JPH0554712B2 - - Google Patents
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- JPH0554712B2 JPH0554712B2 JP5886684A JP5886684A JPH0554712B2 JP H0554712 B2 JPH0554712 B2 JP H0554712B2 JP 5886684 A JP5886684 A JP 5886684A JP 5886684 A JP5886684 A JP 5886684A JP H0554712 B2 JPH0554712 B2 JP H0554712B2
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、マトリクス状に配列された各発光
素子を各行及び各列ごとにそれぞれ絶縁分離した
モノリシツク形の発光表示装置に関する。
素子を各行及び各列ごとにそれぞれ絶縁分離した
モノリシツク形の発光表示装置に関する。
(ロ) 従来技術
モノリシツク形の発光表示装置は小型であるた
め、例えば、カメラのフアインダ内などの比較的
小さな場所に表示器を納める必要があるときに適
している。従来のモノリシツク形の発光表示装置
としてのドツトマトリクスは、各行および各列に
配列された発光素子に接続する端子がそれぞれ基
板の直交する辺に沿つて形成される。これを、例
えばプリント基板などに実装する場合、前記直交
する辺にそれぞれワイヤボンデイングされる。そ
のため、複数の発光表示装置を並べて使用する場
合に、各装置間に前記ワイヤボンデイングするに
必要な領域を設ける必要があるため、実装面積を
充分小さくすることができないという欠点があ
る。
め、例えば、カメラのフアインダ内などの比較的
小さな場所に表示器を納める必要があるときに適
している。従来のモノリシツク形の発光表示装置
としてのドツトマトリクスは、各行および各列に
配列された発光素子に接続する端子がそれぞれ基
板の直交する辺に沿つて形成される。これを、例
えばプリント基板などに実装する場合、前記直交
する辺にそれぞれワイヤボンデイングされる。そ
のため、複数の発光表示装置を並べて使用する場
合に、各装置間に前記ワイヤボンデイングするに
必要な領域を設ける必要があるため、実装面積を
充分小さくすることができないという欠点があ
る。
(ハ) 目的
この発明は、複数の発光表示装置を一列に近接
して配置することができる発光表示装置を提供す
ることを目的としている。
して配置することができる発光表示装置を提供す
ることを目的としている。
(ニ) 構成
この発明に係る発光表示装置は、マトリクス状
に配列された各発光素子を各行及び各列ごとにそ
れぞれ絶縁分離したモノシリツク形の発光表示装
置において、各列の発光素子を連結接続する下部
電極を基板の一端片側にそれぞれ導出し、その端
部に下部電極の引出し電極であるすべての第１の
外部引出し電極を形成する一方、各行の発光素子
を連結接続する上部電極を、各行間に形成された
電極導出層にそれぞれ接続し、この電極導出層を
前記外部引出し電極が配列された端辺と対向する
端辺に導出し、その端部に上部電極の引出し電極
であるすべての第２の外部引出し電極を形成して
あり、かつ前記各行間に形成された電極導出層
は、発光素子と層構成が等しく、メサエツチング
で形成されたものであることを特徴としている。
に配列された各発光素子を各行及び各列ごとにそ
れぞれ絶縁分離したモノシリツク形の発光表示装
置において、各列の発光素子を連結接続する下部
電極を基板の一端片側にそれぞれ導出し、その端
部に下部電極の引出し電極であるすべての第１の
外部引出し電極を形成する一方、各行の発光素子
を連結接続する上部電極を、各行間に形成された
電極導出層にそれぞれ接続し、この電極導出層を
前記外部引出し電極が配列された端辺と対向する
端辺に導出し、その端部に上部電極の引出し電極
であるすべての第２の外部引出し電極を形成して
あり、かつ前記各行間に形成された電極導出層
は、発光素子と層構成が等しく、メサエツチング
で形成されたものであることを特徴としている。
(ホ) 実施例
実施例
第１図はこの発明の第１の実施例に係る発光表
示装置の構成を略示した斜視図、第２図は第１図
に示した実施例のＡ−Ａ断面である。
示装置の構成を略示した斜視図、第２図は第１図
に示した実施例のＡ−Ａ断面である。
第１図および第２図において、１はGaAsから
なる半絶縁基板、１０はＰ層２０とＮ層２１とか
ら構成される発光素子であり、それぞれマトリク
ス状に配列されている。前記Ｐ層２０、Ｎ層２１
はそれぞれＰ−GaAlAsやＮ−GaAlAsをいわゆ
るMBE（Moleculor Beam Eptaxy）装置でエピ
タキシヤル成長することにより形成される。
なる半絶縁基板、１０はＰ層２０とＮ層２１とか
ら構成される発光素子であり、それぞれマトリク
ス状に配列されている。前記Ｐ層２０、Ｎ層２１
はそれぞれＰ−GaAlAsやＮ−GaAlAsをいわゆ
るMBE（Moleculor Beam Eptaxy）装置でエピ
タキシヤル成長することにより形成される。
３０はN+層からなる下部電極３０であり、各
行ごとに配列された各発光素子１０の共通電極と
して用いられる。各下部電極３０は基板１の一の
端辺に導出され、前記端辺に沿つて形成される第
１の外部引出し電極３１で終端している。
行ごとに配列された各発光素子１０の共通電極と
して用いられる。各下部電極３０は基板１の一の
端辺に導出され、前記端辺に沿つて形成される第
１の外部引出し電極３１で終端している。
４０は窒化膜（Si3N4）からなる絶縁層であ
り、半絶縁基板１の表面全面に形成されている。
り、半絶縁基板１の表面全面に形成されている。
５０はAlあるはAu等からなる上部電極であ
り、各列ごとに配列された各発光素子１０の表面
に蒸着形成され、各列の発光素子１０のＰ層２０
をそれぞれ接続している。
り、各列ごとに配列された各発光素子１０の表面
に蒸着形成され、各列の発光素子１０のＰ層２０
をそれぞれ接続している。
６０は前記Ｐ層２０、Ｎ層２１等から構成され
る電極導出層である。この電極導出層６０は発光
素子が配列される各行間にそれぞれ設けられ、各
列の上部電極５０の一つと接続される。各電極導
出層６０は前記第１の外部引出し電極３１が形成
された端辺と対向する端辺に導出され、前記端辺
に沿つて形成される第２の外部引出し電極６１で
終端している。
る電極導出層である。この電極導出層６０は発光
素子が配列される各行間にそれぞれ設けられ、各
列の上部電極５０の一つと接続される。各電極導
出層６０は前記第１の外部引出し電極３１が形成
された端辺と対向する端辺に導出され、前記端辺
に沿つて形成される第２の外部引出し電極６１で
終端している。
次に、上述した構成を備えた発光表示装置の製
造方法を第３図をもとに説明する。
造方法を第３図をもとに説明する。
半絶縁基板１上にN+層３０、Ｎ層２１、Ｐ
層２０がMBE装置によつて連続的に成長され
る（第３図ａ参照）。
層２０がMBE装置によつて連続的に成長され
る（第３図ａ参照）。
各行の発光素子１０および電極導出層６０を
メサエツチングによつて分離する。このメサエ
ツチングは半絶縁基板１の表面に達するまで行
われる（第３図ｂ参照）。
メサエツチングによつて分離する。このメサエ
ツチングは半絶縁基板１の表面に達するまで行
われる（第３図ｂ参照）。
各列の発光素子１０をメサエツチングによつ
て分離する。このメサエツチングは下部電極３
０に達する深さまで行われる。
て分離する。このメサエツチングは下部電極３
０に達する深さまで行われる。
メサエツチングされた基板上に窒化膜４０が
形成される（同図ｃ参照）。
形成される（同図ｃ参照）。
発光素子１０、電極導出層６０、および、外
部引出し電極３１，６１のコンタクトホールが
形成される。
部引出し電極３１，６１のコンタクトホールが
形成される。
表面にAlあるいはAuが蒸着されたのち、ホ
トエツチングされ、上部電極５０および外部引
出し電極３１，６１が形成される。
トエツチングされ、上部電極５０および外部引
出し電極３１，６１が形成される。
上述のように形成される本実施例に係る発光表
示装置は、第１および第２の引出し電極が対向す
る基板の端辺に沿つて配置されるから、発光表示
装置を近接して実装することができる。
示装置は、第１および第２の引出し電極が対向す
る基板の端辺に沿つて配置されるから、発光表示
装置を近接して実装することができる。
実施例
第４図はこの発明の第２の実施例に係る発光表
示装置の構成を略示した斜視図、第５図は第１図
に示した実施例のＡ−Ａ断面である。
示装置の構成を略示した斜視図、第５図は第１図
に示した実施例のＡ−Ａ断面である。
第４図および第５図において、第１図および第
２図と同一部分は同一符合で示している。
２図と同一部分は同一符合で示している。
７０は下部電極３０および電極導出層６０を分
離するために設けられる多結晶絶縁層である。こ
の多結晶絶縁層７０は発光素子１０、下部電極３
０などを選択エピタキシヤル成長させる際に同時
に形成されるものであり、発光素子と略同等の高
さを有している。７１は選択エピタキシヤル成長
させるために設けられる窒化膜である。
離するために設けられる多結晶絶縁層である。こ
の多結晶絶縁層７０は発光素子１０、下部電極３
０などを選択エピタキシヤル成長させる際に同時
に形成されるものであり、発光素子と略同等の高
さを有している。７１は選択エピタキシヤル成長
させるために設けられる窒化膜である。
以下に、第６図をもとにして本実施例の製造方
法を説明する。
法を説明する。
基板１の表面に窒化膜７１が形成され、前記
多結晶絶縁層７０を成長させる部分だけ窒化膜
が残るようにホトエツチングされる（同図ａ参
照）。
多結晶絶縁層７０を成長させる部分だけ窒化膜
が残るようにホトエツチングされる（同図ａ参
照）。
半絶縁基板１上にN+層３０、Ｎ層２１、Ｐ
層２０がMBE装置によつて連続的に成長され
る。このとき、窒化膜７１上は単結晶である基
板１から分離されているため、この上には多結
晶絶縁層７０が形成される（同図ｂ参照）。
層２０がMBE装置によつて連続的に成長され
る。このとき、窒化膜７１上は単結晶である基
板１から分離されているため、この上には多結
晶絶縁層７０が形成される（同図ｂ参照）。
上部電極５０と下部電極３０とを接続すべき
電極導出層６０の部分および発光素子１０の列
間をメサエツチングする。このメサエツチング
は下部電極３０等を形成するN+層に達するま
で行われる。
電極導出層６０の部分および発光素子１０の列
間をメサエツチングする。このメサエツチング
は下部電極３０等を形成するN+層に達するま
で行われる。
表面にAlあるいはAuが蒸着されたのち、ホ
トエツチングされ、上部電極５０および外部引
出し電極３１，６１が形成される。
トエツチングされ、上部電極５０および外部引
出し電極３１，６１が形成される。
本実施例では、基板表面に窒化膜などを形成し
ていないので、上部電極５０は、それと接続して
はならない電極導出層６０のＰ層とその表面部分
でコンタクトがとれてしまう。しかし、当該電極
導出層６０のＰ層は各行の発光素子１０と多結晶
で分離されており、電極導出層の方向にはメサエ
ツチングで分離されている。また、下方向には通
常電流を流す方向に対し逆方向にPN接合が入る
ためこの方向にも電流は流れない。
ていないので、上部電極５０は、それと接続して
はならない電極導出層６０のＰ層とその表面部分
でコンタクトがとれてしまう。しかし、当該電極
導出層６０のＰ層は各行の発光素子１０と多結晶
で分離されており、電極導出層の方向にはメサエ
ツチングで分離されている。また、下方向には通
常電流を流す方向に対し逆方向にPN接合が入る
ためこの方向にも電流は流れない。
上述のように形成される本実施例に係る発光表
示装置は、第１の実施例と同様の効果の他に、発
光素子１０と電極導出層６０との間をこれらと略
同様の高さの多結晶絶縁層７０によつて分離して
いるので、発光素子１０と電極導出層６０との間
をメサエツチングで分離した場合のように、この
間を横切るように形成される上部電極層５０が段
差によつて断線しやすい欠点がなくなるという別
異の効果も奏する。
示装置は、第１の実施例と同様の効果の他に、発
光素子１０と電極導出層６０との間をこれらと略
同様の高さの多結晶絶縁層７０によつて分離して
いるので、発光素子１０と電極導出層６０との間
をメサエツチングで分離した場合のように、この
間を横切るように形成される上部電極層５０が段
差によつて断線しやすい欠点がなくなるという別
異の効果も奏する。
なお、この発明に係る発光表示装置は、プリン
ント基板などに実装される場合のみならず、例え
ば、駆動回路などが形成された半導体素子上に並
列固着して用いることもできる。
ント基板などに実装される場合のみならず、例え
ば、駆動回路などが形成された半導体素子上に並
列固着して用いることもできる。
(ヘ) 効果
この発明に係る発光表示装置は、下部電極およ
び電極導出層によつて、各外部引出し電極を基板
の対向する辺にそれぞれ配列形成したから、接続
配線用のワイヤは前記対向する辺から導出され
る。よつて、外部引出し電極が形成されていない
辺同士が隣接するように配置すれば、複数の発光
表示装置を近接して配列させることができる。
び電極導出層によつて、各外部引出し電極を基板
の対向する辺にそれぞれ配列形成したから、接続
配線用のワイヤは前記対向する辺から導出され
る。よつて、外部引出し電極が形成されていない
辺同士が隣接するように配置すれば、複数の発光
表示装置を近接して配列させることができる。
さらに、第１の引出し電極はすべて一方の端辺
に形成してあり、第２の引出し電極はすべて他方
の端辺に形成してあるので、駆動回路への接続は
簡単になるという効果がある。
に形成してあり、第２の引出し電極はすべて他方
の端辺に形成してあるので、駆動回路への接続は
簡単になるという効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例に係る発光表
示装置の構成を略示した斜視図、第２図は第１図
に示した実施例のＡ−Ａ断面、第３図は第１の実
施例に係る発光表示装置の製造方法の説明図、第
４図はこの発明の第２の実施例に係る発光表示装
置の構成を略示した斜視図、第５図は第４図に示
した実施例のＡ−Ａ断面、第６図は第２の実施例
に係る発光表示装置の製造方法の説明図である。 １……半絶縁基板、１０……発光素子、３０…
…下部電極、５０……上部電極、６０……電極導
出層。
示装置の構成を略示した斜視図、第２図は第１図
に示した実施例のＡ−Ａ断面、第３図は第１の実
施例に係る発光表示装置の製造方法の説明図、第
４図はこの発明の第２の実施例に係る発光表示装
置の構成を略示した斜視図、第５図は第４図に示
した実施例のＡ−Ａ断面、第６図は第２の実施例
に係る発光表示装置の製造方法の説明図である。 １……半絶縁基板、１０……発光素子、３０…
…下部電極、５０……上部電極、６０……電極導
出層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マトリクス状に配列された各発光素子を各行
及び各列ごとにそれぞれ絶縁分離したモノシリツ
ク形の発光表示装置において、 各列の発光素子を連結接続する下部電極を基板
の一端片側にそれぞれ導出し、その端部に下部電
極の引出し電極であるすべての第１の外部引出し
電極を形成する一方、 各行の発光素子を連結接続する上部電極を、各
行間に形成された電極導出層にそれぞれ接続し、
この電極導出層を前記外部引出し電極が配列され
た端辺と対向する端辺に導出し、その端部に上部
電極の引出し電極であるすべての第２の外部引出
し電極を形成してあり、 かつ前記各行間に形成された電極導出層は、発
光素子と層構成が等しく、メサエツチングで形成
されたものであることを特徴とする発光表示装
置。 ２ 前記下部電極と電極導出層とはメサエツチン
グにより絶縁分離されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の発光表示装置。 ３ 前記下部電極と電極導出層とは、発光素子を
選択エピタキシヤル成長させる際に同時に形成さ
れる多結晶絶縁層により絶縁分離されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の発光表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058866A JPS60201680A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058866A JPS60201680A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 発光表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201680A JPS60201680A (ja) | 1985-10-12 |
| JPH0554712B2 true JPH0554712B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=13096647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59058866A Granted JPS60201680A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 発光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201680A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003179263A (ja) * | 2002-11-11 | 2003-06-27 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子 |
| JP4413026B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2010-02-10 | 三洋電機株式会社 | 光ディスク装置 |
| KR100597166B1 (ko) * | 2005-05-03 | 2006-07-04 | 삼성전기주식회사 | 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법 |
| KR101799451B1 (ko) * | 2011-06-02 | 2017-11-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528975A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Process for reducing nitrogen oxides and sulfur oxides produced during combustion of fuels |
| JPS5769785A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor light emitting device |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59058866A patent/JPS60201680A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528975A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Process for reducing nitrogen oxides and sulfur oxides produced during combustion of fuels |
| JPS5769785A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60201680A (ja) | 1985-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |