CN101150155A - 发光二极管的覆晶封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管的覆晶封装结构，所述覆晶封装结构包含二导电引脚，其中每一导电引脚具有一金球。一发光二极管芯片具有二低熔点金属导电膜分别与对应的金球连接。低熔点金属导电膜为一大气压下、熔点低于350℃的金属材料。一透明封装胶体包装及固定上述所有元件。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
覆晶封装技术被广泛应用于半导体元件封装技术，对于发光二极管而言，覆晶封装技术具有可提升发光效率的优点。然而，现有适用于覆晶封装工艺的发光二极管封装结构，使用金球用以连接发光二极管的电极与封装结构的导电引脚，因而所需的设备有别于传统发光二极管封装工艺设备。
现有覆晶封装工艺的设备至少需要超音波装置，使发光二极管电极上的金球与导电引脚上的金球，在磨擦时能产生足够的热将两磨擦的金球熔化而连接。因此，导入此种新技术往往伴随很高的设备投资及新设备调整所带来的成本增加。
发明内容
因此，本发明所要解决的技术问题在于提供一种发光二极管覆晶封装结构，用以适用于现有的发光二极管封装设备。
为实现上述目的，本发明提供一种发光二极管的覆晶封装结构。覆晶封装结构包含二导电引脚，其中每一导电引脚具有一金球。一发光二极管芯片具有二低熔点金属导电膜分别与对应的金球连接。低熔点金属导电膜为一大气压下、熔点低于350℃的金属材料。一透明封装胶体包装及固定上述所有元件。
上述的低熔点金属导电膜的材料可以是金锡合金、锡、铋或锡铋合金。上述的二低熔点金属导电膜分别披覆于发光二极管芯片的两电极上。
由上述可知，应用本发明的发光二极管的覆晶封装结构，不需要昂贵的覆晶封装设备，以现有的发光二极管封装设备即可进行覆晶封装。此外，发光二极管也可通过覆晶封装技术，提升发光二极管的发光效率。
附图说明
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下：
图1为依照本发明一较佳实施例的一种发光二极管的覆晶封装结构。
其中，附图标记：
100：覆晶封装结构 106：金球
102：发光二极管芯片 108：导电引脚
102a/102b：电极 110：透明封装胶体
104：低熔点金属导电膜 112：发光方向
具体实施方式
如上所述，本发明提出一种发光二极管的覆晶封装结构，能通过一般的发光二极管封装设备执行工艺。以下将配合较佳实施例来详细说明此发光二极管的覆晶封装结构。
参照图1，其为依照本发明一较佳实施例的一种发光二极管的覆晶封装结构。覆晶封装结构100包含一发光二极管芯片102覆盖于导电引脚108上。发光二极管芯片102具有电极102a及102b的一面朝向导电引脚108，而利用其背面朝方向112发光。低熔点金属导电膜104披覆于两电极102a及102b之上，并借此与两导电引脚108上的金球106连接。低熔点金属导电膜104与金球106连接的工艺只需要以一般的发光二极管封装设备即可执行，而不需要配备有超音波装置的封装设备。较佳的低熔点金属导电膜104材料选择为一大气压下、溶点低于350℃的金属利料，例如金锡合金、锡、铋或锡铋合金。发光二极管芯片102与导电引脚108的连接方式为将低熔点金属导电膜104与金球106互相接触，再利用高于金属导电膜熔点的温度使低熔点金属导电膜104熔化，并与金球106结合，待冷却后，发光二极管芯片102与导电引脚108即有很好的电性连结。接着再以现有的透明封装胶体110将上述所有元件封装固定在一起。
由上述本发明较佳实施例可知，应用本发明的发光二极管的覆晶封装结构，不需要昂贵的覆晶封装设备，以现有的发光二极管封装设备即可进行覆晶封装。此外，发光二极管也可通过覆晶封装技术，提升发光二极管的发光效率。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的普通技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (4)
1.一种发光二极管的覆晶封装结构，其特征在于，至少包含：
二导电引脚，其中每一导电引脚具有一金球；
一发光二极管芯片，具有二低熔点金属导电膜分别与对应的该金球连接，其中该低熔点金属导电膜为一大气压下、熔点低于350℃的金属材料；以及
一透明封装胶体，包装该上述所有元件。
2.根据权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该低熔点金属导电膜的材料包含金锡合金、锡、铋或锡铋合金。
3.根据权利要求2所述的覆晶封装结构，其特征在于，该发光二极管芯片具有两电极，而该二低熔点金属导电膜分别披覆于该两电极上。
4.根据权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该发光二极管芯片具有两电极，而该二低熔点金属导电膜分别披覆于该两电极上。
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| CN101150155A true CN101150155A (zh) | 2008-03-26 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102104090A (zh) * | 2009-12-22 | 2011-06-22 | 财团法人工业技术研究院 | 发光二极管芯片固晶方法、固晶的发光二极管及芯片结构 |
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2006
- 2006-09-19 CN CN200610127010A patent/CN100585887C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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| CN100585887C (zh) | 2010-01-27 |
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Legal Events
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