KR20130072994A - 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템 - Google Patents
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- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 167
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 229920000333 poly(propyleneimine) Polymers 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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Abstract
실시 예는 발광 모듈에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 모듈은, 복수의 오목부를 갖는 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임으로부터 이격되며 상기 복수의 오목부에 배치된 복수의 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임의 아래에 배치된 방열 프레임; 상기 제2리드 프레임과 상기 방열 프레임 사이에 배치된 복수의 제1절연 부재; 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 복수의 제2절연 부재; 및 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 위에 탑재된 복수의 발광 다이오드를 포함한다.
실시 예에 따른 발광 모듈은, 복수의 오목부를 갖는 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임으로부터 이격되며 상기 복수의 오목부에 배치된 복수의 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임의 아래에 배치된 방열 프레임; 상기 제2리드 프레임과 상기 방열 프레임 사이에 배치된 복수의 제1절연 부재; 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 복수의 제2절연 부재; 및 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 위에 탑재된 복수의 발광 다이오드를 포함한다.
Description
실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.
발광 다이오드, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 LCD는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛과 같은 조명 유닛을 필요로 한다.
실시 예는 발광 다이오드의 방열 효율이 개선된 발광 모듈을 제공한다.
실시 예는 방열 프레임 위에 배치된 서로 다른 리드 프레임에 탑재된 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 모듈은, 복수의 오목부를 갖는 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임으로부터 이격되며 상기 복수의 오목부에 배치된 복수의 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임의 아래에 배치된 방열 프레임; 상기 제2리드 프레임과 상기 방열 프레임 사이에 배치된 복수의 제1절연 부재; 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 복수의 제2절연 부재; 및 상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 위에 탑재된 복수의 발광 다이오드를 포함한다.
실시 예에 따른 조명 시스템은 상기의 발광 모듈을 포함한다.
실시 예는 발광 다이오드의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 모듈의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 모듈을 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 모듈의 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 3은 제2실시 예에 따른 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 4는 제3실시 예에 따른 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광 다이오드를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 1의 발광 다이오드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 3은 제2실시 예에 따른 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 4는 제3실시 예에 따른 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광 다이오드를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 1의 발광 다이오드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 모듈의 사시도이이며, 도 2는 도 1의 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 모듈(100)은 방열 프레임(111); 상기 방열 프레임(111)의 제1영역 위에 접촉된 제1리드 프레임(121); 상기 방열 프레임(111)의 제2영역 위에 접촉된 제2리드 프레임(125); 상기 방열 프레임(111) 및 제2리드 프레임(125) 사이에 배치된 제1절연부재(115); 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 사이에 배치된 제2절연부재(117); 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 위에 탑재된 복수의 발광 다이오드(131)를 포함한다.
상기 방열 프레임(111)은 금속층 또는 전도층으로 사용되며, 상기 제 1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(125) 아래에 배치된다. 상기 방열 프레임(111), 제1 및 제2리드 프레임(121,125)과 제1 및 제2절연부재(115,117)는 기판으로 정의될 수 있다.
상기 방열 프레임(111)의 상면은 상기 제1리드 프레임(121)의 하면과 면 접촉되고 전기적으로 연결된다. 상기 방열 프레임(111)과 상기 제1리드 프레임(121)은 제1극성 단자로 사용되며, 상기 제2리드 프레임(125)은 제2극성 단자로 사용된다.
상기 방열 프레임(111)의 상면 면적은 상기 제1리드 프레임(121)의 상면 면적과 상기 제2리드 프레임(125)의 상면 면적의 합보다 넓게 형성될 수 있다. 상기 방열 프레임(111)의 두께(T1)는 상기 제1리드 프레임(121)의 두께(T2)와 같거나, 더 얇거나 두껍게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2리드 프레임(125)은 상기 제1리드 프레임(121)으로부터 전도된 열을 전 영역으로 확산시켜 줄 수 있으며, 이때의 열 전도율은 상기 제1리드 프레임(121)의 두께(T2)에 반비례하게 된다. 또한 상기 방열 프레임(111)과 상기 제1리드 프레임(121)은 일체로 형성되거나, 본딩 물질로 본딩될 수 있다.
상기 제2리드 프레임(125)은 상기 제1리드 프레임(121)의 두께(T2)보다 얇은 두께(T3)로 형성될 수 있으며, 그 상면은 상기 제1리드 프레임(121)의 상면과 동일 수평면 상에 배치된다.
상기 제1리드 프레임(121)에는 서로 이격된 복수의 오목부(113)가 배치되며, 상기 복수의 오목부(113)에는 상기 제2리드 프레임(125)으로부터 돌출된 리드부(126)가 대응되어 삽입된다. 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 제2리드 프레임(125)의 리드부(126)는 동일한 간격을 갖고 서로 대응되게 배치된다. 상기 오목부(113) 및 리드부(126)의 형상은 다각형 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 방열 프레임(111)의 두께는 0.035mm 이상 예컨대, 0.035mm-0.1mm 범위로 형성될 수 있으며, 상기 제1리드 프레임(121)의 두께는 0.035mm-0.07mm 범위로 형성될 수 있다. 또한 상기 제2리드 프레임(125)의 두께는 0.025mm-0.035mm 범위로 형성될 수 있다.
이러한 방열 프레임(111)은 상기 제 1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(125)으로부터 전달된 열을 효과적으로 방열하는 금속으로 사용된다. 여기서, 상기 방열 프레임(111)은 상기 제1리드 프레임(121)과 접촉됨으로써, 상기 제1리드 프레임(121)을 효과적으로 방열시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 제1리드 프레임(121)은 상기 발광 다이오드(131)로부터 발생된 열을 효과적으로 방열하게 된다.
상기 방열 프레임(111), 제1 및 제2리드 프레임(121,125)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함하며, 또한 단일의 금속층 또는 서로 다른 금속층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1절연부재(115)는 상기 방열 프레임(111)과 제2리드 프레임(125)의 리드부(126) 사이에 배치되며, 제2절연부재(117)는 상기 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(125)의 리드부(126) 사이에 배치된다. 상기 제1절연부재(115)는 상기 방열 프레임(111)과 제2리드 프레임(125) 사이를 접착시켜 주고, 전기적으로 절연시켜 주게 된다. 상기 제2절연부재(117)는 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 제2리드 프레임(125) 사이를 서로 접착시켜 주고, 전기적으로 절연시켜 주게 된다.
상기 제1절연부재(115)와 상기 제2절연부재(117)는 솔더 레지스트(PSR)를 포함하며, 다른 수지 재질 또는 절연 필름을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1절연부재(115)와 상기 제2절연부재(117)는 동일한 재질 또는 서로 다른 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1절연부재(115) 및 제2절연부재(117)의 두께는 5㎛~7㎛ 범위로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 위에는 발광 다이오드(131)가 배치된다. 상기 발광 다이오드(131)는 제1리드 프레임(121)과 제1접합 부재(141)로 접합되고, 제2리드 프레임(125)의 리드부(126)에 제2접합 부재(143)로 접합된다. 상기 제1 및 제2접합 부재(141,143)는 솔더 재질을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 방열 프레임(111) 상에 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(125)이 전기적으로 분리되어 배치되므로, 방열 프레임(111)과 제1리드 프레임(121)은 제1극성 단자로 사용되고, 상기 제2리드 프레임(125)은 제2극성 단자로 사용된다. 상기 제1극성 단자는 정 극성(+) 단자로서, 공통으로 사용될 수 있다. 그리고, 상기 제2극성 단자는 부 극성(-) 단자로서, 공통으로 사용되거나, 개별적으로 사용될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(125)을 복수의 리드부(126)로 서로 분리시켜 배치하여, 제2극성 단자로 각각 사용될 수 있다.
상기 발광 다이오드(131)로부터 발생된 열은 상기 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(125)으로 전도되고, 상기 제1리드 프레임(121)으로부터 전도된 열은 방열 프레임(111)으로 전도되어 방열된다. 이때 상기 방열 프레임(111)은 상기 제1리드 프레임(121)으로부터 직접 전도된 열과, 상기 제2리드 프레임(125)으로부터 제1절연부재(115)를 통해 전도된 열을 효과적으로 방열하게 된다.
상기 발광 다이오드(131)는 패키지 또는 칩 형태로 구현될 수 있으며, 상기 발광 다이오드(131)는 적색, 녹색, 청색, 백색과 같은 빛을 방출하는 가시광선 대역 또는 자외선(Ultra Violet) 대역을 발광하는 다이오드로 구현될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 3은 제2실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 발광 모듈은 복수의 홈(11)를 갖는 방열 프레임(111); 상기 방열 프레임(111)의 제1영역 위에 접촉된 제1리드 프레임(121); 상기 방열 프레임(111)의 제2영역 위에 접촉된 제2리드 프레임(125); 상기 방열 프레임(111) 및 제1리드 프레임(121) 사이에 배치된 제1절연부재(115); 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 사이에 배치된 제2절연부재(117); 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,125) 위에 탑재된 복수의 발광 다이오드(131)를 포함한다.
상기 방열 프레임(111)의 홈(11)은 상기 제2리드 프레임(125)의 리드부(126)에 대응되며, 그 너비(D1)는 상기 제2리드 프레임(125)의 리드부(126)의 너비 또는 그 이상으로 형성될 수 있다. 상기 방열 프레임(111)의 홈(11)의 깊이는 상기 방열 프레임(111)의 하면부터 소정 깊이로 형성되며, 예컨대 0.001mm 이상의 깊이로 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 홈(11)과 상기 제1절연부재(115) 사이에 배치된 상기 방열 프레임(111)의 방열부(12)는 0.001mm 이상의 두께로 형성되어, 상기 제1리드 프레임(121)의 리드부(126)로부터 전도된 열을 방열하거나 전도하게 된다. 상기 방열 프레임(111)의 방열부(12)의 두께는 상기 제2리드 프레임(125)의 두께(T3)와 같거나 더 얇을 수 있으며, 이러한 두께(T3)는 수평 방향으로의 열 전도율을 개선시켜 줄 수 있다. 또한 제2방열 프레임(111)이 복수의 리드부(126)들로 구성된 경우, 각각의 리드부(126)들의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
도 4는 제3실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 발광 모듈은 제1리드 프레임(121); 복수의 리드부(126)를 갖는 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임(121)의 아래에 배치된 방열 플레이트(151); 상기 방열 플레이트(151)와 상기 제1리드 프레임(121) 사이에 배치된 본딩층(152); 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 제2리드 프레임(125) 위에 탑재된 발광 다이오드(131)를 포함한다.
상기 제1리드 프레임(121), 상기 본딩층(152) 및 상기 방열 플레이트(151), 제1 및 제2절연부재(115,117)는 기판으로 정의될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(121)은 제2리드 프레임의 복수의 리드부(126)의 아래에 각각 배치된다. 상기 제1리드 프레임(121)의 두께(T4)는 0.07mm 이상의 범위로 두껍게 형성되고, 상부에 복수의 오목부(113)가 형성된다. 상기 복수의 오목부(113)에는 제2리드 프레임의 각 리드부(126)가 배치된다. 상기 복수의 리드부(126)는 서로 연결되거나, 분리될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(125) 사이에는 제1절연부재(115) 및 제2절연부재(117)가 배치되어, 서로 간을 접착시키고 전기적으로 절연시켜 준다. 이에 따라 상기 제1리드 프레임(121)은 상기 발광 다이오드(131) 및 상기 제2리드 프레임(125)의 아래에 배치된다.
상기 제1리드 프레임(121)의 아래에는 방열 플레이트(151)가 배치되며, 상기 방열 플레이트(151)는 상기 제1리드 프레임(121)의 재질 예컨대, 구리(Cu)보다 열 전도율이 높은 금속으로서, 예컨대 알루미늄(Al) 재질로 형성될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(121)과 상기 방열 플레이트(151) 사이에는 본딩층(152)이 배치되며, 상기 본딩층(152)은 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 방열 플레이트(151)를 접합시켜 준다. 상기 본딩층(152)은 열 전도성 테이프 또는 솔더와 같은 금속 물질을 포함한다.
상기 제1리드 프레임(121)은 상기 발광 다이오드(131)와 상기 제2리드 프레임(125)으로부터 전도된 열을 전도받아 1차적으로 방열하게 된다. 상기 방열 플레이트(151)는 상기 발광 다이오드(131)로부터 발생되어 상기 제1리드 프레임(121)으로 전도된 열을 방열하게 된다.
도 5는 실시 예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 발광 다이오드(131)는 몸체(132), 제1 및 제2전극(134,135)을 갖는 적어도 2개의 전극, 적어도 하나의 발광 칩(136) 및 몰딩 부재(138)를 포함한다.
상기 몸체(132)는 절연 재질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T)와 같은 수지 재질, 금속을 포함하는 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(132)는 반사율이 높고 상기 전극(134,135)과의 사출 성형이 용이한 수지 재질 예컨대, PPA 및 실리콘 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 설명하기로 한다.
상기 몸체(132)의 상측에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐쏘드 마크는 상기 발광 다이오드(131)의 제1 전극(134) 또는 제2 전극(135)을 구분하여, 상기 제1,2 전극(134,135)의 극성의 방향에 대한 혼동을 방지할 수 있다.
상기 몸체(132) 내에는 캐비티(133)가 형성되며, 상기 캐비티(133)는 상부가 개방된 오목한 형상 또는 리세스 형상을 포함한다. 상기 몸체(132)에는 상기의 캐비티(133)가 형성되지 않을 수 있다.
상기 캐비티(133)의 바닥부에는 복수의 전극(134,135)이 간극부에 의해 서로 분리된다. 상기 캐비티(133)는 소자 탑측에서 볼 때, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 전극(134,135)은 적어도 2개가 전기적으로 분리되며, 소정 두께를 갖는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 상기 금속 플레이트의 표면에 다른 금속층이 도금될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1전극(134) 및 제2전극(135)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(125) 위에 탑재된다. 여기서, 상기 제2전극의 너비는 상기 제2리드 프레임(125)의 너비보다 더 좁게 형성될 수 있다.
상기 복수의 전극(134,135)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1, 2전극(134,135)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2전극(134,135)의 두께는 0.8mm~2mm로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 전극(134,135)의 적어도 일부는 캐비티(133)의 바닥부에 배치되며, 상기 몸체(132)의 하부에 노출될 수 있다. 상기 캐비티(133)의 아래에 배치된 복수의 전극(134,135)의 하면은 상기 몸체(132)의 하면에 노출되며, 전극 단자로 사용된다.
상기 캐비티(133) 내에는 발광 칩(136)이 배치된다. 상기 발광 칩(136)은 제1전극(134) 상에 탑재되며, 상기 제2전극(135)과 와이어(137)로 연결된다. 상기 제1전극(134) 및 제2전극(135)은 상기 발광 칩(136)으로부터 발생된 열을 외측 방향 및 하 방향으로 전도하여 방열하게 된다.
상기 발광 칩(136)은 2족 내지 6족의 원소를 선택적으로 갖는 화합물 반도체를 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 가시광선 대역 또는 자외선(Ultra Violet) 대역을 발광하는 다이오드로 구현될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(136)은 칩 내의 두 전극이 평행하게 배치된 수평형 칩, 또는 칩 내의 두 전극이 서로 반대 측면에 배치된 수직형 칩으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 수평형 칩은 적어도 2개의 와이어로 연결될 수 있고, 수직형 칩은 적어도 1개의 와이어(42)에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(133)에는 몰딩 부재(138)가 형성되며, 상기 몰딩 부재(138)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성의 수지 재질을 포함할 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(138)에는 형광체 또는 확산제가 선택적으로 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(138) 위 또는 상기 몸체(132)의 상면에는 렌즈(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목한 렌즈 형상, 볼록한 렌즈 형상, 일정 부분이 오목하고 다른 부분이 볼록한 형상의 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 예를 들면, YAG 계열, 실리케이트(Silicate)계열, 또는 TAG 계열의 형광 물질을 포함할 수 있다.
도 6은 도 1의 발광 다이오드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 발광 다이오드는 기판(21), 제1반도체층(22), 제1도전형 반도체층(15), 활성층(17), 제2도전형 반도체층(19), 반사 전극층(31), 절연층(33), 제1전극(35), 제2전극(37), 제1연결 전극(41), 제2연결 전극(43), 지지부재(51), 절연부재(81) 및 반사부재(91)를 포함한다.
상기 기판(21)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(21)의 하면에는 상기 기판(21)과 상기 제1반도체층(22) 사이에 요철 패턴과 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 상기의 요철 패턴은 상기 기판(21)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 패턴을 형성할 수 있다. 상기 요철 패턴은 스트라이프 형상 또는 볼록 렌즈 형상을 포함할 수 있다. 상기의 기판(21)은 투광성 기판을 일 예로 설명한다.
상기 기판(21) 하면에는 제1반도체층(22)이 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(22)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 선택적으로 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(22)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(22)은 예컨대, III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(22)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1반도체층(22)은 버퍼층으로 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층은 상기 기판과 질화물 반도체층 간의 격자 상수의 차이를 줄여줄 수 있다.
상기 제1반도체층(22)은 언도프드(undoped) 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 언도프드 반도체층은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN계 반도체로 구현될 수 있다. 상기 언도프드 반도체층은 제조 공정시 의도적으로 도전형 도펀트를 도핑하지 않더라도 제1도전형 특성을 가지게 되며, 상기 제1도전형 반도체층(15)의 도전형 도펀트 농도보다는 낮은 농도를 가지게 된다. 상기 제1반도체층(22)은 버퍼층 및 언도프드 반도체층 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1반도체층(22) 아래에는 발광 구조물(20)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(20)은 III족-V족 화합물 반도체를 포함하며, 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체를 갖고, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다.
상기 발광 구조물(20)은 제1도전형 반도체층(15), 제2도전형 반도체층(19), 상기 제1도전형 반도체층(15)과 상기 제2도전형 반도체층(19) 사이에 형성된 활성층(17)을 포함한다.
상기 제1반도체층(22) 아래에는 제1도전형 반도체층(15)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(15)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(15)은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체를 갖는 N형 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(15)과 상기 제1반도체층(22) 사이에는 서로 다른 반도체층들이 교대로 적층된 초 격자 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 초격자 구조는 격자 결함을 감소시켜 줄 수 있다. 상기 초 격자 구조의 각 층은 수 A 이상의 두께로 적층될 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(15)과 상기 활성층(17) 사이에는 제1도전형 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(17)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1도전형 클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다.
상기 제1도전형 반도체층(15) 아래에는 활성층(17)이 형성된다. 상기 활성층(17)은 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다.
상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, 또는 InAlGaN/InAlGaN 중 적어도 하나의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(17) 아래에는 제2도전형 반도체층(19)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(19)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(19)은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체를 갖는 P형 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(19)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(19)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(17)을 보호할 수 있다.
또한 상기 제1도전형 반도체층(15)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(19)은 N형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(19) 아래에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다.
상기 발광 다이오드는 상기 제1도전형 반도체층(15), 활성층(17) 및 상기 제2도전형 반도체층(19)을 발광 구조물(20)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 P는 P형 반도체층이며, 상기 N은 N형 반도체층이며, 상기 -은 P형 반도체층과 N형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(20)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(19)으로 설명하기로 한다.
상기 제2도전형 반도체층(19) 아래에는 반사 전극층(31)이 형성된다. 상기 반사 전극층(31)은 오믹 접촉층, 반사층, 및 확산 방지층, 보호층 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 반사 전극층(31)은 오믹 접촉층/반사층/확산 방지층/보호층의 구조로 형성되거나, 반사층/확산 방지층/보호층의 구조로 형성되거나, 오믹 접촉층/반사층/보호층의 구조로 형성되거나, 반사층/확산 방지층으로 형성되거나, 반사층으로 형성될 수 있다.
상기 반사 전극층(31)은 투광성 전극층/반사층의 적층 구조를 포함할 수 있으며, 상기 투광성 전극층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SnO, InO, INZnO, ZnO, IrOx, RuOx의 그룹 중에서 선택될 수 있다. 상기 투광성 전극층의 아래에는 반사층이 형성될 수 있으며, 상기 반사층은 제1굴절률을 갖는 제1층과 제2굴절률을 갖는 제2층이 교대로 2페어 이상 적층된 구조를 포함하며, 상기 제1 및 제2굴절률은 서로 다르고, 상기 제1층과 제2층은 1.5~2.4 사이의 물질 예컨대, 전도성 또는 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이러한 구조는 DBR(distributed bragg reflection) 구조로 정의될 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(19) 및 상기 반사 전극층(31) 중 적어도 한 층의 표면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 광 추출 구조는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(15)의 일부 영역 아래에는 제1전극(35)이 형성되며, 상기 반사 전극층(31)의 일부 아래에는 제2전극(37)이 형성될 수 있다. 상기 제1전극(35) 아래에는 제1연결 전극(41)이 형성되며, 상기 제2전극(37) 아래에는 제2연결 전극(43)이 형성된다.
상기 제1전극(35)는 상기 제1도전형 반도체층(15)의 일부 영역에 전기적으로 연결된다. 상기 제1전극(35)은 전극 패드를 포함할 수 있다. 상기 제1전극(35)은 일부 영역 이외의 영역 예컨대, 절연층(33)의 아래 영역에도 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2전극(37)은 상기 반사 전극층(31)을 통해 상기 제2도전형 반도체층(19)과 물리적 또는/및 전기적으로 접촉될 수 있다. 상기 제2전극(37)은 전극 패드를 포함한다.
상기 제1전극(35) 및 제2전극(37)은 접착층, 반사층, 확산 방지층, 및 본딩층 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 접착층은 상기 제1도전형 반도체층(15)의 일부 영역(A1) 아래에 오믹 접촉되며, Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~1,000Å으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 상기 접착층 아래에 형성되며, 그 물질은 Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다. 상기 확산 방지층은 상기 반사층 아래에 형성되며, 그 물질은 Ni, Mo, W, Ru, Pt, Pd, La, Ta, Ti 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å을 포함한다. 상기 본딩층은 상기 제1연결 전극(41)과 본딩되는 층이며, 그 물질은 Al, Ru, Rh, Pt 및 이들의 선택적인 합금으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 1~10,000Å로 형성될 수 있다.
상기 제2전극(37)의 상면 면적은 상기 반사전극층(31)의 하면 면적과 동일한 면적이거나, 상기 제2연결 전극(43)의 상면 면적보다 적어도 큰 면적일 수 있다.
상기 제1연결 전극(41) 및 상기 제2연결 전극(43) 중 적어도 하나는 상기 발광 구조물(20)의 하면 너비보다는 작게 형성될 수 있고, 상기 각 전극(35,137)의 하면 너비 또는 직경 보다는 크게 형성될 수 있다. 상기 제1연결 전극(41) 및 상기 제2연결 전극(43)은 도 2에 도시된 바와 같이, 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(125) 위에 탑재된다.
상기 제1연결 전극(41) 및 제2연결 전극(43)은 어느 하나의 금속 또는 합금을 이용하여 단일 층으로 형성될 수 있으며, 상기의 단일 층의 너비 및 높이는 1㎛~100,000㎛로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 단일층 층의 두께는 상기 제2전극(43)의 두께보다 더 두꺼운 높이로 형성될 수 있다.
상기 제1연결 전극(41) 및 제2연결 전극(43)은 Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta, Ti, W 및 이들 금속의 선택적 합금 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 절연층(33)은 상기 반사 전극층(31) 아래에 형성될 수 있다. 상기 절연층(33)은 상기 제2도전형 반도체층(19)의 하면, 상기 제2도전형 반도체층(19) 및 상기 활성층(17)의 측면, 상기 제1도전형 반도체층(15)의 일부 영역의 하면에 형성될 수 있다. 상기 절연층(33)은 상기 발광 구조물(20)의 하부 영역 중에서 상기 반사 전극층(31), 제1전극(35) 및 제2전극(37)을 제외한 영역에 형성되어, 상기 발광 구조물(20)의 하부를 전기적으로 보호하게 된다.
상기 절연층(33)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(33)은 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(33)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(33)은 발광 구조물(20)의 아래에 플립 본딩을 위한 금속 구조물을 형성할 때, 상기 발광 구조물(20)의 층간 쇼트를 방지하기 위해 형성된다.
상기 절연층(33)은 상기 반사 전극층(31) 하면에 형성되지 않고, 상기 발광 구조물(20)의 표면에만 형성될 수 있다. 이는 상기 반사 전극층(31)의 하면에는 절연성의 지지 부재(51)가 형성됨으로써, 상기 절연층(33)을 상기 반사 전극층(31)의 하면까지 연장하지 않을 수 있다.
상기 지지 부재(51)는 발광 다이오드를 지지하는 지지층으로 사용된다. 상기 지지 부재(51)는 절연성 재질로 형성되며, 상기 절연성 재질은 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지층으로 형성된다. 다른 예로서, 상기 절연성 재질은 페이스트 또는 절연성 잉크를 포함할 수 있다. 상기 절연성 재질의 재질은 그 종류는 polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenilene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), 및 Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), 및 PAMAM 내부 구조 및 유기-실리콘 외면을 갖는 PAMAM-OS(organosilicon)를 단독 또는 이들의 조합을 포함한 수지로 구성될 수 있다. 상기 지지부재(51)는 상기 절연층(33)과 다른 물질로 형성될 수 있다.
상기 지지 부재(51) 내에는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물과 같은 화합물들 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 여기서, 상기 지지 부재(51) 내에 첨가된 화합물은 열 확산제일 수 있으며, 상기 열 확산제는 소정 크기의 분말 입자, 알갱이, 필러(filler), 첨가제로 사용될 수 있으며, 이하 설명의 편의를 위해 열 확산제로 설명하기로 한다. 여기서, 상기 열 확산제는 절연성 재질 또는 전도성 재질일 수 있으며, 그 크기는 1Å~100,000Å으로 사용 가능하며, 열 확산 효율을 위해 1,000Å~50,000Å로 형성될 수 있다. 상기 열 확산제의 입자 형상은 구형 또는 불규칙한 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 열 확산제는 세라믹 재질을 포함하며, 상기 세라믹 재질은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic), 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic), 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 세라믹 재질은 질화물 또는 산화물과 같은 절연성 물질 중에서 열 전도도가 질화물이나 산화물보다 높은 금속 질화물로 형성될 수 있으며, 상기 금속 질화물은 예컨대, 열 전도도가 140 W/mK 이상의 물질을 포함할 수 있다. 상기 세라믹 재질은 예컨대, SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, BN, Si3N4, SiC(SiC-BeO), BeO, CeO, AlN와 같은 세라믹 (Ceramic) 계열일 수 있다. 상기 열 전도성 물질은 C (다이아몬드, CNT)의 성분을 포함할 수 있다.
상기 지지 부재(51)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 지지 부재(51)는 내부에 세라믹 물질의 분말을 포함함으로써, 지지 부재(51)의 강도는 개선되고, 열 전도율 또한 개선될 수 있다.
상기 지지 부재(51) 내에 포함된 열 확산제는 1~99wt/% 정도의 함량 비율로 첨가될 수 있으며, 효율적인 열 확산을 위해 50~99wt% 범위의 함량 비율로 첨가될 수 있다. 이러한 지지 부재(51) 내에 열 확산제가 첨가됨으로써, 내부에서의 열 전도율은 더 개선될 수 있다. 또한 상기 지지 부재(51)의 열 팽창 계수는 4-11 [x106/℃]이며, 이러한 열 팽창 계수는 상기 기판(21) 예컨대, 사파이어 기판과 동일하거나 유사한 열 팽창 계수를 갖게 되므로, 상기 기판(21) 아래에 형성되는 발광 구조물(20)과의 열 팽창 차이에 의해 웨이퍼가 휘어지거나 결함이 발생되는 것을 억제할 수 있다.
여기서, 상기 지지 부재(51)의 하면 면적은 상기 기판(21)의 상면과 실질적으로 동일한 면적으로 형성될 수 있다. 상기 지지 부재(51)의 하면 면적은 상기 제1도전형 반도체층(15)의 상면 면적과 실질적으로 동일한 면적으로 형성될 수 있다. 또한 상기 지지 부재(51)의 하면 너비는 상기 기판(21)의 상면과 상기 제1도전형 반도체층(15)의 상면 너비와 동일한 너비로 형성될 수 있다. 이는 지지 부재(51)를 형성한 다음 개별 칩으로 분리함으로써, 상기 지지부재(51)와 상기 기판(21) 및 상기 제1도전형 반도체층(15)의 측면이 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 지지 부재(51)의 하면은 실질적으로 평탄한 면으로 형성되거나, 불규칙한 면으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 지지 부재(51)의 두께는 1㎛~100,000㎛ 범위에서 형성될 수 있으며, 다른 예로서 50㎛~1,000㎛ 범위로 형성될 수 있다.
상기 지지 부재(51)의 하면은 상기 제1전극(35) 및 상기 제2전극(37)의 하면보다 더 낮게 형성되고, 상기 제1연결 전극(41)의 하면, 상기 제2연결 전극(43)의 하면과 동일한 평면(즉, 수평 면) 상에 배치될 수 있다.
상기 지지 부재(51)는 상기 제1전극(35), 제2전극(37), 상기 제1연결 전극(41) 및 상기 제2연결 전극(43)의 둘레 면에 접촉된다. 이에 따라 상기 제1전극(35), 제2전극(37), 상기 제1연결 전극(41) 및 상기 제2연결 전극(43)으로부터 전도된 열은 상기 지지 부재(51)를 통해 확산되고 방열될 수 있다. 이때 상기 지지 부재(51)는 내부의 열 확산제에 의해 열 전도율이 개선되고, 전 표면을 통해 방열을 수행하게 된다. 따라서, 상기 발광 다이오드는 열에 의한 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
또한 상기 지지 부재(51)의 한 측면 또는 한 측면 이상은 상기 발광 구조물(20) 및 상기 기판(21)의 측면과 동일한 평면 (즉, 수직 면) 상에 배치될 수 있다. 또한 상기 지지 부재(51)의 한 측면 또는 한 측면 이상은 상기 발광 구조물(20) 및 상기 기판(21)의 측면보다 더 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기의 실시 예에 개시된 발광 모듈은 탑뷰 형태의 백라이트 유닛에 적용되거나, 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 직하 타입의 발광 모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 발광 모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
111: 방열 프레임 121,122: 제1리드 프레임
113: 오목부 115,117: 절연 부재
126: 제2리드 프레임 131: 발광 다이오드
141,143: 접합 부재 151: 방열 플레이트
152: 본딩층
113: 오목부 115,117: 절연 부재
126: 제2리드 프레임 131: 발광 다이오드
141,143: 접합 부재 151: 방열 플레이트
152: 본딩층
Claims (18)
- 복수의 오목부를 갖는 제1리드 프레임;
상기 제1리드 프레임으로부터 이격되며 상기 복수의 오목부에 배치된 복수의 제2리드 프레임;
상기 제1 및 제2리드 프레임의 아래에 배치된 방열 프레임;
상기 제2리드 프레임과 상기 방열 프레임 사이에 배치된 복수의 제1절연 부재;
상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 복수의 제2절연 부재; 및
상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 위에 탑재된 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈. - 제1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임과 상기 방열 프레임은 면 접촉되는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임은 상기 방열 프레임과 일체로 형성되는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임은 상기 방열 프레임과 본딩물질로 본딩되는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제2리드 프레임은 상기 제1리드 프레임의 두께보다 같거나 얇은 두께로 형성되는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임의 상면은 상기 제2리드 프레임의 상면과 동일 수평면 상에 배치되는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임은 상기 방열 프레임의 두께보다 같거나 더 얇은 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임은 상기 방열 프레임의 두께보다 더 두꺼운 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제1리드 프레임의 두께는 0.035mm-0.07mm 범위로 형성되는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제2리드 프레임의 두께는 0.025mm-0.035mm 범위로 형성되는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 방열 프레임의 아래에는 상기 제2리드 프레임과 대응되는 영역에 복수의 홈을 포함하는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제2리드 프레임은 상기 제1리드 프레임의 오목부에 대응하여 돌출된 리드부가 배치되는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 방열 프레임 아래에 방열 프레이트를 더포함하는 발광 모듈.
- 제7항에 있어서, 상기 방열 플레이트와 상기 방열 프레임 사이에 본딩층을 더 포함하는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드는 몸체; 상기 몸체 내에 배치되며 상기 제1 및 제2리드 프레임과 전기적으로 연결된 복수의 전극; 상기 복수의 전극 위에 탑재된 발광 칩; 및 상기 발광 칩 위에 몰딩 부재를 포함하는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 아래에 배치되며 상기 제1 및 제2리드 프레임과 전기적으로 연결된 제1 및 제2연결 전극; 및 상기 제1 및 제2연결 전극의 둘레에 절연성의 절연 부재를 포함하는 발광 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 또는 제2절연부재의 두께는 5㎛~7㎛ 범위로 형성되는 발광 모듈.
- 제1항 내지 제 17항 중 어느 한 항의 발광 모듈을 포함하는 조명 시스템.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020110140649A KR101896683B1 (ko) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템 |
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| KR1020110140649A KR101896683B1 (ko) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템 |
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| KR20130072994A true KR20130072994A (ko) | 2013-07-02 |
| KR101896683B1 KR101896683B1 (ko) | 2018-09-07 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR101896683B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160059144A (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003309292A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオードのメタルコア基板及びその製造方法 |
| JP4122743B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
| JP2011228380A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
-
2011
- 2011-12-22 KR KR1020110140649A patent/KR101896683B1/ko active IP Right Grant
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| KR20160059144A (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
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