JP2001156334A - Ｌｅｄアレイ - Google Patents
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- JP2001156334A JP2001156334A JP33671499A JP33671499A JP2001156334A JP 2001156334 A JP2001156334 A JP 2001156334A JP 33671499 A JP33671499 A JP 33671499A JP 33671499 A JP33671499 A JP 33671499A JP 2001156334 A JP2001156334 A JP 2001156334A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
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- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングワイヤーによる反射により、画
質が低下するという問題があった。 【解決手段】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半
導体層を積層して形成した複数の島状半導体層を列状に
配設し、それぞれの一導電型半導体層と逆導電型半導体
層に電極を接続して設けたＬＥＤアレイにおいて、前記
電極パッドに外部回路と接続するワイヤーを斜めにボン
ディングしたことを特徴とする。
質が低下するという問題があった。 【解決手段】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半
導体層を積層して形成した複数の島状半導体層を列状に
配設し、それぞれの一導電型半導体層と逆導電型半導体
層に電極を接続して設けたＬＥＤアレイにおいて、前記
電極パッドに外部回路と接続するワイヤーを斜めにボン
ディングしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＥＤアレイに関
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられるＬＥＤアレイに関する。
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられるＬＥＤアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
ＬＥＤアレイを図４および図５に示す。図４は従来のＬ
ＥＤアレイを示す断面図、図５は平面図である。図４お
よび図５において、２１は半導体基板、２２は一導電型
半導体層、２３は逆導電型半導体層、２４は個別電極、
２５は共通電極である。
ＬＥＤアレイを図４および図５に示す。図４は従来のＬ
ＥＤアレイを示す断面図、図５は平面図である。図４お
よび図５において、２１は半導体基板、２２は一導電型
半導体層、２３は逆導電型半導体層、２４は個別電極、
２５は共通電極である。
【０００３】半導体基板２１上に、一導電型半導体層２
２と逆導電型半導体層２３を設けると共に、この一導電
型半導体層２２の露出部Ｒに共通電極２５（２５ａ、２
５ｂ）を接続して設け、逆導電型半導体層２３に個別電
極２４を接続して設けている。なお、図４において、２
６は窒化シリコン膜などから成る保護膜である。
２と逆導電型半導体層２３を設けると共に、この一導電
型半導体層２２の露出部Ｒに共通電極２５（２５ａ、２
５ｂ）を接続して設け、逆導電型半導体層２３に個別電
極２４を接続して設けている。なお、図４において、２
６は窒化シリコン膜などから成る保護膜である。
【０００４】共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）は、図５
に示すように、隣接する島状半導体層２２、２３ごとに
異なる群に属するように二群に分けて接続して設けら
れ、隣接する島状半導体層２２、２３が同じ個別電極２
４に接続されている。
に示すように、隣接する島状半導体層２２、２３ごとに
異なる群に属するように二群に分けて接続して設けら
れ、隣接する島状半導体層２２、２３が同じ個別電極２
４に接続されている。
【０００５】このようなＬＥＤアレイでは、個別電極２
４と共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）の組み合わせを選
択して電流を流すことによって、各発光ダイオードを選
択的に発光させることができる。
４と共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）の組み合わせを選
択して電流を流すことによって、各発光ダイオードを選
択的に発光させることができる。
【０００６】このようなＬＥＤアレイをダイシング等の
方法で、チップ状に切断した後、図６に示すように、切
断したチップ２０を実装用基板２８に搭載し、ボンディ
ングワイヤー２７などで外部回路３０と接続している。
ＬＥＤアレイチップ２０を実装した基板２８上にレンズ
２９を配設し、ＬＥＤヘッドとして組み立てる。このＬ
ＥＤヘッドはＬＥＤアレイ２０によって発光した光を実
装用基板２８上部のレンズ２９によって集光して、感光
体ドラム（不図示）へ結像する役目を果たしている。
方法で、チップ状に切断した後、図６に示すように、切
断したチップ２０を実装用基板２８に搭載し、ボンディ
ングワイヤー２７などで外部回路３０と接続している。
ＬＥＤアレイチップ２０を実装した基板２８上にレンズ
２９を配設し、ＬＥＤヘッドとして組み立てる。このＬ
ＥＤヘッドはＬＥＤアレイ２０によって発光した光を実
装用基板２８上部のレンズ２９によって集光して、感光
体ドラム（不図示）へ結像する役目を果たしている。
【０００７】このようなＬＥＤヘッドではボンディング
ワイヤー２７による反射により、画質を低下させてしま
うという問題がある。このため、ボンディングワイヤー
２７のボール２７ａを小さくし、ワイヤー２７のループ
を低くするといった手法を用いて画質の低下を防いでい
る。ところが、ワイヤー２７のループを低くすれば、ワ
イヤー２７が共通電極２５ｂに接触する。そのため、共
通電極２５（２５ａ、２５ｂ）上にＳｉＯ2やＳｉＮxな
どから成る絶縁膜（不図示）を形成しているが、この絶
縁膜の絶縁不良によってショート不良が発生するという
問題があった。
ワイヤー２７による反射により、画質を低下させてしま
うという問題がある。このため、ボンディングワイヤー
２７のボール２７ａを小さくし、ワイヤー２７のループ
を低くするといった手法を用いて画質の低下を防いでい
る。ところが、ワイヤー２７のループを低くすれば、ワ
イヤー２７が共通電極２５ｂに接触する。そのため、共
通電極２５（２５ａ、２５ｂ）上にＳｉＯ2やＳｉＮxな
どから成る絶縁膜（不図示）を形成しているが、この絶
縁膜の絶縁不良によってショート不良が発生するという
問題があった。
【０００８】このような問題は、ＬＥＤアレイの高精細
化と小型化に伴って、顕著な問題となる。
化と小型化に伴って、顕著な問題となる。
【０００９】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、ワイヤーと共通電極が物理的に接触する
ことを防止することによって、この部分でショートする
ことを防止し、ボンディングワイヤーによる光反射によ
って画質が低下するという問題を解消したＬＥＤアレイ
を提供することを目的とする。
たものであり、ワイヤーと共通電極が物理的に接触する
ことを防止することによって、この部分でショートする
ことを防止し、ボンディングワイヤーによる光反射によ
って画質が低下するという問題を解消したＬＥＤアレイ
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るＬＥＤアレイでは、基板上に一導電型
半導体層と逆導電型半導体層を積層して形成した複数の
島状半導体層を列状に配設し、それぞれの一導電型半導
体層と逆導電型半導体層にパッドを有する電極を接続し
て設けたＬＥＤアレイにおいて、前記電極パッドに外部
回路と接続するワイヤーを副走査方向に対して傾けてボ
ンディングしたことを特徴とする。
に、本発明に係るＬＥＤアレイでは、基板上に一導電型
半導体層と逆導電型半導体層を積層して形成した複数の
島状半導体層を列状に配設し、それぞれの一導電型半導
体層と逆導電型半導体層にパッドを有する電極を接続し
て設けたＬＥＤアレイにおいて、前記電極パッドに外部
回路と接続するワイヤーを副走査方向に対して傾けてボ
ンディングしたことを特徴とする。
【００１１】上記ＬＥＤアレイでは、前記電極パッドを
前記副走査方向に対して傾けて設けたことが望ましい。
前記副走査方向に対して傾けて設けたことが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係るＬＥ
Ｄアレイの一実施形態を示す断面図、図２は平面図であ
る。
図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係るＬＥ
Ｄアレイの一実施形態を示す断面図、図２は平面図であ
る。
【００１３】図１および図２において、１は基板、２は
一導電型半導体層、３は逆導電型半導体層、４は個別電
極、４ａは電極パッド、５（５ａ、５ｂ）は共通電極、
６は絶縁膜である。
一導電型半導体層、３は逆導電型半導体層、４は個別電
極、４ａは電極パッド、５（５ａ、５ｂ）は共通電極、
６は絶縁膜である。
【００１４】基板１はシリコン（Ｓｉ）などの単結晶半
導体基板やサファイア（Ａｌ2Ｏ3）などの単結晶絶縁基
板から成る。単結晶半導体基板の場合、（１００）面を
＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた基板などが好適に
用いられる。サファイアの場合、Ｃ面基板が好適に用い
られる。
導体基板やサファイア（Ａｌ2Ｏ3）などの単結晶絶縁基
板から成る。単結晶半導体基板の場合、（１００）面を
＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた基板などが好適に
用いられる。サファイアの場合、Ｃ面基板が好適に用い
られる。
【００１５】一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、
オーミックコンタクト層２ｂ、電子の注入層２ｃで構成
される。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚みに形成
され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜１．０μ
ｍ程度の厚みに形成され、電子の注入層２ｃは０．２〜
０．４μｍ程度の厚みに形成される。
オーミックコンタクト層２ｂ、電子の注入層２ｃで構成
される。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚みに形成
され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜１．０μ
ｍ程度の厚みに形成され、電子の注入層２ｃは０．２〜
０．４μｍ程度の厚みに形成される。
【００１６】バッファ層２ａとオーミックコンタクト層
２ｂはガリウム砒素などで形成され、電子の注入層２ｃ
はアルミニウムガリウム砒素などで形成される。オーミ
ックコンタクト層２ｂはシリコンなどの一導電型半導体
不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含
有し、電子の注入層２ｃはシリコンなどの一導電型半導
体不純物を１×１０16〜１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度
含有する。また、このとき電子注入層２ｃのＡｌの組成
はｘ＝０．２４〜０．５程度に形成する。
２ｂはガリウム砒素などで形成され、電子の注入層２ｃ
はアルミニウムガリウム砒素などで形成される。オーミ
ックコンタクト層２ｂはシリコンなどの一導電型半導体
不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含
有し、電子の注入層２ｃはシリコンなどの一導電型半導
体不純物を１×１０16〜１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度
含有する。また、このとき電子注入層２ｃのＡｌの組成
はｘ＝０．２４〜０．５程度に形成する。
【００１７】バッファ層２ａは基板１と半導体層との格
子定数の不整合に基づくミスフィット転位を防止するた
めに設けるものであり、半導体不純物を含有させる必要
はない。
子定数の不整合に基づくミスフィット転位を防止するた
めに設けるものであり、半導体不純物を含有させる必要
はない。
【００１８】逆導電型半導体層３は、発光層３ａ、第２
のクラッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト
層３ｃで構成される。発光層３ａと第２のクラッド層３
ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、オーミ
ックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程度の厚
みに形成される。第２のオーミックコンタクト層３ｃは
ガリウム砒素などから成る。
のクラッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト
層３ｃで構成される。発光層３ａと第２のクラッド層３
ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、オーミ
ックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程度の厚
みに形成される。第２のオーミックコンタクト層３ｃは
ガリウム砒素などから成る。
【００１９】発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは、電
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミ
ニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）と
の混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第２のクラッド
層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１
×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、第２
のオーミックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半
導体不純物を１×１０ 19〜１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程
度含有する。
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミ
ニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）と
の混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第２のクラッド
層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１
×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、第２
のオーミックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半
導体不純物を１×１０ 19〜１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程
度含有する。
【００２０】絶縁膜６は窒化シリコンなどから成り、厚
み３０００〜５０００Å程度に形成される。また、個別
電極４と共通電極５（５ａ、５ｂ）は金／クロム（Ａｕ
／ＡｕＧｅ／Ｃｒ）などから成り、厚み１μｍ程度に形
成される。
み３０００〜５０００Å程度に形成される。また、個別
電極４と共通電極５（５ａ、５ｂ）は金／クロム（Ａｕ
／ＡｕＧｅ／Ｃｒ）などから成り、厚み１μｍ程度に形
成される。
【００２１】本発明のＬＥＤアレイでは、図２に示すよ
うに、一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３から成
る島状半導体層２、３を基板１上に一列状に並べて、隣
接する島状半導体層２、３毎に同じ個別電極４に接続
し、同じ個別電極４に接続された下の一導電型半導体層
２が異なる共通電極５に接続されるように二群に分けて
接続される。個別電極４を選択して電流を流すことによ
ってページプリンタ用感光ドラムの露光用光源として用
いられる。
うに、一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３から成
る島状半導体層２、３を基板１上に一列状に並べて、隣
接する島状半導体層２、３毎に同じ個別電極４に接続
し、同じ個別電極４に接続された下の一導電型半導体層
２が異なる共通電極５に接続されるように二群に分けて
接続される。個別電極４を選択して電流を流すことによ
ってページプリンタ用感光ドラムの露光用光源として用
いられる。
【００２２】前記電極パッド４ａは副走査方向に対して
傾けて設けられ、この電極パッド４ａに外部回路と接続
するワイヤー７を傾けてボンディングしている。このよ
うに、電極パッド４ａを副走査方向に対して傾けて設
け、この電極パッド４ａに外部回路と接続するワイヤー
７を副走査方向に対して傾けてボンディングすると、電
極パッド４ａと共通電極５（５ａ、５ｂ）間の物理的な
距離を大きくすることが可能となり、ワイヤーボンディ
ングを行なう際、ワイヤー７と共通電極５（５ａ、５
ｂ）が接触することを防止できる。もって、ワイヤー７
のループを低くできる。
傾けて設けられ、この電極パッド４ａに外部回路と接続
するワイヤー７を傾けてボンディングしている。このよ
うに、電極パッド４ａを副走査方向に対して傾けて設
け、この電極パッド４ａに外部回路と接続するワイヤー
７を副走査方向に対して傾けてボンディングすると、電
極パッド４ａと共通電極５（５ａ、５ｂ）間の物理的な
距離を大きくすることが可能となり、ワイヤーボンディ
ングを行なう際、ワイヤー７と共通電極５（５ａ、５
ｂ）が接触することを防止できる。もって、ワイヤー７
のループを低くできる。
【００２３】次に、上述のようなＬＥＤアレイの製造方
法を説明する。まず、単結晶基板１上に、一導電型半導
体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順次
積層して形成する。
法を説明する。まず、単結晶基板１上に、一導電型半導
体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順次
積層して形成する。
【００２４】これらの半導体層２、３を形成する場合、
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚
みの半導体層２、３を形成する。
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚
みの半導体層２、３を形成する。
【００２５】この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（Ｃ
Ｈ3）3Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2Ｈ5） 3Ｇａ）、アルシン
（ＡｓＨ3）、ＴＭＡ（（ＣＨ3）3Ａｌ）、ＴＥＡ
（（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御す
るためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、セレン化
水素（Ｈ2Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ3）3Ｚｎ）などが用
いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2などが用いられ
る。
Ｈ3）3Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2Ｈ5） 3Ｇａ）、アルシン
（ＡｓＨ3）、ＴＭＡ（（ＣＨ3）3Ａｌ）、ＴＥＡ
（（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御す
るためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、セレン化
水素（Ｈ2Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ3）3Ｚｎ）などが用
いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2などが用いられ
る。
【００２６】次に、隣接する素子同志が電気的に分離さ
れるように、半導体層２、３が島状にパターニングされ
る。このエッチングは、硫酸過酸化水素系のエッチング
液を用いたウエットエッチングやＣＣｌ2Ｆ2ガスを用い
たドライエッチングなどで行われる。
れるように、半導体層２、３が島状にパターニングされ
る。このエッチングは、硫酸過酸化水素系のエッチング
液を用いたウエットエッチングやＣＣｌ2Ｆ2ガスを用い
たドライエッチングなどで行われる。
【００２７】次に、一導電型半導体層２の一端部側の一
部を露出させるためにエッチングする。さらに、表面の
半導体層３ｃの一部をエッチングする。それぞれのエッ
チングも硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウェ
ットエッチングやＣＣｌ2Ｆ2ガスを用いたドライエッチ
ングなどで行なわれる。
部を露出させるためにエッチングする。さらに、表面の
半導体層３ｃの一部をエッチングする。それぞれのエッ
チングも硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウェ
ットエッチングやＣＣｌ2Ｆ2ガスを用いたドライエッチ
ングなどで行なわれる。
【００２８】次に、プラズマＣＶＤ法で、シランガス
（ＳｉＨ4）とアンモニアガス（ＮＨ3）を用いて窒化シ
リコンから成る絶縁膜を形成してパターニングする。
（ＳｉＨ4）とアンモニアガス（ＮＨ3）を用いて窒化シ
リコンから成る絶縁膜を形成してパターニングする。
【００２９】次に、ＡｕＧｅなどを蒸着法やスパッタリ
ング法で形成して電極４、５をパターニングする。この
際に、通常は副走査方向に平行に電極パッド４ａを配置
するが、電極パッド４ａを副走査方向に対して傾けて配
置し、その方向へワイヤーボンディングを行なう。ま
た、電極パッド４ａを傾けずにボンディングワイヤー７
のみを副走査方向に対して傾けて接続してもよい。以上
の手法を用いて、図２中の距離Ａを大きく取ることが可
能となる。
ング法で形成して電極４、５をパターニングする。この
際に、通常は副走査方向に平行に電極パッド４ａを配置
するが、電極パッド４ａを副走査方向に対して傾けて配
置し、その方向へワイヤーボンディングを行なう。ま
た、電極パッド４ａを傾けずにボンディングワイヤー７
のみを副走査方向に対して傾けて接続してもよい。以上
の手法を用いて、図２中の距離Ａを大きく取ることが可
能となる。
【００３０】次に、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、塗布法または
ゾル−ゲル法などの手段を用いてＳｉＮxやＳｉＯ2など
から成る保護層（不図示）を形成する。その後、ＬＥＤ
アレイをダイシング等の方法で、チップ状に切断した
後、切断したチップを実装用基板に配置し、ボンディン
グワイヤーなどで外部回路と接続する。
ゾル−ゲル法などの手段を用いてＳｉＮxやＳｉＯ2など
から成る保護層（不図示）を形成する。その後、ＬＥＤ
アレイをダイシング等の方法で、チップ状に切断した
後、切断したチップを実装用基板に配置し、ボンディン
グワイヤーなどで外部回路と接続する。
【００３１】図3は本発明に係るＬＥＤアレイの他の実
施形態を示す平面図である。この実施形態では、電極パ
ッド４ａを副走査方向と同じ方向に設けているが、この
電極パッド４ａに外部回路と接続するワイヤー７は副走
査方向に対して傾けてボンディングしている。このよう
に、電極パッド４ａを副走査方向と同じ方向に設けて
も、この電極パッド４ａに外部回路と接続するワイヤー
７を傾けてボンディングすると、電極パッド４ａと共通
電極５（５ａ、５ｂ）間の物理的な距離を大きくするこ
とが可能となり、ワイヤーボンディングを行なう際、ワ
イヤー７と共通電極５（５ａ、５ｂ）が接触することを
防止できる。
施形態を示す平面図である。この実施形態では、電極パ
ッド４ａを副走査方向と同じ方向に設けているが、この
電極パッド４ａに外部回路と接続するワイヤー７は副走
査方向に対して傾けてボンディングしている。このよう
に、電極パッド４ａを副走査方向と同じ方向に設けて
も、この電極パッド４ａに外部回路と接続するワイヤー
７を傾けてボンディングすると、電極パッド４ａと共通
電極５（５ａ、５ｂ）間の物理的な距離を大きくするこ
とが可能となり、ワイヤーボンディングを行なう際、ワ
イヤー７と共通電極５（５ａ、５ｂ）が接触することを
防止できる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るＬＥＤアレ
イでは、電極パッドに外部回路と接続するワイヤーを副
走査方向に対して傾けてボンディングしたことから、電
極パッドと共通電極配線間の物理的な距離を大きくする
ことが可能となり、ワイヤーボンディングを行なう際
に、ワイヤーと共通電極が接触することを防止できる。
その結果、ワイヤーと共通電極間のショート不良を極力
低減できるとともに、ワイヤーのループを低くすること
ができ、ボンディングワイヤーによる反射を防止して、
画質の低下を低減できる。
イでは、電極パッドに外部回路と接続するワイヤーを副
走査方向に対して傾けてボンディングしたことから、電
極パッドと共通電極配線間の物理的な距離を大きくする
ことが可能となり、ワイヤーボンディングを行なう際
に、ワイヤーと共通電極が接触することを防止できる。
その結果、ワイヤーと共通電極間のショート不良を極力
低減できるとともに、ワイヤーのループを低くすること
ができ、ボンディングワイヤーによる反射を防止して、
画質の低下を低減できる。
【００３３】
【図１】本発明に係るＬＥＤアレイの一実施形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係るＬＥＤアレイの一実施形態を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明に係るＬＥＤアレイのその他の一実施形
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図４】従来のＬＥＤアレイを示す断面図である。
【図５】従来のＬＥＤアレイを示す平面図である。
【図６】従来のＬＥＤアレイの一使用方法を示す図であ
る。
る。
１………基板、２………一導電型半導体層、３………逆
導電型半導体層、４………個別電極、５………共通電
極、６………絶縁膜、７………ボンディングワイヤー、
８………実装用基板、９………レンズ
導電型半導体層、４………個別電極、５………共通電
極、６………絶縁膜、７………ボンディングワイヤー、
８………実装用基板、９………レンズ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半
導体層を積層して形成した複数の島状半導体層を列状に
配設し、それぞれの一導電型半導体層と逆導電型半導体
層にパッドを有する電極を接続して設けたＬＥＤアレイ
において、前記電極パッドに外部回路と接続するワイヤ
ーを副走査方向に対して傾けてボンディングしたことを
特徴とするＬＥＤアレイ。 - 【請求項２】 前記電極パッドを前記副走査方向に対し
て傾けて設けたことを特徴するＬＥＤアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33671499A JP2001156334A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | Ｌｅｄアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33671499A JP2001156334A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | Ｌｅｄアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001156334A true JP2001156334A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18302042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33671499A Pending JP2001156334A (ja) | 1999-11-26 | 1999-11-26 | Ｌｅｄアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001156334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101279225B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2013-06-26 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 발광 다이오드용 마이크로 배선 |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP33671499A patent/JP2001156334A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101279225B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2013-06-26 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 발광 다이오드용 마이크로 배선 |
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