JP2007331028A - はんだ合金 - Google Patents
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Abstract
【課題】ディスプレイ、ソーラーセルおよび光放射装置のようなオプトエレクトロニクス装置において使用される基板への良好な接合力を有するはんだ組成物を提供する。
【解決手段】はんだ１４はＳｎ、Ａｕ、Ａｇ、およびＣｕ、およびＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕから選ばれた一またはそれ以上の希土類元素の合金に基礎を置いている。選択的に、この組成物はＩｎ、Ｂｉ、またはＺｎからなるものであってもよい。このはんだ組成物は、フラットパネルディスプレイおよび光放射装置の両方において与えられるような異なった材料を結合する場合に優れた接合能力を示す。加えて、このはんだはこれらの装置の中への水および酸素の両方の拡散に対する強力なバリアを提供し、これにより、より長期の装置寿命を促進する。
【選択図】図１
【解決手段】はんだ１４はＳｎ、Ａｕ、Ａｇ、およびＣｕ、およびＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕから選ばれた一またはそれ以上の希土類元素の合金に基礎を置いている。選択的に、この組成物はＩｎ、Ｂｉ、またはＺｎからなるものであってもよい。このはんだ組成物は、フラットパネルディスプレイおよび光放射装置の両方において与えられるような異なった材料を結合する場合に優れた接合能力を示す。加えて、このはんだはこれらの装置の中への水および酸素の両方の拡散に対する強力なバリアを提供し、これにより、より長期の装置寿命を促進する。
【選択図】図１
Description
本発明は、酸化物接合可能はんだ合金、その合金の使用方法、およびその合金を含む物品に関する。
光学的およびオプトエレクトロニクス装置（optoelectronic devices）の製造において様々な基板が使用されており、これらの基板は、パターンを形成する方法で第二または第三の材料でしばしば被覆されている。たいていの場合、製造工程は、その基板が第二の材料に接合される若しくはそれにより封止されること、または典型的には異なった材料で構成されているハーメチックシールされた容器のためのシール（a seal、密封物）として使用されることを要求する。基板および表面の材料はガラス、セラミック、ポリマー、金属、および酸化金属を含むことができる。さらに、いくつかの場合には、基板が互いに機械的に固定されることが必要とされるだけでなく、その表面をつなぐために使用される材料が光シールドとしてまたは水蒸気や酸素のような気体に対するバリアとしての役割もはたさなければならない。最後に、他のシナリオにおいては、シール材（sealant）は装置のための伝導路としての役割もはたさなければならない。
はんだは、フォトニック装置（photonic devices）、光学ファイバー組立品、半導体装置、および多数の種類のフラットパネルディスプレイを含む様々な構成部品において使用される。一般にこれらの多数の装置において、シリコン酸化物、ガラスおよびセラミックのような基板に良好な接着力（adhesion）を有する酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような多層膜が使用される。そのような材料は、良好な電気的接続または汚染防止を提供するための標準的なはんだでは通常うまく接合することができない。その結果として、ＩＴＯのような膜は、装置と基板の間の効果的な接着力を得るために、金またはプラチナのようなはんだ接合可能な外側の層で最初にカバーされなければならない。
銅および金膜ははんだに濡れるが、これらはガラス基板に対する接着力が乏しい。銀膜はほどよい接着力と優れたはんだ濡れ性を有しているが、エレクトロマイグレーションの難点がある。アルミニウムおよびクロム膜もガラス基板によく接着するが、標準的なスズ−鉛はんだに濡れない。したがって、過去において、多層金属コーティングが、基板上に堆積された優れた接着力を有する最初の層を用い、一またはより多くの上の材料層が続き、境界面の接着力を改善するためにはんだに対して優れた濡れ性を有する最後の層を用いて、使用されてきた。このような多層膜層の堆積には接着力を保証するために３５０℃より高い温度で加熱することを要する。しかし、そのような薄膜コーディング中の基板の加熱により、いくつかの装置は破壊されることがあり、あるいは特性が不利に影響される。いくつかの多層薄膜の他の困難性は、内部応力が積層体に持ち込まれることがあるという事実に起因する。さらに、工程数の増加がコストの増大と生産高の潜在的減少をもたらす。
化学的または物理的方法で最初に表面を清浄化するまたは性質を変えることによって基板への接着力の増加を達成できるかもしれない。金属表面から不純物を取り除くためにフラックスが一般に使用されており、他の例では、表面のプラズマ処理またはスパッタリングのような工程が使用される。これらの処理の両方は、装置の汚染を増大させ信頼性を減少させるかもしれず、両方とも装置のコストを増大させる。
最近、また過去においても、はんだガラスとして知られる材料がフォトニック装置を密封および接合するために使用されてきた。一般に、これらの組成物（compositions）は、様々な他の酸化金属と混合された酸化シリコンから成り、リードワイヤのような部品組立体を、標準的なランプやフラットパネルディスプレイにおいてバックライトとして使用されるフラット蛍光ランプのような電気照明装置に、密封し取り付けるために使用される。はんだガラスは金属および酸化金属の表面に優れた接合を示す。しかしながら、これらは６００℃近くまたはそれ以上の温度で処理されなければならず、そのようなものであるから、これらの極端な温度への露出は放射層（emission layer）に損傷を与え、汚染を増加させ、装置の信頼性を減少させるので、有機エレクトロルミネッセンス装置に基づく先進的な光源において使用するのには適さない。高い接着力を示し適用温度を調整することができる金属ベースのはんだ材料を使用する方が優れているであろう。
ポリマーベースの接着剤もフラットパネルディスプレイやその他のフォトニック部品のようなフォトニック装置を密封する（seal）ために使用されてきた。これらは異なった基板に良好な接着力を示し、低い適用温度で使用することができる。しかしながら、これらの材料は光を漏らし、装置の光学的活性部品（例えば液晶）に不都合な影響を与え、また水蒸気または酸素のどちらかの装置への拡散も防止しない。ポリマーベースの接着剤に変更を加えることにより最初の二つの問題をやわらげることができる（例えば光漏れを防ぐためにカーボンブラックを混ぜる）。しかし、最後の問題は有機エレクトロルミネッセンスベースのディスプレイ（ＯＬＥＤ、ＰＯＬＥＤ、ＰＨＯＬＥＤ）、ソーラーセル、およびＬＥＤ（有機および非有機ベース）の長期間の信頼性にとって重要である。この特性については改善がより難しい。前述の例の全てにおいて、シール材であるばかりでなくより効果的なバリアとしての役割をはたし、興味（interest）のある表面に接合できるはんだの方が望ましい。
希土類金属含有はんだがいつからか知られており、標準的なはんだ組成物（例えば共晶Ｓｎ／Ｐｂおよびより新しいＳｎ／Ａｇに基づく鉛フリーはんだ）にはよく濡れず効果的に接合できない表面を接合するために利用されてきた。より最近、酸化物表面、およびＴｉＮ、ダイアモンドおよびＺｎＳｅのようなその他の接合困難材料に、一連のはんだ組成物が極めて効果的であることが証明されたことがベル研究所の科学者によって発表された（非特許文献１）。これらの組成物は酸化物および金属表面の両方を非常によく濡らし、これらと強力な接合を形成する。加えて、これらの材料では、化学的または物理的手段による金属表面の清浄化を行う必要がなく、またはんだをよく接着させるためにガラスのような基板上に多層メタリゼーションを施す必要もない。
特許文献１〜４（これらは参照によりここに合体される。）は希土類元素を含むはんだ組成物を開示している。
ガラスおよび酸化物ベースの基板が光学的およびオプトエレクトロニクス装置において一般的に使用されている。多くの場合、これらは光の放射または吸収のいずれかのための窓（windows）の役割をはたす。さらに、これらの装置では、「窓」が、Ｓｉ、ＳｉＯ２、様々なセラミックス、またはＩＩＩ−Ｖ属半導体のような材料で構成され得る基板に取り付けられることが必要である。
Applied Physics Letters, Vol.17(19), 2976, 2001 米国特許第６，２３１，６９３号
米国特許第６，３０６，５１６号
米国特許第６，３１９，６１７号
米国特許第６，３６７，６８３号
Applied Physics Letters, Vol.17(19), 2976, 2001
本発明の目的は、ディスプレイ、ソーラーセルおよび光放射装置のようなオプトエレクトロニクス装置において使用される基板への良好な接合力（bonding adhesion）を有するはんだ組成物を提供することである。
また、本発明の目的は、オプトエレクトロニクス装置の熱特性によって課される要求に適合する適用温度範囲を有するはんだ組成物を提供することである。
本発明のさらなる目的は、オプトエレクトロニクス装置において湿気および酸素に対するバリアとして役割をはたすはんだ組成物を提供することである。
また、本発明の目的は、本発明によるはんだ組成物を用いるオプトエレクトロニクス装置のパッケージング方法を提供することである。
本発明のさらなる目的は、本発明によるはんだ組成物を含むオプトエレクトロニクス装置を提供することである。
本発明は、フラットパネルディスプレイ、ＣＣＤ、ソーラーセル、発光ダイオード、およびその他のオプトエレクトロニクス装置を接合および密封するための特定の鉛フリーはんだ組成物に関する。そのはんだは、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、およびＣｕ、およびＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕから選択された一またはそれ以上の希土類金属の合金に基礎を置いている。選択的に、この組成物はＩｎ、Ｂｉ、またはＺｎからなるものでもよい。
このはんだ組成物は、フラットパネルディスプレイおよび光放射装置の両方において与えられるような異なった材料を、結合、マウンティング、シーリング（密封）、および封止（encapsulating）する場合に優れた接合能力（bonding capability）を示す。加えて、このはんだはこれらの装置の中への水および酸素の両方の拡散に対する強力なバリアを提供し、これにより、より長期の装置寿命を促進する。
本発明による望ましい組成物は、７０−９９ｗｔ％スズ（Ｓｎ）、０．１−３０ｗｔ％銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）、０．１−５ｗｔ％銅（Ｃｕ）、およびイットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、スカンジウム（Ｓｃ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、およびルテチウム（Ｌｕ）から選択された０．０１−５ｗｔ％希土類金属を含有する組成物を含む。特に望ましい組成物においては、希土類金属はエルビウム（Ｅｒ）、ルテチウム（Ｌｕ）、またはセリウム（Ｃｅ）のいずれかである。
本発明による追加的な望ましい組成物は、３０−９８ｗｔ％インジウム（Ｉｎ）、０．５−１０ｗｔ％銀（Ａｇ）、およびイットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、スカンジウム（Ｓｃ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、およびルテチウム（Ｌｕ）から選択された０．０１−５ｗｔ％希土類金属を含有する組成物を含む。
本発明によるより望ましい組成物は、３０−７０ｗｔ％インジウム（Ｉｎ）、２０−６０ｗｔ％スズ（Ｓｎ）、およびイットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、スカンジウム（Ｓｃ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、およびルテチウム（Ｌｕ）から選択された０．０１−５ｗｔ％希土類金属を含有する組成物を含む。
ここに記載されたはんだ組成物は様々な形態で使用することができる。一つの形態においては、はんだ粉末がペーストまたはクリームを形成するために適切なバインダーと共に使用され得る。一般には、１０−１５％バインダーに対して８５−９０％はんだの比率が使用される。これらは、注入器（syringes）、自動ディスペンサー（例えばスプレーまたはインクジェット）によって、またはスクリーン印刷によって塗られる。このはんだをペーストの形態で使用するときは、表面を接合するまえに最初にバインダーが焼き除かれなければならない。そのようにする代わりに、粉末が乾いた形態で装置に置かれ、接合を形成するために加熱されてもよい。
ペレットまたはインゴットも使用できる。これらは手はんだ付け（hand soldering）で使用される、またはあらかじめ溶融されその後薄い層を形成するように機械的な手段で塗られる。金属はんだブラシおよびドクターブレードが典型的に使用される。一定の寸法にあらかじめ形成されたはんだボールも使用することができる。これらは特に他の基板にチップを貼り付けるために便利である。はんだを溶融するためおよび結合されるべき表面をプレヒートするために、オーブン、ホットプレート、はんだごて、超音波ごて（ultrasonic irons）、プローブとバス、スポットウェルディング、リアクティブボンディング、およびレーザーによる加熱を使用することができる。
本発明によるはんだは、ワイヤ（押し出しによる）、シートまたはフォイル（圧延による）に形成されることができる、またはプレフォーム（シートから精密にカットされた）として形成されることもできる。一般的に、このプレフォーム（pre-forms）は接合される部品の形および寸法にカットされる。一般に、これらの全ては薄い寸法で形成され、溶融方法は前述の技術と同様である。
図１に本発明によるはんだの記述（formulation）を含む一般的なオプトエレクトロニクス装置を示す。この構造は米国特許出願２００５／０２７７３５５号（これは参照によりここに結合される。）に記載された構造を修正したものである。この例では、１２および１３の符号がつけれらた層が活性（例えば光放射または吸収）部品を表し、１１は透明な窓であり、１０は基板である。シール材１４は本発明によるはんだ組成物である。
図２に本発明によるはんだ組成物を含む装置をより詳細に示す。この構造は国際公開番号ＷＯ２００４／０９１８３８号（これは参照によりここに結合される。）の図８に示されたものを修正したものである。光学的装置のアレー（an array of optical devices）２０はシリコン基板２１、透明な窓２２、スペーサ２３、第一のＳｉＯ２層２４、電気配線層２５、第二のＳｉＯ２層２６およびワイヤボンド２７を含むより大きなパッケージの中に封止されている。はんだ２８はこの装置の活性部品を大気からシール（密封）するためだけでなく、透明な窓をスペーサに接合するためにも使用される。本発明による装置において、はんだ２８は本発明による組成物である。従来のはんだは、ガラスまたは石英（quartz）のような材料に効果的に接着できないから、この応用に使用することができない。従来技術の希土類元素を含有するはんだ組成物では、これらの表面に十分な接合を形成するために酸素フリー環境をしばしば必要とする。上記装置を製造する方法は次のステップを含む；
１）Ｓｉ基板上に電気配線の輪郭を定める（defining）
２）その基板にＭＥＭＳ装置アレーを取り付け、それをワイヤボンディングする
３）はんだシールを配置する
４）スペーサを取り付ける
５）透明な窓を取り付ける
これらのはんだ組成物は、基板に取り付けるためと個々の装置をシール（密封）するための両方、および最終的な装置のパッケージを形成するために使用することができる。
１）Ｓｉ基板上に電気配線の輪郭を定める（defining）
２）その基板にＭＥＭＳ装置アレーを取り付け、それをワイヤボンディングする
３）はんだシールを配置する
４）スペーサを取り付ける
５）透明な窓を取り付ける
これらのはんだ組成物は、基板に取り付けるためと個々の装置をシール（密封）するための両方、および最終的な装置のパッケージを形成するために使用することができる。
図３に本発明によるはんだ組成物を含むパッケージされた有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイの実施形態を示す。これは米国特許第５，７０３，４３６号（これは参照によりここに結合される。）の図１４Ｂに示された構造を修正したものである。活性装置領域はＯＬＥＤスタック４０（図３には示されていない）である。ガラス基板４１はＩＴＯ４２の薄い（一定のスケールではない）層で被覆されている。コンタクト層４３はＳｉＯ２層４７と４４の間にあり、この層はカバーガラス４５にはんだ４６で接合されている。この例では、本発明による組成物を有するはんだプレフォーム（a solder pre-form）が使用されており、ガラス表面に直接接合する。これに対して、米国特許第５，７０３，４３６号に記載された装置では、ＳｉＯ２層とカバーガラス間のはんだ接着を可能とするために、ガラスの上に中間の金属リングを使用している。この金属リングは、本発明によるハンダを使用すれば、ガラス表面に直接接着する能力により、排除することができる。金属層の排除により、はんだをカバーガラスを通してレーザーによって直接加熱することが可能となる。
本発明によるはんだ組成物は、図４に示すように、活性領域に予め取り付けられたまたは付け加えられたスペーサ部品（spacer elements）を含むディスプレイ装置にも使用することができる。示された装置は、はんだ組成物を除き、米国特許第６，９５２，０７８号（これは参照によりここに結合される。）の図５に示された装置に類似している。ここでは、スペーサ（ボール）が取り付けられた上部部品は、活性部品を含む基板と接触させられ、透明な窓と基板（Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＩＩＩ−Ｖ属半導体等）を容易に接着できる本発明によるはんだで再び構成されるシーリングリング（a sealing ring）５０を介してシール（密封）される。この例では、基板はプラスチックでつくることができる、そのような場合は低温溶融はんだ組成物が使用される。
そのようなＯＬＥＤ装置のもう一つの構造を図５に示す。これは、米国特許第６，６０８，２８３号（これは参照によりここに結合される。）の図２に示された装置を修正したものである。ここでは、シーリングバンド６０は基板上にプレフォームされ、表面にはんだプレフォーム６３を有するフランジ６２が装備されたカバーガラス６１に接合する。シーリングバンドとはんだのリフローが、ギャップのコントロール（gap control）とこのＯＬＥＤ装置のための酸素および湿気に対するバリアを提供する。このシーリングバンドは本はんだ（the present solder）から製造することができる、あるいはこれらのはんだは基板に効果的に接合することができるので排除することができる。
図６に無機ベースのＬＥＤの基本的な概要を示す。米国特許出願２００５／０２８７８３３号（これは参照によりここに結合される。）の図２（ｂ）に示された構造を、本発明によるはんだ組成物を使用して修正したものである。基板２０２はこの例ではサファイアであり、一番上に示されている。エピタキシャル層２０４はＬＥＤダイ２０６の上に成長される。これらの両方は、ＬＥＤのパワーおよび色出力にしたがい、様々な材料で作成できる。一般に、これらはＩＩＩ−Ｖ属半導体および酸化金属である。この構造において、本発明によるはんだはサファイア基板をエッジボンド（edge bond）するために使用される。もう一度述べるが、普通のはんだはこの材料を濡らさない。
ＬＥＤダイは、電気的接続のために十分な導電性を有するように本はんだから製造することができる導電バンプ２１２を介して、もう一つの基板、この例では、ＰＷボードに取り付けられている。全体の装置パッケージはその後、はんだ接合部２１４を介してＰＷＢに取り付けられる。この例では、はんだは多数のステップで使用することができ、いくつかの機能をはたす。
１０…基板、１１…透明な窓、１２、１３…活性部品、１４…シール材（はんだ組成物）、２０…光学的装置のアレー、２１…シリコン基板、２２…透明な窓、２３…スペーサ、２４…第一のＳｉＯ２層、２５…電気配線層、２６…第二のＳｉＯ２層、２７…ワイヤボンド、２８…はんだ、４１…ガラス基板、４２…ＩＴＯ層、４３…コンタクト層、４４…ＳｉＯ２層、４５…カバーガラス、４６…はんだ、４７…ＳｉＯ２層、５０…シーリングリング、６０…シーリングバンド、６１…カバーガラス、６２…フランジ、６３…はんだプレフォーム、２０２…基板、２０４…エピタキシャル層、２０６…ＬＥＤダイ、２１２…導電バンプ、２１４…はんだ接合部
Claims (16)
- ａ．０．１−９９重量％のスズ、
ｂ．０．１−５重量％の銅、
ｃ．０．１−９０重量％の銀および金からなる群から選択された元素、
ｄ．０．１−５重量％のイットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、スカンジウム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群から選択された元素、
からなるはんだ合金。 - 請求項１に記載のはんだ合金であって、
前記銀および金からなる群から選択された元素は含有量０．１−３０重量％の銀であり、スズの含有量は７０−９９重量％であるはんだ合金。 - 請求項２に記載のはんだ合金であって、
前記イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、スカンジウム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群から選択された元素は、ルテチウムであるはんだ合金。 - 請求項２に記載のはんだ合金であって、
前記イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、スカンジウム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群から選択された元素は、エルビウムであるはんだ合金。 - 請求項２に記載のはんだ合金であって、
前記イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、スカンジウム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群から選択された元素は、セリウムであるはんだ合金。 - 請求項１に記載のはんだ合金であって、
前記銀および金からなる群から選択された元素は含有量７０−９０重量％の金であり、前記スズの含有量は０．１−３０重量％であるはんだ合金。 - 請求項６に記載のはんだ合金であって、
前記イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、スカンジウム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群から選択された元素は、ルテチウムであるはんだ合金。 - 請求項６に記載のはんだ合金であって、
前記イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、スカンジウム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群から選択された元素は、エルビウムであるはんだ合金。 - 請求項６に記載のはんだ合金であって、
前記イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、スカンジウム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群から選択された元素は、セリウムであるはんだ合金。 - ａ．基板、
ｂ．オプトエレクトロニクス装置、
ｃ．光学的に透明な窓、
ｄ．請求項１に記載のはんだ合金、
を含み、前記はんだ合金が前記基板と前記光学的に透明な窓との間を封止したオプトエレクトロニクス装置。 - ａ．基板を準備し、
ｂ．オプトエレクトロニクス装置を準備し、
ｃ．光学的に透明な窓を準備し、
ｄ．請求項１のはんだからなるシーリングプレフォームを準備し、
ｅ．前記オプトエレクトロニクス装置を前記基板に接合し、
ｆ．前記シーリングプレフォームを前記基板および前記光学的に透明な窓に接触させ、
ｇ．前記シーリングプレフォームを加熱して、これにより前記光学的に透明な窓を前記基板に接合させるオプトエレクトロニクス装置のパッケージング方法。 - ａ．３０−９８重量％のインジウム、
ｂ．０．５−６０重量％の銀およびスズからなる群から選択された元素、
ｃ．０．０１−５重量％のイットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、スカンジウム、サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテチウムからなる群から選択された少なくとも一つの希土類元素、
からなり、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、およびタンタルを実質的に含まないはんだ合金。 - 請求項１２に記載のはんだ合金であって、
前記銀およびスズからなる群から選択された元素は、含有量０．５−１０重量％の銀であるはんだ合金。 - 請求項１２に記載のはんだ合金であって、
前記銀およびスズからなる群から選択された元素は、含有量２０−６０重量％のスズであるはんだ合金。 - ａ．基板、
ｂ．オプトエレクトロニクス装置、
ｃ．光学的に透明な窓、
ｄ．請求項１２に記載のはんだ合金、
を含み、前記はんだ合金が前記基板と前記光学的に透明な窓との間を封止したオプトエレクトロニクス装置。 - ａ．基板を準備し、
ｂ．オプトエレクトロニクス装置を準備し、
ｃ．光学的に透明な窓を準備し、
ｄ．請求項１２のはんだからなるシーリングプレフォームを準備し、
ｅ．前記オプトエレクトロニクス装置を前記基板に接合し、
ｆ．前記シーリングプレフォームを前記基板および前記光学的に透明な窓に接触させ、
ｇ．前記シーリングプレフォームを加熱して、これにより前記光学的に透明な窓を前記基板に接合させるオプトエレクトロニクス装置のパッケージング方法。
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