NL192359C - Werkwijze voor het vervaardigen van een LED matrixkop. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een LED matrixkop. Download PDF

Info

Publication number
NL192359C
NL192359C NL8901403A NL8901403A NL192359C NL 192359 C NL192359 C NL 192359C NL 8901403 A NL8901403 A NL 8901403A NL 8901403 A NL8901403 A NL 8901403A NL 192359 C NL192359 C NL 192359C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
led
substrate
wiring
top surface
component
Prior art date
Application number
NL8901403A
Other languages
English (en)
Other versions
NL192359B (nl
NL8901403A (nl
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of NL8901403A publication Critical patent/NL8901403A/nl
Publication of NL192359B publication Critical patent/NL192359B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL192359C publication Critical patent/NL192359C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
    • G06K15/02—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
    • G06K15/12—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24101—Connecting bonding areas at the same height
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

1 192359
Werkwijze voor het vervaardigen van een LED matrlxkop
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een lichtemitterende diode (LED)matrixkop, omvattende de stappen van: het vormen van een uitwendige bedrading op een gedeelte 5 van een bovenoppervlak van een substraat, waarbij het substraat is voorzien van een uitsparing, het hechten van een LED component in genoemde uitsparing, het vormen van een isolerende laag over het gehele bovenoppervlak van het substraat en de LED component, het vormen van vensters door het selectief etsen van genoemde isolerende laag om toegang te verschaffen tot de uitwendige bedrading en een individuele elektrode van de LED component, en het vormen van een verbinding via de vensters voor het 10 elektrisch koppelen van de uitwendige bedrading met de elektrode van de LED component.
Een dergelijke werkwijze is bekend uit het Amerikaanse octrooischrift nr. 3.964.157.
Bij een volgens de bekende werkwijze vervaardigde lichtemitterende diodematrix is deze, aan dezelfde zijde als waar de individuele elektrodes van de LED component zijn aangebracht, voorzien van een inwendige bedrading die ohms contact maakt met het substraat van de LED component. De consequentie 15 hiervan is dat de LED component een groter oppervlak inneemt dan nodig zou zijn als deze inwendige bedrading niet aan dezelfde zijde zou zijn aangebracht, terwijl bovendien extra uitwendige bedrading op het bovenoppetvlak van het substraat is vereist voor verbinding met deze inwendige bedrading, wat weer gevolgen heeft voor het totale oppervlak van het substraat. Bij een kleiner oppervlak van de LED component kunnen derhalve de totale afmetingen van de inrichting waarin deze is opgenomen worden terugge-20 bracht.
Bovendien bestaat bij de bekende werkwijze het gevaar, dat bij het vormen van een verbinding via de vensters voor het elektrisch koppelen van de uitwendige bedrading met de elektrode van de LED component er elektrisch geleidend materiaal vloeit in de groef tussen de wand van de uitsparing in het substraat en de naar deze wand toegekeerde zijde van de LED component, waardoor de LED component onbruikbaar 25 zou zijn, aangezien de diode dan feitelijk zou zijn kortgesloten.
De werkwijze volgens de uitvinding beoogt de hiervoor beschreven bezwaren te ondervangen en heeft hiertoe als kenmerk, dat de inwendige bedrading wordt aangebracht over een geheel bovenoppervlak van de genoemde uitsparing waarin de LED component wordt geplaatst, en dat bij het vormen van de elektrische verbinding tussen de vensters onder de elektrische verbinding de isolerende laag aanwezig blijft.
30 Met voordeel kan er met de werkwijze volgens de uitvinding meer dan één LED component in één uitsparing in het substraat worden geplaatst met een voor alle LED componenten gemeenschappelijke, over een geheel bovenoppetvlak van de uitsparing aangebrachte inwendige bedrading.
Opgemerkt wordt, dat uit het Amerikaanse octrooischrift nr. 4.074.299 een LED matrixkop bekend is die is voorzien van op de bodem van genoemde uitsparingen aangebrachte inwendige bedrading, waarbij de 35 bedrading wordt gebruikt voor een gemeenschappelijke elektrode van de matrix. Bij deze bekende LED matrixkop strekt de inwendige bedrading zich echter uit tussen de gelaagde structuur van het substraat en wordt pas toegankelijk dan nadat er boven deze inwendige bedrading uitsparingen zijn aangebracht. Bij de werkwijze volgens de uitvinding wordt daarentegen pas nadat de uitsparing is aangebracht de inwendige bedrading over een geheel bovenoppervlak van de uitsparing waarin de LED component wordt geplaatst 40 aangebracht.
De uitvinding wordt toegelicht aan de hand van de tekening. Hierin is: figuur 1 een aanzicht van een voorkeursuitvoeringsvorm van een LED matrixkop volgens de uitvinding; en 45 figuren 2(A) tot (E) zijn dwarsdoorsneden over het gedeelte A-A' van de LED matrixkop volgens figuur 1 aan de hand waarvan de weikwijze volgens de uitvinding wordt toegelicht.
Rguur 1 toont een voorkeursuitvoeringsvorm van een LED matrixkop, vervaardigd met de werkwijze volgens de uitvinding en omvattende een aantal lichtemitterende oppervlakken 7, die in een rij langs de middellijn 50 van een keramisch substraat 28 zijn opgesteld, waarbij in een LED matrixcomponent 26 het aantal individuele elektroden gelijk is aan het aantal lichtemitterende oppervlakken, er een aantal uitwendige draden 22 is, in aantal gelijk aan het aantal lichtemitterende oppervlakken en deze uitwendige draden zijn aangebracht op het keramisch substraat 20. Een aantal secundaire draden 34, waarvan het aantal gelijk is aan dat van de lichtemitterende oppervlakken 7, zorgen voor de elektrische koppeling tussen elke 55 respectievelijke individuele elektrode van een LED en de corresponderende uitwendige bedrading 22 via twee contacten 31,32.
Zoals 2(A) toont, wordt een aluminiumfilm van 10 pm dik gevoimd op een keramisch substraat 20 dat is

Claims (2)

5 Figuur 2(B) toont dat een LED matrixcomponent 26 is aangebracht in de uitsparing 21, zodat een individuele elektrode 5 is gevormd op het bovenoppervlak van de LED matrixcomponent. Voor het aaneenhechten van deze elementen kan gebruik worden gemaakt van kunststof epoxymateriaal. Daarna worden het bovenoppervlak van het substraat 20 en de LED matrixcomponent 26 bekleed met een niet-geleidend materiaal met een lage viscositeit, zoals SOG (”Spin-on-Glass” - opgesponnen glas), zodat 10 de verticale ruimte tussen het substraat 20 en de LED matrixcomponent 26 wordt gevuld en het gehele oppervlak vlak wordt, zoals figuur 2(C) toont. Nadat al het materiaal gedurende ongeveer tien minuten is verhit tot een temperatuur van 400°C, wordt de isolerende film 30 met een dikte van ongeveer 3 pm verkregen. Vervolgens wordt de bekende foto-etstechniek gebruikt voor het vormen van de contactvensters 31,32 15 boven de individuele elektroden 5 en de uitwendige bedrading 22, zoals figuur 2(D) toont. Daarna wordt, zoals figuur 2(E) toont, op het gehele bovenoppervlak van het substraat een metalen film, zoals aluminium gevormd, met een dikte van 2 pm, zodat elektrische verbindingen worden gemaakt tussen de individuele elektroden 5 en de uitwendige bedrading 22 via de contactvensters 31,32, waarbij niet noodzakelijke delen van de metaalfilm worden verwijderd met de bekende foto-etstechnieken. Een 20 secundaire bedrading 34 wordt dan gevormd over het bovenoppervlak van het substraat. Wanneer een spanning wordt aangelegd aan de uitwendige bedrading 22 en de inwendige bedrading 24, zal elke LED component licht emitteren door het oppervlak 7. Zoals uit het bovenstaande blijkt maakt de onderhavige uitvinding het gemakkelijk de LED matrixkop te vervaardigen omdat een vereenvoudigde bedradingsmethode wordt toegepast, gebruikmakend van de 25 metaalbekledings- en foto-etstechnieken in plaats van de gebruikelijke methode, waarbij separate gouddraden worden toegepast voor het totstandbrengen van een draadverbinding tussen een uitwendige bedrading van het substraat en een individuele elektrode van een LED matrixcomponent. Daar bedradingsfouten als gevolg van mechanische contacten minder voorkomen, zal de betrouwbaarheid aanzienlijk toenemen. 30
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een lichtemitterende diode (LED)matrixkop, omvattende de stappen van: 35 het vormen van een uitwendige bedrading op een gedeelte van een bovenoppervlak van een substraat, waarbij het substraat is voorzien van een uitsparing, het hechten van een LED component in genoemde uitsparing, het vormen van een isolerende laag over het gehele bovenoppervlak van het substraat en de LED component, 40 het vormen van vensters door het selectief etsen van genoemde isolerende laag om toegang te verschaffen tot de uitwendige bedrading en een individuele elektrode van de LED component, en het vormen van een verbinding via de vensters voor het elektrisch koppelen van de uitwendige bedrading met de elektrode van de LED component, gekenmerkt, doordat de inwendige bedrading (24) wordt aangebracht over een geheel bovenoppervlak van de genoemde uitsparing (21) waarin de LED 45 component (26) wordt geplaatst, en doordat bij het vormen van de elektrische verbinding (34) tussen de vensters (31,32) onder de elektrische verbinding (34) de isolerende laag (30) aanwezig blijft.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat er meer dan één LED component (26) in één uitsparing (21) in het substraat (20) wordt geplaatst met een voor alle LED componenten (26) gemeen- 50 schappelijke, over een geheel bovenoppervlak van de uitsparing aangebrachte inwendige bedrading (24). Hierbij 3 bladen tekening
NL8901403A 1988-12-12 1989-06-02 Werkwijze voor het vervaardigen van een LED matrixkop. NL192359C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880016530A KR910006706B1 (ko) 1988-12-12 1988-12-12 발광다이오드 어레이 헤드의 제조방법
KR880016530 1988-12-12

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8901403A NL8901403A (nl) 1990-07-02
NL192359B NL192359B (nl) 1997-02-03
NL192359C true NL192359C (nl) 1997-06-04

Family

ID=19280066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8901403A NL192359C (nl) 1988-12-12 1989-06-02 Werkwijze voor het vervaardigen van een LED matrixkop.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4936808A (nl)
JP (1) JPH0644642B2 (nl)
KR (1) KR910006706B1 (nl)
DE (1) DE3923633C2 (nl)
FR (1) FR2641394B1 (nl)
GB (1) GB2225897B (nl)
NL (1) NL192359C (nl)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3323324B2 (ja) * 1993-06-18 2002-09-09 株式会社リコー 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
JPH07202263A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Ricoh Co Ltd 端面発光型発光ダイオード、アレイ状光源、側面受光型受光素子、受発光素子、端面発光型発光ダイオードアレイ状光源
JP3194423B2 (ja) * 1996-05-30 2001-07-30 キヤノン株式会社 画像形成装置
US6011575A (en) * 1996-09-10 2000-01-04 Konica Corporation Image forming apparatus with line-shaped image exposure means
GB2329756A (en) 1997-09-25 1999-03-31 Univ Bristol Assemblies of light emitting diodes
US6200134B1 (en) * 1998-01-20 2001-03-13 Kerr Corporation Apparatus and method for curing materials with radiation
EP1243025A2 (en) * 1999-09-30 2002-09-25 Alpha Industries, Inc. Semiconductor packaging
US6867499B1 (en) 1999-09-30 2005-03-15 Skyworks Solutions, Inc. Semiconductor packaging
US6415505B1 (en) * 1999-11-15 2002-07-09 Amkor Technology, Inc. Micromachine package fabrication method
US7320593B2 (en) 2000-03-08 2008-01-22 Tir Systems Ltd. Light emitting diode light source for curing dental composites
EP2298229A1 (en) 2002-07-25 2011-03-23 Jonathan S. Dahm Method and apparatus for using light emitting diodes for curing
US7182597B2 (en) 2002-08-08 2007-02-27 Kerr Corporation Curing light instrument
AU2003298561A1 (en) * 2002-08-23 2004-05-13 Jonathan S. Dahm Method and apparatus for using light emitting diodes
US7239337B2 (en) * 2002-11-13 2007-07-03 Oki Data Corporation Combined semiconductor apparatus with thin semiconductor films
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
ATE553505T1 (de) 2004-06-15 2012-04-15 Data Cloak Llc Elektro-optische hochleistungs-led-anordnung
DE102004047061B4 (de) 2004-09-28 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102004050371A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
KR101047683B1 (ko) * 2005-05-17 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
US8113830B2 (en) * 2005-05-27 2012-02-14 Kerr Corporation Curing light instrument
US8047686B2 (en) * 2006-09-01 2011-11-01 Dahm Jonathan S Multiple light-emitting element heat pipe assembly
DE102008025318A1 (de) * 2008-05-27 2009-12-10 Setrinx S.A.R.L. Leuchtchip und Leuchtvorrichtung mit einem solchen
US9072572B2 (en) 2009-04-02 2015-07-07 Kerr Corporation Dental light device
US9066777B2 (en) 2009-04-02 2015-06-30 Kerr Corporation Curing light device
US20110089531A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Interposer Based Monolithic Microwave Integrate Circuit (iMMIC)
WO2011133973A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Cree, Inc. Light emitting device array assemblies and related methods
EP2506370B1 (en) 2011-03-30 2015-10-28 Huawei Technologies Co., Ltd. A submount arrangement for VCSELs
US20140001622A1 (en) * 2012-06-27 2014-01-02 Infineon Technologies Ag Chip packages, chip arrangements, a circuit board, and methods for manufacturing chip packages
US20140015405A1 (en) * 2012-07-12 2014-01-16 Elementech International Co., Ltd. Light emitting diode module
US20140048824A1 (en) * 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
JP6024957B2 (ja) * 2012-09-24 2016-11-16 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
CN103594462A (zh) * 2013-11-07 2014-02-19 昆山开威电子有限公司 Led集成封装结构及其封装方法
WO2018117361A1 (ko) * 2016-12-23 2018-06-28 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 모듈 및 그 제조방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3290539A (en) * 1963-09-16 1966-12-06 Rca Corp Planar p-nu junction light source with reflector means to collimate the emitted light
US3914137A (en) * 1971-10-06 1975-10-21 Motorola Inc Method of manufacturing a light coupled monolithic circuit by selective epitaxial deposition
US3860424A (en) * 1971-12-30 1975-01-14 Bell Telephone Labor Inc Led display
US3936694A (en) * 1973-12-28 1976-02-03 Sony Corporation Display structure having light emitting diodes
US3964157A (en) * 1974-10-31 1976-06-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of mounting semiconductor chips
JPS5429239B2 (nl) * 1974-12-04 1979-09-21
US4040078A (en) * 1976-05-11 1977-08-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Opto-isolators and method of manufacture
US4165474A (en) * 1977-12-27 1979-08-21 Texas Instruments Incorporated Optoelectronic displays using uniformly spaced arrays of semi-sphere light-emitting diodes
US4241277A (en) * 1979-03-01 1980-12-23 Amp Incorporated LED Display panel having bus conductors on flexible support
FR2491714A1 (fr) * 1980-10-06 1982-04-09 Radiotechnique Compelec Dispositif semi-conducteur a diodes electroluminescentes localisees et son procede de fabrication
GB2115198A (en) * 1982-02-19 1983-09-01 British Steel Corp Improvements in or relating to visual display instrument component assemblies
JPS6089988A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Toshiba Corp 複写機用ｌｅｄアレイ光源
JPS60136788A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 日本ビクター株式会社 Ｌｅｄ平面パネルデイスプレイの製作法
US4611886A (en) * 1983-12-29 1986-09-16 At&T Bell Laboratories Integrated optical circuit package
JPS6129562A (ja) * 1984-07-20 1986-02-10 Sanyo Electric Co Ltd 印字用発光ダイオ−ド
WO1986002045A1 (en) * 1984-09-27 1986-04-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical printing head for optical printing apparatus
EP0206176B1 (en) * 1985-06-28 1992-01-02 Takiron Co. Ltd. An optical guide matrix for a dot-matrix luminous display

Also Published As

Publication number Publication date
GB2225897B (en) 1992-12-23
US4936808A (en) 1990-06-26
DE3923633C2 (de) 1994-12-22
KR900011053A (ko) 1990-07-11
GB8926626D0 (en) 1990-01-17
GB2225897A (en) 1990-06-13
NL192359B (nl) 1997-02-03
FR2641394B1 (fr) 1994-01-07
NL8901403A (nl) 1990-07-02
JPH02174274A (ja) 1990-07-05
KR910006706B1 (ko) 1991-08-31
JPH0644642B2 (ja) 1994-06-08
DE3923633A1 (de) 1990-06-13
FR2641394A1 (fr) 1990-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL192359C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een LED matrixkop.
US5065223A (en) Packaged semiconductor device
US7112457B2 (en) Method of manufacturing an opto-coupler
US4470096A (en) Multilayer, fully-trimmable, film-type capacitor and method of adjustment
JP2574443B2 (ja) 圧力センサ構造およびその製造方法
US20030218793A1 (en) Micro mirror unit including mirror substrate and wiring substrate spaced by conductive spacer
US4992771A (en) Chip resistor and method of manufacturing a chip resistor
US5483120A (en) Electroluminescent device having improved electrode terminals
WO1987004301A1 (en) Electrically variable piezoelectric hybrid capacitor
JPS62109373A (ja) 光電子部品及びその製造方法
CA1043008A (en) Photo coupler
US5041847A (en) Thermal head
JPH0750801B2 (ja) 同じ電子部品のアレーで混成回路装置を作製する方法
US20220093578A1 (en) Light emitting array structure and display
EP0186765B1 (en) End termination for chip capacitor
JPS58194383A (ja) 連続組立発光ダイオ−ド
US4297773A (en) Method of manufacturing a monolithic ceramic capacitor
JPH09500764A (ja) 高電圧ブレークオーバダイオード
KR100386644B1 (ko) 1칩형복합전자부품및그의제조방법
GB2034521A (en) Chip capacitor for compliance soldering
US5898563A (en) Chip composite electronic component with improved moisture resistance and method of manufacturing the same
JPH0414503B2 (nl)
JP3188058B2 (ja) 発光ダイオード
JPH0888254A (ja) 発光ダイオード装置の製造方法
US12002901B2 (en) Optoelectronic semiconductor component

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Effective date: 20090602