TWI419379B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

半導體發光裝置及其製造方法 相關申請案之交互參考
本申請案係根據2009年9月25日所提出之前日本專利申請案2009-220434號並請求其優先權，在此併提其全文以供參考。
本發明係有關半導體發光裝置及製造該裝置之方法。
習知有一種波長轉換發光二極體，其藍色發光元件係與螢光體相組合而產生白光。例如，日本專利案第JP-A 2005-4-116998(公開)號述及一種製造方法，其中，形成螢光層於包含許多LED之晶圓的上表面上，而後，將晶圓切割成個別晶片。然而，於此情況下，自發光元件之側表面發射出的光不會通過螢光層，且藍光係自側表面發射出。因此，難以如所欲地產生白光。
根據本發明之一態樣，提供有一種半導體發光裝置，其包括：半導體層，包含發光層，並具有第一主要表面以及與該第一主要表面相對之第二主要表面；螢光層，面對該第一主要表面；互連層，係設在該第二主要表面側上，並包含導體及絕緣體；以及光阻擋構件，係設在該半導體層之側表面上，並對從該發光層發射出之光而言為不透光的。
根據本發明之另一態樣，提供有一種半導體發光裝置之製造方法，包括：形成包含發光層之半導體層於基板之主要表面上；形成溝槽，該溝槽將該基板上之該半導體層劃分成複數個；形成包含導體及絕緣體之互連層於基該半導體層之第二主要表面上，該第二主要表面與接觸該基板之第一主要表面相對；形成光阻擋構件於該半導體層之露出於該溝槽的側表面上，該光阻擋構件對從該發光層發射出之光而言為不透光的；以及形成螢光層於該半導體層之該第一主要表面上。
現在將參考圖式來說明本發明之實施例。
第1圖為依據第一實施例之半導體發光裝置的示意剖面視圖。
依據本實施例之半導體發光裝置包含發光元件15及互連層，它們係共同以晶圓狀態的形式而被形成。發光元件15包含第一半導體層13及第二半導體層14。第二半導體層14具有發光層(或主動層)係夾在p型包覆層與n型包覆層間之構造。第一半導體層13如圖所示為n型且用作為橫向電流路徑。然而，第一半導體層13之導電型並不限於n型，而是亦可為p型。
第一半導體層13之第一主表面用作為光萃取表面12。第二半導體層14係選擇性地設置在與光萃取表面12相反之第二主要表面上。因此，第二半導體層14之平面尺寸小於第一半導體層13之平面尺寸。
n側電極16係設置在第一半導體層13之第二主要表面的一部分上，其中，並未設置第二半導體層14。p側電極17係設置在第二半導體層14之一表面上，而該表面與和其接觸第一半導體層13之表面相向。
絕緣膜21係插設於n側電極16的端部與p側電極17的端部之間。此外，n側電極16及p側電極17之表面係覆蓋有絕緣膜22。舉例來說，絕緣膜21係由氧化矽所製成，且絕緣膜22係由聚醯亞胺所製成。氧化矽具有比聚醯亞胺更高之絕緣性能。因此，氧化矽之插設於n側電極16的端部與p側電極17的端部之間確保防止n側電極16與p側電極17之間的短路，以達成高可靠性。於本實施例中，氧化矽及聚醯亞胺兩者均對發光層所發射出之光而言為透明的。
互相分開之n側互連41及p側互連42係形成在絕緣膜22之一表面上，該表面和其與n側電極16及p側電極17接觸之表面相向。n側互連41亦被設置在開口23中，而該開口23係形成於絕緣膜22中以便到達n側電極16，且n側互連41係電連接至n側電極16。p側互連42亦被設置在開口24中，而該開口24係形成於絕緣膜22中以到達p側電極17，且p側互連42係電連接至p側電極17。例如，n側互連41及p側互連42係藉由電解電鍍來予以形成，其中形成在絕緣膜22之表面及開口23,24之內壁上的晶種金屬(seed metal)40被用作為電流路徑。
n側電極16、p側電極17、n側互連41、p側互連42及絕緣膜22均被設置在發光元件15中之光萃取表面12的對向側上，並構成互連層。此互連層如稍後所述，係以晶圓狀態的方式而被共同形成。
第1圖所示半導體發光裝置係為晶圓狀態所切割出之單切的一個半導體發光裝置。第一半導體層13之並未設置有第二半導體層14的部分在晶圓狀態下被第一絕緣溝槽31及第二絕緣溝槽32所分割。第一絕緣溝槽31用作為劃線，且藉由沿第一絕緣溝槽31分割而進行單切(singulation)。
第二絕緣溝槽32係形成於第一半導體層13之在第一絕緣溝槽31附近的端部中。第二絕緣溝槽32係形成於被用作為劃線之第一絕緣溝槽31所包圍之區域的內部中。對由發光層所發射出之光而言為不透光的阻擋構件35係設置在第二絕緣溝槽32中。光阻擋構件35係由與n側互連41及p側互連42相同之金屬材料所製成。晶種金屬40亦被形成於第二絕緣溝槽32中，且構成光阻擋構件35之金屬亦同時在用以形成n側互連41及p側互連42之電解電鍍期間被形成。在此，形成於第二絕緣溝槽32中的晶種金屬40亦用作為光阻擋構件。
構成光阻擋構件35(包含晶種金屬40)之金屬與p側互連42分離且電氣斷開。光阻擋構件35可或不可被連接至n側互連41。若光阻擋構件35被連接至n側互連41，則光阻擋構件35亦用作為用以供電給第一半導體層13之n側互連41。亦即，電流可透過n側電極16而被供應至第一半導體層13，其被連接至第二絕緣溝槽32之側壁中的光阻擋構件35。
第2A圖顯示第二絕緣溝槽32之平面佈局。第一半導體層13被第二絕緣溝槽32分割成發光區81及其外側之非發光區82。於發光區81中，n側電極16係連接至n側互連41，p側電極17係連接至p側互連42，且電流透過其而被供應至發光元件15。因此，發光區81發射光。非發光區82為第一半導體層13，其仍像是第一絕緣溝槽31與第二絕緣溝槽32間之框架(frame)。非發光區82不包括包含發光層之第二半導體層14，亦不被連接至n側互連41及p側互連42。因此，非發光區82不發射光。
第二絕緣溝槽32就像框架般包圍發光區81。光阻擋構件35係設置在第二絕緣溝槽32中，且光阻擋構件35圍繞並覆蓋發光區81之鄰接第二絕緣溝槽32的側表面13a。
再度參考第1圖，n側金屬柱43係設置在n側互連41的下方。p側金屬柱44係設置在p側互連42的下方。n側金屬柱43的周圍、p側金屬柱44的周圍、n側互連41、p側互連42及光阻擋構件35係覆蓋有密封樹脂51。
此外，密封樹脂51的一部分亦被充填入第一絕緣溝槽31中。第一絕緣溝槽31中的密封樹脂51覆蓋第一半導體層13之鄰接第一絕緣溝槽31的末端表面13b。此外，如第2A圖所示，第一絕緣溝槽31中的密封樹脂51從設置在第二絕緣溝槽32中之光阻擋構件35的外側包圍發光區81之側表面13a。密封樹脂51為含有諸如碳黑之顏料成分的樹脂，並且對從該發光層發射出之光而言為不透光的。因此，第一絕緣溝槽31中的密封樹脂51亦用作為光阻擋構件。因此，發光區81之側表面13a被光阻擋構件所雙重包圍。
第一半導體層13透過n側電極16及n側互連41而被電連接至n側金屬柱43。第二半導體層14透過p側電極17及p側互連42而被電連接至p側金屬柱44。諸如焊球或金屬凸塊之未圖示出的外部端子係形成於從密封樹脂51露出之n側金屬柱43及p側金屬柱44的下側末端表面上，且上述之互連層及發光元件15可透過外部端子而被連接至外部電路。
於本實施例之結構中，即使發光元件15(第一半導體層13及第二半導體層14之多層體)係薄的，其機械強度仍可藉由加厚n側金屬柱43、p側金屬柱44及密封樹脂51來予以維持。此外，n側金屬柱43及p側金屬柱44可在裝置被安裝於電路板等上時，透過外部端子來吸收及釋放施加於發光元件15上之應力。較佳地，用來支撐n側金屬柱43及p側金屬柱44之密封樹脂51具有等於或接近電路板等之熱膨脹係數的熱膨脹係數。此一密封樹脂51之例子包含環氧樹脂、矽樹脂及氟樹脂。
n側互連41、p側互連42、n側金屬柱43、p側金屬柱44及光阻擋構件35可由諸如銅、金、鎳及銀如此之金屬所製成。其中，更佳係使用銅，銅具有良好導熱性、高遷移抗性以及和絕緣膜21及22間的優異接觸。
於發光元件15中，在和其上設置有互連層之第二主表面相對向之光萃取表面12上，螢光層61係設置而與光萃取表面12對向。螢光層61可吸收來自發光層的光，並發射經波長轉換的光。因此，可發射出來自發光層的光與螢光層61之經波長轉換的光混合光。例如，對氮化物發光層而言，可獲得白色、白熾色等作為例如來自發光層之藍光與黃光之混合顏色，該黃光為黃色螢光層61之經波長轉換的光。
依據本發明之實施例，第一半導體層13之用作為發光區之部分的側表面13a係覆蓋有光阻擋構件35。這可防止來自側表面13a的漏洩光不通過螢光層61或僅略微通過而被發射到外面。因此，可將具有所想要之色澤的白光萃取到外面。
此外，光阻擋構件35具金屬性，並反射由發光層所發射之光。因此，由發光層所發射及在第一半導體層13中朝向側表面13a行進之光可被光阻擋構件35所反射，並使之朝向其上係設置有螢光層61之光萃取表面12行進。這用來抑制亮度的減少。
第二半導體層14之側表面13a係覆蓋有絕緣膜21，其如圖示為矽氧化物膜並且對由發光層所發射之光而言為透明的。然而，光阻擋構件35亦被設置在與第二半導體層14之側表面相對向的位置處，並包圍第二半導體層14之側表面。又在其外面，設置有對從該發光層發射出之光而言為不透明之密封樹脂51。因此，沒有光自第二半導體層14之側表面漏洩到外面。
其次，參考第3A至6C圖來說明依據本實施例之半導體發光裝置的製造方法。
首先，如第3A圖所示，第一半導體層13係形成在基板11之主要表面上，且第二半導體層14係形成於其上。第一半導體層13之與基板11之主要表面相接觸的主要表面用作為光萃取表面12。例如，於發光層係由氮化物半導體所製成的情況中，第一半導體層13及第二半導體層14可被晶體生長於藍寶石基板上。接著，使用未圖示出之抗蝕劑遮罩來使第二半導體層14圖案化，其如第3B圖所示，係選擇性地留在第一半導體層13上。
其次，如於第3C圖中所示，p側電極17係形成於第二半導體層14上，且n側電極16係形成於第一半導體層13之不存在有第二半導體層14的部分上。
其次，如於第4A圖中所示，第一絕緣溝槽31及貫穿n側電極16及第一半導體層13而至基板11之主要表面的第二絕緣溝槽32係形成於第二半導體層14之間。第一絕緣溝槽31及第二絕緣溝槽32如圖所示係藉由使用未圖示出之遮罩的RIE(反應離子蝕刻)程序來予以形成。替代地，第一絕緣溝槽31及第二絕緣溝槽32可藉由雷射灼燒形成。
此等第一絕緣溝槽31及第二絕緣溝槽32在基板11之主要表面上將第一半導體層13分成複數個。如同於第2B圖中所示，第一絕緣溝槽31係形成如晶格。如同以上參考第2A圖所述者，第二絕緣溝槽32係如框架般地形成於第一絕緣溝槽31之內，且第二絕緣溝槽32之內的部分用作為發光區81。
其次，如於第4B圖中所示，絕緣膜21係形成於p側電極17的端部與n側電極16的端部之間，並進一步形成有覆蓋p側電極17及n側電極16之絕緣膜22。絕緣膜22亦被設置在第一絕緣溝槽31及第二絕緣溝槽32中。接著，於絕緣膜22中形成到達p側電極17之開口24及到達n側電極16之開口23。此外，移除第二絕緣溝槽32中的絕緣膜22。第一絕緣溝槽31保持充填有絕緣膜22。
其次，晶種金屬40係整體形成於諸如絕緣膜22之上表面、開口23、24之內壁及第二絕緣溝槽32之內壁的露出部分上。接著，形成未圖示出之電鍍抗蝕劑，而後使用晶種金屬40作為電流路徑而進行電解電鍍。
因此，如於第4C圖中所示，形成連接至p側電極17之p側互連42於開口24中及其周圍之絕緣膜22上，並形成連接至n側電極16之n側互連41於開口23中及其周圍之絕緣膜22上。而且，形成光阻擋構件35於第二絕緣溝槽32中。
其次，形成未圖示出之電鍍抗蝕劑，而後使用晶種金屬40作為電流路徑而進行電解電鍍，以便如第5A圖所示地形成p側金屬柱44在p側互連42上，及形成n側金屬柱43在n側互連41上。接著，移除晶種金屬40之露出部分，以破壞在p側互連42與n側互連41之間透過晶種金屬40的電連接，並破壞在p側互連42與光阻擋構件35之間透過晶種金屬40的電連接。
其次，在移除第一絕緣溝槽31中的絕緣膜22之後，如於第5B圖中所示，基板11上之結構係覆蓋有密封樹脂51。密封樹脂51係充填於p側金屬柱44與n側金屬柱43之間，並進一步充填於光阻擋構件35上及第一絕緣溝槽31中。
在獲得第5B圖的結構之後，繼續進行第6A圖之程序。於第6A至6C圖中，顯示基板11與其上之結構間的垂直位置關係相對於第5A至5B圖者為倒反。
第6A圖顯示藉由雷射剝離法來剝離基板11之方法。從基板11之後表面側，即與其上形成有第一半導體層13之主要表面的一側相對向，朝向第一半導體層13施加雷射光L。雷射光L具有透射過基板11並落在第一半導體層13之吸收區中的波長。
當雷射光L到達基板11與第一半導體層13之間的介面時，介面附近之第一半導體層13藉由吸收雷射光L之能量而被分解。例如，於第一半導體層13係由GaN所構成的情況下，其被分解成Ga及氮氣。Ga殘留在第一半導體層13側。此分解反應形成小間隙於基板11與第一半導體層13之間，且第一半導體層13與基板11彼此分離。
此外，設置於第一絕緣溝槽31中之密封樹脂51與設置在第二絕緣溝槽32中之光阻擋構件35亦藉由接收雷射光L之能量而與基板11分離。
在遍及晶圓之預定區域上進行多次以雷射光L來照射以剝離基板11。在基板11被剝離之後，如第6B圖所示，形成螢光層61於光萃取表面12上。於光萃取表面12與螢光層61之間沒有基板11用來增加光萃取效率。
接著，藉由沿著用作為劃線之第一絕緣溝槽31而切割，如第6C圖所示，從晶圓狀態進行單切。切割的方式可例示地為使用鑽石刀片等、雷射照射或高壓水之機器切割。替代地，亦可藉由沿著第一絕緣溝槽31施加應力於其上來分割。於切割時，基板11業已被移除，其有助於單切。
上述直到切割為止之程序各自均共同在晶圓狀態下進行，其致使可低成本地製造。此外，包含互連層、密封樹脂51、金屬柱43及44等等之封裝組件結構均形成於晶圓層級。這有助於減小尺寸，其中，半導體發光裝置之整體平面尺寸接近裸晶(發光元件15)之平面尺寸。
在此，若第二絕緣溝槽32係埋入基板11中，則光阻擋構件(金屬)35係埋入基板11中，其可能在雷射剝離時會干擾光阻擋構件35與基板11之間的分離。因此，考慮到有助於光阻擋構件35與基板11間的分離，較佳地，第二絕緣溝槽32僅貫穿第一半導體層13而未被形成於基板11中。同樣地，考慮到有助於在第一絕緣溝槽31中與密封樹脂51與基板11之間的分離，較佳地，第一絕緣溝槽31僅貫穿第一半導體層13而不被形成於基板11中。
如圖所示，對各個發光元件15進行雷射光L之照射。此時，雷射光L之照射範圍的邊緣70係位於第一絕緣溝槽31中。於第6A及2B圖中，以虛線表示雷射光L之照射範圍的邊緣70。邊緣70內之大致矩形區係雷射光照射範圍之一照射區。
雷射光L之強度在雷射光L之照射範圍的邊緣70處比在其內部區域傾向更為減弱。因此，較佳地，雷射光L之照射範圍的邊緣70以比金屬更低之能量而被定位在與基板11分離之樹脂中。因此，於本實施例中，第一絕緣溝槽31係進一步形成在其內設置有光阻擋構件35之第二絕緣溝槽32的外側，且密封樹脂51係設置在第一絕緣溝槽31中。藉由將此密封樹脂51中之雷射光L之照射範圍的邊緣70定位於第一絕緣溝槽31中，甚至在強度傾向減弱的邊緣70處，基板11仍可很容易地被剝離，並可增加可製造性。
在以雷射光L來照射時，由於第一半導體層13被快速地分解，所以會產生蒸氣。此時，高壓氣體可能影響發光元件15並造成破裂、晶體轉移(transition)、斷裂等。由第一半導體層13之分解所產生之氣體可透過形成於基板11與第一半導體層13之間的間隙而在平面方向上擴散。然而，由於雷射光L之照射範圍的外側並未被雷射加熱，且保持為固相，所以此固相部分限制氣體之擴散，並傾向在照射範圍之邊緣70處增加氣壓。此外，大的應力可能例如因雷射光L的照射部分與非照射部分間之能量、溫度及相位的差異而作用在雷射光L之照射範圍的邊緣70。因此，發光元件15特別是在雷射光L之照射範圍的邊緣70處傾向受損。
然而，於本實施例中，如同以上所述，以雷射光L之照射係藉位於第一絕緣溝槽31中之雷射光L之照射範圍的邊緣70來進行。半導體層13及14並不存在於第一絕緣溝槽31中，且因而可防止對半導體層13及14的損害。此外，第一半導體層13之鄰接第一絕緣溝槽31的部分為藉由第二絕緣溝槽32而與發光區分開之非發光區。因此，若有的話，任何對該部分之損害並不會影響發光元件15之特性。此外，第一絕緣溝槽31與第二絕緣溝槽32間之半導體層13用作為在雷射剝離及切割期間對抗應力及撞擊之緩衝層，並可舒緩施加於發光區之應力及撞擊。在此，本發明並不限於將半導體層13留在第一絕緣溝槽31與第二絕緣溝槽32之間，而是可形成空洞於其間。
替代地，如同在第7A及7B圖所示之第二實施例的結構中，密封樹脂51可覆蓋由金屬所製成之光阻擋構件36的正外側。
於此情況下，如同於第7A圖中所示，形成用以在晶圓狀態下分割第一半導體層13之絕緣溝槽37。接著，當使用晶種金屬40作為電流路徑，藉由電解電鍍來形成n側互連41及p側互連42時，亦沉積金屬於第一半導體層13之鄰接絕緣溝槽37的側表面上，以形成光阻擋構件36。接著，當形成密封樹脂51時，亦將密封樹脂51充填於絕緣溝槽37中。然後，如同於第7B圖中所示，藉由切割絕緣溝槽37中之密封樹脂51的部分來進行單切。
亦於本實施例中，第一半導體層13及第二半導體層14之側表面係覆蓋有光阻擋構件36，且又於其外側設置對從該發光層發射出之光而言為不透光之密封樹脂51。這可防止來自第一半導體層13及第二半導體層14之側表面的光不通過螢光層61或僅略微通過而被發射到外面而漏光。因此，可將具有所想要之色澤的白光萃取到外面。
此外，在雷射剝離之時，藉由將雷射光L之照射範圍的邊緣定位於絕緣溝槽37中的密封樹脂51內，甚至在雷射光L之照射範圍的邊緣(在此，其強度傾向減弱)，基板11仍可很容易被剝離，並可增加其可製造性。
此外，覆蓋光阻擋構件36之密封樹脂51用作為在雷射剝離及切割期間對抗應力及撞擊之緩衝層，並可舒緩施加於第一半導體層13及第二半導體層14之應力及撞擊。
其次，參考第8A至8C圖來說明本發明之第三實施例。
於本實施例中，基板11不被完全移除，但被硏磨且留下薄薄的一層。此外，於本實施例中，如同於第8A圖中所示，第一絕緣溝槽31被挖入基板11之在主表面側上的部分中。
在形成密封樹脂51之後，從基板11之後表面側硏磨基板11。如同於第8B圖中所示，進行此硏磨直到到達形成於基板11之主表面側上的第一絕緣溝槽31為止。例如，留下約數十μm的基板11。
接著，如同於第8C圖中所示，藉由沿著第一絕緣溝槽31來切割而進行單切。於本實施例中，藉由薄化及留下基板11，可以比其中完全移除基板11的結構達成更高的機械強度，因而獲得更可靠的結構。此外，殘留之基板11可防止在單切之後的翹曲，其有助於安裝在電路板等上。
第一絕緣溝槽31亦被形成入基板11之主要表面側中，且基板11之後表面被硏磨至第一絕緣溝槽31。因此，如同第8B圖所示，基板11被第一絕緣溝槽31所分割。因此，沒有剛性基板11之部分藉由沿著第一絕緣溝槽31切割而被切出，其可增加生產量。
如同於第9A圖中所示，第一半導體層的側表面可僅覆蓋有用作為光阻擋構件39之金屬。於第9A圖之結構中，形成用以在晶圓狀態中分割第一半導體層13之絕緣溝槽38。於形成n側互連41及p側互連42之電解電鍍期間，亦沉積金屬於絕緣溝槽38中，以形成覆蓋第一半導體層13之側表面的光阻擋構件39。
因此，第一半導體層13之側表面係覆蓋有反射由發光層所發射出之光的金屬。因此，由發光層所發射及在第一半導體層13中朝向側表面行進之光可被光阻擋構件39所反射，並使之朝向其上設置有螢光層61之光萃取表面12而行進。這用來抑制亮度的減弱。
作為替代的結構，如同於第9B圖中所示，第一半導體層的側表面可僅覆蓋有用作為光阻擋構件之密封樹脂51。於第9B圖之結構中，形成用以在晶圓狀態中分割第一半導體層13之絕緣溝槽38。接著，當形成密封樹脂51時，亦充填密封樹脂51於絕緣溝槽38中。
在雷射剝離之時，藉由將雷射光L之照射範圍的邊緣定位於絕緣溝槽38中的密封樹脂51內，甚至在雷射光L之照射範圍的邊緣(在此，其強度傾向減弱)，基板11仍可很容易地被剝離，並可增加其可製造性。
業已參考例子來說明本發明之實施例。然而，本發明並不限於此，而是可在本發明的精神之內作種種修改。熟於本技藝人士可對基板之材料、大小、佈局等、發光元件、電極、互連層、金屬柱、絕緣膜及密封樹脂作種種修改，且此等修改只要不違離本發明的精神，即亦涵蓋在本發明的範圍內。
12．．．光萃取表面
13．．．第一半導體層
13a．．．側表面
13b．．．末端表面
14．．．第二半導體層
15．．．發光元件
16．．．n側電極
17．．．p側電極
21．．．絕緣膜
22．．．絕緣膜
23,24．．．開口
31．．．第一絕緣溝槽
32．．．第二絕緣溝槽
35．．．光阻擋構件
38．．．絕緣溝槽
39．．．光阻擋構件
40．．．晶種金屬
41．．．n側互連
42．．．p側互連
43．．．n側金屬柱
44．．．p側金屬柱
51．．．密封樹脂
61．．．螢光層
70．．．邊緣
81．．．發光區
82．．．非發光區
第1圖係依據本發明第一實施例之半導體發光裝置的示意剖面視圖；
第2A及2B圖係顯示半導體發光裝置之組件之平面佈局的示意圖；
第3A至6C圖係顯示半導體發光裝置之製造方法的示意剖面視圖；
第7A及7B圖係顯示依據本發明第二實施例之半導體發光裝置的製造方法之示意剖面視圖；
第8A至8C圖係顯示依據本發明第三實施例之半導體發光裝置的製造方法之示意剖面視圖；以及
第9A及9B圖係顯示依據本發明另一實施例之半導體發光裝置的示意剖面視圖。
12．．．光萃取表面
13．．．第一半導體層
13a．．．側表面
13b．．．終端表面
14．．．第二半導體層
15．．．發光元件
16．．．n側電極
17．．．p側電極
21．．．絕緣膜
22．．．絕緣膜
23,24．．．開口
31．．．第一絕緣溝槽
32．．．第二絕緣溝槽
35．．．光阻擋構件
40．．．種子金屬
41．．．n側互連
42．．．p側互連
43．．．n側金屬柱
44．．．p側金屬柱
51．．．密封樹脂
61．．．螢光層

Claims (32)

  1. 一種半導體發光裝置，包括：第一半導體層，具有第一主要表面及與該第一主要表面相對之第二主要表面；第二半導體層，係設置於該第一半導體層之該第二主要表面上，並且包含發光層；n側電極，係設置於該第一半導體層之該第二主要表面上；p側電極，係設置於該第二半導體層之表面上，該表面為該第一半導體層之相對側；絕緣膜，係設置於該p側電極和該n側電極上，該絕緣膜具有到達該p側電極之第一開口和到達該n側電極之第二開口；p側互連，係設置於該絕緣膜上，且被設置於該第一開口中，該p側互連係連接至該p側電極；n側互連，係設置於該絕緣膜上，且被設置於該第二開口中，該n側互連係連接至該n側電極；p側金屬柱，係設置於該p側互連上，該p側金屬柱具有第一露出端面；n側金屬柱，係設置於該n側互連上，該n側金屬柱具有第二露出端面；螢光層，面對該第一主要表面；以及光阻擋構件，係設置在該第一半導體層之外側，並對從該發光層所發射出之光而言係不透光的。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，於平面觀視時，該光阻擋構件係設置成圍繞該第一半導體層。
  3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二半導體層之平面尺寸係小於該第一半導體層之平面尺寸；該n側互連係電連接該第一半導體層和該光阻擋構件，且該p側互連係電連接該第二半導體層。
  4. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中該第二半導體層之平面尺寸係小於該第一半導體層之平面尺寸；該n側互連係電連接該第一半導體層和該光阻擋構件，且該p側互連係電連接該第二半導體層。
  5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第二半導體層之平面尺寸係小於該第一半導體層之平面尺寸；該n側互連係電連接該第一半導體層，且該p側互連係電連接該第二半導體層，並與該光阻擋構件分離。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該光阻擋構件包含：金屬，經由絕緣體而覆蓋該第二半導體層之側表面；以及樹脂，圍繞該金屬外側之該側表面。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包括：密封樹脂，覆蓋該p側金屬柱和該n側金屬柱的周 圍。
  8. 如申請專利範圍第7項之裝置，其中，該密封樹脂的一部分覆蓋該第一半導體層之該側表面，作為該光阻擋構件。
  9. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，劃分該第一半導體層之溝槽係形成於該第一半導體層之端部中，且金屬係設置在該溝槽中，作為該光阻擋構件。
  10. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中，在該溝槽外之該半導體層的端面係覆蓋有對從該發光層所發射出之光而言為不透光的樹脂。
  11. 一種半導體發光裝置，包括：包含發光層之半導體層，該半導體層具有第一主要表面及與該第一主要表面相對之第二主要表面；n側電極和p側電極，係設置於該半導體層上；n側互連層，係連接至該n側電極；p側互連層，係連接至該p側電極；樹脂，係設置成與該n側互連層和該p側互連層相接觸於該n側互連層與該p側互連層之間；光阻擋構件，係設置在該半導體層之外側；以及螢光層，面對該第一主要表面，基板並未被配置在該螢光層與該半導體層之間。
  12. 一種半導體發光裝置，包括：包含發光層之半導體層，該半導體層具有第一主要表面及與該第一主要表面相對之第二主要表面； n側電極和p側電極，係設置於該半導體層上；n側互連層，係連接至該n側電極；p側互連層，係連接至該p側電極；樹脂，係設置成與該n側互連層和該p側互連層相接觸於該n側互連層與該p側互連層之間；光阻擋構件，係設置在該半導體層之外側；以及螢光層，面對該第一主要表面，其中，該半導體層係形成於基板上並且與該基板分離。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，該光阻擋構件包含金屬。
  14. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，該光阻擋構件包含樹脂。
  15. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，該光阻擋構件包含金屬，並且該金屬之側表面並未露出於該半導體發光裝置之外側上。
  16. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，設置於該n側互連層與該p側互連層之間的該樹脂對從該發光層所發射出之光而言係不透光的。
  17. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中n側互連層包含設置於該n側電極上之n側互連及設置於該n側互連上之n側金屬柱，及p側互連層包含設置於該p側電極上之p側互連及設置於該p側互連上之p側金屬柱。
  18. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中，該n側互連的一部分延伸至該半導體層之側表面，作為該光阻擋構件。
  19. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中，該n側互連、該p側互連、該n側金屬柱和該p側金屬柱含有銅。
  20. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，該n側互連層和該p側互連層包含設置於該半導體層側上之晶種金屬，且該晶種金屬的一部分係設置作為該光阻擋構件。
  21. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，該樹脂覆蓋該n側互連層和該p側互連層的周圍。
  22. 如申請專利範圍第21項之裝置，其中，該樹脂對從該發光層所發射出之光而言係不透光的，且該樹脂係設置作為該光阻擋構件。
  23. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，另包括設置於該n側互連層和該p側互連層上的外部端子。
  24. 如申請專利範圍第23項之裝置，其中，該外部端子為焊球或金屬凸塊。
  25. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中，該半導體層係形成於基板上並且與該基板分離。
  26. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，另包括設置於該n側電極和該p側電極上的絕緣膜，該絕緣膜具有到達該n側電極之第一開口和到達該p側電極之第二開口，且其中 該n側互連層係設置於該第一開口中，且該p側互連層係設置於該第二開口中。
  27. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中，該n側金屬柱、該p側金屬柱、和設置於該n側金屬柱與該p側金屬柱之間的該樹脂係比該半導體層更厚。
  28. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，另包括具有第三主要表面之螢光層，該第三主要表面面對該第一主要表面，且其中該光阻擋構件係設置在該螢光層的該第三主要表面之下。
  29. 如申請專利範圍第12項之裝置，其中，該基板並未被配置在該螢光層與該半導體層之間。
  30. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，該半導體層為在該基板上所生長的晶體。
  31. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，該n側電極和該p側電極係設置於該第二主要表面上。
  32. 如申請專利範圍第11或12項之裝置，其中，該基板並未被配置在該第一主要表面上。
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