配線パターンで横方向の導通(例え
ばアノードが共通)をとる一方、金線のボンディングワ
イヤで上面側の電極を接続して、このボンディングワイ
ヤで縦方向の導通(例えばカソードが共通)をとるよう
にしている。
上記配線パターン及びボンディングワイヤは駆動回路に
接続されていて、その駆動回路から出力される信号の入
ったアノードと同様に信号の入ったカソードの交点のチ
ップのみを発光させ、これにより所望の文字、数字、記
号等を発光表示するようにしている。
接続されていて、その駆動回路から出力される信号の入
ったアノードと同様に信号の入ったカソードの交点のチ
ップのみを発光させ、これにより所望の文字、数字、記
号等を発光表示するようにしている。
しかしながら、このような従来の発光ダイオード表示素
子にあつては、マトリックス状に配置された多数の発光
ダイオードチップのうち、縦方向に配列された発光ダイ
オードチップの上面側の電極を、例えば超音波ボンダ等
を用いてステッチボンディングしてボンディングワイヤ
で接続する構造となっていたため、少な(とも使用する
発光ダイオードチップの数だけ溶接工程が必要となり、
溶接に長時間を要するので製造効率が悪いのみならず、
ボンディングワイヤを保護するためのエポキシ樹脂等の
塗布を必要とする等の問題点があった。
子にあつては、マトリックス状に配置された多数の発光
ダイオードチップのうち、縦方向に配列された発光ダイ
オードチップの上面側の電極を、例えば超音波ボンダ等
を用いてステッチボンディングしてボンディングワイヤ
で接続する構造となっていたため、少な(とも使用する
発光ダイオードチップの数だけ溶接工程が必要となり、
溶接に長時間を要するので製造効率が悪いのみならず、
ボンディングワイヤを保護するためのエポキシ樹脂等の
塗布を必要とする等の問題点があった。
この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たものであり、PN接合されたP型層及びN型層の両外
面に電極を設けた発光ダイオードチップを同一平面上に
多数個配置し、これら発光ダイオードチップの組を、上
面に所望形状の第1の配線パターンを設けた基板と、下
面に所望形状の第2の配線パターンを設けた透明又は半
透明な表面板とで挾持し、前記第1の配線パターンで前
記発光ダイオードチップの一側面の電極の導通をとり、
前記第2の配線パターンで前記発光ダイオードチップの
他側面の電極の導通をとることにより、上記問題点を解
決することを目的としている。
たものであり、PN接合されたP型層及びN型層の両外
面に電極を設けた発光ダイオードチップを同一平面上に
多数個配置し、これら発光ダイオードチップの組を、上
面に所望形状の第1の配線パターンを設けた基板と、下
面に所望形状の第2の配線パターンを設けた透明又は半
透明な表面板とで挾持し、前記第1の配線パターンで前
記発光ダイオードチップの一側面の電極の導通をとり、
前記第2の配線パターンで前記発光ダイオードチップの
他側面の電極の導通をとることにより、上記問題点を解
決することを目的としている。
而して、この発明では、PN接合されたP型層及びN型
層の両外面に電極を有し且つ同一平面上に多数個配置さ
れた発光ダイオードチップの組を、上面に所望形状の第
1の配線パターンを設けた基板と、下面に所望形状の第
2の配線パターンを設けた透明又は半透明の表示板とで
挾持して、第1の配線パターンで前記発光ダイオードチ
ップの組の一側面の導通をとる一方、第2の配線パター
ンで該発光ダイオードチップの組の他側面の導通をとる
ことにより、従来の各発光ダイオードチップの電極溶接
及びその電極に保護樹脂を塗布する工程をなくし、単に
基板と表示板とで発光ダイオードチップを挾持するだけ
で発光ダイオード表示素子が得られるようにする。
層の両外面に電極を有し且つ同一平面上に多数個配置さ
れた発光ダイオードチップの組を、上面に所望形状の第
1の配線パターンを設けた基板と、下面に所望形状の第
2の配線パターンを設けた透明又は半透明の表示板とで
挾持して、第1の配線パターンで前記発光ダイオードチ
ップの組の一側面の導通をとる一方、第2の配線パター
ンで該発光ダイオードチップの組の他側面の導通をとる
ことにより、従来の各発光ダイオードチップの電極溶接
及びその電極に保護樹脂を塗布する工程をなくし、単に
基板と表示板とで発光ダイオードチップを挾持するだけ
で発光ダイオード表示素子が得られるようにする。
以下、この発明を図示実施例に基づいて説明する。
第1図乃至第5図は、この発明の一実施例を説明するた
めの図である。
めの図である。
第1図等に示す、1が発光ダイオードチップであり、こ
の発光ダイオードチップ1は、第3図に拡大して示すよ
うに、例えば図において、上側をP型層pとすると共に
下側をN型層nとして2層のPN接合を形成し、そのP
型lip及びN型層nの各外面にそれぞれ1個づつ互い
に対向するよう対をなす電極2.3を設けて構成してい
る。
の発光ダイオードチップ1は、第3図に拡大して示すよ
うに、例えば図において、上側をP型層pとすると共に
下側をN型層nとして2層のPN接合を形成し、そのP
型lip及びN型層nの各外面にそれぞれ1個づつ互い
に対向するよう対をなす電極2.3を設けて構成してい
る。
かかる発光ダイオードチップ1の製造方法は、まず、気
相あるいは液相のエピタキシャル成長によって板状のウ
ェーハを形成し、これに気相拡散法あるいは液相成長法
によって2層のPN接合を形成する。そして、P型層p
の表面及びN型層nの表面に、金(Au)あるいはアル
ミニウム(AI)等の導電性材料からなる電極2.3を
、互いに対をなすよう対向させると共にその対をなす電
極2゜3の組を縦方向及び横方向にそれぞれ所定間隔隔
ててマトリックス状に多数組配設し、これを例えばダイ
ヤモンドポイント等を用いてチップに切り出すことによ
って形成される。
相あるいは液相のエピタキシャル成長によって板状のウ
ェーハを形成し、これに気相拡散法あるいは液相成長法
によって2層のPN接合を形成する。そして、P型層p
の表面及びN型層nの表面に、金(Au)あるいはアル
ミニウム(AI)等の導電性材料からなる電極2.3を
、互いに対をなすよう対向させると共にその対をなす電
極2゜3の組を縦方向及び横方向にそれぞれ所定間隔隔
ててマトリックス状に多数組配設し、これを例えばダイ
ヤモンドポイント等を用いてチップに切り出すことによ
って形成される。
このような発光ダイオードチップlを、セラミック等の
絶縁性材料によって形成された基板4上に、縦方向及び
横方向にそれぞれ所定間隔、隔ててマトリックス状に多
数個配置し、且つ、これらを導電性接着剤を用いて接着
固定する。この基板40表面には、第5図等に示すよう
に、予めエツチング、真空蒸着あるいは印刷等の手段に
よって銅、銀あるいは金等の導電性材料(特に金又は金
メッキを施した銅が好適)からなる細長い7個の第1の
配線パターン5.5・・・を所定間隔隔てて互いに平行
に配設している。そして、これら第1の配線パターン5
に、各発光ダイオードチップ1のN型層n側の電極3を
それぞれ接触させ、これにより第1の配線パターン5で
、同図において縦方向に配置された発光ダイオードチッ
プ1間の導通(例えばカソード側)をとるようにしてい
る。
絶縁性材料によって形成された基板4上に、縦方向及び
横方向にそれぞれ所定間隔、隔ててマトリックス状に多
数個配置し、且つ、これらを導電性接着剤を用いて接着
固定する。この基板40表面には、第5図等に示すよう
に、予めエツチング、真空蒸着あるいは印刷等の手段に
よって銅、銀あるいは金等の導電性材料(特に金又は金
メッキを施した銅が好適)からなる細長い7個の第1の
配線パターン5.5・・・を所定間隔隔てて互いに平行
に配設している。そして、これら第1の配線パターン5
に、各発光ダイオードチップ1のN型層n側の電極3を
それぞれ接触させ、これにより第1の配線パターン5で
、同図において縦方向に配置された発光ダイオードチッ
プ1間の導通(例えばカソード側)をとるようにしてい
る。
また、基板4上に接着固定された発光ダイオードチップ
1の上側には、ガラス板やプラスチック板によって形成
された透明又は半透明な表面板6を載置し、これを導電
性接着剤を用いて接着固定する。この表面板6の下面に
は、第4図等に示すように、予めエツチング、真空蒸着
あるいは印刷等の手段によって金、銀等の導電性材料(
特に金が好適)からなる細長い5個の第2の配線パター
ン7.7・・・を、前記第1の配線パターン5と交差す
る方向に延び且つ互いに所定間隔隔てて平行に配設して
いる。そして、これら第2の配線パターン7に、各発光
ダイオードチップlのP型層p側の電極2をそれぞれ接
触させ、これにより第2の配線パターン7で、同図にお
いて横方向に配置された発光ダイオードチップ1間の導
通(例えばアノード側)をとるようにしている。
1の上側には、ガラス板やプラスチック板によって形成
された透明又は半透明な表面板6を載置し、これを導電
性接着剤を用いて接着固定する。この表面板6の下面に
は、第4図等に示すように、予めエツチング、真空蒸着
あるいは印刷等の手段によって金、銀等の導電性材料(
特に金が好適)からなる細長い5個の第2の配線パター
ン7.7・・・を、前記第1の配線パターン5と交差す
る方向に延び且つ互いに所定間隔隔てて平行に配設して
いる。そして、これら第2の配線パターン7に、各発光
ダイオードチップlのP型層p側の電極2をそれぞれ接
触させ、これにより第2の配線パターン7で、同図にお
いて横方向に配置された発光ダイオードチップ1間の導
通(例えばアノード側)をとるようにしている。
上記第2の配線パターン7の各一端が外部リードを介し
て、図示しない駆動回路に接続されると共に、前記第1
の配線パターン5の各一端が、同様に外部リードを介し
て前記駆動回路に接続され戸・ かくして、駆動回路で表示したい数字等に対応した信号
を出力することにより、信号の入ったアノードと信号の
入ったカソードとの交点にある発光ダイオードチップの
みが発光し、これによって所望の数字、文字、記号等を
発光表示することができる。
て、図示しない駆動回路に接続されると共に、前記第1
の配線パターン5の各一端が、同様に外部リードを介し
て前記駆動回路に接続され戸・ かくして、駆動回路で表示したい数字等に対応した信号
を出力することにより、信号の入ったアノードと信号の
入ったカソードとの交点にある発光ダイオードチップの
みが発光し、これによって所望の数字、文字、記号等を
発光表示することができる。
而して、この発明では、マトリックス状に配置された発
光ダイオードチップlの組を、基板4と表面板6とで上
下両側から挾持し、基板4の上面に設けた第1の配線パ
ターン5で発光ダイオードチップ1の下面側に設けた電
極3の導通をとる一方、表面板6の下面に設けた第2の
配線パターン7で該発光ダイオードチップ1の上面側に
設けた電極2の導通をとるようにしたため、従来のよう
に、発光ダイオ−・トチツブlの組の上面側の導通をと
るための電極間の溶接工程をなくすことができ、この種
発光ダイオード表示素子の製作時間を大幅に短くするこ
とができ、その製造効率を著しく向上させることができ
る。
光ダイオードチップlの組を、基板4と表面板6とで上
下両側から挾持し、基板4の上面に設けた第1の配線パ
ターン5で発光ダイオードチップ1の下面側に設けた電
極3の導通をとる一方、表面板6の下面に設けた第2の
配線パターン7で該発光ダイオードチップ1の上面側に
設けた電極2の導通をとるようにしたため、従来のよう
に、発光ダイオ−・トチツブlの組の上面側の導通をと
るための電極間の溶接工程をなくすことができ、この種
発光ダイオード表示素子の製作時間を大幅に短くするこ
とができ、その製造効率を著しく向上させることができ
る。
なお、表面板6としては、透明又は半透明の材質であれ
ば、無色でも有色のものでもよい。
ば、無色でも有色のものでもよい。
以上説明してきたように、この発明によれば、PN接合
されたP型層及びN型層の両外面に電極を設けた発光ダ
イオードチップを同一平面上に多数個配置し、これら発
光ダイオードチップの組を、上面に所望形状の第1の配
線パターンを設けた基板と、下面に所望形状の第2の配
線パターンを設けた透明又は半透明な表面板とで挾持し
、前記第1の配線パターンで前記発光ダイオードチップ
の一側面の電極の導通をとると共に、前記第2の配線パ
ターンで前記発光ダイオードチップの他側面の電極の導
通をとるようにした。そのため、従来のように、縦方向
又は横方向に並べて配置された発光ダイオードチップの
各電極間の導通をとるための、該電極を1個づつ逐次的
に溶接するという煩わしい作業をなくすることができ、
この種発光ダイオード表示素子の製作時間を短くして、
その製造効率を大幅に向上させることができる。しかも
、電極にボンディングワイヤを用いる従来の発光ダイオ
ード表示素子では、電極間が大きく離れていると、ボン
ディングワイヤが極めて細く弱いものであるので断線の
おそれがあり、その断線を防ぐための工程が必要とされ
ていたが、この発明では電極が表面板と一体に形成され
ているので断線を生じるおそれがなく、製造工程を大幅
に簡単なものとすることができるという効果が得られる
。
されたP型層及びN型層の両外面に電極を設けた発光ダ
イオードチップを同一平面上に多数個配置し、これら発
光ダイオードチップの組を、上面に所望形状の第1の配
線パターンを設けた基板と、下面に所望形状の第2の配
線パターンを設けた透明又は半透明な表面板とで挾持し
、前記第1の配線パターンで前記発光ダイオードチップ
の一側面の電極の導通をとると共に、前記第2の配線パ
ターンで前記発光ダイオードチップの他側面の電極の導
通をとるようにした。そのため、従来のように、縦方向
又は横方向に並べて配置された発光ダイオードチップの
各電極間の導通をとるための、該電極を1個づつ逐次的
に溶接するという煩わしい作業をなくすることができ、
この種発光ダイオード表示素子の製作時間を短くして、
その製造効率を大幅に向上させることができる。しかも
、電極にボンディングワイヤを用いる従来の発光ダイオ
ード表示素子では、電極間が大きく離れていると、ボン
ディングワイヤが極めて細く弱いものであるので断線の
おそれがあり、その断線を防ぐための工程が必要とされ
ていたが、この発明では電極が表面板と一体に形成され
ているので断線を生じるおそれがなく、製造工程を大幅
に簡単なものとすることができるという効果が得られる
。
第1図はこの発明の一実施例を示す正面から見た説明図
、第2図は第1図の平面から見た説明図、第3図は第1
図に示した発光ダイオードチップを拡大して示す斜視図
、第4図は同じく表示板を底面から見た説明図、第5図
は同じく基板を平面から見た説明図である。
、第2図は第1図の平面から見た説明図、第3図は第1
図に示した発光ダイオードチップを拡大して示す斜視図
、第4図は同じく表示板を底面から見た説明図、第5図
は同じく基板を平面から見た説明図である。
Claims (2)
- (1)PN接合されたP型層及びN型層の両外面に電極
を設けた発光ダイオードチップを同一平面上に多数個配
置し、これら発光ダイオードチップの組を、上面に所望
形状の第1の配線パターンを設けた基板と、下面に所望
形状の第2の配線パターンを設けた透明又は半透明な表
面板とで挾持し、前記第1の配線パターンで前記発光ダ
イオードチップの一側面の電極の導通をとり、前記第2
の配線パターンで前記発光ダイオードチップの他側面の
電極の導通をとることを特徴とする発光ダイオード表示
素子。 - (2)前記発光ダイオードチップの組は、縦方向及び横
方向に所定間隔ててマトリックス状に配置したことを特
徴とする特許請求の範囲第(1)記載の発光ダイオード
表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60037888A JPS61198690A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 発光ダイオ−ド表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60037888A JPS61198690A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 発光ダイオ−ド表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61198690A true JPS61198690A (ja) | 1986-09-03 |
Family
ID=12510075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60037888A Pending JPS61198690A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 発光ダイオ−ド表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61198690A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5060027A (en) * | 1988-08-11 | 1991-10-22 | Plessey Overseas Limited | Light emitting diode array with aligned solder bumps |
WO1997028565A1 (de) * | 1996-01-31 | 1997-08-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Leuchtdiodenmatrix |
KR19990034461A (ko) * | 1997-10-29 | 1999-05-15 | 엄길용 | 평판표시소자 |
WO1999060414A2 (en) * | 1998-05-18 | 1999-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Voltage level indicator |
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WO2012027616A2 (en) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Quarkstar, Llc | Solid state light sheet or strip for general illumination |
US8192051B2 (en) | 2010-11-01 | 2012-06-05 | Quarkstar Llc | Bidirectional LED light sheet |
US8210716B2 (en) | 2010-08-27 | 2012-07-03 | Quarkstar Llc | Solid state bidirectional light sheet for general illumination |
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JPS5745583A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Solid state light emitting display unit |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60037888A patent/JPS61198690A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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