JP2000277810A - Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄアレイおよびその製造方法Info
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＥＤヘッドでは実装用基板とレンズを搭載
した基板が個々に必要となり、ヘッドの小型化が難しい
上に、それぞれの搭載精度が問題となっている。またＬ
ＥＤアレイが高密度になるにつれて、ＬＥＤアレイをチ
ップ状に切断するときの精度が非常に厳しくなるという
問題があった 【解決手段】 電極が接続して設けられた一導電型半導
体層と逆導電型半導体層から成る発光素子を透光性樹脂
から成る支持部材中に列状に複数埋設して設けた。
した基板が個々に必要となり、ヘッドの小型化が難しい
上に、それぞれの搭載精度が問題となっている。またＬ
ＥＤアレイが高密度になるにつれて、ＬＥＤアレイをチ
ップ状に切断するときの精度が非常に厳しくなるという
問題があった 【解決手段】 電極が接続して設けられた一導電型半導
体層と逆導電型半導体層から成る発光素子を透光性樹脂
から成る支持部材中に列状に複数埋設して設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＥＤアレイに関
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられるＬＥＤアレイとその製造方法に関する。
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられるＬＥＤアレイとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＥＤアレイを図４、図５に示
す。図４は断面図、図５は平面図である。図４ないし図
５において、２１は半導体基板、２２は一導電型半導体
層、２３は逆導電型半導体層、２４は個別電極、２５は
共通電極である。
す。図４は断面図、図５は平面図である。図４ないし図
５において、２１は半導体基板、２２は一導電型半導体
層、２３は逆導電型半導体層、２４は個別電極、２５は
共通電極である。
【０００３】半導体基板２１上に、一導電型半導体層２
２と逆導電型半導体層２３を設けると共に、この一導電
型半導体層２２の露出部Ｒに共通電極２５（２５ａ、２
５ｂ）を接続して設け、逆導電型半導体層２３に個別電
極２４を接続して設けている。なお、図４において、２
６は窒化シリコン膜などから成る保護膜である。また、
図４に示すように、共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）は
隣接する島状半導体層２２、２３ごとに異なる群に属す
るように二群に分けて接続して設けられ、隣接する島状
半導体層２２、２３が同じ個別電極２４に接続されてい
る。
２と逆導電型半導体層２３を設けると共に、この一導電
型半導体層２２の露出部Ｒに共通電極２５（２５ａ、２
５ｂ）を接続して設け、逆導電型半導体層２３に個別電
極２４を接続して設けている。なお、図４において、２
６は窒化シリコン膜などから成る保護膜である。また、
図４に示すように、共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）は
隣接する島状半導体層２２、２３ごとに異なる群に属す
るように二群に分けて接続して設けられ、隣接する島状
半導体層２２、２３が同じ個別電極２４に接続されてい
る。
【０００４】このようなＬＥＤアレイでは、個別電極２
４と共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）の組み合わせを選
択して電流を流すことによって、各発光ダイオードを選
択的に発光させることができる。
４と共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）の組み合わせを選
択して電流を流すことによって、各発光ダイオードを選
択的に発光させることができる。
【０００５】このようなＬＥＤアレイは半導体ウェハ上
にＬＥＤアレイを多数形成した後、ダイシング法などで
チップ状に切断して、図７に示すように、ＬＥＤチップ
を実装基板２８上に搭載し、ワイヤーボンディング３０
などで外部回路３１と接続する。さらに、ＬＥＤアレイ
チップを実装した基板２８上にレンズ２９を設置し、Ｌ
ＥＤヘッドとして組み立てる。このＬＥＤヘッドはＬＥ
Ｄアレイから発光した光を実装基板２８の上部に設けた
レンズ２９で集光して感光体ドラム（不図示）へ結像さ
せる。
にＬＥＤアレイを多数形成した後、ダイシング法などで
チップ状に切断して、図７に示すように、ＬＥＤチップ
を実装基板２８上に搭載し、ワイヤーボンディング３０
などで外部回路３１と接続する。さらに、ＬＥＤアレイ
チップを実装した基板２８上にレンズ２９を設置し、Ｌ
ＥＤヘッドとして組み立てる。このＬＥＤヘッドはＬＥ
Ｄアレイから発光した光を実装基板２８の上部に設けた
レンズ２９で集光して感光体ドラム（不図示）へ結像さ
せる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
ＬＥＤアレイでは、基板２１上に電極２４、２５が接続
された島状の半導体層２２、２３を列状に設けて複数並
べて設けていることから、発光面と同じ側に電極２４、
２５の外部回路との接続部が位置することになり、その
結果、発光素子をレンズ２９に直接接触させて実装する
ことができず、レンズ２９の取付精度が悪いと共に、レ
ンズ２９の搭載基板のレンズ周辺に回路を設けることが
できず、レンズ２９とＬＥＤアレイ実装基板を別々に設
けなければならず、ＬＥＤヘッドの構造が複雑で装置が
大型化するという問題があった。つまり、従来のＬＥＤ
アレイでは、実装基板２８とレンズ２９を搭載した基板
が個々に必要となり、小型化が難しいうえに、厳密な搭
載精度が要求される。
ＬＥＤアレイでは、基板２１上に電極２４、２５が接続
された島状の半導体層２２、２３を列状に設けて複数並
べて設けていることから、発光面と同じ側に電極２４、
２５の外部回路との接続部が位置することになり、その
結果、発光素子をレンズ２９に直接接触させて実装する
ことができず、レンズ２９の取付精度が悪いと共に、レ
ンズ２９の搭載基板のレンズ周辺に回路を設けることが
できず、レンズ２９とＬＥＤアレイ実装基板を別々に設
けなければならず、ＬＥＤヘッドの構造が複雑で装置が
大型化するという問題があった。つまり、従来のＬＥＤ
アレイでは、実装基板２８とレンズ２９を搭載した基板
が個々に必要となり、小型化が難しいうえに、厳密な搭
載精度が要求される。
【０００７】また、発光素子の配列が高密度になるにつ
れて、ＬＥＤアレイをチップ状に切断するときの精度が
非常に厳しくなるという問題があった。
れて、ＬＥＤアレイをチップ状に切断するときの精度が
非常に厳しくなるという問題があった。
【０００８】
【発明の目的】本発明はこのような従来の問題点に鑑み
てなされたものであり、ＬＥＤヘッドの構造が複雑で装
置が大型化し、またＬＥＤチップを精度よく切断するの
が困難であるという従来の問題を解消したＬＥＤアレイ
とその製造方法を提供することを目的とする。
てなされたものであり、ＬＥＤヘッドの構造が複雑で装
置が大型化し、またＬＥＤチップを精度よく切断するの
が困難であるという従来の問題を解消したＬＥＤアレイ
とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るＬＥＤアレイでは、電極が接続して設
けられた一導電型半導体層と逆導電型半導体層から成る
発光素子を透光性樹脂から成る支持部材中に列状に複数
埋設して成ることを特徴とする。
に、本発明に係るＬＥＤアレイでは、電極が接続して設
けられた一導電型半導体層と逆導電型半導体層から成る
発光素子を透光性樹脂から成る支持部材中に列状に複数
埋設して成ることを特徴とする。
【００１０】上記ＬＥＤアレイでは、前記電極が前記支
持部材の表面側まで延在して設けられていることが望ま
しい。
持部材の表面側まで延在して設けられていることが望ま
しい。
【００１１】また、本発明に係るＬＥＤアレイの製造方
法では、単結晶基板に島状の一導電型半導体層と逆導電
型半導体層を積層して列状に設け、この一導電型半導体
層と逆導電型半導体層に電極を接続して設けて発光素子
を形成し、この発光素子を透光性樹脂から成る支持部材
で被覆した後、前記単結晶基板を除去することを特徴と
する。
法では、単結晶基板に島状の一導電型半導体層と逆導電
型半導体層を積層して列状に設け、この一導電型半導体
層と逆導電型半導体層に電極を接続して設けて発光素子
を形成し、この発光素子を透光性樹脂から成る支持部材
で被覆した後、前記単結晶基板を除去することを特徴と
する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明に係るＬＥＤアレイの一
実施形態を示す断面図、図２は平面図である。図１およ
び図２において、２は一導電型半導体層、３は逆導電型
半導体層、４は個別電極、５は共通電極、６は絶縁膜、
７は支持部材である。
詳細に説明する。図１は本発明に係るＬＥＤアレイの一
実施形態を示す断面図、図２は平面図である。図１およ
び図２において、２は一導電型半導体層、３は逆導電型
半導体層、４は個別電極、５は共通電極、６は絶縁膜、
７は支持部材である。
【００１３】支持部材７は、ポリイミド、フッ素樹脂、
シリカ系樹脂などの透光性樹脂から成る。
シリカ系樹脂などの透光性樹脂から成る。
【００１４】この透光性樹脂から成る支持部材７中に、
共通電極５（５ａ、５ｂ）が接続して設けられた一導電
型半導体層２と個別電極４が接続して設けられた逆導電
型半導体層３から成る発光素子を列状に埋設する。
共通電極５（５ａ、５ｂ）が接続して設けられた一導電
型半導体層２と個別電極４が接続して設けられた逆導電
型半導体層３から成る発光素子を列状に埋設する。
【００１５】一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、
オーミックコンタクト層２ｂ、電子の注入層２ｃで構成
される。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚みに形成
され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜１．０μ
ｍ程度の厚みに形成され、電子の注入層２ｃは０．２〜
０．４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ層２ａと
オーミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素などで形成
され、電子の注入層２ｃはアルミニウムガリウム砒素な
どで形成される。オーミックコンタクト層２ｂはシリコ
ンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０17ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、電子の注入層２ｃはシリ
コンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０19
ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。また、この時電子注
入層２ｃのＡｌの組成はｘ＝０．２４〜０．５程度形成
する。バッファ層２ａは基板１と半導体層との格子定数
の不整合に基づくミスフィット転位を防止するために設
けるものであり、半導体不純物を含有させる必要はな
い。
オーミックコンタクト層２ｂ、電子の注入層２ｃで構成
される。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚みに形成
され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜１．０μ
ｍ程度の厚みに形成され、電子の注入層２ｃは０．２〜
０．４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ層２ａと
オーミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素などで形成
され、電子の注入層２ｃはアルミニウムガリウム砒素な
どで形成される。オーミックコンタクト層２ｂはシリコ
ンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０17ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、電子の注入層２ｃはシリ
コンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０19
ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。また、この時電子注
入層２ｃのＡｌの組成はｘ＝０．２４〜０．５程度形成
する。バッファ層２ａは基板１と半導体層との格子定数
の不整合に基づくミスフィット転位を防止するために設
けるものであり、半導体不純物を含有させる必要はな
い。
【００１６】逆導電型半導体層３は、発光層３ａ、第２
のクラッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト
層３ｃで構成される。発光層３ａと第２のクラッド層３
ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、オーミ
ックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程度の厚
みに形成される。第２のオーミックコンタクト層３ｃは
ガリウム砒素などから成る。
のクラッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト
層３ｃで構成される。発光層３ａと第２のクラッド層３
ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、オーミ
ックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程度の厚
みに形成される。第２のオーミックコンタクト層３ｃは
ガリウム砒素などから成る。
【００１７】発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは、電
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミ
ニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）と
の混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第２のクラッド
層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１
×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、第２
のオーミックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半
導体不純物を１×１０ 19〜１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程
度含有する。
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミ
ニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）と
の混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第２のクラッド
層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１
×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、第２
のオーミックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半
導体不純物を１×１０ 19〜１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程
度含有する。
【００１８】絶縁膜６は窒化シリコンなどから成り、厚
み３０００〜５０００Å程度に形成される。また、個別
電極４と共通電極５は金／クロム（Ａｕ／ＡｕＧｅ／Ｃ
ｒ）などから成り、厚み１μｍ程度に形成される。
み３０００〜５０００Å程度に形成される。また、個別
電極４と共通電極５は金／クロム（Ａｕ／ＡｕＧｅ／Ｃ
ｒ）などから成り、厚み１μｍ程度に形成される。
【００１９】本発明のＬＥＤアレイでは、図２に示すよ
うに、一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３から成
る島状半導体層２、３を支持部材７内に一列状に並べ
て、隣接する島状半導体層２、３毎に同じ個別電極４に
接続し、同じ個別電極４に接続された下の一導電型半導
体層２が異なる共通電極５に接続されるように二群に分
けて接続される。個別電極４を選択して電流を流すこと
によってページプリンタ用感光ドラムの露光用光源とし
て用いられる。
うに、一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３から成
る島状半導体層２、３を支持部材７内に一列状に並べ
て、隣接する島状半導体層２、３毎に同じ個別電極４に
接続し、同じ個別電極４に接続された下の一導電型半導
体層２が異なる共通電極５に接続されるように二群に分
けて接続される。個別電極４を選択して電流を流すこと
によってページプリンタ用感光ドラムの露光用光源とし
て用いられる。
【００２０】このＬＥＤアレイでは、図１に示すよう
に、個別電極４と共通電極５が支持部材７の表面側まで
延在して設けられていることが望ましい。また、図３に
示すように、支持部材７をレンズ９の搭載基板１０に直
接実装することが望ましい。さらに、支持部材７をレン
ズ９の搭載基板１０に直接実装すると同時に、レンズ９
の搭載基板１０上に回路配線を設けることが望ましい。
に、個別電極４と共通電極５が支持部材７の表面側まで
延在して設けられていることが望ましい。また、図３に
示すように、支持部材７をレンズ９の搭載基板１０に直
接実装することが望ましい。さらに、支持部材７をレン
ズ９の搭載基板１０に直接実装すると同時に、レンズ９
の搭載基板１０上に回路配線を設けることが望ましい。
【００２１】発光素子の発光面とは反対の面に電極４、
５を配置すると、レンズ９に支持部材を直接接触して実
装することが可能になり、レンズ９の取付精度が向上す
ると共に、レンズ９を搭載している基板１０のレンズ９
周辺に配線回路１１を設けることができ、レンズ９の搭
載基板１０がＬＥＤアレイ実装基板を兼ねることでＬＥ
Ｄヘッド構造の簡略化および小型化を可能になる。
５を配置すると、レンズ９に支持部材を直接接触して実
装することが可能になり、レンズ９の取付精度が向上す
ると共に、レンズ９を搭載している基板１０のレンズ９
周辺に配線回路１１を設けることができ、レンズ９の搭
載基板１０がＬＥＤアレイ実装基板を兼ねることでＬＥ
Ｄヘッド構造の簡略化および小型化を可能になる。
【００２２】次に、上述のようなＬＥＤアレイの製造方
法を説明する。まず、単結晶基板（不図示）上に、一導
電型半導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法な
どで順次積層して形成する。
法を説明する。まず、単結晶基板（不図示）上に、一導
電型半導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法な
どで順次積層して形成する。
【００２３】単結晶基板はシリコン（Ｓｉ）などの単結
晶半導体基板から成る。単結晶半導体基板の場合、（１
００）面を＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた基板な
どが好適に用いられる。
晶半導体基板から成る。単結晶半導体基板の場合、（１
００）面を＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた基板な
どが好適に用いられる。
【００２４】これらの半導体層２、３を形成する場合、
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚
みの半導体層２、３を形成する。
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚
みの半導体層２、３を形成する。
【００２５】この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アル
シン（ＡｓＨ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥ
Ａ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ）などが用いられ、導電型を制
御するためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4 ）、セレ
ン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ3 ）3 Ｚｎ）な
どが用いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2 などが用い
られる。
Ｈ3 ）3 Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アル
シン（ＡｓＨ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥ
Ａ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ）などが用いられ、導電型を制
御するためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4 ）、セレ
ン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ3 ）3 Ｚｎ）な
どが用いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2 などが用い
られる。
【００２６】次に、隣接する素子同志が電気的に分離さ
れるように、半導体層２、３が島状にパターニングされ
る。このエッチングは、硫酸過酸化水素系のエッチング
液を用いたウエットエッチングやＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用
いたドライエッチングなどで行われる。
れるように、半導体層２、３が島状にパターニングされ
る。このエッチングは、硫酸過酸化水素系のエッチング
液を用いたウエットエッチングやＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用
いたドライエッチングなどで行われる。
【００２７】次に、一導電型半導体層２の一端部側の一
部が露出するためにエッチングする。さらに、表面の半
導体層３ｃの表面の一部をエッチングする。それぞれの
エッチングも硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いた
ウェットエッチングやＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用いたドライ
エッチングなどで行なわれる。
部が露出するためにエッチングする。さらに、表面の半
導体層３ｃの表面の一部をエッチングする。それぞれの
エッチングも硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いた
ウェットエッチングやＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用いたドライ
エッチングなどで行なわれる。
【００２８】次に、プラズマＣＶＤ法で、シランガス
（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）を用いて窒化
シリコンから成る絶縁膜を形成してパターニングする。
次に、クロムと金を蒸着法やスパッタリング法で形成し
てパターニングする。
（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）を用いて窒化
シリコンから成る絶縁膜を形成してパターニングする。
次に、クロムと金を蒸着法やスパッタリング法で形成し
てパターニングする。
【００２９】次に、塗布法またはゾル−ゲル法などの手
段を用いて樹脂層を形成して支持部材７を形成する。そ
の後、単結晶基板のみを選択的にエッチングする。例え
ば、単結晶基板としてシリコン基板を使用している場合
にはＫＯＨ溶液などを使用して、単結晶基板のみを選択
的にエッチングすればよい。
段を用いて樹脂層を形成して支持部材７を形成する。そ
の後、単結晶基板のみを選択的にエッチングする。例え
ば、単結晶基板としてシリコン基板を使用している場合
にはＫＯＨ溶液などを使用して、単結晶基板のみを選択
的にエッチングすればよい。
【００３０】また、支持部材７をチップ状に形成する場
合には、支持部材７を形成してからフォトリソ工程など
を用いて形成することによって、図４に示すように、支
持部材７で覆われているチップ部と単結晶基板の部分を
作製し、単結晶基板をエッチングすることでチップ部の
みを残すようにすればよい。
合には、支持部材７を形成してからフォトリソ工程など
を用いて形成することによって、図４に示すように、支
持部材７で覆われているチップ部と単結晶基板の部分を
作製し、単結晶基板をエッチングすることでチップ部の
みを残すようにすればよい。
【００３１】基板上面部分を樹脂等で覆う際に樹脂部を
チップ状に形成した後、基板を除去することで、基板は
エッチングされて何もなくなってしまうことにより、ダ
イシングなどの手法を取らずにチップに分割することを
可能となる。
チップ状に形成した後、基板を除去することで、基板は
エッチングされて何もなくなってしまうことにより、ダ
イシングなどの手法を取らずにチップに分割することを
可能となる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るＬＥＤアレ
イでは、電極が接続して設けられた一導電型半導体層と
逆導電型半導体層から成る発光素子を透光性樹脂から成
る支持部材中に列状に複数埋設したことから、発光面と
反対の面に電極を配置することを可能になり、その結
果、この支持部材をレンズに直接実装することができ、
レンズの取付精度向上を可能にすると共に、レンズ搭載
基板のレンズ周辺に回路を設けることができ、レンズ搭
基板とＬＥＤアレイ実装基板を兼ねることでＬＥＤヘッ
ド構造の簡略化および小型化を可能になる。
イでは、電極が接続して設けられた一導電型半導体層と
逆導電型半導体層から成る発光素子を透光性樹脂から成
る支持部材中に列状に複数埋設したことから、発光面と
反対の面に電極を配置することを可能になり、その結
果、この支持部材をレンズに直接実装することができ、
レンズの取付精度向上を可能にすると共に、レンズ搭載
基板のレンズ周辺に回路を設けることができ、レンズ搭
基板とＬＥＤアレイ実装基板を兼ねることでＬＥＤヘッ
ド構造の簡略化および小型化を可能になる。
【００３３】また、本発明に係るＬＥＤアレイの製造方
法では、単結晶基板上に島状の一導電型半導体層と逆導
電型半導体層を列状に積層して設け、この一導電型半導
体層と逆導電型半導体層に電極を接続して設けて発光素
子を形成し、この発光素子を透光性樹脂から成る支持部
材で被覆した後、前記単結晶基板を除去することから、
ダイシングなどの手法を取らずにチップに分割すること
を可能となり、高精度のＬＥＤアレイ切断時における問
題を解消できる。
法では、単結晶基板上に島状の一導電型半導体層と逆導
電型半導体層を列状に積層して設け、この一導電型半導
体層と逆導電型半導体層に電極を接続して設けて発光素
子を形成し、この発光素子を透光性樹脂から成る支持部
材で被覆した後、前記単結晶基板を除去することから、
ダイシングなどの手法を取らずにチップに分割すること
を可能となり、高精度のＬＥＤアレイ切断時における問
題を解消できる。
【図１】本発明に係るＬＥＤアレイの一実施形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係るＬＥＤアレイの一実施形態を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明に係るＬＥＤアレイの使用方法を示す図
である。
である。
【図４】本発明に係るＬＥＤアレイの作製方法を示す図
である。
である。
【図５】従来のＬＥＤアレイを示す断面図である。
【図６】従来のＬＥＤアレイを示す平面図である。
【図７】従来のＬＥＤアレイの一使用方法を示す図であ
る。
る。
１………基板、２………一導電型半導体層、３………逆
導電型半導体層、４………個別電極、５………共通電
極、６………絶縁膜、７………樹脂層、８………実装用
基板、９………レンズ
導電型半導体層、４………個別電極、５………共通電
極、６………絶縁膜、７………樹脂層、８………実装用
基板、９………レンズ
Claims (3)
- 【請求項１】 電極が接続して設けられた一導電型半導
体層と逆導電型半導体層から成る発光素子を透光性樹脂
から成る支持部材中に列状に複数埋設して成るＬＥＤア
レイ。 - 【請求項２】 前記電極が前記支持部材の表面側まで延
在していることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤア
レイ。 - 【請求項３】 単結晶基板上に島状の一導電型半導体層
と逆導電型半導体層を積層して列状に設け、この一導電
型半導体層と逆導電型半導体層に電極を接続して設けて
発光素子を形成し、この発光素子を透光性樹脂から成る
支持部材で被覆した後、前記単結晶基板を除去するＬＥ
Ｄアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8267399A JP4382902B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8267399A JP4382902B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277810A true JP2000277810A (ja) | 2000-10-06 |
| JP4382902B2 JP4382902B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=13780953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8267399A Expired - Fee Related JP4382902B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4382902B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008523601A (ja) * | 2004-12-09 | 2008-07-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照明システム |
| JP2013084989A (ja) * | 2013-01-10 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及び発光装置 |
| US9184357B2 (en) | 2008-12-12 | 2015-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device and method for manufacturing same |
| KR101840537B1 (ko) | 2016-03-17 | 2018-05-04 | 주식회사 대상 | Led 조명등 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해 제조된 led 조명등 |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP8267399A patent/JP4382902B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008523601A (ja) * | 2004-12-09 | 2008-07-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照明システム |
| US9184357B2 (en) | 2008-12-12 | 2015-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device and method for manufacturing same |
| US9478722B2 (en) | 2008-12-12 | 2016-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device and method for manufacturing same |
| JP2013084989A (ja) * | 2013-01-10 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及び発光装置 |
| KR101840537B1 (ko) | 2016-03-17 | 2018-05-04 | 주식회사 대상 | Led 조명등 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해 제조된 led 조명등 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4382902B2 (ja) | 2009-12-16 |
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