JP2013084705A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア基板17の周囲に存在し、LED素子10をウェハー31から切り出す際の切りしろとなったストリートライン23の上に、遮光部材として金属膜11,12を配置した。金属膜11,12はスリット18で4分割している。また金属膜11,12は、p側及びn側の突起電極13,14のアンダーバンプメタル層である金属膜22と等しい材料からなっている。
【選択図】図2
Description
沿って強い発光が現れ好ましくない状況になることがある。
前記ストリートライン上に遮光部材を有することを特徴とする。
前記半導体発光素子が連結して配列したウェハーを準備する準備工程と、
前記ウェハーの前記ストリートラインに遮光部材を配置する遮光部材配置工程と、
前記ストリートラインに沿って前記ウェハーを切断し、前記半導体素子に個片化する個片化工程とを備えることを特徴とする。
共通電極膜を前記ウェハーに形成する共通電極膜形成工程と、
突起電極を形成する領域に開口部を備えた第1のレジスト膜を前記共通電極膜上に形成する第1レジスト膜形成工程と、
電解メッキ法により前記突起電極を形成するメッキ工程と、
前記レジスト膜を剥離した後、前記ストリートライン上に第2のレジスト膜を形成する第2レジスト膜形成工程と、
前記突起電極と前記第2のレジスト膜をエッチチングマスクとして前記共通電極膜をパターニングする共通電極パターニング工程と
を備えていても良い。
中間配線と前記ストリートライン上に配置する金属膜を同時に形成する中間配線パターニング工程と、
前記中間配線と接続する突起電極を形成する突起電極形成工程と
を備えていても良い。
(第1実施形態)
被覆されている。保護膜21は2個の開口部があり、p型半導体層15が保護膜21から露出する開口部では金属膜22(アンダーバンプメタル層)を介してp側突起電極13が接続している。同様にn型半導体層16が保護膜21から露出する開口部では金属膜12の一部(アンダーバンプメタル層)を介してn側突起電極14が接続している。
電極面側に向かう光が洩れたり、n側突起電極14で吸収されたりする。これに対し金属膜12をn側突起電極14と接続するようにしてn型半導体層16の露出部を覆わせるようにすると、前述の光がサファイア基板17側に戻るようになり、洩れ光による不具合も減り、さらに輝度が上昇する。
(第2実施形態)
層55は重なっている。図の右側も同様に金属膜52がストリートライン63及びp型半導体層55の端部を覆っている。
11,12,51,52…金属膜(遮光部材)、
13,53…p側突起電極、
14,54…n側突起電極、
15,55…p型半導体層、
16,56…n型半導体層、
17,57…サファイア基板(透明絶縁基板)、
18,58…スリット、
21,61,62…保護膜、
22…金属膜(アンダーバンプメタル層)、
23,63…ストリートライン、
31,81…ウェハー、
32…共通電極膜、
33…第1のレジスト膜、
34…第2のレジスト膜、
64…p側の中間配線、
65…n側の中間配線、
82,83,85,86…開口部、
84…Al層。
Claims (9)
- 透明絶縁基板上に形成された半導体層と、周囲に前記半導体発光素子をウェハーから切り出す際の切りしろとなったストリートラインとを備える半導体発光素子において、
前記ストリートライン上に遮光部材を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記遮光部材は金属膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記金属膜は少なくとも2分割していることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記金属膜はアルミニウムからなる反射層を含んでいることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体発光素子。
- 電解メッキ法で形成した接続用の突起電極を備え、前記金属膜が前記突起電極のアンダーバンプメタル層と等しい材料からなっていることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体層を被覆する保護膜と該保護膜上に形成される中間配線を備え、前記金属膜が前記中間配線と等しい材料からなっていることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
- 透明絶縁基板上に形成された半導体層と、周囲に前記半導体発光素子をウェハーから切り出す際の切りしろとなったストリートラインとを備える半導体発光素子の製造方法において、
前記半導体発光素子が連結して配列したウェハーを準備する準備工程と、
前記ウェハーの前記ストリートラインに遮光部材を配置する遮光部材配置工程と、
前記ストリートラインに沿って前記ウェハーを切断し、前記半導体素子に個片化する個片化工程とを備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記遮光部材配置工程が、
共通電極膜を前記ウェハーに形成する共通電極膜形成工程と、
突起電極を形成する領域に開口部を備えた第1のレジスト膜を前記共通電極膜上に形成する第1レジスト膜形成工程と、
電解メッキ法により前記突起電極を形成するメッキ工程と、
前記レジスト膜を剥離した後、前記ストリートライン上に第2のレジスト膜を形成する第2レジスト膜形成工程と、
前記突起電極と前記第2のレジスト膜をエッチチングマスクとして前記共通電極膜をパターニングする共通電極パターニング工程と
を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記遮光部材配置工程が、
中間配線と前記ストリートライン上に配置する金属膜を同時に形成する中間配線パターニング工程と、
前記中間配線と接続する突起電極を形成する突起電極形成工程と
を備えることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光素子の製造方法。
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