JPS60201680A - 発光表示装置 - Google Patents
発光表示装置Info
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- JPS60201680A JPS60201680A JP59058866A JP5886684A JPS60201680A JP S60201680 A JPS60201680 A JP S60201680A JP 59058866 A JP59058866 A JP 59058866A JP 5886684 A JP5886684 A JP 5886684A JP S60201680 A JPS60201680 A JP S60201680A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
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- 238000005121 nitriding Methods 0.000 abstract 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、マトリクス状に配列された各発光素子を各
行及び各列ごとにそれぞれ絶縁分離したモノリシック形
の発光表示装置に関する。
行及び各列ごとにそれぞれ絶縁分離したモノリシック形
の発光表示装置に関する。
（ロ）従来技術
モノリシック形の発光表示装置は小型であるため、例え
ば、カメラのファインダ内などの比較的小さな場所に表
示器を納める必要があるときに適している。従来のモノ
リシック形の発光表示装置としてのドントマトリクスは
、各行および各列に配列された発光素子に接続する端子
がそれぞれ基板の直交する辺に沿って形成される。これ
を、例えばプリント基板などに実装する場合、前記直交
する辺にそれぞれワイヤボンディングされる。そのため
、複数の発光表示装置を並べて使用する場合に、各装置
間に前記ワイヤボンディングするに必要な領域を設ける
必要があるため、実装面積を充分小さくすることができ
ないという欠点がある。
ば、カメラのファインダ内などの比較的小さな場所に表
示器を納める必要があるときに適している。従来のモノ
リシック形の発光表示装置としてのドントマトリクスは
、各行および各列に配列された発光素子に接続する端子
がそれぞれ基板の直交する辺に沿って形成される。これ
を、例えばプリント基板などに実装する場合、前記直交
する辺にそれぞれワイヤボンディングされる。そのため
、複数の発光表示装置を並べて使用する場合に、各装置
間に前記ワイヤボンディングするに必要な領域を設ける
必要があるため、実装面積を充分小さくすることができ
ないという欠点がある。
（ハ）目的
この発明は、複数の発光表示装置を一列に近接して配置
することができる発光表示装置を提供することを目的と
している。
することができる発光表示装置を提供することを目的と
している。
（ニ）構成
この発明に係る発光表示装置は、マトリクス状に配列さ
れた各発光素子を各行及び各列ごとにそれぞれ絶縁分離
したモノリシック形の発光表示装置であって、 各列の発光素子を連結接続する下部電極を基板の一端辺
側にそれぞれ導出し、その端部に第１の外部引出し電極
を形成する一方、 各行の発光素子を連結接続する上部電極を、各行間に形
成された電極導出層にそれぞれ接続し、この電極導出層
を前記外部引出し電極が配列された端辺と対向する端辺
に導出し、その端部に第２の外部引出し電極を形成した
ことを特徴としている。
れた各発光素子を各行及び各列ごとにそれぞれ絶縁分離
したモノリシック形の発光表示装置であって、 各列の発光素子を連結接続する下部電極を基板の一端辺
側にそれぞれ導出し、その端部に第１の外部引出し電極
を形成する一方、 各行の発光素子を連結接続する上部電極を、各行間に形
成された電極導出層にそれぞれ接続し、この電極導出層
を前記外部引出し電極が配列された端辺と対向する端辺
に導出し、その端部に第２の外部引出し電極を形成した
ことを特徴としている。
（ホ）実施例
実施例ユ
第１図はこの発明の第１の実施例に係る発光表示装置の
構成を略示した斜視図、第２図は第１図に示した実施例
のＡ−Ａ断面である。
構成を略示した斜視図、第２図は第１図に示した実施例
のＡ−Ａ断面である。
第１図および第２図において、ｌはＧａＡｓからなる半
絶縁基板、１０は２層２０とＮ層２１とから構成される
発光素子であり、それぞれマトリクス状に配列されてい
る。前記Ｐｉ２０、Ｎｉ２１はそれぞれＰ−ＧａＡＩＡ
ｓやＮ−ＧａＡｌＡｓをいわゆるＭ Ｂ Ｂ （Ｍｏｌ
ｅｃｕｌｏｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｔａｘｙ）装置でエピタ
キシャル成長することにより形成される。
絶縁基板、１０は２層２０とＮ層２１とから構成される
発光素子であり、それぞれマトリクス状に配列されてい
る。前記Ｐｉ２０、Ｎｉ２１はそれぞれＰ−ＧａＡＩＡ
ｓやＮ−ＧａＡｌＡｓをいわゆるＭ Ｂ Ｂ （Ｍｏｌ
ｅｃｕｌｏｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｔａｘｙ）装置でエピタ
キシャル成長することにより形成される。
３０はＮ中層からなる下部電極３０であり、各行ごとに
配列された各発光素子１０の共通電極として用いられる
。各下部電極３０は基板１の−の端辺に導出され、前記
端辺に沿って形成される第１の外部引出し電極３１で終
端している。
配列された各発光素子１０の共通電極として用いられる
。各下部電極３０は基板１の−の端辺に導出され、前記
端辺に沿って形成される第１の外部引出し電極３１で終
端している。
４０は窒化膜（ＳｉａＮ４）からなる絶縁層であり、半
絶縁基板ｌの表面全面に形成されている。
絶縁基板ｌの表面全面に形成されている。
５０はＡｔあるは篩等からなる上部電極であり、各列ご
とに配列された各発光素子１００表面に蒸着形成され、
各列の発光素子１０のＰｌｉｔ２０をそれぞれ接続して
いる。
とに配列された各発光素子１００表面に蒸着形成され、
各列の発光素子１０のＰｌｉｔ２０をそれぞれ接続して
いる。
６０は前記２層２０、Ｎ層２１等から構成される電極導
出層である。この電極導出層６０は発光素子が配列され
る各行間にそれぞれ設けられ、各列の上部電極５０の一
つと接続される。各電極導出層６０は前記第１の外部引
出し電極３１が形成された端辺と対向する端辺に導出さ
れ、前記端辺に沿って形成される第２の外部引出し電極
６１で終端している。
出層である。この電極導出層６０は発光素子が配列され
る各行間にそれぞれ設けられ、各列の上部電極５０の一
つと接続される。各電極導出層６０は前記第１の外部引
出し電極３１が形成された端辺と対向する端辺に導出さ
れ、前記端辺に沿って形成される第２の外部引出し電極
６１で終端している。
次に、上述した構成を備えた発光表示装置の製造方法を
第３図をもとに説明する。
第３図をもとに説明する。
■半絶縁基板ｌ上にＮ中層３０、Ｎ層２Ｌ ２層２０が
ＭＢＥ装置によって連続的に成長される（第３図（ａ）
参照）。
ＭＢＥ装置によって連続的に成長される（第３図（ａ）
参照）。
■各行の発光素子１０および電極導出層６０をメサエッ
チングによって分離する。このメサエッチングは半絶縁
基板ｌの表面に達するまで行われる（第３図（ｂｌ参照
）。
チングによって分離する。このメサエッチングは半絶縁
基板ｌの表面に達するまで行われる（第３図（ｂｌ参照
）。
■各列の発光素子１０をメサエッチングによって分離す
る。このメサエッチングは下部電極３０に達する深さま
で行われる。
る。このメサエッチングは下部電極３０に達する深さま
で行われる。
■メサエッチングされた基板上に窒化膜４０が形成され
る（同図（０）参照）。
る（同図（０）参照）。
０発光素子１０、電極導出層６０、および、外部引出し
電極３１．６１のコンタクトホールが形成される。
電極３１．６１のコンタクトホールが形成される。
０表面にＡＩあるいは＾Ｕが蒸着されたのち、ホトエツ
チングされ、上部電極５０および外部引出し電極３１．
６１が形成される。
チングされ、上部電極５０および外部引出し電極３１．
６１が形成される。
上述のように形成される本実施例に係る発光表示装置は
、第１および第２の引出し電極が対向する基板の端辺に
沿って配置されるから、発光表示装置を近接して実装す
ることができる。
、第１および第２の引出し電極が対向する基板の端辺に
沿って配置されるから、発光表示装置を近接して実装す
ることができる。
支族附ｌ
第４図はこの発明の第２の実施例に係る発光表示装置の
構成を略示した斜視図、第５図は第１図に示した実施例
のＡ−Ａ断面である。
構成を略示した斜視図、第５図は第１図に示した実施例
のＡ−Ａ断面である。
第４図および第５図において、第１図および第２図と同
一部分は同一符合で示している。
一部分は同一符合で示している。
７０は下部電極３０および電極導出層６０を分離するた
めに設けられる多結晶絶縁層である。この多結晶絶縁層
７０は発光素子１０、下部電極３０などを選択エピタキ
シャル成長させる際に同時に形成されるものであり、発
光素子と略同等の高さを有している。７１は選択エピタ
キシャル成長させるために設けられる窒化膜である。
めに設けられる多結晶絶縁層である。この多結晶絶縁層
７０は発光素子１０、下部電極３０などを選択エピタキ
シャル成長させる際に同時に形成されるものであり、発
光素子と略同等の高さを有している。７１は選択エピタ
キシャル成長させるために設けられる窒化膜である。
以下に、第６図をもとにして本実施例の製造方法を説明
する。
する。
■基板ｌの表面に窒化膜７１が形成され、前記多結晶絶
縁Ｎ１０を成長させる部分だけ窒化膜が残るようにホト
エツチングされる（同図（ａｌ参照）。
縁Ｎ１０を成長させる部分だけ窒化膜が残るようにホト
エツチングされる（同図（ａｌ参照）。
■半絶縁基板１上にＮ中層３０、Ｎ層２１、Ｐ層２０が
ＭＢＥ装置によって連続的に成長される。このとき、窒
化膜７１上は単結晶である基板１から分離されているた
め、この上には多結晶絶縁層７０が形成される（同図（
ｂ）参照）。
ＭＢＥ装置によって連続的に成長される。このとき、窒
化膜７１上は単結晶である基板１から分離されているた
め、この上には多結晶絶縁層７０が形成される（同図（
ｂ）参照）。
■上部電極５０と下部電極３０とを接続すべき電極導出
層６０の部分および発光素子１０の列間をメサエッチン
グする。このメサエッチングは下部電極３０等を形成す
るＮ”Ｍに達するまで行われる。
層６０の部分および発光素子１０の列間をメサエッチン
グする。このメサエッチングは下部電極３０等を形成す
るＮ”Ｍに達するまで行われる。
０表面にＡｌあるいはＡｕが蒸着されたのち、ホトエツ
チングされ、上部電極５０および外部引出し電極３１．
６１が形成される。
チングされ、上部電極５０および外部引出し電極３１．
６１が形成される。
本実施例では、基板表面に窒化膜などを形成していない
ので、上部電極５０は、それと接続してはならない電極
導出Ｊｉｉ６０の２層とその表面部分でコンタクトがと
れてしまう。しかし、当該電極導出層６０の２層は各行
の発光素子１０と多結晶で分離されており、電極導出層
の方向にはメサエッチングで分離されている。また、下
方向には通常電流を流す方向に対し逆方向にＰＮ接合が
入るためこの方向にも電流は流れない。
ので、上部電極５０は、それと接続してはならない電極
導出Ｊｉｉ６０の２層とその表面部分でコンタクトがと
れてしまう。しかし、当該電極導出層６０の２層は各行
の発光素子１０と多結晶で分離されており、電極導出層
の方向にはメサエッチングで分離されている。また、下
方向には通常電流を流す方向に対し逆方向にＰＮ接合が
入るためこの方向にも電流は流れない。
上述のように形成される本実施例に係る発光表示装置は
、第１の実施例と同様の効果の他に、発光素子１０と電
極導出層６０ど４の間をこれらと略同様の高さの多結晶
絶縁層７０によって分離しているので、発光素子１０と
電極導出層６０との間をメサエッチングで分離した場合
のように、この間を横切るように形成される上部電極層
５０が段差によって断線しやすい欠点がなくなるという
別異の効果も奏する。
、第１の実施例と同様の効果の他に、発光素子１０と電
極導出層６０ど４の間をこれらと略同様の高さの多結晶
絶縁層７０によって分離しているので、発光素子１０と
電極導出層６０との間をメサエッチングで分離した場合
のように、この間を横切るように形成される上部電極層
５０が段差によって断線しやすい欠点がなくなるという
別異の効果も奏する。
なお、この発明に係る発光表示装置は、プリンント基板
などに実装される場合のみならず、例えば、駆動回路な
どが形成された半導体素子上に並列固着して用いること
もできる。
などに実装される場合のみならず、例えば、駆動回路な
どが形成された半導体素子上に並列固着して用いること
もできる。
（へ）効果
この発明に係る発光表示装置は、下部電極および電極導
出層によって、各外部引出し電極を基板の対向する辺に
それぞれ配列形成したから、接続配線用のワイヤは前記
対向する辺から導出される。
出層によって、各外部引出し電極を基板の対向する辺に
それぞれ配列形成したから、接続配線用のワイヤは前記
対向する辺から導出される。
よって、外部引出し電極が形成されていない辺同士が隣
接するように配置すれば、複数の発光表示装置を近接し
て配列させることができる。
接するように配置すれば、複数の発光表示装置を近接し
て配列させることができる。
第１図はこの発明の第１の実施例に係る発光表示装置の
構成を略字した斜視図、第２図は第１図に示した実施例
のＡ−Ａ断面、第３図は第１の実施例に係る発光表示装
置の製造方法の説明図、第４図はこの発明の第２の実施
例に係る発光表示装置の構成を略字した斜視図、第５図
は第４図に示した実施例のＡ−Ａ断面、第６図は第２の
実施例に係る発光表示装置の製造方法の説明図である。 １・・・半絶縁基板、１０・・・発光素子、３０・・・
下部電極、５０・・・上部電極、６０・・・電極導出層
。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治
構成を略字した斜視図、第２図は第１図に示した実施例
のＡ−Ａ断面、第３図は第１の実施例に係る発光表示装
置の製造方法の説明図、第４図はこの発明の第２の実施
例に係る発光表示装置の構成を略字した斜視図、第５図
は第４図に示した実施例のＡ−Ａ断面、第６図は第２の
実施例に係る発光表示装置の製造方法の説明図である。 １・・・半絶縁基板、１０・・・発光素子、３０・・・
下部電極、５０・・・上部電極、６０・・・電極導出層
。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治
Claims (3)
- （１）マトリクス状に配列された各発光素子を各行及び
各列ごとにそれぞれ絶縁分離したモノリシック形の発光
表示装置において、 各列の発光素子を連結接続する下部電極を基板の一端辺
側にそれぞれ導出し、その端部に第１の外部引出し電極
を形成する一方、 各行の発光素子を連結接続する上部電極を、各行間に形
成された電極導出層にそれぞれ接続し、この電極導出層
を前記外部引出し電極が配列された端辺と対向する端辺
に導出し、その端部に第２の外部引出し電極を形成した
ことを特徴とする発光表示装置。 - （２）前記下部電極と電極導出層とはメサエッチングに
より絶縁分離されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の発光表示装置。 - （３）前記下部電極と電極導出層とは、発光素子を選択
エピタキシャル成長させる際に同時に形成される多結晶
絶縁層により絶縁分離されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の発光表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058866A JPS60201680A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058866A JPS60201680A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 発光表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201680A true JPS60201680A (ja) | 1985-10-12 |
| JPH0554712B2 JPH0554712B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=13096647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59058866A Granted JPS60201680A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 発光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201680A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003179263A (ja) * | 2002-11-11 | 2003-06-27 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子 |
| US7463559B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-12-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical disk apparatus |
| JP2009283984A (ja) * | 2005-05-03 | 2009-12-03 | Samsung Electro Mech Co Ltd | フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2012253318A (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528975A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Process for reducing nitrogen oxides and sulfur oxides produced during combustion of fuels |
| JPS5769785A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor light emitting device |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59058866A patent/JPS60201680A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528975A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Process for reducing nitrogen oxides and sulfur oxides produced during combustion of fuels |
| JPS5769785A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor light emitting device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003179263A (ja) * | 2002-11-11 | 2003-06-27 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子 |
| US7463559B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-12-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical disk apparatus |
| JP2009283984A (ja) * | 2005-05-03 | 2009-12-03 | Samsung Electro Mech Co Ltd | フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2012253318A (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554712B2 (ja) | 1993-08-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |