JP2014187196A - 窒化物半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体発光装置は、積層体、第1電極、第2電極、導電体層、および蛍光体層を有する。前記積層体は、第1導電形層を含む第1の層と、第2導電形層を含む第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に設けられた発光層と、を有し、窒化物半導体を含む。前記積層体は、中央部および外周部の少なくともいずれかに前記第1の層の表面から前記第2の層に到達する段差部を有する。前記第1電極は、前記第1の層の前記表面に設けられ、前記発光層からの放出光を反射する。前記第2電極は、前記発光層に囲まれるか、または前記発光層の周囲に設けられ前記段差部の底面に接続される。前記誘電体層は、前記発光層とは反対の側となる前記第2の層の面に設けられる。前記蛍光体層は、前記第2の層の前記面のうち前記導電体層の非形成領域および前記導電体層を覆う。
【選択図】図1
Description
図1(a)は第1の実施形態にかかる窒化物半導体発光装置の模式下面図、図1(b)はA−A線に沿った模式断面図、である。
なお、図1(a)は、図1(b)のB−B線における模式下面図である。窒化物半導体発光装置は、積層体16、第1電極24、第2電極20、導電体層42および蛍光体層40を有する。
なお、図2(a)は、図2(b)のB−B線における模式下面図である。窒化物半導体発光装置は、積層体16、第1電極24、第2電極20、導電体層42および蛍光体層40を有する。
なお、図3(a)はB−B線に沿った模式下面図である。第2の実施形態では、積層体116の第2の層110と蛍光体層140との間に透明導電膜が設けられない。n形GaNクラッド層110aの導電率は透明導電膜の導電率よりも低い。第2電極120からn形GaNクラッド層110aへ注入された電子JJ2は、第2電極120の近傍の発光層112には流れ込むが、積層体116の外周部側までは広がりにくい。
透明導電膜43は、第1の層10の面10eのほぼ全面に設けられている。積層体16は、その外周部の側にも第1の層14の表面から第2の層10の一部に到達する段差部16nを有する。中央部の段差部16mと外周部の段差部16nとは同じエッチング工程で形成可能であるDSを20μmとすると、積層体16の一方の辺L1は460μm、他方の辺L2は460μm、などとできる。
透明導電膜43の側面43eは、積層体16の外側面(外周部の側面でもある)16eよりも内側とすると、発光領域ER2は、第3の実施形態の発光領域ER1よりも内側と
でき側面光Gsを低減できる。このため、チップ周辺部での色むらをさらに抑制できる。
縦軸は光出力(mW)、横軸は電流(mA)をそれぞれ表す。
なお、図7(a)は、図7(b)のB−B線に沿った模式下面図である。第5の実施形態において、導電体層42としてメッシュ状金属層44が用いられる。メッシュ状金属層44は、第2電極20から第2の層10へ注入された電子を横方向に広げ発光層12へ供給する。メッシュ状金属層44は、Al/Auの積層金属層からなり、厚さが0.5μmかつ幅が8μmの細線を50μmなどの間隔で格子状に配置した構造などとする。第2電極20の中心が格子点となるように配置すると電流分布の対称性を保つことができる。なお、本図では、メッシュ状金属層44の最も外側の側面44eは、外周部の側面16eよりも内側に設けているが、面10eをほぼ覆ってもよい。
実線はn形GaNクラッド層10aの厚さが4μmである第5の実施形態の実施例1、破線はn形GaNクラッド層10aの厚さが2μmである第5の実施形態の実施例2、鎖線はメッシュ状金属層が設けられない比較例、をそれぞれ表す。
支持体30は、絶縁性を有し、凹部30cが設けられるものとする。支持体30の上面には第3電極30a、凹部30cの底面には第4電極30bが設けられる。第3電極30aの少なくとも一部および第4電極30bの少なくとも一部が積層体16の側面および蛍光体層40の側面から外側になるように配設することによる引き出し用電極として用いることができる。なお、第4電極30bと第2電極20とは、バンプ35などを用いと確実に接続できる。
支持体30は、絶縁性を有し、中央部には貫通孔が設けられるものとする。支持体30の上面には第3電極30aが設けられ、貫通孔には第4電極30bが充填される。第3電極30aの少なくとも一部が積層体16の側面および蛍光体層40の側面よりも外側になるように配設することにより、貫通孔を充填する第4電極30bと共に引き出し用電極として用いることができる。なお、第4電極30bと第2電極20とは、バンプ35などを用いと確実に接続できる。
窒化物半導体発光装置は、積層体16、第1電極24、第2電極20、透明導電膜43および蛍光体層40を有する。
なお、実線は、一方の辺の長さL3を400μm、他方の辺の長さL4を200μmとした第7の実施形態の場合、破線は透明導電膜が設けられない同一サイズの比較例の場合、をそれぞれ表す。電流が300mAのとき、第7の実施形態の光出力が略630mWと高いのに対して、比較例の光出力は略220mWと低い。また、透明導電膜43の側面43eが段差部の側面16eよりも内側とすることにより、チップ周辺部での色むらを抑制できる。
Claims (10)
- 第1導電形層を含む第1の層と、第2導電形層を含む第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に設けられた発光層と、を有し、窒化物半導体を含む積層体であって、前記発光層とは反対の側となる前記第1の層の表面から前記第2の層に到達する段差部を中央部および外周部にそれぞれ有する積層体と、
前記第1の層の前記表面に設けられ、前記発光層からの放出光を反射する第1電極と、
前記積層体の前記中央部に設けられた前記段差部の底面の前記第2の層の上に設けられた第2電極と、
前記発光層とは反対の側となる前記第2の層の面に設けられ、透明導電膜またはメッシュ状金属層である導電体層と、
前記第2の層の前記面のうち前記導電体層が形成されていない非形成領域と前記導電体層とを覆う蛍光体層と、
前記外周部に設けられた前記段差部の底面および側面を覆う遮光層と、
を備え、
前記導電体層の側面は、前記外周部に設けられた前記段差部の前記側面よりも内側である窒化物半導体発光装置。 - 第1導電形層を含む第1の層と、第2導電形層を含む第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に設けられた発光層と、を有し、窒化物半導体を含む積層体であって、中央部および外周部の少なくともいずれかに前記発光層とは反対の側となる前記第1の層の表面から前記第2の層の一部に到達する段差部を有する積層体と、
前記第1の層の前記表面に設けられ、前記発光層からの放出光を反射する第1電極と、
前記発光層に囲まれるか、または前記発光層の周囲に設けられ前記段差部の底面の前記第2の層の上に設けられた第2電極と、
前記発光層とは反対の側となる前記第2の層の面に設けられた導電体層と、
前記第2の層の前記面のうち前記導電体層が形成されていない非形成領域と前記導電体層とを覆う蛍光体層と、
を備えた窒化物半導体発光装置。 - 前記導電体層は、透明導電膜またはメッシュ状金属層である請求項2記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記段差部は、前記中央部および前記外周部に設けられ、
前記第2電極は、前記発光層に囲まれた請求項2または3に記載の窒化物半導体発光装置。 - 前記外周部に設けられた前記段差部の底面および側面を覆う遮光層をさらに備えた請求項4記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記導電体層の側面は、前記積層体の外側面よりも内側である請求項2〜4のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記段差部は、前記外周部に設けられ、
前記第2電極は、前記段差部の前記底面の前記第2の層の上に設けられた請求項2または3に記載の窒化物半導体発光装置。 - 前記導電体層の側面は、前記積層体の外側面よりも内側である請求項7記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記第2の層の前記面には、凹凸が設けられた請求項1〜8のいずれか1つに窒化物半導体発光装置。
- 第1導電形層は、p形層であり、
第2導電形層は、n形である請求項1〜9のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016076685A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
WO2016158111A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US11959632B2 (en) | 2018-12-27 | 2024-04-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and method for using light-emitting device |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5553292B1 (ja) * | 2013-12-03 | 2014-07-16 | エルシード株式会社 | Led素子 |
CN112838079B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-06-10 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示模组及其制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009054688A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Kyocera Corp | 発光素子 |
JP2011071272A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2011187958A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
WO2011125311A1 (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | パナソニック株式会社 | 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置 |
JP2013012709A (ja) * | 2011-05-31 | 2013-01-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物系発光ダイオード素子および発光方法 |
JP2013030817A (ja) * | 2012-11-07 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3713124B2 (ja) | 1997-05-15 | 2005-11-02 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製法 |
JP2004055646A (ja) | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光ダイオード素子のp側電極構造 |
US7667236B2 (en) * | 2003-12-24 | 2010-02-23 | Lumination Llc | Optimized contact design for thermosonic bonding of flip-chip devices |
JP4836410B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2011-12-14 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP4792751B2 (ja) | 2005-01-26 | 2011-10-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2007027539A (ja) | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびこれを用いた照明装置 |
JP4961887B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2012-06-27 | 豊田合成株式会社 | 固体素子デバイス |
JP2007073789A (ja) | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子用電極 |
TWI284430B (en) * | 2005-10-13 | 2007-07-21 | Advanced Optoelectronic Tech | High power light emitting diodes |
CN101473457B (zh) * | 2006-07-05 | 2012-06-27 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光元件 |
JP2009059969A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法 |
JP4892445B2 (ja) | 2007-10-01 | 2012-03-07 | 昭和電工株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2010080817A (ja) | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
JP2010092957A (ja) | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Panasonic Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP5375041B2 (ja) | 2008-11-13 | 2013-12-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2010171376A (ja) | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
WO2010074288A1 (ja) | 2008-12-28 | 2010-07-01 | 有限会社Mtec | 高電圧駆動の発光ダイオードモジュール |
JP2010225771A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP5246199B2 (ja) | 2010-03-31 | 2013-07-24 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2011071339A (ja) | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
KR100974787B1 (ko) * | 2010-02-04 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR101630152B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2016-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 하이브리드 발광다이오드 칩과 이를 포함하는 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 |
JP2012114184A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
JP5669548B2 (ja) | 2010-12-08 | 2015-02-12 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子 |
US9155146B2 (en) * | 2012-09-07 | 2015-10-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light source apparatus and light emitting diode package |
KR20140134420A (ko) * | 2013-05-14 | 2014-11-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-03-22 JP JP2013061123A patent/JP5814968B2/ja active Active
- 2013-09-02 US US14/016,182 patent/US9214605B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009054688A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Kyocera Corp | 発光素子 |
JP2011071272A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2011187958A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
WO2011125311A1 (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | パナソニック株式会社 | 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置 |
JP2013012709A (ja) * | 2011-05-31 | 2013-01-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物系発光ダイオード素子および発光方法 |
JP2013030817A (ja) * | 2012-11-07 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016076685A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
WO2016158111A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US11959632B2 (en) | 2018-12-27 | 2024-04-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and method for using light-emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20140284638A1 (en) | 2014-09-25 |
US9214605B2 (en) | 2015-12-15 |
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