FR2641394A1 - Procede pour fabriquer une tete d'impression formee d'un reseau de diodes photoemissives - Google Patents

Procede pour fabriquer une tete d'impression formee d'un reseau de diodes photoemissives Download PDF

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Abstract

Selon ce procédé, on forme un câblage extérieur 22 sur un substrat 20 comportant un renfoncement et un câblage intérieur 24, utilisé comme électrode commune d'un réseau de diodes LED, dans le renfoncement, on fixe un composant LED 26 dans le renforcement, on forme une pellicule isolante 30 sur l'ensemble, on forme des fenêtres de contact dans la pellicule isolante pour l'accès au câblage extérieur 22 et à une électrode individuelle 5 située sur le composant 26, et on forme un câblage secondaire 34 reliant électriquement l'électrode 5 à l'électrode 22 à travers les fenêtres de contact. Application notamment aux imprimantes reliées à des ordinateurs.

Description

La présente invention concerne un procédé pour fa-
briquer une tête d'impression formée d'un réseau de diodes
photoémissives (LED), destinée à être utilisée dans la fa-
brication des dispositifs à semiconducteurs, en particulier une connexion simplifiée entre chaque électrode d'un élément du réseau et un câblage extérieur, sans l'utilisation d'un
fil d'or entre cet élément et ce câblage au cours de la fa-
brication du réseau de diodes LED sur un substrat constitué
par exemple par un matériau céramique.
Avec l'accroissement actuel permanent de la capa-
cité de traitement de données, que possède les ordinateurs, il est également nécessaire qu'une imprimante, constituant
le dispositif de sortie des données de l'ordinateur, tra-
vaille avec une grande vitesse d'impression et possède une haute résolution et des fonctions multiples. Il en résulte que, dans le cas d'une telle exigence, on a souvent utilisé
un système d'impression à diodes LED utilisant une tête for-
mée d'un réseau de diodes LED comportant un grand nombre de
composants photoémissifs, de manière à obtenir une haute ré-
solution dans la qualité d'impression. D'une manière géné-
rale, une telle tête formée d'un réseau de diodes LED peut être réalisée avec une intégration à grande échelle de diodes photoémissives. C'est pourquoi, ces réseaux de diodes
LED sont la plupart du temps formés sur un substrat céra-
mique, dont on sait que le procédé de fabrication est très
difficile à mettre en oeuvre.
La figure 1, annexée à la présente demande, repré-
sente une partie d'un réseau connu de diodes LED du type concerné par la présente invention, dans lequel le chiffre de référence 1 désigne un substrat en GaAs, le chiffre de
référence 2 une pellicule de GaAsP, la référence 3 une pel-
licule isolante, le chiffre de référence A une région de diffusion du zinc, le chiffre de référence 5 une électrode
individuelle de type P d'une diode LED, le chiffre de réfé-
rence 6 une électrode commune de type N et le chiffre de ré-
férence 7 une surface photoémissive. Lorsqu'on applique une tension à l'électrode commune 6 de type N et à l'électrode individuelle 5 de type P de la diode LED, on obtient une émission de lumière à travers la surface 7. Ces réseaux de diodes LED peuvent être agencés comme cela est représenté sur la figure 2, étant donné que l'électrode individuelle 5 de type P est disposée sur la surface photoémissive 7 et que l'électrode commune de type N est disposée sur le côté
tourné vers le substrat.
La figure 2, annexée à la présente demande, est un dessin schématique montrant une partie assemblée de la tête
connue formée du réseau de diodes LED. Ainsi, lorsqu'on ins-
talle un réseau 13 de diodes LED sur un substrat céramique
11, sur lequel sont formés un câblage commun 14, des élec-
trodes et un câblage extérieur 12, l'électrode commune 6 de la diode LED doit être accouplée au câblage commun 14 des électrodes, et les différentes électrodes 5 des différents
composants LED doivent être accouplées, une par une, au câ-
blage extérieur 12 moyennant l'utilisation d'un fil d'or 15.
Cependant, lors du raccordement avec le fil d'or, il est né-
cessaire d'avoir un ensemble de 2048 connexions métalliques pour réaliser l'impression sur un papier de format A4 avec une résolution de 240 DPI (le sigle DPI signifiant: points
par unité de longueur de 2,54 cm) pour les caractères habi-
tuellement utilisés, et il est également nécessaire d'avoir un ensemble de 3584 connexions métalliques pour réaliser une impression sur le même papier avec une résolution de 400
DPI. En outre, étant donné que l'intervalle entre les câ-
blages en or est égal à environ 100 pm, il se pose éventuel-
lement un problème consistant en ce que la fabrication de
ces câblages est difficile et que le rendement de fabrica-
tion est faible.
C'est pourquoi, un but de la présente invention est de fournir un procédé pour fabriquer une tête d'impression formée d'un réseau de diodes LED, permettant de simplifier la disposition du câblage électrique entre une électrode individuelle de chaque composant LED et un câblage extérieur lors de la formation du réseau de-diodes LED sur
un substrat céramique.
Afin d'atteindre cet objectif et d'obtenir d'autres avantages conformément à l'invention, le procédé de fabrication d'une tête d'impression formée d'un réseau de diodes photoémissives (LED) inclut les étapes consistant à: former un câblage extérieur sur une partie de la surface supérieure d'un substrat comportant un renfoncement,
et un câblage intérieur sur l'ensemble de la surface supé-
rieure dudit renfoncement, ledit câblage intérieur étant utilisé comme électrode commune du réseau de diodes LED,
fixer un composant LED respectif dans ledit ren-
foncement, former une pellicule isolante sur l'ensemble de la surface supérieure du substrat et du composant LED,
former des fenêtres de contact au moyen d'une cor-
rosion sélective de la pellicule isolante pour avoir accès au câblage extérieur et à une électrode individuelle située sur la surface supérieure dudit composant LED, et former un câblage secondaire servant à réaliser le couplage électrique de l'électrode individuelle à
l'électrode extérieure, par l'intermédiaire desdites fe-
nêtres de contact.
D'autres caractéristiques et avantages de la pré-
sente invention ressortiront de la description donnée ci-
après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1, dont il a déjà été fait mention, montre une représentation schématique d'une partie d'une tête connue formée d'impression formée d'un réseau de diodes LED; - la figure 2, dont il a déjà été fait mention, montre une représentation schématique d'une partie assemblée de la tête connue formée du réseau de diodes LED; - la figure 3 représente une vue en plan d'une forme de réalisation préférée d'une tête formée d'un réseau de diodes LED conformément à l'invention; et - les figures 4(A) à (E) sont des vues en coupe transversale d'une partie A-A' de la tête formée du réseau
de diodes LED de la figure 3, illustrant chaque étape de fa-
brication conformément à l'invention.
En se référant à la figure 3, une forme de réali-
sation préférée d'une tête formée d'un réseau de diodes LED conforme à l'invention comprend une pluralité de surfaces photoémissives 7 disposées suivant une rangée, le long d'un axe central d'un substrat céramique 28, un composant LED 26 possédant le même nombre d'électrodes individuelles qu'il y
a de surfaces photoémissives, une pluralité de câblages ex-
térieurs 22, dont le nombre est égal à celui des surfaces photoémissives, lesdits câblages extérieurs étant disposés
sur le substrat céramique 20, une pluralité de câblages se-
condaires 34, dont le nombre est égal à celui des surfaces
photoémissives 7, ledit câblage secondaire accouplant élec-
triquement l'électrode individuelle respective d'une diode LED au câblage extérieur correspondant 22 par
l'intermédiaire de deux contacts 31,32.
En se référant à la figure 4(A), on forme une pel-
licule d'aluminium possédant une épaisseur d'environ 10 pm sur un substrat céramique 20 comportant un renfoncement 21, dont la profondeur est égale à l'épaisseur d'un composant
LED 26, au sujet duquel on donnera plus loin des explica-
tions. Ensuite, en utilisant une technique de corrosion pho-
tochimique classique, on forme sur le substrat un câblage primaire 24 pour une électrode commune du réseau de diodes
LED et un câblage extérieur 22.
Sur la figure 4(B), on voit qu'un composant LED 26 est disposé dans le renfoncement 21 de telle sorte qu'une
électrode individuelle 5 est formée juste sur la surface su-
périeure du composant LED. Pour relier ces éléments entre eux, on peut utiliser une matière plastique époxy. Alors, on dépose, au-dessus de la surface supérieure du substrat 28 et du composant LED 26, un matériau non conducteur présentant une faible viscosité, comme par exemple du verre déposé par centrifugation (verre SOG), de manière que l'espace vertical présent entre le substrat 20 et le composant LED 26 soit rempli et que la totalité de sa surface soit rendue plane, comme cela est représenté sur la figure 4(C). Ensuite, on fait chauffer l'ensemble du matériau à une température de
400C pendant environ dix minutes, ce qui aboutit à la for-
mation d'une pellicule isolante 30 possédant une épaisseur
d'environ 3 pm.
Ensuite, on utilise une technique connue de corro-
sion photochimique pour former des fenêtres de contact 31,32
au-dessus de l'électrode individuelle 5 et du câblage exté-
rieur 22, comme représenté sur la figure 4(D).
Ensuite, en référence à la figure 4(E), on forme une pellicule métallique constituée par exemple par de l'aluminium possédant une épaisseur de 2 pm sur l'ensemble de la surface supérieure du substrat de sorte que des
connexions électriques sont établies entre l'électrode indi-
viduelle 5 et le câblage extérieur 22 par l'intermédiaire des fenêtres de contact 31,32, à la suite de quoi on élimine la partie inutile de la pellicule métallique en utilisant
une technique connue de corrosion photochimique. Par conse-
quent, un câblage secondaire 34 ressort sur la surface supé-
rieure du substrat. Par conséquent, lorsqu'on applique une tension au câblage extérieur 22 et au câblage intérieur 24,
chaque composant LED tel que décrit ci-dessus émet une lu-
mière à travers la surface 7.
Comme cela ressort à l'évidence de la description
précédente, la présente invention permet de fabriquer aisé-
ment la tête formée du réseau de diodes LED, étant donné qu'elle utilise un procédé de câblage simplifié mettant en oeuvre des techniques de dépôt et de corrosion photochimique d'un métal, qui diffèrent du procédé séparé de formation d'un câblage d'or, du type utilisé de façon classique, lors de la formation d'un câblage entre un câblage extérieur du substrat et une électrode individuelle du composant LED. En outre, étant donné qu'il est possible de réduire le risque de la défaillance du câblage due au contact métallique, la
fiabilité du dispositif s'en trouve fortement accrue.
Bien que l'invention ait été représentée et dé-
crite de façon particulière en référence à une forme de réa-
lisation préférée, les spécialistes de la technique compren-
dront que l'on peut y apporter des modifications de détails
sans sortir du cadre de l'invention.

Claims (5)

REVENDICATIONS
1. Procédé pour fabriquer une tête formée d'un ré-
seau de diodes photoémissives (LED), caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consistant à: former un câblage extérieur (22) sur une partie de
la surface supérieure d'un substrat (20) comportant un ren-
foncement (21), et un câblage intérieur (24) sur l'ensemble de la surface supérieure dudit renfoncement, ledit câblage intérieur étant utilisé comme électrode commune du réseau de diodes LED, fixer un composant LED respectif (26) dans ledit renfoncement, former une pellicule isolante (30) sur l'ensemble
de la surface supérieure du substrat et du composant LED,-
former des fenêtres de contact (31,32) au moyen d'une corrosion sélective de la pellicule isolante pour
avoir accès au câblage extérieur (22) et à une électrode in-
dividuelle (5) située sur la surface supérieure dudit compo-
sant LED, et
former un câblage secondaire (34) servant à réali-
ser le couplage électrique de l'électrode individuelle à
l'électrode extérieure, par l'intermédiaire desdites fe-
nêtres de contact.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit renfoncement (21) possède une profondeur
égale approximativement à l'épaisseur du composant LED (26).
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé
en ce que le composant LED (26) est fixé dans ledit renfon-
cement moyennant l'utilisation d'une matière plastique époxy de sorte que l'électrode individuelle est disposée sur la
partie la plus haute du composant LED.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'on forme la pellicule isolante (30), en mettant en oeuvre un procédé thermique, en utilisant un matériau non conducteur possédant une faible viscosité, comme par exemple
du verre déposé par centrifugation (SOG).
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'on dépose ledit câblage secondaire en utilisant de préférence une pellicule d'aluminium possédant une épaisseur d'environ 2 pm, moyennant un dépôt par évaporation et une
corrosion photochimique du métal.
FR8907465A 1988-12-12 1989-06-06 Procede pour fabriquer une tete d'impression formee d'un reseau de diodes photoemissives Expired - Lifetime FR2641394B1 (fr)

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FR2641394A1 true FR2641394A1 (fr) 1990-07-06
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3323324B2 (ja) * 1993-06-18 2002-09-09 株式会社リコー 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
JPH07202263A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Ricoh Co Ltd 端面発光型発光ダイオード、アレイ状光源、側面受光型受光素子、受発光素子、端面発光型発光ダイオードアレイ状光源
JP3194423B2 (ja) * 1996-05-30 2001-07-30 キヤノン株式会社 画像形成装置
US6011575A (en) * 1996-09-10 2000-01-04 Konica Corporation Image forming apparatus with line-shaped image exposure means
GB2329756A (en) 1997-09-25 1999-03-31 Univ Bristol Assemblies of light emitting diodes
US6200134B1 (en) 1998-01-20 2001-03-13 Kerr Corporation Apparatus and method for curing materials with radiation
WO2001024259A2 (fr) * 1999-09-30 2001-04-05 Alpha Industries, Inc. Encapsulation de semi-conducteurs
US6867499B1 (en) * 1999-09-30 2005-03-15 Skyworks Solutions, Inc. Semiconductor packaging
US6415505B1 (en) * 1999-11-15 2002-07-09 Amkor Technology, Inc. Micromachine package fabrication method
US7320593B2 (en) 2000-03-08 2008-01-22 Tir Systems Ltd. Light emitting diode light source for curing dental composites
JP2005534201A (ja) 2002-07-25 2005-11-10 ジョナサン エス． ダーム、 発光ダイオードを硬化用に使用するための方法および装置
US7182597B2 (en) 2002-08-08 2007-02-27 Kerr Corporation Curing light instrument
WO2004038759A2 (fr) * 2002-08-23 2004-05-06 Dahm Jonathan S Procede et appareil permettant d'utiliser des diodes electroluminescentes
EP1420456B1 (fr) * 2002-11-13 2013-05-22 Oki Data Corporation Composant semi-conducteur monolithique et tête d'impression optique
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
JP2008503057A (ja) 2004-06-15 2008-01-31 ヘンケル コーポレイション 高出力ｌｅｄの電気光学組立体
DE102004047061B4 (de) 2004-09-28 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102004050371A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
KR101047683B1 (ko) * 2005-05-17 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
US8113830B2 (en) * 2005-05-27 2012-02-14 Kerr Corporation Curing light instrument
US8047686B2 (en) * 2006-09-01 2011-11-01 Dahm Jonathan S Multiple light-emitting element heat pipe assembly
DE102008025318A1 (de) * 2008-05-27 2009-12-10 Setrinx S.A.R.L. Leuchtchip und Leuchtvorrichtung mit einem solchen
US9066777B2 (en) 2009-04-02 2015-06-30 Kerr Corporation Curing light device
US9072572B2 (en) 2009-04-02 2015-07-07 Kerr Corporation Dental light device
US20110089531A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Interposer Based Monolithic Microwave Integrate Circuit (iMMIC)
US9048392B2 (en) 2010-04-23 2015-06-02 Cree, Inc. Light emitting device array assemblies and related methods
DK2506370T3 (en) 2011-03-30 2016-01-18 Huawei Tech Co Ltd Submount device for VCSELs
US20140001622A1 (en) * 2012-06-27 2014-01-02 Infineon Technologies Ag Chip packages, chip arrangements, a circuit board, and methods for manufacturing chip packages
US20140015405A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-16 Elementech International Co., Ltd. Light emitting diode module
US20140048824A1 (en) * 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
JP6024957B2 (ja) * 2012-09-24 2016-11-16 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
CN103594462A (zh) * 2013-11-07 2014-02-19 昆山开威电子有限公司 Led集成封装结构及其封装方法
CN110100309A (zh) * 2016-12-23 2019-08-06 株式会社流明斯 微型led模块及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2290036A1 (fr) * 1974-10-31 1976-05-28 Western Electric Co Procede de montage de paillettes semi-conductrices sur des substrats isolants
JPS6089988A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Toshiba Corp 複写機用ｌｅｄアレイ光源
US4734714A (en) * 1984-09-27 1988-03-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical print head with LED diode array

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3290539A (en) * 1963-09-16 1966-12-06 Rca Corp Planar p-nu junction light source with reflector means to collimate the emitted light
US3914137A (en) * 1971-10-06 1975-10-21 Motorola Inc Method of manufacturing a light coupled monolithic circuit by selective epitaxial deposition
US3860424A (en) * 1971-12-30 1975-01-14 Bell Telephone Labor Inc Led display
US3936694A (en) * 1973-12-28 1976-02-03 Sony Corporation Display structure having light emitting diodes
JPS5429239B2 (fr) * 1974-12-04 1979-09-21
US4040078A (en) * 1976-05-11 1977-08-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Opto-isolators and method of manufacture
US4165474A (en) * 1977-12-27 1979-08-21 Texas Instruments Incorporated Optoelectronic displays using uniformly spaced arrays of semi-sphere light-emitting diodes
US4241277A (en) * 1979-03-01 1980-12-23 Amp Incorporated LED Display panel having bus conductors on flexible support
FR2491714A1 (fr) * 1980-10-06 1982-04-09 Radiotechnique Compelec Dispositif semi-conducteur a diodes electroluminescentes localisees et son procede de fabrication
GB2115198A (en) * 1982-02-19 1983-09-01 British Steel Corp Improvements in or relating to visual display instrument component assemblies
JPS60136788A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 日本ビクター株式会社 Ｌｅｄ平面パネルデイスプレイの製作法
US4611886A (en) * 1983-12-29 1986-09-16 At&T Bell Laboratories Integrated optical circuit package
JPS6129562A (ja) * 1984-07-20 1986-02-10 Sanyo Electric Co Ltd 印字用発光ダイオ−ド
DE3683195D1 (de) * 1985-06-28 1992-02-13 Takiron Co Matrix aus optischen leitern fuer eine punktmatrix-leuchtanzeige.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2290036A1 (fr) * 1974-10-31 1976-05-28 Western Electric Co Procede de montage de paillettes semi-conductrices sur des substrats isolants
JPS6089988A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Toshiba Corp 複写機用ｌｅｄアレイ光源
US4734714A (en) * 1984-09-27 1988-03-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical print head with LED diode array

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 19, no. 10, mars 1977, pages 3959-3960, New York, US; F.F. FANG et al.: "Merging semiconductor optoelectronics with silicon technology" *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 9, no. 240 (E-345), 26 septembre 1985; & JP-A-60 89 988 (TOSHIBA K.K.) 20-05-1985 *

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GB2225897A (en) 1990-06-13
GB2225897B (en) 1992-12-23

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