JPS63278285A - 光プリンタ用発光ダイオ−ドアレイとその製造方法 - Google Patents
光プリンタ用発光ダイオ−ドアレイとその製造方法Info
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- JPS63278285A JPS63278285A JP62007864A JP786487A JPS63278285A JP S63278285 A JPS63278285 A JP S63278285A JP 62007864 A JP62007864 A JP 62007864A JP 786487 A JP786487 A JP 786487A JP S63278285 A JPS63278285 A JP S63278285A
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Landscapes
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光プリンタ用発光ダイオードアレイ及びそ
の製造方法に係り、特に、１つの基板上に多数の発光ダ
イオード素子を形成する場合、２段階のエツチング処理
を行うことによって、上記発光ダイオード素子を、確実
に、かつ容易に分離形成可能とし、これにより、ダイナ
ミックスキャンができるようにした光プリンタ用発光ダ
イオードアレイ及びその製造方法に関するものである。
の製造方法に係り、特に、１つの基板上に多数の発光ダ
イオード素子を形成する場合、２段階のエツチング処理
を行うことによって、上記発光ダイオード素子を、確実
に、かつ容易に分離形成可能とし、これにより、ダイナ
ミックスキャンができるようにした光プリンタ用発光ダ
イオードアレイ及びその製造方法に関するものである。
従来、例えば、メモリに画像データをディジタル信号と
して記憶しておき、この画像データを適宜読み出して発
光ダイオードに供給し、この発光ダイオードから上記画
像データに対応した光信号出力を取り出して光プリンタ
の感光ドラム上へ印加することにより、潜像を形成する
等の光プリンタ用記録ヘッドとして発光ダイオードアレ
イが用いられていた。
して記憶しておき、この画像データを適宜読み出して発
光ダイオードに供給し、この発光ダイオードから上記画
像データに対応した光信号出力を取り出して光プリンタ
の感光ドラム上へ印加することにより、潜像を形成する
等の光プリンタ用記録ヘッドとして発光ダイオードアレ
イが用いられていた。
第８図は、上記のような従来の発光ダイオードアレイの
１例を示したものである。図において、１００は５Ｉ−
Ｎ−ＧａＡｓから成る基板であり、１０１はＮ−ＧａＡ
ｓ−ＧａＡｓＰ、１０２はＮ−ＧａＡｓＰ、１０３はＰ
−ＧａＡｓＰ、１０４はＡｕ−Ｚｎから成る電極、１０
５はＮｉ−Ａｕ−Ｇｅから成る電極である。この発光ダ
イオードアレイは、Ｎ−ＧａＡｓＰ１０２上に、Ｚｎを
拡散してＰ−ＧａＡｓＰ１０３を形成し、基板１００の
裏面から電極を取り出すものである。
１例を示したものである。図において、１００は５Ｉ−
Ｎ−ＧａＡｓから成る基板であり、１０１はＮ−ＧａＡ
ｓ−ＧａＡｓＰ、１０２はＮ−ＧａＡｓＰ、１０３はＰ
−ＧａＡｓＰ、１０４はＡｕ−Ｚｎから成る電極、１０
５はＮｉ−Ａｕ−Ｇｅから成る電極である。この発光ダ
イオードアレイは、Ｎ−ＧａＡｓＰ１０２上に、Ｚｎを
拡散してＰ−ＧａＡｓＰ１０３を形成し、基板１００の
裏面から電極を取り出すものである。
第９図は、第８図に示した発光ダイオードアレイの等価
回路を示したものである。この等価回路から明らかなよ
うに、第８図に示したような従来の発光ダイオードアレ
イにおいては、発光ダイオード素子ＬＥＤのアノードは
分離されているが、カソードは共通接続、すなわち、カ
ソードコモンの回路となっている。
回路を示したものである。この等価回路から明らかなよ
うに、第８図に示したような従来の発光ダイオードアレ
イにおいては、発光ダイオード素子ＬＥＤのアノードは
分離されているが、カソードは共通接続、すなわち、カ
ソードコモンの回路となっている。
したがって、アノード側端子Ａは、それぞれ独立した端
子であるが、カソード側端子には、すべてに共通な１個
の端子となっている。
子であるが、カソード側端子には、すべてに共通な１個
の端子となっている。
また、従来、例えば、特開昭５９−１５５０６９号公報
Ｇこ記載されているように、回路上の要請から、発光ダ
イオードアレイをダイナミックスキャンすることが必要
となっている。
Ｇこ記載されているように、回路上の要請から、発光ダ
イオードアレイをダイナミックスキャンすることが必要
となっている。
上記のように、第８図に示したような従来の発光ダイオ
ードアレイは、一枚の基板上にダイオード素子を複数の
グループに分割できず、その構造上の理由からカソード
コモンの回路として使用しなければならない。また、こ
の場合、配線上も種々の問題があった。これらの問題点
を解決するためには、１つの基板上に配列された多数の
発光ダイオード素子をダイナミックスキャンして分散発
光させれば良いが、上記のような従来のものでは、カソ
ード同志の分離が困難であるため、ダイナミックスキャ
ンができないなど、回路設計の自由度も低い欠点があっ
た。
ードアレイは、一枚の基板上にダイオード素子を複数の
グループに分割できず、その構造上の理由からカソード
コモンの回路として使用しなければならない。また、こ
の場合、配線上も種々の問題があった。これらの問題点
を解決するためには、１つの基板上に配列された多数の
発光ダイオード素子をダイナミックスキャンして分散発
光させれば良いが、上記のような従来のものでは、カソ
ード同志の分離が困難であるため、ダイナミックスキャ
ンができないなど、回路設計の自由度も低い欠点があっ
た。
この発明は、上記のような従来の欠点を解決するために
なされたものであり、光プリンタ用発光ダイオードアレ
イを構成する発光ダイオード素子のカソード及びアノー
ドを共に分離できるようにしてダイナミックスキャンを
可能にすると共に、上記発光ダイオード素子の分離を確
実かつ容易にできるようにすることを目的としたもので
ある。
なされたものであり、光プリンタ用発光ダイオードアレ
イを構成する発光ダイオード素子のカソード及びアノー
ドを共に分離できるようにしてダイナミックスキャンを
可能にすると共に、上記発光ダイオード素子の分離を確
実かつ容易にできるようにすることを目的としたもので
ある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記の目的を
達成するため、この発明は、１つの基板上にＰＮ接合部
を構成する半導体層を形成し、これに２段階のエツチン
グ処理を行って発光ダイオード素子を分離形成すること
により、発光ダイオードアレイをダイナミックスキャン
ができるようにしたものである。
達成するため、この発明は、１つの基板上にＰＮ接合部
を構成する半導体層を形成し、これに２段階のエツチン
グ処理を行って発光ダイオード素子を分離形成すること
により、発光ダイオードアレイをダイナミックスキャン
ができるようにしたものである。
また、この発明は、発光ダイオードアレイを製造する場
合、拡散処理等のめんどうな作業をすることなく、液相
エピタキシャル成長法等を用いて基板上へ半導体層を成
長させてＰＮ接合部を形成した後、２段階のエツチング
処理をするだけの簡単な工程で確実、かつ容易に発光ダ
イオード素子の分離ができるようにしたものである。
合、拡散処理等のめんどうな作業をすることなく、液相
エピタキシャル成長法等を用いて基板上へ半導体層を成
長させてＰＮ接合部を形成した後、２段階のエツチング
処理をするだけの簡単な工程で確実、かつ容易に発光ダ
イオード素子の分離ができるようにしたものである。
第１図は、この発明に係る発光ダイオードアレイの一部
概略構成図を示したものであり、（Ａ）、ＣＢ ）、（
Ｃ）、（Ｄ）図に示した４種類の構成がある。第１図（
Ａ）に示したものは、基板として、例えば、Ｓ Ｉ −
Ｇ ａ Ａ ｓのような半絶縁性基板１を用い、その上
に、Ｐ型半導体層２としてＰ−Ｇ ａ Ａ １． Ａ
Ｓを液相エピタキシャル成長法によって成長させ、さら
に、Ｎ型半導体層３としてＮ−ＧａＡｊ！Ａｓを上記Ｐ
型半導体層２と同じ方法によって成長させる。その後、
エツチング処理を行って図示のような構造としたもので
ある。
概略構成図を示したものであり、（Ａ）、ＣＢ ）、（
Ｃ）、（Ｄ）図に示した４種類の構成がある。第１図（
Ａ）に示したものは、基板として、例えば、Ｓ Ｉ −
Ｇ ａ Ａ ｓのような半絶縁性基板１を用い、その上
に、Ｐ型半導体層２としてＰ−Ｇ ａ Ａ １． Ａ
Ｓを液相エピタキシャル成長法によって成長させ、さら
に、Ｎ型半導体層３としてＮ−ＧａＡｊ！Ａｓを上記Ｐ
型半導体層２と同じ方法によって成長させる。その後、
エツチング処理を行って図示のような構造としたもので
ある。
第１図（Ｂ）は、半絶縁性基板４、Ｎ型半導体層５、Ｐ
型半導体層６から成り、第１図（Ｃ）は、Ｎ型半導体基
板７、Ｐ型半導体層８、Ｎ型半導体層９から成る。また
、第１図（Ｄ）は、Ｐ型半導体基板１０、Ｎ型半導体層
１１、Ｐ型半導体層１２から成るものであり、これらは
すべて第１図（Ａ）の場合と同じ方法で製造できるもの
である。
型半導体層６から成り、第１図（Ｃ）は、Ｎ型半導体基
板７、Ｐ型半導体層８、Ｎ型半導体層９から成る。また
、第１図（Ｄ）は、Ｐ型半導体基板１０、Ｎ型半導体層
１１、Ｐ型半導体層１２から成るものであり、これらは
すべて第１図（Ａ）の場合と同じ方法で製造できるもの
である。
また、この発明は、上記の例に限らず、発光可能な材料
であれば、構成材料がどのようなものであっても適用可
能である。
であれば、構成材料がどのようなものであっても適用可
能である。
第２図は、第１図に示したような発光ダイオードアレイ
の製造工程を概略的に示した図である。
の製造工程を概略的に示した図である。
第２図（Ａ）において、１３は基板であり、例えば、５
Ｉ−ＧａＡｓを用いる。この基板１３上に液相エピタキ
シャル成長法等によりＰ−ＧａＡｐＡｓ層１４及びＮ−
ＧａＡｊｌＡｓ層１５を順次層成５る。次に、基板１３
までエツチング処理を行ない第２図（Ｂ）のようなＧａ
ＡｌＡｓから成るＰＮ接合の島を形成する。その後、第
２図（Ｃ）に示したように、最上層であるＮ −Ｇ ａ
Ａ Ａ Ａ ５ｉ１５の一部のみをエツチング処理し
、最後に、第２図（Ｄ）に示したように、Ｎ−ＧａＡＡ
Ａｓ層１５にはＮ ｉ −Ａ ｕ −Ｇ ｅから成る電
極１６を、また、Ｐ−ＧａＡ＃Ａｓ層１４にはＡｕ−Ｚ
ｎから成る電極１７をそれぞれ蒸着等によって形成する
ものである。
Ｉ−ＧａＡｓを用いる。この基板１３上に液相エピタキ
シャル成長法等によりＰ−ＧａＡｐＡｓ層１４及びＮ−
ＧａＡｊｌＡｓ層１５を順次層成５る。次に、基板１３
までエツチング処理を行ない第２図（Ｂ）のようなＧａ
ＡｌＡｓから成るＰＮ接合の島を形成する。その後、第
２図（Ｃ）に示したように、最上層であるＮ −Ｇ ａ
Ａ Ａ Ａ ５ｉ１５の一部のみをエツチング処理し
、最後に、第２図（Ｄ）に示したように、Ｎ−ＧａＡＡ
Ａｓ層１５にはＮ ｉ −Ａ ｕ −Ｇ ｅから成る電
極１６を、また、Ｐ−ＧａＡ＃Ａｓ層１４にはＡｕ−Ｚ
ｎから成る電極１７をそれぞれ蒸着等によって形成する
ものである。
これにより発光ダイオード部分を各素子毎に分離するこ
とができる。
とができる。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
３図乃至第５図は、この発明の１実施例を示した図であ
り、第３図は平面図、第４図、及び第５図は、それぞれ
第３図のＸ方向、Ｙ方向よりみた概略説明図である。
３図乃至第５図は、この発明の１実施例を示した図であ
り、第３図は平面図、第４図、及び第５図は、それぞれ
第３図のＸ方向、Ｙ方向よりみた概略説明図である。
図において、２０は発光部、２１はカソード電極、２２
はアノード電極、２３はコンタクトホール、２４は発光
部電極、２５はＳ ｌ−ＧａＡｓから成る基板、２６は
Ｐ −Ｇ ａ ０．６５Ａ Ｉ！ ０．３５Ａ ｓ層、
２７は、Ｎ−Ｇａ０．３ Ａ ｊ２０．７ Ａ ｓ層、
２８．２９は５ｉ０２から成る絶縁層である。
はアノード電極、２３はコンタクトホール、２４は発光
部電極、２５はＳ ｌ−ＧａＡｓから成る基板、２６は
Ｐ −Ｇ ａ ０．６５Ａ Ｉ！ ０．３５Ａ ｓ層、
２７は、Ｎ−Ｇａ０．３ Ａ ｊ２０．７ Ａ ｓ層、
２８．２９は５ｉ０２から成る絶縁層である。
この実施例は、第２図において説明した製造工程を用い
て製造するものである。すなわち、基板２５上に液相エ
ピタキシャル成長法によってＧａＡｊ！ＡｓのへテロＰ
Ｎ接合を形成した後、２段階のエツチング処理を行って
発光ダイオード素子を島状に分離を行ないまた非発光部
を形成し、最後に電極を蒸着等によって形成したもので
ある。
て製造するものである。すなわち、基板２５上に液相エ
ピタキシャル成長法によってＧａＡｊ！ＡｓのへテロＰ
Ｎ接合を形成した後、２段階のエツチング処理を行って
発光ダイオード素子を島状に分離を行ないまた非発光部
を形成し、最後に電極を蒸着等によって形成したもので
ある。
なお、上記の場合、ＰＮ接合を形成するのに液相エピタ
キシャル成長法を用いたが、このような方法だけでなく
、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）や有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ）を用いることも可能である。また、基板
として、Ｓ■−ＧａＡＳのような半絶縁性基板でなく、
Ｎ−ＧａＡｓ基板を用いることもできることは第１図に
示したとおりであるが、この場合には、基板であるＮ−
ＧａＡｓに適当なバイアスをかけることにより素子間の
分離が行えるものである。さらに、エツチング処理は、
メタノールＢｒ系のウェットエツチングでもよく、他の
ウェットエツチング、あるいはドライエツチングでもよ
い。
キシャル成長法を用いたが、このような方法だけでなく
、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）や有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ）を用いることも可能である。また、基板
として、Ｓ■−ＧａＡＳのような半絶縁性基板でなく、
Ｎ−ＧａＡｓ基板を用いることもできることは第１図に
示したとおりであるが、この場合には、基板であるＮ−
ＧａＡｓに適当なバイアスをかけることにより素子間の
分離が行えるものである。さらに、エツチング処理は、
メタノールＢｒ系のウェットエツチングでもよく、他の
ウェットエツチング、あるいはドライエツチングでもよ
い。
最終工程である電極形成については、Ｐ型の電極として
Ａｕ−Ｚｎ、Ｎ型の電極としてＮｉ−Ａｕ−Ｇｅを用い
てオーミックコンタクトをとるようにし、それぞれの電
極は、蒸着によって行い、その後エツチングを行った。
Ａｕ−Ｚｎ、Ｎ型の電極としてＮｉ−Ａｕ−Ｇｅを用い
てオーミックコンタクトをとるようにし、それぞれの電
極は、蒸着によって行い、その後エツチングを行った。
第６図は、第３図乃至第５図に示した実施例の等価回路
を示したものであり、ＬＥＤは発光ダイオード素子、Ｃ
Ｏはコモン端子、ＳＬはセレクトラインである。この発
光ダイオードアレイを使用するには、セレクトラインＳ
Ｌにタイミング信号を印加し、コモン端子ＣＯには、例
えばメモリに記憶されている画像データを読み出して適
宜印加すれば、発光ダイオードアレイをグイナミソクス
キャンでき、前記画像データに対応した発光出力が得ら
れるものである。
を示したものであり、ＬＥＤは発光ダイオード素子、Ｃ
Ｏはコモン端子、ＳＬはセレクトラインである。この発
光ダイオードアレイを使用するには、セレクトラインＳ
Ｌにタイミング信号を印加し、コモン端子ＣＯには、例
えばメモリに記憶されている画像データを読み出して適
宜印加すれば、発光ダイオードアレイをグイナミソクス
キャンでき、前記画像データに対応した発光出力が得ら
れるものである。
第７図はこの発明の他の実施例を示したものであり、発
光ダイオードアレイを構成する１個の発光ダイオード素
子を概略的に図示したものである。
光ダイオードアレイを構成する１個の発光ダイオード素
子を概略的に図示したものである。
図において、３０はＳ Ｉ −Ｇ ａ Ａ ｓから成る
基板であり、この基板３０上には、導電性の高いＰ＋−
Ｑａ Ａ ５層３１、Ｐ −Ｇ ａ Ｏ，６５Ａ １２
０．３５Ａ ｓ層３２、およびＮ−Ｇａ０．３ ＡｊＮ
）、７ Ａｓｊｉ３３をそれぞれ液相エビクキシャル成
長法によって形成した後、上記の同じ２段階のエツチン
グ処理によって、中間層であるＰ −Ｇ ａ Ｏ，６５
Ａ Ａ ０．３５Ａ ｓ層３２を露出させると共に、発
光ダイオード素子の分離を行い、最後にＮｉ −Ａｕ−
Ｇｅ電極３４及びＡｕ−Ｚｎ電極３５を蒸着等によって
形成したものである。
基板であり、この基板３０上には、導電性の高いＰ＋−
Ｑａ Ａ ５層３１、Ｐ −Ｇ ａ Ｏ，６５Ａ １２
０．３５Ａ ｓ層３２、およびＮ−Ｇａ０．３ ＡｊＮ
）、７ Ａｓｊｉ３３をそれぞれ液相エビクキシャル成
長法によって形成した後、上記の同じ２段階のエツチン
グ処理によって、中間層であるＰ −Ｇ ａ Ｏ，６５
Ａ Ａ ０．３５Ａ ｓ層３２を露出させると共に、発
光ダイオード素子の分離を行い、最後にＮｉ −Ａｕ−
Ｇｅ電極３４及びＡｕ−Ｚｎ電極３５を蒸着等によって
形成したものである。
以上説明したように、この発明の発光ダイオードアレイ
は、１つの基板上に、多数の発光ダイオード素子が互い
に分離して形成されているため、これを光プリンタの記
録ヘッド等に用いた場合、グイナミソクスキャンが可能
となり、回路設計の自由度を高める効果がある。
は、１つの基板上に、多数の発光ダイオード素子が互い
に分離して形成されているため、これを光プリンタの記
録ヘッド等に用いた場合、グイナミソクスキャンが可能
となり、回路設計の自由度を高める効果がある。
また、この発明によれば、発光ダイオードアレイを製造
する場合に、拡散処理等の手間のかかる工程を用いず、
単に、基板上へ半導体層を成長させてＰＮ接合を形成し
た後、２段階のエツチング処理をするだけの簡単な工程
により確実、かつ容易に発光ダイオード素子間の分離が
できる効果がある。
する場合に、拡散処理等の手間のかかる工程を用いず、
単に、基板上へ半導体層を成長させてＰＮ接合を形成し
た後、２段階のエツチング処理をするだけの簡単な工程
により確実、かつ容易に発光ダイオード素子間の分離が
できる効果がある。
さらに、第７図の実施例で示したように、Ｐ＋−ｃａＡ
ｓｌＷを設ければ、カソード例の引き出し抵抗を小さく
できるから、配線領域が長くなる場合、その抵抗値を低
減できて有効である。
ｓｌＷを設ければ、カソード例の引き出し抵抗を小さく
できるから、配線領域が長くなる場合、その抵抗値を低
減できて有効である。
第１図はこの発明に係る発光ダイオードアレイの概略構
成図、第２図は製造方法の概略説明図、第３図はこの発
明の１実施例を示す図、第４図及び第５図はそれぞれ第
３図のＸ方向、Ｙ方向よりみた概略説明図、第６図は第
３図の等価回路、第７図は他の実施例を示す図、第８図
は従来例を示す図、第９図は第８図の等価回路である。 ｌ−半絶縁性基板 ２−Ｐ型半導体層３−Ｎ型半導体
層 ４−半絶縁性基板５−Ｎ型半導体層 ６−Ｐ型
半導体層７−Ｎ型半導体基板 ８−Ｐ型半導体層９−Ｎ
型半導体層 １Ｏ−−−−Ｐ型半導体基板１１−Ｎ型
半導体ｉｉ １２．−、ｐ型半導体層１３一基板
１ｔ−Ｐ −Ｇ ａ Ａ １２ Ａ ｓ層１
５−− Ｎ−Ｇ ａ Ａ １２Ａ ｓ層１６−Ｎ ｉ
−Ａ ｕ−Ｇ ｅ電極 １７’−Ａ ｕ −Ｚ ｎ電極 ２〇−発光部２１・−
カソード電極 ２２−アノード電極２３− コンタク
トホール ２４−発光部電極 ２５一基板 ２６−Ｐ −Ｇ ａ ０．６５Ａ ＩＩ ０．３５Ａ
ｓ層２７−−−Ｎ−Ｇ ａ Ｏ，３Ａ １２０．７ Ａ
ｓ層２８−・−絶縁１ｉ（ＳｉＯｚ） ２９−絶縁層（ＳｉＯｚ） ＬＥＩ）−一・発光ダイオード ＳＬ−セレクトライン ｃｏ−コモン端子 ３〇一基板 ３１−Ｐ ” −Ｇ ａ Ａ ｓ層 ３２−−− Ｐ −Ｇ ａ ０．６５Ａ Ａ ０．３５
Ａ ｓ Ｎ３３−−Ｎ−Ｇ ａ Ｏ，３Ａ ＩＩ Ｏ，
７Ａ ｓ層３４−Ｎ ＞ −Ａ ｕ−Ｇ ｅ電極 ３５−Ａ ｕ −Ｚ ｎ電極
成図、第２図は製造方法の概略説明図、第３図はこの発
明の１実施例を示す図、第４図及び第５図はそれぞれ第
３図のＸ方向、Ｙ方向よりみた概略説明図、第６図は第
３図の等価回路、第７図は他の実施例を示す図、第８図
は従来例を示す図、第９図は第８図の等価回路である。 ｌ−半絶縁性基板 ２−Ｐ型半導体層３−Ｎ型半導体
層 ４−半絶縁性基板５−Ｎ型半導体層 ６−Ｐ型
半導体層７−Ｎ型半導体基板 ８−Ｐ型半導体層９−Ｎ
型半導体層 １Ｏ−−−−Ｐ型半導体基板１１−Ｎ型
半導体ｉｉ １２．−、ｐ型半導体層１３一基板
１ｔ−Ｐ −Ｇ ａ Ａ １２ Ａ ｓ層１
５−− Ｎ−Ｇ ａ Ａ １２Ａ ｓ層１６−Ｎ ｉ
−Ａ ｕ−Ｇ ｅ電極 １７’−Ａ ｕ −Ｚ ｎ電極 ２〇−発光部２１・−
カソード電極 ２２−アノード電極２３− コンタク
トホール ２４−発光部電極 ２５一基板 ２６−Ｐ −Ｇ ａ ０．６５Ａ ＩＩ ０．３５Ａ
ｓ層２７−−−Ｎ−Ｇ ａ Ｏ，３Ａ １２０．７ Ａ
ｓ層２８−・−絶縁１ｉ（ＳｉＯｚ） ２９−絶縁層（ＳｉＯｚ） ＬＥＩ）−一・発光ダイオード ＳＬ−セレクトライン ｃｏ−コモン端子 ３〇一基板 ３１−Ｐ ” −Ｇ ａ Ａ ｓ層 ３２−−− Ｐ −Ｇ ａ ０．６５Ａ Ａ ０．３５
Ａ ｓ Ｎ３３−−Ｎ−Ｇ ａ Ｏ，３Ａ ＩＩ Ｏ，
７Ａ ｓ層３４−Ｎ ＞ −Ａ ｕ−Ｇ ｅ電極 ３５−Ａ ｕ −Ｚ ｎ電極
Claims (4)
- （１）１つの基板上にＰＮ接合部を構成する半導体層を
形成し、上記ＰＮ接合部及び基板の所定部分をエッチン
グ処理することにより多数の発光ダイオード素子を分離
して形成したことを特徴とする光プリンタ用発光ダイオ
ードアレイ。 - （２）上記基板として、半絶縁性基板を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光プリンタ用発光
ダイオードアレイ。 - （３）最上層の一部を除去した発光ダイオード素子の島
の非発光部分に電気的コンタクトを形成したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光プリンタ用発光ダ
イオードアレイ。 - （４）１つの基板上に、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層を
成長させてＰＮ接合層を形成する工程と、基板までエッ
チングすることによりＰＮ接合の島を形成して複数の発
光ダイオード素子に分離する工程と、最上層の一部のみ
をエッチングする工程と、上記ＰＮ接合のそれぞれに対
する電極を形成する工程からなることを特徴とする光プ
リンタ用発光ダイオードアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007864A JPS63278285A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 光プリンタ用発光ダイオ−ドアレイとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007864A JPS63278285A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 光プリンタ用発光ダイオ−ドアレイとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278285A true JPS63278285A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=11677514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62007864A Pending JPS63278285A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 光プリンタ用発光ダイオ−ドアレイとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63278285A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0494648U (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-17 | ||
| JP2009158125A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Oki Data Corp | Ｌｅｄバックライト装置及び液晶表示装置 |
| US8013952B2 (en) | 2007-12-25 | 2011-09-06 | Oki Data Corporation | LED backlight device and LCD device |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP62007864A patent/JPS63278285A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0494648U (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-17 | ||
| JP2009158125A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Oki Data Corp | Ｌｅｄバックライト装置及び液晶表示装置 |
| JP4549383B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2010-09-22 | 株式会社沖データ | Ｌｅｄバックライト装置及び液晶表示装置 |
| US8013952B2 (en) | 2007-12-25 | 2011-09-06 | Oki Data Corporation | LED backlight device and LCD device |
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