JP3219463B2 - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
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- JP3219463B2 JP3219463B2 JP15452992A JP15452992A JP3219463B2 JP 3219463 B2 JP3219463 B2 JP 3219463B2 JP 15452992 A JP15452992 A JP 15452992A JP 15452992 A JP15452992 A JP 15452992A JP 3219463 B2 JP3219463 B2 JP 3219463B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の発光領域を直線
状に並設して構成される発光ダイオードアレイに関す
る。
状に並設して構成される発光ダイオードアレイに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報処理量の増大に伴って、高
速，高解像，低騒音の電子写真式プリンタが要求され、
その開発が進められている。このような電子写真式プリ
ンタの光源としては、複数の発光領域を直線状に並設し
て構成される発光ダイオードアレイが一般的に利用され
ている。
速，高解像，低騒音の電子写真式プリンタが要求され、
その開発が進められている。このような電子写真式プリ
ンタの光源としては、複数の発光領域を直線状に並設し
て構成される発光ダイオードアレイが一般的に利用され
ている。
【０００３】図１及び図２は、例えば、日立電線，No.5
(1985-12),pp.29-32に開示されている従来の発光ダイオ
ードアレイの平面図及び発光領域の断面図である。図に
おいて、１はｐ型GaAs基板であり、ｐ型GaAs基板１の一
主面上にはｐ型GaAlAs層２が形成されている。また、ｐ
型GaAlAs層２上には、複数のｎ型GaAlAs層３が直線上に
並設されており、各ｎ型GaAlAs層３とｐ型GaAlAs層２と
のｐ−ｎ接合により複数の発光領域８が形成されてい
る。各ｎ型GaAlAs層３の中央部上には、ｐ型GaAs層４が
部分的に形成されている。
(1985-12),pp.29-32に開示されている従来の発光ダイオ
ードアレイの平面図及び発光領域の断面図である。図に
おいて、１はｐ型GaAs基板であり、ｐ型GaAs基板１の一
主面上にはｐ型GaAlAs層２が形成されている。また、ｐ
型GaAlAs層２上には、複数のｎ型GaAlAs層３が直線上に
並設されており、各ｎ型GaAlAs層３とｐ型GaAlAs層２と
のｐ−ｎ接合により複数の発光領域８が形成されてい
る。各ｎ型GaAlAs層３の中央部上には、ｐ型GaAs層４が
部分的に形成されている。
【０００４】ｎ型GaAlAs層３が設けられていないｐ型Ga
AlAs層２上、及びｐ型GaAs層４が形成されていないｎ型
GaAlAs層３上には、絶縁膜５が形成されている。ｐ型Ga
As層４上には個別電極６が形成され、この個別電極６
は、ｎ型GaAlAs層３及びｐ型GaAlAs層２上の絶縁膜５上
を、隣合う発光領域８毎に相反する方向に引き出されて
いる。また、ｐ型GaAs基板１の他主面上には共通電極７
が形成されている。なお、ｎ型GaAlAs層３内の光吸収を
減少させるために、ｎ型GaAlAs層３のAl組成比をｐ型Ga
AlAs層２のAl組成比より大きくしている。
AlAs層２上、及びｐ型GaAs層４が形成されていないｎ型
GaAlAs層３上には、絶縁膜５が形成されている。ｐ型Ga
As層４上には個別電極６が形成され、この個別電極６
は、ｎ型GaAlAs層３及びｐ型GaAlAs層２上の絶縁膜５上
を、隣合う発光領域８毎に相反する方向に引き出されて
いる。また、ｐ型GaAs基板１の他主面上には共通電極７
が形成されている。なお、ｎ型GaAlAs層３内の光吸収を
減少させるために、ｎ型GaAlAs層３のAl組成比をｐ型Ga
AlAs層２のAl組成比より大きくしている。
【０００５】このような構成の発光ダイオードアレイに
あって、個別電極６，共通電極７間に電圧を印加する
と、ｐ型GaAlAs層２と各ｎ型GaAlAs層３とのｐ−ｎ接合
面にて光出力が得られ、得られた光出力は各ｎ型GaAlAs
層３を通って外部に取り出される。
あって、個別電極６，共通電極７間に電圧を印加する
と、ｐ型GaAlAs層２と各ｎ型GaAlAs層３とのｐ−ｎ接合
面にて光出力が得られ、得られた光出力は各ｎ型GaAlAs
層３を通って外部に取り出される。
【０００６】また、このような構成の発光ダイオードア
レイを作製する場合には、まず、平坦なｐ型GaAs基板１
上に平坦な各層の結晶成長を行なう。次に、ｐ型GaAs層
４及びｎ型GaAlAs層３を所定パターンにエッチングした
後、絶縁膜５の形成及びｐ型GaAs層４上の絶縁膜５の除
去を行う。最後にｐ型GaAs基板１の両側に個別電極６，
共通電極７をそれぞれ形成する。
レイを作製する場合には、まず、平坦なｐ型GaAs基板１
上に平坦な各層の結晶成長を行なう。次に、ｐ型GaAs層
４及びｎ型GaAlAs層３を所定パターンにエッチングした
後、絶縁膜５の形成及びｐ型GaAs層４上の絶縁膜５の除
去を行う。最後にｐ型GaAs基板１の両側に個別電極６，
共通電極７をそれぞれ形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の発
光ダイオードアレイでは、ｐ型GaAs層４及び個別電極６
が光を取り出す各ｎ型GaAlAs層３上に設けられているの
で、個別電極６直下にて発生した光は、個別電極６が遮
光体となって、個別電極６上部には取り出されない。従
って、例えば図１のＢ−Ｂ′線方向における発光強度
は、図３に示すように、不均一な状態となる。また、個
別電極６直下にて発生する光のほとんどが遮断されるの
で、光取り出し効率も低くなる。このような問題が生じ
る原因となる構造にしなければならない理由は、上述し
た作製工程に起因している。
光ダイオードアレイでは、ｐ型GaAs層４及び個別電極６
が光を取り出す各ｎ型GaAlAs層３上に設けられているの
で、個別電極６直下にて発生した光は、個別電極６が遮
光体となって、個別電極６上部には取り出されない。従
って、例えば図１のＢ−Ｂ′線方向における発光強度
は、図３に示すように、不均一な状態となる。また、個
別電極６直下にて発生する光のほとんどが遮断されるの
で、光取り出し効率も低くなる。このような問題が生じ
る原因となる構造にしなければならない理由は、上述し
た作製工程に起因している。
【０００８】また、従来の発光ダイオードアレイを作製
する際には、ｐ型GaAs層４のエッチング，ｎ型GaAlAs層
３のエッチング，ｐ型GaAs層４上の絶縁膜５の除去，個
別電極６の形成を行なうために、合計４回ずつのフォト
リソソ工程及びエッチング工程が必要であり、作製工程
数が多いという問題点もある。
する際には、ｐ型GaAs層４のエッチング，ｎ型GaAlAs層
３のエッチング，ｐ型GaAs層４上の絶縁膜５の除去，個
別電極６の形成を行なうために、合計４回ずつのフォト
リソソ工程及びエッチング工程が必要であり、作製工程
数が多いという問題点もある。
【０００９】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、発光強度分布を均一化でき、しかも光取り出し
効率が高く、更にその作製工程数が少ない発光ダイオー
ドアレイを提供することを目的とする。
であり、発光強度分布を均一化でき、しかも光取り出し
効率が高く、更にその作製工程数が少ない発光ダイオー
ドアレイを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る発光ダイオ
ードアレイは、基板の一面に複数のメサ形状の発光領域
を直線状に並設してなる発光ダイオードアレイにおい
て、前記各メサ形状の発光領域の斜面に設けられたオー
ミックコンタクト用の結晶成長層と、該結晶成長層から
引き出された個別電極とを備えており、前記発光領域に
おけるｐ−ｎ接合面は、前記基板の一面を覆う絶縁膜と
接触し、ｐ−ｎ接合面を形成する結晶成長層以外の他の
結晶成長層には接触しないことを特徴とする。
ードアレイは、基板の一面に複数のメサ形状の発光領域
を直線状に並設してなる発光ダイオードアレイにおい
て、前記各メサ形状の発光領域の斜面に設けられたオー
ミックコンタクト用の結晶成長層と、該結晶成長層から
引き出された個別電極とを備えており、前記発光領域に
おけるｐ−ｎ接合面は、前記基板の一面を覆う絶縁膜と
接触し、ｐ−ｎ接合面を形成する結晶成長層以外の他の
結晶成長層には接触しないことを特徴とする。
【００１１】
【００１２】
【作用】本発明では、基板の一面に並設されたメサ形状
をなす発光領域のメサ斜面にオーミックコンタクト用の
結晶成長層を形成し、その結晶成長層から個別電極を引
き出して、ｐ−ｎ接合面にて発生した光が個別電極によ
り遮断されることを防ぎ、また前記ｐ−ｎ接合面を、基
板の一面を覆う絶縁膜にのみ接触させ、他の結晶成長層
とは非接触状態として、ｐ−ｎ接合面に発生した光を他
の結晶成長層を経て漏らすことなく発光領域に集中させ
る。これにより、ｐ−ｎ接合面にて発生した光のほとん
どが均一な強度分布にて取り出されるようになり、光取
り出し効率も高くなる。
をなす発光領域のメサ斜面にオーミックコンタクト用の
結晶成長層を形成し、その結晶成長層から個別電極を引
き出して、ｐ−ｎ接合面にて発生した光が個別電極によ
り遮断されることを防ぎ、また前記ｐ−ｎ接合面を、基
板の一面を覆う絶縁膜にのみ接触させ、他の結晶成長層
とは非接触状態として、ｐ−ｎ接合面に発生した光を他
の結晶成長層を経て漏らすことなく発光領域に集中させ
る。これにより、ｐ−ｎ接合面にて発生した光のほとん
どが均一な強度分布にて取り出されるようになり、光取
り出し効率も高くなる。
【００１３】
【００１４】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
【００１５】図４及び図５は、本発明に係る発光ダイオ
ードアレイの平面図及び発光領域の断面図である。図に
おいて、１はｐ型GaAs基板であり、ｐ型GaAs基板１の一
主面側の発光領域に相当する部分には、ｐ型GaAlAs層２
が埋込まれた態様にて形成されている。また、ｐ型GaAl
As層２上には、メサ形状をなす複数のｎ型GaAlAs層３が
直線上に並設されており、各ｎ型GaAlAs層３とｐ型GaAl
As層２とのｐ−ｎ接合によりメサ形状の複数の発光領域
８が形成されている。更に、各ｎ型GaAlAs層３の斜面部
には、オーミックコンタクト用の結晶成長層であるｐ型
GaAs層４が形成されている。
ードアレイの平面図及び発光領域の断面図である。図に
おいて、１はｐ型GaAs基板であり、ｐ型GaAs基板１の一
主面側の発光領域に相当する部分には、ｐ型GaAlAs層２
が埋込まれた態様にて形成されている。また、ｐ型GaAl
As層２上には、メサ形状をなす複数のｎ型GaAlAs層３が
直線上に並設されており、各ｎ型GaAlAs層３とｐ型GaAl
As層２とのｐ−ｎ接合によりメサ形状の複数の発光領域
８が形成されている。更に、各ｎ型GaAlAs層３の斜面部
には、オーミックコンタクト用の結晶成長層であるｐ型
GaAs層４が形成されている。
【００１６】発光領域８の形成部分以外のｐ型GaAs基板
１上には、絶縁膜５が形成されている。この絶縁膜５
は、図示の如く、夫々の発光領域８におけるｐ型GaAlAs
層２と各ｎ型GaAlAs層３との間のｐ−ｎ接合面に適長侵
入する態様に形成されている。これにより前記ｐ−ｎ接
合面は、前記絶縁膜５とのみ接触し、他の結晶成長層の
接合界面とは接触することなく分離された状態となる。
ｐ型GaAs層４上には個別電極６が形成され、この個別電
極６は、ｐ型GaAs基板１上の絶縁膜５上を、隣合う発光
領域８毎に相反する方向に引き出されている。また、ｐ
型GaAs基板１の他主面上には共通電極７が形成されてい
る。なお、ｎ型GaAlAs層３内の光吸収を減少させるため
に、ｎ型GaAlAs層３のAl組成比をｐ型GaAlAs層２のAl組
成比より大きくしている。
１上には、絶縁膜５が形成されている。この絶縁膜５
は、図示の如く、夫々の発光領域８におけるｐ型GaAlAs
層２と各ｎ型GaAlAs層３との間のｐ−ｎ接合面に適長侵
入する態様に形成されている。これにより前記ｐ−ｎ接
合面は、前記絶縁膜５とのみ接触し、他の結晶成長層の
接合界面とは接触することなく分離された状態となる。
ｐ型GaAs層４上には個別電極６が形成され、この個別電
極６は、ｐ型GaAs基板１上の絶縁膜５上を、隣合う発光
領域８毎に相反する方向に引き出されている。また、ｐ
型GaAs基板１の他主面上には共通電極７が形成されてい
る。なお、ｎ型GaAlAs層３内の光吸収を減少させるため
に、ｎ型GaAlAs層３のAl組成比をｐ型GaAlAs層２のAl組
成比より大きくしている。
【００１７】次に、動作について説明する。このような
構成の発光ダイオードアレイにあって、個別電極６，共
通電極７間に電圧を印加すると、ｐ型GaAlAs層２と各ｎ
型GaAlAs層３とのｐ−ｎ接合面にて光出力が得られる。
このｐ−ｎ接合面は、前述の如く、ｐ型GaAs基板１の一
主面を覆うように形成された絶縁膜５にのみ接触し、他
の結晶成長層と接触していないことから、ｐ−ｎ接合面
に発生する光出力は、他の結晶成長層を経て外部に漏れ
出すことがなく、メサ形状をなすｎ型GaAlAs層３に集中
する。更に、前記ｐ型GaAs層４及び個別電極６が、光を
取り出す各ｎ型GaAlAs層３の斜面部に配置されているの
で、ｐ−ｎ接合面に発生し、ｎ型GaAlAs層３内に集中す
る光のすべてが、個別電極６により遮断されることなく
外部に取り出される。その結果、例えば図４のＡ−Ａ′
線方向に対する発光強度は図６に示すような状態とな
り、従来例（図３）と比較して発光強度がより均一化さ
れている。また、発生するほとんどすべての光が外部に
取り出されるので、光取り出し効率は従来例に比べて極
めて高くなる。
構成の発光ダイオードアレイにあって、個別電極６，共
通電極７間に電圧を印加すると、ｐ型GaAlAs層２と各ｎ
型GaAlAs層３とのｐ−ｎ接合面にて光出力が得られる。
このｐ−ｎ接合面は、前述の如く、ｐ型GaAs基板１の一
主面を覆うように形成された絶縁膜５にのみ接触し、他
の結晶成長層と接触していないことから、ｐ−ｎ接合面
に発生する光出力は、他の結晶成長層を経て外部に漏れ
出すことがなく、メサ形状をなすｎ型GaAlAs層３に集中
する。更に、前記ｐ型GaAs層４及び個別電極６が、光を
取り出す各ｎ型GaAlAs層３の斜面部に配置されているの
で、ｐ−ｎ接合面に発生し、ｎ型GaAlAs層３内に集中す
る光のすべてが、個別電極６により遮断されることなく
外部に取り出される。その結果、例えば図４のＡ−Ａ′
線方向に対する発光強度は図６に示すような状態とな
り、従来例（図３）と比較して発光強度がより均一化さ
れている。また、発生するほとんどすべての光が外部に
取り出されるので、光取り出し効率は従来例に比べて極
めて高くなる。
【００１８】次に、このような構成の本発明の発光ダイ
オードアレイの作製方法について、その工程を示す図７
を参照して説明する。まず、ｐ型GaAs基板１の一主面上
の全域に絶縁膜５を形成し、発光領域８となる部分の絶
縁膜５を除去する（図７(a))。次に、エッチングによ
り、ｐ型GaAs基板１の一主面側に逆メサ形状をなす穴11
を形成する（図７(b))。次いで、液相成長法を用いて、
ｐ型GaAlAs層２, ｎ型GaAlAs層３, ｐ型GaAs層４の結晶
成長を行なう（図７(c))。この際、異方成長によって略
平坦となるｐ−ｎ接合面が絶縁膜５と接触するように、
ｐ型GaAlAs層２及びｎ型GaAlAs層３を形成する。絶縁膜
５上には結晶が成長しないので、ｐ型GaAlAs層２は穴11
内にのみ成長され、ｎ型GaAlAs層３はｐ型GaAlAs層２上
にのみ成長され、各ｎ型GaAlAs層３はメサ状をなす。そ
の後、ｐ型GaAs層４の光取り出し領域となる領域をエッ
チングにより除去する（図７(d))。最後に、ｐ型GaAs基
板１の両側に、個別電極６，共通電極７をそれぞれ形成
する（図７(e))。
オードアレイの作製方法について、その工程を示す図７
を参照して説明する。まず、ｐ型GaAs基板１の一主面上
の全域に絶縁膜５を形成し、発光領域８となる部分の絶
縁膜５を除去する（図７(a))。次に、エッチングによ
り、ｐ型GaAs基板１の一主面側に逆メサ形状をなす穴11
を形成する（図７(b))。次いで、液相成長法を用いて、
ｐ型GaAlAs層２, ｎ型GaAlAs層３, ｐ型GaAs層４の結晶
成長を行なう（図７(c))。この際、異方成長によって略
平坦となるｐ−ｎ接合面が絶縁膜５と接触するように、
ｐ型GaAlAs層２及びｎ型GaAlAs層３を形成する。絶縁膜
５上には結晶が成長しないので、ｐ型GaAlAs層２は穴11
内にのみ成長され、ｎ型GaAlAs層３はｐ型GaAlAs層２上
にのみ成長され、各ｎ型GaAlAs層３はメサ状をなす。そ
の後、ｐ型GaAs層４の光取り出し領域となる領域をエッ
チングにより除去する（図７(d))。最後に、ｐ型GaAs基
板１の両側に、個別電極６，共通電極７をそれぞれ形成
する（図７(e))。
【００１９】なお、上述の作製工程において、例えば40
0 dot/インチの発光ダイオードアレイ素子では、穴11の
大きさ, 深さがそれぞれ40×50μm,10〜15μm 程度であ
り、ｐ型GaAlAs層２の厚さが15μm 程度以下であり、ｐ
型GaAs層４の厚さが１μm 程度以下である。
0 dot/インチの発光ダイオードアレイ素子では、穴11の
大きさ, 深さがそれぞれ40×50μm,10〜15μm 程度であ
り、ｐ型GaAlAs層２の厚さが15μm 程度以下であり、ｐ
型GaAs層４の厚さが１μm 程度以下である。
【００２０】上述の作製工程においては、最初に絶縁膜
５の形成及び発光領域８部分の絶縁膜５の除去と穴11の
形成とを行い、次に各層を結晶成長した後、ｐ型GaAs層
４の光取り出し領域となる領域をエッチングにより除去
し、最後にｐ型GaAs基板１両側に電極を形成するので、
絶縁膜５のエッチング，ｐ型GaAs層４のエッチング,個
別領域６の形成を行なうために、合計３回ずつのフォト
リソソ工程及びエッチング工程が必要であるだけであ
り、従来の発光ダイオードアレイの作製工程に比べてそ
の工程数が減少する。
５の形成及び発光領域８部分の絶縁膜５の除去と穴11の
形成とを行い、次に各層を結晶成長した後、ｐ型GaAs層
４の光取り出し領域となる領域をエッチングにより除去
し、最後にｐ型GaAs基板１両側に電極を形成するので、
絶縁膜５のエッチング，ｐ型GaAs層４のエッチング,個
別領域６の形成を行なうために、合計３回ずつのフォト
リソソ工程及びエッチング工程が必要であるだけであ
り、従来の発光ダイオードアレイの作製工程に比べてそ
の工程数が減少する。
【００２１】なお、基板，各層の導電型は一例であり、
これらのｐ型，ｎ型をすべて逆にして構成しても良いこ
とは言うまでもない。
これらのｐ型，ｎ型をすべて逆にして構成しても良いこ
とは言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明の発光ダイオード
アレイでは、基板の一面にメサ形状をなして設けられた
発光領域の斜面部にオーミックコンタクト用の結晶成長
層を形成し、この結晶成長層から個別電極を引き出すよ
うにしたから、各発光領域のｐ−ｎ接合面に発生した光
が個別電極によって遮断されることがなくなり、また各
発光領域のｐ−ｎ接合面が、基板の一面を覆う絶縁層と
のみ接触して他の結晶成長層とは接触しないようにした
から、前記ｐ−ｎ接合面に発生した光が他の結晶成長層
を経て漏れることなく発光領域に集中するようになっ
て、発光強度分布を均一化でき、しかも光取り出し効率
を高くできる。また、３回ずつのフォトリソ工程及びエ
ッチング工程にて作製可能となって、その工程数を減ら
すことができる。
アレイでは、基板の一面にメサ形状をなして設けられた
発光領域の斜面部にオーミックコンタクト用の結晶成長
層を形成し、この結晶成長層から個別電極を引き出すよ
うにしたから、各発光領域のｐ−ｎ接合面に発生した光
が個別電極によって遮断されることがなくなり、また各
発光領域のｐ−ｎ接合面が、基板の一面を覆う絶縁層と
のみ接触して他の結晶成長層とは接触しないようにした
から、前記ｐ−ｎ接合面に発生した光が他の結晶成長層
を経て漏れることなく発光領域に集中するようになっ
て、発光強度分布を均一化でき、しかも光取り出し効率
を高くできる。また、３回ずつのフォトリソ工程及びエ
ッチング工程にて作製可能となって、その工程数を減ら
すことができる。
【図１】従来の発光ダイオードアレイの平面図である。
【図２】従来の発光ダイオードアレイの断面図である。
【図３】従来の発光ダイオードアレイの発光強度分布図
である。
である。
【図４】本発明に係る発光ダイオードアレイの平面図で
ある。
ある。
【図５】本発明に係る発光ダイオードアレイの断面図で
ある。
ある。
【図６】本発明に係る発光ダイオードアレイの発光強度
分布図である。
分布図である。
【図７】本発明に係る発光ダイオードアレイの作製工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ ｐ型GaAs基板 ２ ｐ型GaAlAs層 ３ ｎ型GaAlAs層 ４ ｐ型GaAs層 ５ 絶縁膜 ６ 個別電極 ７ 共通電極 ８ 発光領域 11 穴
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の一面に複数のメサ形状の発光領域
を直線状に並設してなる発光ダイオードアレイにおい
て、前記各メサ形状の発光領域の斜面に設けられたオー
ミックコンタクト用の結晶成長層と、該結晶成長層から
引き出された個別電極とを備えており、前記発光領域に
おけるｐ−ｎ接合面は、前記基板の一面を覆う絶縁膜と
接触し、ｐ−ｎ接合面を形成する結晶成長層以外の他の
結晶成長層には接触しないことを特徴とする発光ダイオ
ードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15452992A JP3219463B2 (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15452992A JP3219463B2 (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327013A JPH05327013A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3219463B2 true JP3219463B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=15586252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15452992A Expired - Fee Related JP3219463B2 (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219463B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017079295A (ja) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子アレイ |
| CN108615795B (zh) * | 2018-03-27 | 2020-09-08 | 北京大学 | 一种微米led芯片内互联的实现方法 |
-
1992
- 1992-05-19 JP JP15452992A patent/JP3219463B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05327013A (ja) | 1993-12-10 |
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