CN113589972B - 发光二极体屏幕显示器结构及其发光二极体显示单元组 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极体屏幕显示器结构及其发光二极体显示单元组，其系包含一发光二极体阵列、一基板、以及至少一排线布置层。基板系设置于该发光二极体阵列之下方，至少一排线布置层系邻近设置该基板并位于该发光二极体阵列之下方。其中，排线布置层包含有复数条排线，并且，该些排线系具有渐进式之分布密度，使靠近发光二极体阵列之该些排线具有较疏之分布密度，远离发光二极体阵列之该些排线具有较密之分布密度。经模拟实验分析，本发明遂经证实可降低至少百分之三十的杂散光比，以提供发光二极体屏幕显示器结构可具有较佳的透视度与影像质量。

Description

发光二极体屏幕显示器结构及其发光二极体显示单元组
技术领域
本发明有关于一种大型屏幕显示器结构及其显示单元组，特别是一种其显示单元组具有渐进式分布密度之排线布置设计的发光二极体屏幕显示器结构及其发光二极体显示单元组。
背景技术
近年来，随着信息技术、无线通信及信息家电的快速发展与广泛应用，许多信息产品的操作接口已由传统的键盘或鼠标改为使用触控面板作为输入设备，并常与显示装置一并作结合，作为常见的面板显示器装置。一般而言，现有的面板显示器装置已被大量地运用于工作及生活中，并且，可依据其上所设置有的感应区域用以感应人体的手指或类似于触控笔之书写工具，藉此来达到触控的目的。举例而言，触控面板显示器装置依据其原理，可分为电阻式、电容式、红外线式，和表面声波式等等。
目前已知的是，现行之电容式触控面板显示器装置多采用透明导电材料或金属网格作为其感测电极图案的材料。而其中，由于透明导电材料，例如：氧化铟锡(indium tinoxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)与氧化铝锌(aluminum zinc oxide，AZO)等金属氧化物的制作成本较高，且降低其阻抗之制程程序亦较困难，抑或者是，降低其阻抗的制程限制也较多，使得采用透明导电材料作为感测电极图案的材料，不容易地可达到低阻抗的特性，因而无法提供触控面板显示器装置较佳的触控灵敏度。
相较之下，另一种作法遂有提出利用金属网格，作为替代透明导电材料的方案兴起。一般来说，常见的金属网格的材料包含银或铜，由于金属的导电性较透明导电材料更好，因此表面阻抗值可降低至10欧姆以下，虽然金属并不像透明导电材料本身就是透明材料，不过镂空的金属网格提供的透光度却可优于透明导电材料膜。一般来说，常见的金属网格结构，包括有：网格状、不规则的丝状等等，且除了透光度的提升外，金属网格更具有优异的可挠性，因此成为替代透明导电材料最佳的选项之一。然而，值得注意的是，当在实际应用层面上，当面板显示器装置处在有环境光的照射之情况时，这些通过金属网格所制成的感测电极图案也将因反射环境光而被使用者所观察到，进而影响到面板显示器装置的画面质量及显示效果。举例来说，因为上述的结构特征，当光线经过金属网格时，金属材料造成的反光将使得采用金属网格制作的感测电极图案常因为金属反射现象而具有较高的反光率，因此，更容易影响到面板显示器装置所呈现的画面质量及显示效果，更进一步而言，也因此极易引起常见的摩尔效应(MoiréEffect)与摩尔纹(morie)现象，这些皆为现有金属网格所常见的主要缺失。
以下，请配合参见本发明图1与图2所示，其为现有面板显示器装置使用金属网格时所观察到的杂散光模拟示意图，其中图2中所示之圆形区域P1为一杂散光分析区域。详细来看，其杂散光路径包含有如图3所示的发光二极体间的串音干扰(cross-talk)、如图4所示的金属网格反射、以及如图5所示的底部反射等问题。其中，图3所示的发光二极体间之串音干扰来自于发光二极体阵列中较大的杂散角度，图4所示的金属网格反射来自于发光二极体光源经过上覆盖玻璃层反射回金属网格再反射至上覆盖玻璃层所形成，而图5所示的底部反射则来自于发光二极体光源经过上覆盖玻璃层反射回底部之橡胶层再反射至上覆盖玻璃层所形成。因此，从上揭这些种种杂散光的模拟分析，可以明显看出，当使用金属网格时确实会有无法避免之反射光问题，而这些由反射所造成之杂散光，则会导致显示器影像的模糊与降低透视度等问题，严重影响到显示器之显示效果及用户之观看质量。
有鉴于此，本发明人有感于上述缺失之可改善，且依据多年来从事此方面之相关经验，悉心观察且研究之，并配合学理之运用，而提出一种设计新颖且有效改善上述缺失之本发明，其揭露一种改良后之屏幕显示器结构及其显示单元组，其具体之架构及实施方式将详述于下。
发明内容
为解决习知技术存在的问题，本发明之一目的在于提供一种发光二极体显示单元组，其针对现行的显示单元作一改良，相较于现有技艺，此一创新之发光二极体显示单元组有助于降低习知金属网格中因金属导线所反射而造成之杂散光，藉此提供发光二极体面板装置可具有较佳的透视度与影像质量。
本发明之又一目的在于提供一种具有渐进式分布密度之排线布置设计的发光二极体显示单元组，其藉由采用渐进式的分布密度来布置排线，藉此限制靠近光源的排线具有较疏的分布密度，而远离光源的排线具有较密的分布密度，根据仿真结果证实，本发明所揭露之技术方案可有效降低至少百分之三十的杂散光比，解决先前技术中所揭之种种缺失。
本发明之再一目的在于提供一种大型屏幕显示器结构，利用本发明所揭露具有渐进式分布密度之排线布置设计的发光二极体显示单元组，将其结合予适当之黏着层、光学胶合层及上盖层，即可通过本发明所揭露的显示单元组成功制作出具有较佳透视率与显示影像质量的发光二极体屏幕显示器结构。除此之外，此种发光二极体屏幕显示器结构可更进一步地广泛应用于触控产品及其领域，藉此与触控功能作一结合，确信可增进本发明之产业效益与产业应用性。
鉴于以上，首先，本发明揭露一种发光二极体显示单元组，其包括有一发光二极体阵列、一基板、以及至少一排线布置层。基板设置于发光二极体阵列之下方。至少一排线布置层邻近设置于该基板并位于该发光二极体阵列之下方，其中，排线布置层包含有复数条排线，该些排线具有渐进式之一分布密度，使靠近发光二极体阵列之该些排线具有较疏之分布密度，而远离发光二极体阵列之该些排线具有较密之分布密度。
根据本发明之实施例，其中，所述的排线布置层可选择性地设置于基板之一上表面，或者，所述的排线布置层可选择性地设置于基板之一下表面。较佳地，排线布置层可同时设置于基板之上表面与下表面，在此较佳实施例中，则一排线布置层设置于基板之上表面，另一排线布置层设置于基板之下表面。此二排线布置层可具有相同或相异的分布密度，本发明并不以此等分布密度之数值或分布态样为限制。大抵而言，排线布置层可用于提供发光二极体阵列之电源或讯号源，并且，排线布置层中的排线材质可选择为金属材质抑或是非金属材质，则皆可用于实现本发明降低反射杂散光之发明功效。
根据本发明所揭露的技术方案，在一实施例中，排线布置层中之该些排线之线宽可介于2微米至70微米之间。
发光二极体阵列包含复数个发光二极体，其中，每一个发光二极体之间具有一间距，所述的该间距大于1毫米。有鉴于此，根据本发明之实施例，当排线布置层中之该些排线与发光二极体阵列之间的距离小于此间距的四分之一时，则本发明设计该些排线具有较疏之分布密度。
另一方面而言，当排线布置层中之该些排线与发光二极体阵列之间的距离介于此间距的四分之一至此间距的二分之一时，则本发明设计该些排线具有较密之分布密度。
缘此，本发明主要藉由设计此种具有渐进式分布密度之排线布置，利用渐进式的分布密度来布置排线，藉此限制靠近光源的排线具有较疏的分布密度，而远离光源的排线具有较密的分布密度，根据仿真结果证实，本发明所揭露之技术方案可有效降低至少百分之三十的杂散光比，解决先前技术中所揭之种种缺失。
更进一步而言，本发明再根据此种发光二极体显示单元组公开一种发光二极体屏幕显示器结构，其中，此种发光二极体屏幕显示器结构包括一发光二极体显示单元组、设置于该发光二极体显示单元组之上的一黏着层、设置于该黏着层之上的一光学胶合层、以及设置于该光学胶合层之上的一上盖层。
其中，所述的发光二极体显示单元组包含发光二极体阵列、一基板、以及至少一排线布置层。基板设置于发光二极体阵列之下方。所述的排线布置层邻近设置于该基板并位于该发光二极体阵列之下方，其中，所述的排线布置层包含有复数条排线，并且，该些排线具有渐进式之一分布密度，使靠近发光二极体阵列之该些排线具有较疏之分布密度，远离发光二极体阵列之该些排线具有较密之分布密度。
藉由此设计，本发明所揭露之发光二极体屏幕显示器结构及其发光二极体显示单元组，自然可利用此种具有渐进式分布密度之排线布置，来控制使接近光源之排线设计密度较疏，而远离光源之排线设计密度较高。藉由此技术方案，相较于现有技艺仅能使用传统等间距分布密度之排线作为其金属网格设计者，本发明便可动态地依据排线与光源之间的远近距离，来动态调整其排线的分布密度与分布趋势，实现本发明有效降低至少百分之三十杂散光之发明功效，确实地改善现有技术所存在之诸多缺失。
在底下的实施方式内容中，本申请人进一步地藉由具体实施例配合所附的附图详加说明，当可使本领域之技术人士更加容易地了解本发明之目的、技术内容、特点及其所达成之功效。
附图说明
图1为现有面板显示器装置使用金属网格时所观察到的杂散光模拟示意图。
图2为现有面板显示器装置使用金属网格时所得到的杂散光模拟示意图。
图3为现有面板显示器装置所产生之一杂散光路径示意图。
图4为现有面板显示器装置所产生之另一杂散光路径示意图。
图5为现有面板显示器装置所产生之又一杂散光路径示意图。
图6为根据本发明一第一实施例之发光二极体显示单元组之结构示意图。
图7为根据本发明实施例之发光二极体阵列间之详细示意图。
图8为根据本发明一第二实施例之发光二极体显示单元组之结构示意图。
图9为根据本发明一第三实施例之发光二极体显示单元组之结构示意图。
图10为根据本发明实施例之发光二极体显示单元组，其中具有渐进式分布密度之该些排线之示意图。
图11为现有技术之面板显示器装置使用等间距分布密度之金属排线之示意图。
图12为根据本发明一实施例之发光二极体屏幕显示器结构之示意图。
附图标记为：
1A，1B，1C，1D…发光二极体显示单元组
10…发光二极体阵列
11…发光二极体
19…金属排线
20…基板
30…排线布置层
81…区域
83…区域
100…发光二极体屏幕显示器结构
202…黏着层
204…光学胶合层
206…上盖层
P1…圆形区域
d…间距
ΔX…距离
具体实施方式
以上有关于本发明的内容说明，与以下的实施方式用以示范与解释本发明的精神与原理，并且提供本发明的专利申请范围更进一步的解释。有关本发明的特征、实作与功效，兹配合附图作较佳实施例详细说明如下。
承以前列先前技术所举，由于金属网格会有反射之问题，而这些因反射所造成之杂散光，将会导致显示影像模糊与透视度不足等问题。缘此，在针对金属网格所引发的摩尔效应的改良上，现有技艺有提出可藉由金属网格本身的图案化来达到特定的效果，其中，所述的图案化除了金属网格本身的排列方式，例如将其设计为：菱形、正方形、蜂巢状、或不规格形状等，也可以通过在金属网格上形成镂空的区域(如：断点)来形成。不过考虑到制程条件，若在制程不良的情况下，则反而很容易在断点处会发生有线路短路的问题，并且，也容易在特定区域下产生有额外寄生电容的问题。除此之外，考虑到现有设计镂空的断点通常会具有1.5至15微米的长度，因此，当光线通过断点时，仍然会造成严重的摩尔效应，改善的幅度相当有限。
有鉴于此，本发明遂针对这些种种缺失提出一种较佳的改良设计，其为一种发光二极体显示单元组。其中，为了能更佳地理解本发明所述之技术内容，请一并参阅图6，其为根据本发明一第一实施例之发光二极体显示单元组之结构示意图，发光二极体显示单元组1A包含一发光二极体阵列10。图7公开该发光二极体阵列10之详细示意图，如图可见，所述的发光二极体阵列10可包括复数个发光二极体11，且每一个发光二极体11之间具有一间距d，根据本发明之实施例，该间距d大于1毫米。
请继续参阅图6，一基板20设置于所述发光二极体阵列10之下方。根据本发明之实施例，基板20之材质例如可以是但不限于聚酯(PET)或透明聚酰亚胺(ColorlessPolyimide，CPI)基板。一排线布置层30邻近设置该基板20并位于所述发光二极体阵列10之下方，为了详尽解释本发明之技术特征，故在本发明之此第一实施例中，其以排线布置层30设置于基板20之一上表面作为一示性例进行说明，惟在本发明之其他实施例中，如图8所示，其揭露本发明一第二实施例之发光二极体显示单元组之结构示意图，则在此第二实施例中，发光二极体显示单元组1B之排线布置层30亦可选择性地设置于基板20之一下表面。又或者是，根据本发明一第三实施例所公开之发光二极体显示单元组之结构示意图，如图9所示，则本发明所揭露之发光二极体显示单元组1C之排线布置层30亦可较佳地，同时设置于基板20之上表面与下表面而形成一种双层设计(容后详述)。大抵而言，本技术领域具通常知识之人士当可在本发明所教示之技术思想下自行修饰其变化例，惟在本发明之均等且不脱离本发明之发明精神下，仍应隶属于本发明之发明范畴。
根据本发明所公开之技术方案，排线布置层30包含有复数条排线，且该些排线经本发明之精密设计而具有一渐进式之分布密度，请配合参阅图10，其为根据本发明实施例之发光二极体显示单元组，其中具有渐进式分布密度排线之示意图。通过本发明所揭露之渐进式分布密度排线设计，本发明可控制使靠近发光二极体阵列10之该些排线(如区域81中所示的排线)具有较疏之分布密度，而远离发光二极体阵列10之该些排线(如区域83中所示的排线)则具有较密之分布密度。
承上所揭露之技术方案，举本发明之一实施例而言，其以X-Y平面上之距离来说，当排线布置层30之该些排线与发光二极体阵列10之间的距离ΔX小于图7所示发光二极体11间的间距d之四分之一时(也就是：ΔX<d/4)，则定义该些排线为「靠近」发光二极体阵列10，在此情况下，本发明设计该些排线具有较疏之分布密度。
相较之下，当排线布置层30之该些排线与发光二极体阵列10之间的距离ΔX介于图7所示发光二极体11间的间距d之四分之一至该间距d的二分之一时(也就是：d/4<ΔX<2/d)，则定义该些排线为「远离」发光二极体阵列10，则在此情况下，本发明则设计该些排线具有较密之分布密度。
更进一步而言，请一并对照图11，其为现有技术之面板显示器装置使用等间距分布密度之金属排线之示意图，其中金属排线19之间具有相同的间距分布。本发明申请人根据图10与图11揭示的两种不同之排线设计，进行杂散光的模拟实验，包含：分别针对本发明所举(图10)具有渐进式分布密度之排线设计与图11所示具有传统等间距分布密度之排线进行杂散光模拟，并经其结果比较分析，可以得到渐进式/等间距(杂散光比)约接近70％。换言之，根据本发明所公开之技术方案，通过渐进式分布密度之排线设计可有效降低至少30％来自金属导线所反射之杂散光，有效证实本发明所公开技术方案之可行性与所能达成之极佳的发明功效。
考虑到排线布置层中所设计的排线，其单一线宽若过宽，也容易发生反射光源的现象，为了避免此问题的一再发生，本领域之技术人士也可以透过在金属排线或金属网格的表面上做黑化(Blacking)的处理来避免该项缺失。不过，黑化处理后的金属网格也容易影响显示画质，使其较为暗淡，在显示装置需要呈现鲜艳色彩的需求上可能不敷使用。有鉴于此，本发明进一步可控制排线布置层之排线的线宽介于2微米至70微米之间，较佳地，控制单一线宽在约4微米左右，以在不影响显示质量的条件下，有效地减少反射光现象。
以下进一步说明应用此发光二极体显示单元组以制作形成一发光二极体屏幕显示器结构之技术方案。请配合参阅图12，其为根据本发明一实施例之发光二极体屏幕显示器结构之示意图，该发光二极体屏幕显示器结构100包括一发光二极体显示单元组1D、黏着层202、光学胶合层204、以及一上盖层206。与前述第一实施例(图6)所举之发光二极体显示单元组1A不同的是，在此所公开之实施例中，发光二极体显示单元组1D包括发光二极体阵列10、基板20与两排线布置层30，其中，一排线布置层30设置于基板20之上表面，另一排线布置层30设置于基板20之下表面。排线布置层30中包含有复数条排线，并且，该些排线具有渐进式之一分布密度，如本发明前述图10所揭露者，使靠近发光二极体阵列10之该些排线具有较疏之分布密度，而远离发光二极体阵列10之该些排线具有较密之分布密度。
值得说明的是，在此实施例中，由于两排线布置层30各自设置于基板20之上表面与下表面，并且，两排线布置层30皆以渐进式之分布密度设计其内部排线，只要排线布置层30满足靠近发光二极体阵列10者，其内部排线具有较疏之分布密度，而远离发光二极体阵列10者，其内部排线具有较密之分布密度，则可实现本发明有效降低反射杂散光之发明功效，本发明并不以此两该排线布置层30之分布密度为限制。换言之，此两该排线布置层30之分布密度可以为相同，或者是，此两该排线布置层30之分布密度亦可以为相异的分布密度；本发明并不以此等分布密度之数值或设计态样为限。本技术领域之通常人士或显示面板装置之设计开发者皆可根据实际产品的需求而自行设计之，惟在不脱离本发明之发明精神下，仍应隶属于本发明之发明范畴。
其中，根据本发明之实施例，排线布置层30可用于提供发光二极体阵列10之电源或讯号源，以降低习见金属导线的使用及密度，同时，亦可以满足光学或电学上的性能指针。
一黏着层202设置于发光二极体显示单元组1D之发光二极体阵列10之上，另一黏着层202设置于位于基板20之下表面的排线布置层30之底部。光学胶合层204设置于上层之黏着层202之上，最后，再以一上盖层206设置于光学胶合层204之上，以完成覆盖所述的发光二极体屏幕显示器结构100。
在一实施例中，所述之上盖层206的材质例如可为一上玻璃材质(cover glass，CG)，光学胶合层204的材质例如可为一光学透明胶(optical clear adhesive，OCA)，黏着层202之材质例如可为一天然橡胶或一合成橡胶，其通过由乙烯(E)和乙酸乙烯酯(VA)共聚所制成的乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(ethylene vinyl acetate，EVA)制成。一般来说，乙烯/乙酸乙烯酯共聚物的特点在于具有良好的柔软性与橡胶一样的弹性，即便在摄氏-50℃仍能具有较好的可挠性、透明性和表面光泽性好。除此之外，乙烯/乙酸乙烯酯共聚物的化学稳定性良好、抗老化与耐臭氧强度良好，且无毒性。由于乙烯/乙酸乙烯酯共聚物在常温下为固体，加热熔融到一定程度即变为能流动，并具有一定黏度的液体，因此可被广泛用于屏幕或面板显示器结构中的热塑材料或热熔黏着材料。
除此之外，针对排线布置层30所使用之排线的材质，本发明的一实施例揭露该些排线可为金属材质，惟在本发明之其他实施例中，该些排线亦可以选用为非金属材质，以实现本发明降低反射光之发明目的。由于一般常见排线，也就是金属网格的材料为金属，因此难以避免的，材料在储存或制程的环境下，金属的表面可能会发生一定程度的化学反应，像是氧化反应；或是在特殊的环境下，更可能会因为与酸性物质、碱性物质发生反应，进而降低了金属网格的导电能力。有鉴于此，为了有效避免此等缺失，本发明的其他实施例提出通过使用非金属的材质来制作排线布置层30中所设计使用的排线，更进一步地提升本发明之发展性与产业应用性。
因此，鉴于上述种种本发明所公开的技术方案，本发明之重要核心技术乃在于利用设计渐进式密度分布的排线布置，使接近光源之排线设计密度较疏，而远离光源之排线设计密度较高，藉此有效改良习知技术因反射光造成严重杂散，进而影响显示质量的诸等缺失。根据本发明所揭露之技术方案，此种新颖且创新的排线布置方式，其可选择性地配置于基板的单面或双面，当形成于基板的双面时，更可以采取双面具有不同渐进的密度分布趋势，满足与因应不同产品的需求与多样性。除此之外，布置排线的材质亦可选为金属材质或非金属材质，以广泛提升本发明之应用性与符合市场需求。
是以，鉴于以上所述，可明显观之，相较于习知技术，本发明所揭露之新颖的发光二极体屏幕显示器结构及其发光二极体显示单元组可有效解决先前技术中尚存的问题。根据本发明所教示之技术方案，相较于现有技艺，此一创新之发光二极体显示单元组有助于降低习知金属网格中因金属导线所反射而造成之杂散光，藉此提供发光二极体面板装置可具有较佳的透视度与影像质量，经仿真实验分析，证实本发明确实可实现较优越之发明功效，并且降低至少百分之三十的杂散光比。
值得提醒的是，根据本发明所教示之技术方案，本领域具通常知识者当可在其实际实施层面上自行变化其设计，而皆属于本发明之发明范围。本发明在前述段落中所列举出之数个示性例，其目的是为了善加解释本发明主要之技术特征，而使本领域人员可理解并据以实施之，唯本发明当不以该些示性例为限。
除此之外，根据本发明所揭露之发光二极体显示单元组，亦可广泛兼用于不限于光源是否为二极体元件的显示器装置上，皆可应用本发明，唯本发明所能应用之范畴亦不以此为限。
综上所述，根据本发明所揭露之技术方案，确实具有极佳之产业利用性及竞争力。显见本发明所揭露之技术特征、方法手段与达成之功效显著地不同于现行方案，实非为熟悉该项技术者能轻易完成者，故应具备有专利要件。

Claims (22)

1.一种发光二极体显示单元组，其特征在于，包括：
发光二极体阵列；
基板，其设置于所述发光二极体阵列的下方；以及
至少一个排线布置层，其邻近设置所述基板并位于所述发光二极体阵列的下方，其中，所述至少一个排线布置层包含有复数条排线，所述排线具有渐进式的分布密度，使靠近所述发光二极体阵列的所述排线具有较疏的所述分布密度，远离所述发光二极体阵列的所述排线具有较密的所述分布密度；其中，
包括二个所述排线布置层，其中一个所述排线布置层设置于所述基板的上表面，另一个所述排线布置层设置于所述基板的下表面。
2.如权利要求1所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，所述至少一个排线布置层设置于所述基板的上表面。
3.如权利要求1所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，所述至少一个排线布置层设置于所述基板的下表面。
4.如权利要求1所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，其中一个所述排线布置层与另一个所述排线布置层具有相异的所述分布密度。
5.如权利要求1所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，所述至少一个排线布置层提供所述发光二极体阵列的电源或讯号源。
6.如权利要求1所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，所述至少一个排线布置层的所述排线为金属材质。
7.如权利要求1所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，所述至少一个排线布置层的所述排线为非金属材质。
8.如权利要求1所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，所述至少一个排线布置层的所述排线的线宽介于2微米至70微米之间。
9.如权利要求1所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，所述发光二极体阵列包含复数个发光二极体，每一所述发光二极体之间具有间距，所述间距大于1毫米。
10.如权利要求9所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，当所述至少一个排线布置层的所述排线与所述发光二极体阵列之间的距离小于所述间距的四分之一时，所述排线具有较疏的所述分布密度。
11.如权利要求9所述的发光二极体显示单元组，其特征在于，当所述至少一个排线布置层的所述排线与所述发光二极体阵列之间的距离介于所述间距的四分之一至所述间距的二分之一时，所述排线具有较密的所述分布密度。
12.一种发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，包括：
发光二极体显示单元组，其包含：
发光二极体阵列；
基板，其设置于所述发光二极体阵列的下方；以及
至少一个排线布置层，其邻近设置所述基板并位于所述发光二极体阵列的下方，其中，所述至少一个排线布置层包含有复数条排线，所述排线具有渐进式的分布密度，使靠近所述发光二极体阵列的所述排线具有较疏的所述分布密度，远离所述发光二极体阵列的所述排线具有较密的所述分布密度；
黏着层，设置于所述发光二极体显示单元组的所述发光二极体阵列之上；
光学胶合层，设置于所述黏着层之上；以及
上盖层，设置于所述光学胶合层之上；其中，
所述至少一个排线布置层提供所述发光二极体阵列的电源或讯号源。
13.如权利要求12所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，所述黏着层的材质为热塑材料。
14.如权利要求12所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，所述至少一个排线布置层选择性地设置于所述基板的上表面或下表面。
15.如权利要求14所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，当所述基板的所述下表面设置有所述至少一个排线布置层时，另一所述黏着层设置于所述至少一个排线布置层的底部。
16.如权利要求12所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，所述发光二极体显示单元组包括二个所述排线布置层，其中一个所述排线布置层设置于所述基板的上表面，另一个所述排线布置层设置于所述基板的下表面。
17.如权利要求16所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，其中一个所述排线布置层与另一个所述排线布置层具有相异的所述分布密度。
18.如权利要求12所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，所述至少一个排线布置层的所述排线选择性地为金属材质或非金属材质。
19.如权利要求12所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，其中，所述至少一个排线布置层的所述排线的线宽介于2微米至70微米之间。
20.如权利要求12所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，所述发光二极体阵列包含复数个发光二极体，每一所述发光二极体之间具有间距，所述间距大于1毫米。
21.如权利要求20所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，当所述至少一个排线布置层的所述排线与所述发光二极体阵列的间的距离小于所述间距的四分之一时，所述排线具有较疏的所述分布密度。
22.如权利要求20所述的发光二极体屏幕显示器结构，其特征在于，其中，当所述至少一个排线布置层的所述排线与所述发光二极体阵列的间的距离介于所述间距的四分之一至所述间距的二分之一时，所述排线具有较密的所述分布密度。
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