JP2005123489A - 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 149
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 2
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H lead(2+);dicarbonate;dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 本発明は、第一、第二導電型の窒化物半導体3、6と、該第一および第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する透光性電極(10、11、12)と、該透光性電極あるいは第一、第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する第一電極13および第二電極14とを有する窒化半導体発光素子において、透光性電極は、含有酸素濃度が膜厚方向に変化している透明導電膜を含むことを特徴とする。さらに、透光性電極は、窒化物半導体の方から順に透明導電膜よりなる第一の層11と該第一の層より含有酸素濃度が小さい透明導電膜よりなる第二の層12とからなる。
【選択図】 図1
Description
本形態に係る半導体発光素子を構成する第一および第二導電型の半導体層としては、種々の窒化物半導体を用いることができる。具体的には、有機金属気相成長法(MOCVD)、ハイドライド気相成長法(HVPE)などにより基板上にInXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の半導体を複数形成させたものが好適に用いられる。また、半導体層の積層構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。また、各層を超格子構造としたり、活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
本形態における発光素子は、透光性電極を有する。本形態における透光性電極は、窒化物半導体層の側から酸化物を含む透明導電膜よりなる第一の層と、該第一の層より含有酸素濃度あるいは比抵抗が小さい、酸化物を含む透明導電膜よりなる第二の層とからなる透光性電極として形成されている。また、本形態における発光素子は、窒化物半導体の表面に透光性の金属膜を形成し、酸化物を含む透明導電膜よりなる第一の層と、該第一の層より含有酸素濃度あるいは比抵抗が小さい酸化物を含む透明導電膜よりなる第二の層とからなる透光性電極を有することとしてもよい。
本形態における透光性の金属膜は、窒化物半導体の表面と酸化物を含む透明導電膜よりなる第一の層との間に設けられ、窒化物半導体と良好なオーミック接触を行うためのものである。金属膜を透光性にするには、例えば金属膜の膜厚の制御により可能である。透光性になる膜厚は金属の種類によっても異なるが、通常0.1μm以下の膜厚にすることにより透光性とすることができる。好ましくは500オングストローム(0.05μm)以下、さらに好ましくは200オングストローム以下の膜厚にすることにより、金属膜が発光の吸収が少ない優れた透光性を有する。なお透光性とは発光素子の発光波長を電極が透過するという意味であって、必ずしも無色透明を意味するものではない。
本形態における第一の層は、透光性電極の窒化物半導体層側に設けられ、第一の層単独で、あるいは金属膜とともに窒化物半導体層と好ましいオーミック接続をし、透光性電極に投入された電流を半導体層側に拡散させる。また、第一の層は、半導体発光素子からの光を効率よく取り出せるように高い透光性を有する。そのため第一の層は、酸素を含む透明導電膜とする。酸素を含む透明導電膜には数々の種類があるが、特に好ましくは亜鉛(Zn)、インジウム(In)、スズ(Sn)よりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなることを特徴とする。具体的には、ZnO、In2O3、SnO2、ITO(InとSnの複合酸化物)等で示されるZn、In、Sn等の酸化物を含む透明導電膜を形成することが望ましい。この透明導電膜よりなる第一の層の厚さは特に限定するものではなく、数オングストローム〜数μmの厚さで形成可能である。特に、金属膜にとともに設けられる第一の層の膜厚は、100Åから5000Åとすることが好ましい。なぜなら、1000Åでオーミック性が確認され、厚くするとアニール温度が上昇する傾向にあるからである。
本形態における第二の層は、上述の第一の層に形成され、投入された電流を電極全体に拡散させ、電極全体の抵抗をさらに低くする。さらに、第二の層に対して設けられ、金属材料により構成されるパッド電極との接続を良好にする。そのため第二の層は、酸素を含む透明導電膜とし、熱処理温度や雰囲気中の酸素分圧が第一の層と異なるように適宜調節して成膜することにより、酸素含有量が第一の層より低く、さらに比抵抗も小さくなるようにしてある。例えば、第一の層および第二の層を成膜するための材料をITOとした透光性電極は、熱処理後の第二の層における含有酸素濃度が第一の層における含有酸素濃度より低い。ここで、透明導電膜の酸素含有濃度が膜厚方向に変化していることは、例えばSIMSによる分析により明らかとなる。SIMSとは、Secondary Ion-microprobe Mass Spectrometer(あるいはSpectrometry)の略語(二次イオン質量分析計(あるいは分析法))である。SIMSでは試料に一次イオンビームを照射して、質量分離された二次イオンの数を数えることによって、試料の化学組成や同位体組成、特に深さ方向の組成変化を知ることができる。また、比抵抗の測定は、四端子法や四探針法により行うことができる。
本形態において、パッド電極は、p型窒化物半導体層側およびn型窒化物半導体層側のうち、一方の窒化物半導体層側に設けられた透光性電極(特に、透光性電極のうち含有酸素濃度が比較的低い側)および他方の窒化物半導体層に対して形成される。また本発明にかかる別の実施の形態におけるパッド電極の一部は、透光性電極に設けた貫通孔内に延在させて窒化物半導体層に直接設けたり、あるいは透光性電極の外縁にて窒化物半導体層に直接設けてもよい。このように、パッド電極の一部が窒化物半導体層に直接設けられることによってパッド電極の剥離を防止することができる。
2・・・バッファ層
3・・・n型コンタクト層
4・・・活性層
5・・・p型クラッド層
6・・・p型コンタクト層
10・・・金属膜
11・・・第一の層
12・・・第二の層
13、14・・・パッド電極
602・・・n電極
100・・・発光素子
103・・・複合素子
111・・・絶縁膜
112a・・・正電極
112b・・・負電極
113a、113b・・・ボンディング領域
114a・・・裏面電極
114b・・・バンプ
115a・・・p型半導体領域
115b・・・n型半導体領域
250・・・導電性ワイヤ
500・・・マウント基板
501・・・絶縁性の材料
502・・・第一の金属膜
503・・・第二の金属膜
504・・・樹脂
505・・・共晶合金
601・・・窒化物半導体発光素子
603・・・p電極
Claims (7)
- 第一、第二導電型の窒化物半導体と、該第一、第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する透光性電極と、該透光性電極および前記第一、第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する第一電極および第二電極とを有する窒化半導体発光素子において、
前記透光性電極は、含有酸素濃度が膜厚方向に変化している透明導電膜を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記透光性電極は、前記窒化物半導体の方から順に透明導電膜よりなる第一の層と、該第一の層より含有酸素濃度が小さい透明導電膜よりなる第二の層とからなる請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記透光性電極は、さらに金属膜を前記窒化物半導体の側に有する請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記透明導電膜は、亜鉛(Zn)、インジウム(In)あるいはスズ(Sn)よりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなることを特徴とする請求項1乃至3に記載の窒化物半導体発光素子。
- 透光性電極を有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、
含有酸素濃度が膜厚方向に変化するように透明導電膜を成膜することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記透明導電膜は、雰囲気中の酸素分圧がそれぞれ異なる複数の工程により成膜される請求項5に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体に透光性の金属膜と透明導電膜とを順に成膜し熱処理する第一の工程と、さらに透明導電膜を成膜し、前記第一の工程よりも低い温度で熱処理する第二の工程とを含む請求項5または6に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003358664A JP4449405B2 (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003358664A JP4449405B2 (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005123489A true JP2005123489A (ja) | 2005-05-12 |
JP2005123489A5 JP2005123489A5 (ja) | 2006-12-07 |
JP4449405B2 JP4449405B2 (ja) | 2010-04-14 |
Family
ID=34615118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003358664A Expired - Fee Related JP4449405B2 (ja) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4449405B2 (ja) |
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---|---|
JP4449405B2 (ja) | 2010-04-14 |
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