DE3923633C2 - Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Matrixkopfes - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Matrixkopfes

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden(LED-)Matrixkopfes der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Art, wie es aus der US-PS 4 633 280 bekannt ist.
Da die Datenverarbeitungskapazität von Computern derzeit kontinuierlich zunimmt, ist es auch erforderlich, daß ein Drucker als Datenausgabeeinrichtung des Computers mit hoher Druckgeschwindigkeit arbeitet und eine hohe Auflösung und Mehrfachfunktionen aufweist. Aufgrund dieses Erfordernisses wird daher häufig ein LED-Drucksystem verwendet, das einen LED-Matrixkopf mit einer großen Anzahl von Lichtemissionskom­ ponenten verwendet, womit eine hohe Auflösung der Druckqualität erhalten wird. Im allgemeinen kann ein solcher LED- Matrixkopf mit einer Großintegration von Leuchtdioden (LEDs) aufgebaut werden. Daher werden diese LED-Matrizen meistens auf einem Keramiksubstrat erzeugt, deren Fertigungsprozeß bekanntlich sehr schwer durchzuführen ist.
Fig. 1 zeigt einen Abschnitt einer aus der US-PS 4 633 280 bekannten LED-Matrix für den oben beschriebenen Gegenstand, worin das Bezugszeichen 1 ein GaAs-Substrat, das Bezugszeichen 2 einen GaAsP-Film, das Bezugszeichen 3 einen Isolierfilm, das Bezugszeichen 4 einen Zink-Diffusionsbereich, das Bezugszeichen 5 eine p-leitende Einzelelektrode der LED, das Bezugszeichen 6 eine n-leitende gemeinsame Elektrode sowie das Bezugszeichen 7 eine Licht­ emissionsfläche bezeichnen. Wenn eine Spannung an die n-leitende gemeinsame Elektrode 6 und die p-leitende Einzelelektrode 5 der LED angelegt wird, wird eine Lichtemission durch die Lichtemissionsfläche erzeugt. Diese LED-Matrizen können in der in Fig. 2 gezeigten Ordnung angeordnet werden, da die p-leitende Einzelelektrode 5 auf der Lichtemissionsfläche 7 angeordnet ist und die n-leitende gemeinsame Elektrode 6 zu dem Substrat hin angeordnet ist.
Fig. 2 ist ein Schemabild eines zusammengesetzten Abschnitts des bekannten LED-Matrixkopfes. Wenn eine LED-Matrix 13 auf einem Keramiksubstrat 11 angeordnet wird, auf dem ein Anschluß 14 für die gemeinsame Elektrode und ein Außenanschluß 12 angeordnet sind, muß die gemeinsame Elektrode 6 der LED mit dem Anschluß 14 für die gemeinsame Elektrode verbunden werden, und die Einzelelektrode 5 jeder LED-Komponente muß einzeln mit dem Außenanschluß 12 unter Verwendung eines Gold­ drahtes 15 verbunden werden. Jedoch werden bei der Golddraht­ verbindung insgesamt 2048 metallische Verbindungen benötigt, um ein DIN-A4-Papier mit der Auflösung 240 DPI (dot per inch) gewöhnlich verwendeter Zeichen auszudrucken, und insgesamt 3584 Metallverbindungen werden benötigt, um das gleiche Papier mit einer Auflösung von 400 DPI auszudrucken. Da der Zwischenraum zwischen den Golddrähten jeweils etwa 100 µm erreicht, entsteht ferner schließlich das Problem, daß der Fertigungsprozeß schwierig wird und der Ausschuß zunimmt.
Aus der US-PS 3 964 157 ist es bereits bekannt, eine LED-Komponente in einer Aussparung anzuordnen und die vertikalen Zwischenräume mit einem Klebstoff aus­ zufüllen, um die LED-Komponente mit einem die Aussparung aufweisenden Substrat zu verbinden.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, das Verfahren der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Art so weiterzubilden, daß die elektrische Verdrahtungs- oder Anschlußanordnung zwischen einer einzelnen Elektrode jeder LED-Komponente und einem Außenanschluß bei Ausbildung der LED-Matrix auf einem Keramiksubstrat zu vereinfachen ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Ein Außenanschluß wird auf einem Abschnitt der oberen Fläche eines Substrats ausgebildet, das eine Aussparung aufweist. Ein Innenanschluß wird auf der gesamten Oberfläche der Aussparung ausgebildet, wobei der Innenanschluß als gemeinsame Elektrode der LED-Matrix verwendet wird. Ferner wird eine ent­ sprechende LED-Komponente in die Aussparung eingeklebt und ein Isolierfilm wird auf der gesamten Oberfläche des Substrats und der LED-Komponente ausgebildet. Durch selektives Ätzen des Isolierfilmes werden Kontaktfenster gebildet, um auf diese Weise einen Zugang zu dem Außenanschluß und einer Einzelelektrode herzustellen, die auf der oberen Fläche der LED-Komponente angeordnet ist. Ein Sekundäranschluß zur elektrischen Verbindung der Einzelelektrode mit der Außenelektrode wird über die Kontakt­ fenster gebildet.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung gezeigten Ausführungsbeispieles näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 ein Schemabild eines Abschnitts eines bekannten LED-Matrixkopfes;
Fig. 2 ein Schemabild eines montierten Abschnitts des bekannten LED-Matrixkopfes;
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine bevorzugte Ausführungsform eines LED-Matrixkopfes gemäß der Erfindung; und
Fig. 4(A) bis 4(E) Schnittansichten eines Abschnitts A-A′ der LED-Matrixkopfanordnung von Fig. 3, welche je eine Fertigungsstufe gemäß der Erfindung zeigen.
Eine bevorzugte Ausführungsform der LED- Matrixkopfanordnung, wie in Fig. 3 gezeigt, umfaßt eine Mehrzahl von Lichtemissionsflächen 7, die in einer Reihe entlang einer Mittellinie eines Keramiksubstrats 20 angeordnet sind, eine LED-Matrixkomponente 26, welche eine der Anzahl der Lichtemissionsflächen gleiche Anzahl von Einzelelektroden aufweist, eine der Anzahl der Lichtemissionsflächen gleiche Mehrzahl von Außenanschlüssen 22, die auf dem Keramiksubstrat 20 angeordnet sind, sowie eine der Anzahl der Lichtemissions­ flächen 7 entsprechende Mehrzahl von Sekundäranschlüssen 34, welche die jeweilige Einzelelektrode einer Leuchtdiode (LED) mit dem entsprechenden Außenanschluß 22 über zwei Kontaktfenster 31, 32 verbindet.
Bezugnehmend auf Fig. 4(A) wird ein etwa 10 µm dicker Alumi­ niumfilm auf einem Keramiksubstrat 20 ausgebildet, welches eine Aussparung 21 aufweist, die so tief ist wie die Dicke einer unten erläuterten LED-Matrixkomponente 26. Zu diesem Zweck ist eine bekannte Vakuumverdampfungstechnik vorzuziehen. Dann werden unter Verwendung einer herkömmlichen Ätzmethode ein Primäranschluß 24 für eine gemeinsame Elektrode der LED-Matrix bzw. ein Außenanschluß 22 auf dem Substrat aus­ gebildet.
Fig. 4(B) zeigt, daß eine LED-Matrixkomponente 26 in der Aussparung 21 derart angeordnet ist, daß eine Einzelelektrode 5 gerade auf der oberen Fläche der LED-Matrixkomponente aus­ gebildet wird. Zum Verkleben dieser Elemente miteinander kann Epoxydplastikmaterial verwendet werden. Dann werden die obere Fläche des Substrats 20 und der LED-Matrixkomponente 26 mit einem nichtleitenden Material niedriger Viskosität, wie zum Beispiel Aufschleuder-glass (spin-on-glass), überzogen, so daß der vertikale Raum 28 zwischen dem Substrat 20 und der LED- Matrixkomponente 26 ausgefüllt wird und die gesamte Oberfläche der Anordnung flach gemacht wird, wie in Fig. 4(C) gezeigt. Danach wird das gesamte Material etwa 10 Minuten lang bei einer Temperatur von 400°C erhitzt, wodurch ein Isolierfilm 30 von etwa 3 µm Dicke gebildet wird.
Dann wird eine bekannte Fotoätzmethode verwendet, um Kontakt­ fenster 31, 32 über der Einzelelektrode 5 und dem Außen­ anschluß 22 zu bilden, wie in Fig. 4(D) gezeigt.
Danach wird, wie anhand von Fig. 4(E) erläutert, auf der ge­ samten Oberfläche des Substrats ein Metallfilm, zum Beispiel aus Aluminium, mit einer Dicke von 2 µm gebildet, so daß elektrische Verbindungen zwischen der Einzelelektrode 5 und dem Außenanschluß 22 über die Kontaktfenster 31, 32 her­ gestellt werden, wonach der überflüssige Teil des Metallfilmes unter Verwendung der bekannten Fotoätzmethode entfernt wird. Dadurch wird ein Sekundäranschluß 34 auf der Oberfläche des Substrats aufgebracht. Wenn eine Spannung an den Außenanschluß 22 und den Innenanschluß 24 angelegt wird, emittiert folglich jede LED-Komponente, wie oben beschrieben, Licht durch die Lichtemissionsfläche 7.
Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, macht es die Erfindung sehr leicht, eine LED-Matrixkopfanordnung herzu­ stellen, weil sie im Unterschied zu dem herkömmlich verwendeten mit getrennten Goldanschlüssen arbeitenden Verfahren ein vereinfachtes Anschlußverfahren anwendet, das den Metallüberzug und die Fotoätzmethode nutzt bei Herstellung eines Anschlusses zwischen einem Außenanschluß des Substrats und einer Einzelelektrode der LED-Matrixkomponente. Da der Verdrahtungsausfall aufgrund des mechanischen Kontakts vermindert werden kann, nimmt außerdem die Zuverlässigkeit der Einrichtung beträchtlich zu.

Claims (4)

1. Verfahren zur Herstellung eines LED-Matrixkopfes mit den Schritten:
Bilden von Außenanschlüssen (22), von denen jeder einer LED-Komponente (26) individuell zugeordnet wird, und eines Innenanschlusses (24), der allen LED-Komponenten gemeinsam zugeordnet wird, auf einem Substrat (20), und
Anordnen einer Reihe von LED-Komponenten (26) in elektrischem Kontakt mit dem Innenanschluß (24), der damit als gemeinsame Elektrode für die LED-Komponenten (26) verwendet wird, deren auf ihren Oberflächen angeordnete Einzelelektroden (5) jeweils mit den Außenanschlüssen (22) über Sekundäranschlüsse (34) elektrisch verbunden werden,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Innenanschluß (24) auf der gesamten Bodenfläche einer Aussparung (21) innerhalb des Substrats (20) gebildet wird, die eine Tiefe aufweist, die etwa so groß ist wie die Dicke der LED-Komponenten (26), und eine Breite hat, die vertikale Zwischenräume (28) zwischen der LED- Komponente (26) und der Aussparung (21) bildet,
die LED-Komponenten (26) in die Aussparung (21) eingesetzt und derart eingeklebt werden, daß der elektrische Kontakt mit dem Innenanschluß (24) her­ gestellt wird,
ein Isolierfilm (30) aus einem Material niedriger Viskosität auf der gesamten Oberfläche des Substrats (20) und der LED-Komponenten (26) gebildet wird, wobei das Material die vertikalen Zwischenräume (28) ausfüllt und die gesamte Oberfläche der Anordnung flachgemacht wird, und
Kontaktfenster (31, 32) durch selektives Ätzen des Isolierfilms (30) gebildet werden, um durch diese hindurch die elektrische Verbindung zwischen den Einzelelektroden (5) und den Außenanschlüssen (22) über die filmartig ausgebildeten Sekundär­ anschlüsse (34) herzustellen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die LED-Komponenten (26) in die Aussparung (21) unter Verwendung von Epoxydplastikmaterial eingeklebt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierfilm (30) aus Aufschleuder-Glas durch einen thermischen Prozeß hergestellt ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundäranschlüsse (34) aus einem Aluminiumfilm von etwa 2 µm Dicke durch Metall-Vakuumverdampfung und Fotoätzung hergestellt werden.
DE3923633A 1988-12-12 1989-07-17 Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Matrixkopfes Expired - Lifetime DE3923633C2 (de)

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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3323324B2 (ja) * 1993-06-18 2002-09-09 株式会社リコー 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
JPH07202263A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Ricoh Co Ltd 端面発光型発光ダイオード、アレイ状光源、側面受光型受光素子、受発光素子、端面発光型発光ダイオードアレイ状光源
JP3194423B2 (ja) * 1996-05-30 2001-07-30 キヤノン株式会社 画像形成装置
US6011575A (en) * 1996-09-10 2000-01-04 Konica Corporation Image forming apparatus with line-shaped image exposure means
GB2329756A (en) * 1997-09-25 1999-03-31 Univ Bristol Assemblies of light emitting diodes
US6200134B1 (en) 1998-01-20 2001-03-13 Kerr Corporation Apparatus and method for curing materials with radiation
US6867499B1 (en) 1999-09-30 2005-03-15 Skyworks Solutions, Inc. Semiconductor packaging
WO2001024259A2 (en) * 1999-09-30 2001-04-05 Alpha Industries, Inc. Semiconductor packaging
US6415505B1 (en) * 1999-11-15 2002-07-09 Amkor Technology, Inc. Micromachine package fabrication method
US7320593B2 (en) 2000-03-08 2008-01-22 Tir Systems Ltd. Light emitting diode light source for curing dental composites
CN1678252B (zh) 2002-07-25 2011-06-29 乔纳森·S·达姆 传输热能的器械、提供预定方向的光的装置及发光装置
US7182597B2 (en) 2002-08-08 2007-02-27 Kerr Corporation Curing light instrument
WO2004038759A2 (en) * 2002-08-23 2004-05-06 Dahm Jonathan S Method and apparatus for using light emitting diodes
CN101800183B (zh) * 2002-11-13 2013-02-06 日本冲信息株式会社 具有半导体薄膜的组合半导体装置
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
MXPA06014522A (es) 2004-06-15 2007-03-23 Henkel Corp Montaje electro-optico de diodo electroluminico de gran potencia.
DE102004047061B4 (de) 2004-09-28 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102004050371A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
KR101047683B1 (ko) * 2005-05-17 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
US8113830B2 (en) * 2005-05-27 2012-02-14 Kerr Corporation Curing light instrument
US8047686B2 (en) * 2006-09-01 2011-11-01 Dahm Jonathan S Multiple light-emitting element heat pipe assembly
DE102008025318A1 (de) * 2008-05-27 2009-12-10 Setrinx S.A.R.L. Leuchtchip und Leuchtvorrichtung mit einem solchen
US9072572B2 (en) 2009-04-02 2015-07-07 Kerr Corporation Dental light device
US9066777B2 (en) 2009-04-02 2015-06-30 Kerr Corporation Curing light device
US20110089531A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Interposer Based Monolithic Microwave Integrate Circuit (iMMIC)
US9048392B2 (en) 2010-04-23 2015-06-02 Cree, Inc. Light emitting device array assemblies and related methods
DK2506370T3 (en) 2011-03-30 2016-01-18 Huawei Tech Co Ltd Submount device for VCSELs
US20140001622A1 (en) * 2012-06-27 2014-01-02 Infineon Technologies Ag Chip packages, chip arrangements, a circuit board, and methods for manufacturing chip packages
US20140015405A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-16 Elementech International Co., Ltd. Light emitting diode module
US20140048824A1 (en) * 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
JP6024957B2 (ja) * 2012-09-24 2016-11-16 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
CN103594462A (zh) * 2013-11-07 2014-02-19 昆山开威电子有限公司 Led集成封装结构及其封装方法
CN110100309A (zh) * 2016-12-23 2019-08-06 株式会社流明斯 微型led模块及其制造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3290539A (en) * 1963-09-16 1966-12-06 Rca Corp Planar p-nu junction light source with reflector means to collimate the emitted light
US3914137A (en) * 1971-10-06 1975-10-21 Motorola Inc Method of manufacturing a light coupled monolithic circuit by selective epitaxial deposition
US3860424A (en) * 1971-12-30 1975-01-14 Bell Telephone Labor Inc Led display
US3936694A (en) * 1973-12-28 1976-02-03 Sony Corporation Display structure having light emitting diodes
US3964157A (en) * 1974-10-31 1976-06-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of mounting semiconductor chips
JPS5429239B2 (de) * 1974-12-04 1979-09-21
US4040078A (en) * 1976-05-11 1977-08-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Opto-isolators and method of manufacture
US4165474A (en) * 1977-12-27 1979-08-21 Texas Instruments Incorporated Optoelectronic displays using uniformly spaced arrays of semi-sphere light-emitting diodes
US4241277A (en) * 1979-03-01 1980-12-23 Amp Incorporated LED Display panel having bus conductors on flexible support
FR2491714A1 (fr) * 1980-10-06 1982-04-09 Radiotechnique Compelec Dispositif semi-conducteur a diodes electroluminescentes localisees et son procede de fabrication
GB2115198A (en) * 1982-02-19 1983-09-01 British Steel Corp Improvements in or relating to visual display instrument component assemblies
JPS6089988A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Toshiba Corp 複写機用ｌｅｄアレイ光源
JPS60136788A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 日本ビクター株式会社 Ｌｅｄ平面パネルデイスプレイの製作法
US4611886A (en) * 1983-12-29 1986-09-16 At&T Bell Laboratories Integrated optical circuit package
JPS6129562A (ja) * 1984-07-20 1986-02-10 Sanyo Electric Co Ltd 印字用発光ダイオ−ド
JPH0825302B1 (de) * 1984-09-27 1996-03-13 Sanyo Denki Kk
DE3683195D1 (de) * 1985-06-28 1992-02-13 Takiron Co Matrix aus optischen leitern fuer eine punktmatrix-leuchtanzeige.

Also Published As

Publication number Publication date
GB2225897B (en) 1992-12-23
KR910006706B1 (ko) 1991-08-31
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GB8926626D0 (en) 1990-01-17
FR2641394A1 (fr) 1990-07-06
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JPH02174274A (ja) 1990-07-05
NL192359B (nl) 1997-02-03

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