CN113594323A - 发光二极管封装体 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装体包含二第一金属电极层、二第二金属电极层、至少一发光二极管芯片以及一同质的封装胶体。二第二金属电极层分别位于二第一金属电极层的顶面上，且每一第二金属电极层的面积均小于每一第一金属电极层的面积。发光二极管芯片位于二第二金属电极层至少其中的一者上。同质的封装胶体包覆二第一金属电极层、二第二金属电极层以及发光二极管芯片，封装胶体可被发光二极管芯片发出的光线穿透。

Description

发光二极管封装体
技术领域
本发明是关于一种发光二极管封装体。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是半导体材料制成的发光元件，可 将电能转换成光，其具有体积小、能量转换效率高、寿命长、省电等优点，因 此广泛应用于各式电子装置的光源。
当多个发光二极管用作显示器的背光源时，如何使背光模块减少亮暗不均 的现象是各供应商亟欲解决的问题。
发明内容
本发明提出一种创新的发光二极管封装体，解决先前技术的问题。
于本发明的一实施例中，一种发光二极管封装体包含二第一金属电极层、 二第二金属电极层、至少一发光二极管芯片以及一同质的封装胶体。二第二金 属电极层分别位于二第一金属电极层的顶面上，且每一第二金属电极层的面积 均小于每一第一金属电极层的面积。发光二极管芯片位于二第二金属电极层至 少其中的一者上。同质的封装胶体包覆二第一金属电极层、二第二金属电极层 以及发光二极管芯片，封装胶体可被发光二极管芯片发出的光线穿透。
于本发明的一实施例中，每一第二金属电极层的长度与宽度分别小于每一 第一金属电极层的长度与宽度。
于本发明的一实施例中，二第二金属电极层之间的距离小于二第一金属电 极层之间的距离。
于本发明的一实施例中，二第二金属电极层其中一者的面积大于其中另一 者的面积。
于本发明的一实施例中，发光二极管封装体还包含一齐纳二极管，齐纳二 极管位于面积较小的第二金属电极层所在的第一金属电极层上。
于本发明的一实施例中，发光二极管芯片跨接于二第二金属电极层上。
于本发明的一实施例中，发光二极管芯片位于二第二金属电极层其中的面 积较大者上。
于本发明的一实施例中，发光二极管芯片具有顶反射层与底反射层。
于本发明的一实施例中，封装胶体包含硅胶或环氧树脂。
于本发明的一实施例中，二第一金属电极层的底面与部分侧边外露于封装 胶体外。
于本发明的一实施例中，发光二极管封装体还包含一反射盖位于封装胶体 的顶面。
于本发明的一实施例中，封装胶体含有光波长转换材料。
综上所述，本发明的发光二极管封装体通过不同尺寸的二阶层金属电极层 与同质的封装胶体等设计，让侧向光线的行进方向得以维持，能进一步扩大封 装体的侧出光量与发光角度，使得发光二极管封装体作为显示器的背光源时， 能有效改善背光模块亮暗不均的现象。
以下将以实施方式对上述说明作详细的描述，并对本发明的技术方案提供 更进一步的解释。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附 附图的说明如下：
图1是绘示依照本发明一实施例的一种发光二极管封装体的立体透视图；
图2是绘示依照本发明另一实施例的一种发光二极管封装体的立体透视 图；
图3是绘示依照本发明又一实施例的一种发光二极管封装体的立体透视 图；
图4是绘示依照本发明再一实施例的一种发光二极管封装体的立体透视 图；
图5是绘示依照本发明再一实施例的一种发光二极管封装体的立体透视 图；
图6是绘示依照本发明再一实施例的一种发光二极管封装体的立体透视 图；以及
图7是绘示依照本发明一实施例的一种发光二极管封装体的部分剖面图。
【符号说明】
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附 符号的说明如下：
100a:发光二极管封装体
100b:发光二极管封装体
100c:发光二极管封装体
100d:发光二极管封装体
100e:发光二极管封装体
100f:发光二极管封装体
102:金属电极层
102a:第一金属电极层
102b:第一金属电极层
104:金属电极层
104a:第二金属电极层
104b:第二金属电极层
104c:第二金属电极层
104d:第二金属电极层
104e:第二金属电极层
104f:第二金属电极层
104g:第二金属电极层
104h:第二金属电极层
106:发光二极管芯片
106a:顶反射层
106b:底反射层
110:封装胶体
111:反射盖
113:光波长转换材料
D:距离
d:距离
S:侧边
L1:光线
L2:光线
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备，可参照所附的附图及以下所述各种 实施例，附图中相同的号码代表相同或相似的元件。另一方面，众所周知的元 件与步骤并未描述于实施例中，以避免对本发明造成不必要的限制。
于实施方式与权利要求书中，涉及“电性连接”的描述，其可泛指一元件 透过其他元件而间接电气耦合至另一元件，或是一元件无须透过其他元件而直 接电连结至另一元件。
于实施方式与权利要求书中，除非内文中对于冠词有所特别限定，否则 “一”与“该”可泛指单一个或多个。
请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的一种发光二极管封装体的立体 透视图。发光二极管封装体100a包含二第一金属电极层(102a、102b)、二 第二金属电极层(104a、104b)、至少一发光二极管芯片106以及同质的封装 胶体110。二第二金属电极层分别位于二第一金属电极层的顶面上，即第二金 属电极层104a位于第一金属电极层102a的顶面上，而第二金属电极层104b 位于第一金属电极层102b的顶面上。每一第二金属电极层(104a或104b)的 面积均小于每一第一金属电极层(102a或102b)的面积，即每一第二金属电 极层(104a或104b)的长度与宽度分别小于每一第一金属电极层(102a或102b) 的长度与宽度。发光二极管芯片106跨接于二第二金属电极层(104a、104b) 的顶面上，并以金属导线连接发光二极管芯片106的电极至二第二金属电极层 (104a、104b)。同质的封装胶体110包覆二第一金属电极层(102a、102b)、 二第二金属电极层(104a、104b)以及发光二极管芯片106，并裸露二第一金 属电极层(102a、102b)的底面与部分侧边(S)，可供焊接之用。封装胶体 110可被发光二极管芯片106发出的光线穿透。同质的封装胶体110是由同一 种封装胶材同时(单次)灌注而形成，借以减少异质材料界面的产生，进而加 强封装体的结构强度并减少光穿透时产生折射或反射，因此有助于侧出光量的 提升。
请参照图2，其绘示依照本发明另一实施例的一种发光二极管封装体的立 体透视图。发光二极管封装体100b不同于发光二极管封装体100a主要在于二 第二金属电极层(104c、104d)的面积进一步缩小(相较于二第二金属电极层 (104a、104b))，此亦更有助于提升侧出光量。发光二极管芯片106跨接于 二第二金属电极层(104c、104d)的顶面上，并以金属导线连接发光二极管芯 片106的电极至二第一金属电极层(102a、102b)。在本实施例中，二第二金 属电极层(104c、104d)之间的距离(d)小于二第一金属电极层(102a、102b)之间的距离(D)，但不以此为限。
请参照图3，其绘示依照本发明又一实施例的一种发光二极管封装体的立 体透视图。发光二极管封装体100c不同于发光二极管封装体100b主要在于发 光二极管封装体100c还包含一齐纳二极管112。齐纳二极管112位于二第一 金属电极层(102a或102b)其中的一者上。发光二极管芯片106与齐纳二极 管112分别位于上下不同阶层的金属电极层上，因而使齐纳二极管112较不会 产生阻光或吸光的效应，有助于减少出光被吸收耗损以及提升侧出光量。
请参照图4，其绘示依照本发明再一实施例的一种发光二极管封装体的立 体透视图。发光二极管封装体100d不同于发光二极管封装体100c主要在于封 装胶体110内含有光波长转换材料113。举例而言，当发光二极管芯片106发 出蓝光时，光波长转换材料113可以是黄光荧光粉，借以使发光二极管封装体 100d中利用混光生成白色出光，但不以此为限。此外，发光二极管封装体100d 还具有一反射盖111位于封装胶体110的顶面，借以减少顶面出光并增加侧面 出光。
请参照图5，其绘示依照本发明再一实施例的一种发光二极管封装体的立 体透视图。发光二极管封装体100e不同于发光二极管封装体100c主要在于具 有二个面积不同的第二金属电极层(104e、104f)，第二金属电极层104f的面 积大于第二金属电极层104e的面积。齐纳二极管112位于二第二金属电极层 其中面积较小者(即第二金属电极层104e)所在的第一金属电极层(例如第 一金属电极层102a)上。在此实施例中，第二金属电极层104f的长度大于第 二金属电极层104e的长度，但具有近似的宽度。
请参照图6，其绘示依照本发明再一实施例的一种发光二极管封装体的立 体透视图。发光二极管封装体100f不同于发光二极管封装体100c亦在于具有 二个面积不同的第二金属电极层(104g、104h)，且第二金属电极层104h的 长度与宽度分别大于第二金属电极层104g的长度与宽度，发光二极管芯片106 则位于二第二金属电极层其中面积较大者(即第二金属电极层104h)上。
在上述实施例中，发光二极管芯片106均以金属导线连接其电极至金属电 极层，但发光二极管芯片亦不排除以覆晶方式连接至金属电极层。在上述实施 例中，发光二极管芯片106位于二第二金属电极层其中一者或跨接于二第二金 属电极层上，换言之，位于二第二金属电极层至少其中一者上。封装胶体110 包含硅胶或环氧树脂，但亦不以此为限。
请参照图7，其绘示依照本发明一实施例的一种发光二极管封装体的部分 剖面图。本发明的发光二极管封装体均以至少二阶层金属电极层(102、104) 供发光二极管芯片106及/或齐纳二极管固晶。此外，发光二极管芯片106可 具有顶反射层106a与底反射层106b借以增加芯片的侧出光量。如图所示，金 属电极层104的面积小于金属电极层102的面积，且二者同时被同质的封装胶 体110所包覆，使得较多光线(例如L1)从封装胶体110直接出光，而少部 分的光线(例如L2)经金属电极层104反射后出光，借以提升发光二极管封 装体的侧出光量。当多个本发明的发光二极管封装体排列成阵列作为显示器的 背光源时，越大的侧出光量能提供越大的发光角度，进而有效改善背光模块亮 暗不均的现象。
本发明的发光二极管封装体通过不同尺寸的二阶层金属电极层与同质的 封装胶体等设计，让侧向光线的行进方向得以维持，能进一步扩大封装体的侧 出光量与发光角度，使得发光二极管封装体作为显示器的背光源时，能有效改 善背光模块亮暗不均的现象。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉 此技艺者，于不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此 本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种发光二极管封装体，其特征在于，包含：
二第一金属电极层；
二第二金属电极层，分别位于该二第一金属电极层的顶面上，且每一该第二金属电极层的面积均小于每一该第一金属电极层的面积；
至少一发光二极管芯片，位于该二第二金属电极层至少其中的一者上；以及
一同质的封装胶体，包覆该二第一金属电极层、该二第二金属电极层以及该发光二极管芯片，该封装胶体可被该发光二极管芯片发出的光线穿透。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，每一该第二金属电极层的长度与宽度分别小于每一该第一金属电极层的长度与宽度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该二第二金属电极层之间的距离小于该二第一金属电极层之间的距离。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，还包含一齐纳二极管位于该二第一金属电极层至少其中的一者上。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该二第二金属电极层其中的一者的面积大于其中另一者的面积。
6.根据权利要求5所述的发光二极管封装体，其特征在于，还包含一齐纳二极管，该齐纳二极管位于面积较小的该第二金属电极层所在的该第一金属电极层上。
7.根据权利要求5所述的发光二极管封装体，其特征在于，该发光二极管芯片跨接于该二第二金属电极层上。
8.根据权利要求5所述的发光二极管封装体，其特征在于，该发光二极管芯片位于该二第二金属电极层其中的面积较大者上。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该发光二极管芯片具有顶反射层与底反射层。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该封装胶体包含硅胶或环氧树脂。
11.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该二第一金属电极层的底面与部分侧边外露于该封装胶体外。
12.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，还包含一反射盖位于该封装胶体的顶面。
13.根据权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该封装胶体含有光波长转换材料。
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