JPS60201382A - 発光表示装置 - Google Patents
発光表示装置Info
- Publication number
- JPS60201382A JPS60201382A JP59058864A JP5886484A JPS60201382A JP S60201382 A JPS60201382 A JP S60201382A JP 59058864 A JP59058864 A JP 59058864A JP 5886484 A JP5886484 A JP 5886484A JP S60201382 A JPS60201382 A JP S60201382A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- electrode
- effect transistor
- field effect
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、電流制限回路を内蔵したモノリシック形の発
光表示装置に関する。
光表示装置に関する。
（ロ）従来技術
従来、モノリシック形の発光表示装置としてのドツトマ
トリクスを駆動する場合、各発光素子を過電流破壊しな
いように外部駆動回路に電流制限抵抗を外付けしている
。また、前記外部駆動回路に定電圧特性をもつ電界効果
トランジスタ等を外付番」している。
トリクスを駆動する場合、各発光素子を過電流破壊しな
いように外部駆動回路に電流制限抵抗を外付けしている
。また、前記外部駆動回路に定電圧特性をもつ電界効果
トランジスタ等を外付番」している。
そのため、モノリシック形の発光表示装置自体の小型化
を図っても、外部駆動回路に電流制限抵抗や電界効果ト
ランジスタ等を外付けしなければならないので実装面積
が比較的大きなものになり、また実装作業に手間がかか
るという欠点がある。
を図っても、外部駆動回路に電流制限抵抗や電界効果ト
ランジスタ等を外付けしなければならないので実装面積
が比較的大きなものになり、また実装作業に手間がかか
るという欠点がある。
これらの原因により、本装置が実装される機器の小型化
を図るのが回能である。
を図るのが回能である。
（ハ）目的
本発明は、発光表示装置の外部駆動回路の実装面積を小
さくし、且つ、実装作業が容易である発光表示装置を提
供することを目的としている。
さくし、且つ、実装作業が容易である発光表示装置を提
供することを目的としている。
（ニ）構成
本発明に係る発光表示装置は、マトリクス状に配列され
た各発光素子のうち、各列に配列される発光素子を接続
する上部電極と、各行に配列される各発光素子の共通電
極としての下部電極と、この下部電極を外部に引き出す
外部引出し電極とをを具備したモノリシック形の発光表
示装置であって、 前記Ｆ部電極と外部引出し電極との間に電界効果トラン
ジスタを介在し、前記外部引出し電極に電界効果トラン
ジスタのソースおよびゲートを接続したことを特徴とす
る。
た各発光素子のうち、各列に配列される発光素子を接続
する上部電極と、各行に配列される各発光素子の共通電
極としての下部電極と、この下部電極を外部に引き出す
外部引出し電極とをを具備したモノリシック形の発光表
示装置であって、 前記Ｆ部電極と外部引出し電極との間に電界効果トラン
ジスタを介在し、前記外部引出し電極に電界効果トラン
ジスタのソースおよびゲートを接続したことを特徴とす
る。
（ホ）実施例
第１図は本発明の一実施例を略示した斜視図である。第
２図は第１図のＡ−Ａ ’線断面図である。
２図は第１図のＡ−Ａ ’線断面図である。
１０は、例えばＧａＡｓからなる半絶縁基板である。
２０は、前記半絶縁基板ｌＯの表面に形成するＮ層層か
らなる帯状の下部電極であり、後述する各行ごとに配列
された各発光素子４０の共通電極である。
らなる帯状の下部電極であり、後述する各行ごとに配列
された各発光素子４０の共通電極である。
２１は、Ａｌ或いは＾Ｕ等からなる前記下部電極２０の
外部引出し電極であり、この外部引出し電極２１は下部
電極２０から電界効果トランジスタの能動層３０を介し
て導出されており、半絶縁基板１０の端辺に形成されて
いる。
外部引出し電極であり、この外部引出し電極２１は下部
電極２０から電界効果トランジスタの能動層３０を介し
て導出されており、半絶縁基板１０の端辺に形成されて
いる。
３０は、Ｎ層からなる帯状の電界効果トランジスタの能
動層であり、前記半絶縁基板１０の表面に比較的薄く形
成されている。この電界効果トランジスタの能動層３０
は、前記下部電極２０と外部引出し電極２１との間に介
在されている。
動層であり、前記半絶縁基板１０の表面に比較的薄く形
成されている。この電界効果トランジスタの能動層３０
は、前記下部電極２０と外部引出し電極２１との間に介
在されている。
４０は、ＰＪｉｉ４１、ＮＪｉｔ４２から構成される発
光素子であり、それぞれマトリクス状に配列されている
。
光素子であり、それぞれマトリクス状に配列されている
。
５０は、各列ごとに配列された各発光素子４０のコンタ
クト層４３に接続するＡｌ或いはＡｕ等からなる上部電
極である。５１は、前記上部電極５０を外部に引き出す
外部引出し電極５１であり、前記下部電極２０の外部引
出し電極２１が形成された半絶縁基板１０の端辺と直交
する端辺に形成される。
クト層４３に接続するＡｌ或いはＡｕ等からなる上部電
極である。５１は、前記上部電極５０を外部に引き出す
外部引出し電極５１であり、前記下部電極２０の外部引
出し電極２１が形成された半絶縁基板１０の端辺と直交
する端辺に形成される。
６０は、電界効果トランジスタであり、このゲートを前
記能動層３０の略中夫に蒸着形成し、ゲー１は外部引出
し電極２１に接続される。前記電界効果トランジスタ６
０のソースが外部引出し電極２１に接続されている。ド
レインになる部分は下部電極２０に接続されている。
記能動層３０の略中夫に蒸着形成し、ゲー１は外部引出
し電極２１に接続される。前記電界効果トランジスタ６
０のソースが外部引出し電極２１に接続されている。ド
レインになる部分は下部電極２０に接続されている。
７０は窒化Ｍｌ （Ｓｉａ Ｎ ４ ）からなる絶縁膜
であり、上部電極５０による２層４１とＮ層４２との短
絡を防止させ°ζいる。（第１図には説明の都合上、図
示していない） しかして、上述した実施例に係る発光表示装置の製造工
程を説明する。
であり、上部電極５０による２層４１とＮ層４２との短
絡を防止させ°ζいる。（第１図には説明の都合上、図
示していない） しかして、上述した実施例に係る発光表示装置の製造工
程を説明する。
■ 半絶縁基板ｌＯ上に抵抗１３０、下部電極２０、Ｎ
ｌＨ４２、■）層４１コンタクトＩＭ４３がいわゆるＭ
ＢＥ装置でもっ°Ｃ連続的に成長される。
ｌＨ４２、■）層４１コンタクトＩＭ４３がいわゆるＭ
ＢＥ装置でもっ°Ｃ連続的に成長される。
■ 各行ごとの各下部電極２０及び各抵抗１ｉｉ３０を
メサエッチングによって分離する。このメサエッチング
は半絶縁基板１０の表面に届くまで行われる。
メサエッチングによって分離する。このメサエッチング
は半絶縁基板１０の表面に届くまで行われる。
■ 各列ごとの各発光素子４０をメサエッチングによっ
てそれぞれ分離する。このメサエッチングは下部電極２
０の表面に届くまで行われる。
てそれぞれ分離する。このメサエッチングは下部電極２
０の表面に届くまで行われる。
■ 外部引出し電極２１が形成された半絶縁基板ｌＯの
端辺よりの各発光素子４０と該外部引出し電極２１とを
メサエッチングによって分離する。このメサエッチング
は能動層３０に届くまで行われる。
端辺よりの各発光素子４０と該外部引出し電極２１とを
メサエッチングによって分離する。このメサエッチング
は能動層３０に届くまで行われる。
■ メサエッチングされた基板１０の表面に絶縁膜７０
を気相成長させた後、パターニングすることによって、
各発光素子４０、能動１ｉ３０、外部引出し電極２１及
び５１のコンタクトホールが形成される。
を気相成長させた後、パターニングすることによって、
各発光素子４０、能動１ｉ３０、外部引出し電極２１及
び５１のコンタクトホールが形成される。
ＯＡｌ或いはＡｕ等のオーミックコンタクト用金属を基
板表面に蒸着した後、ホトエツチングされ、上部電極５
０、外部引出し電極２１．５１がそれぞれ形成される。
板表面に蒸着した後、ホトエツチングされ、上部電極５
０、外部引出し電極２１．５１がそれぞれ形成される。
電極形成後、光を出す部分のコンタク１１ｉ１４３をエ
ツチングで除去する。電界効果トランジスタ６０のゲー
トは、シ日ットキ用金属を蒸着した後ホトエツチングし
て矢印Ａ部分に形成される。
ツチングで除去する。電界効果トランジスタ６０のゲー
トは、シ日ットキ用金属を蒸着した後ホトエツチングし
て矢印Ａ部分に形成される。
前記能動層３０はＭＢＥ装置でもって、他の各層と連続
してエピタキシャル成長されるので、その製造が容易に
なるという効果を奏する。
してエピタキシャル成長されるので、その製造が容易に
なるという効果を奏する。
尚、上述の実施例で、２層４１とＮＦｉ１４２とで構成
した発光素子４０を例にとって説明しているが本発明は
これに限定されないことは勿論である。
した発光素子４０を例にとって説明しているが本発明は
これに限定されないことは勿論である。
（へ）効果
本発明に係る発光表示装置は、各下部電極と外部引出し
電極との間に電界効果トランジスタを介在させ、電界効
果トランジスタ等を発光素子と同一チップ内に形成して
いるので、電流制限抵抗や電界効果トランジスタ等を外
部駆動回路に外付けする必要がない。
電極との間に電界効果トランジスタを介在させ、電界効
果トランジスタ等を発光素子と同一チップ内に形成して
いるので、電流制限抵抗や電界効果トランジスタ等を外
部駆動回路に外付けする必要がない。
従って、本発明によれば実装面積を小さくし、実装作業
を容易に行える。
を容易に行える。
また、電界効果トランジスタの定電流特性により電源電
圧が変化したり、各発光素子の順方向電圧がばらついて
も一定電流が流れるため明るさが一定となる。
圧が変化したり、各発光素子の順方向電圧がばらついて
も一定電流が流れるため明るさが一定となる。
第１図は本発明の一実施例を略示した斜視図、第２図は
第１図のＡ−Ａ ’線断面図である。 ２０・・・下部電極、２１．５１・・・外部引出し電極
、３０・・・能動層、４０・・・発光素子、５０・・上
部電極、６０・・・電界効果トランジスタ。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治
第１図のＡ−Ａ ’線断面図である。 ２０・・・下部電極、２１．５１・・・外部引出し電極
、３０・・・能動層、４０・・・発光素子、５０・・上
部電極、６０・・・電界効果トランジスタ。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治
Claims (2)
- （１）マトリクス状に配列された各発光素子のうち、各
列に配列される発光素子を接続する上部電極と、各行に
配列される各発光素子の共通電極としての下部電極と、
この下部電極を外部に引き出す外部引出し電極とを具備
したモノリシック形の発光表示装置において、 前記下部電極と外部引出し電極との間に電界”効果トラ
ンジスタを介在し、前記外部引出し電極に電界効果トラ
ンジスタのソースおよびゲートを接続したことを特徴と
する発光表示装置。 - （２）前記電界効果トランジスタの能動層は、エピタキ
シャル成長されるものであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の発光表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058864A JPS60201382A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058864A JPS60201382A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 発光表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201382A true JPS60201382A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13096585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59058864A Pending JPS60201382A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 発光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201382A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677637U (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-01 | 政勝 佐藤 | 枕 |
| WO2001057936A1 (fr) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Matrice d'elements electroluminescents |
| EP2365542A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| WO2021235473A1 (ja) * | 2020-05-21 | 2021-11-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子アレイ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154286A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59058864A patent/JPS60201382A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154286A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677637U (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-01 | 政勝 佐藤 | 枕 |
| WO2001057936A1 (fr) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Matrice d'elements electroluminescents |
| US6590347B2 (en) | 2000-01-31 | 2003-07-08 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Light-emitting element matrix array |
| EP2365542A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| US8766310B2 (en) | 2010-03-09 | 2014-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| US9136437B2 (en) | 2010-03-09 | 2015-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
| WO2021235473A1 (ja) * | 2020-05-21 | 2021-11-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光素子アレイ |
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