JP2005116497A - 表示パネル及びその製造方法 - Google Patents
表示パネル及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005116497A JP2005116497A JP2003422679A JP2003422679A JP2005116497A JP 2005116497 A JP2005116497 A JP 2005116497A JP 2003422679 A JP2003422679 A JP 2003422679A JP 2003422679 A JP2003422679 A JP 2003422679A JP 2005116497 A JP2005116497 A JP 2005116497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- display panel
- solder
- sealing plate
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 115
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 106
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 30
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 19
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 6
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- -1 quinolinol aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8721—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】 製造時に高温にさらすのを防止することができ、且つ耐候性を向上させる表示パネルを提供する。
【解決手段】 表示パネルとしての有機ＥＬ素子１００は、無アルカリガラス製の基板１０と、基板１０の上に形成された有機ＥＬ積層体２０と、この有機ＥＬ積層体２０を覆うように形成された封止板３０とから成る。封止板３０は、中央の凹部３２の周辺部に幅２．０ｍｍの周辺突条部３１が形成され、有機ＥＬ積層体２０は、基板１０上に形成され、ＩＴＯ膜から成る導電膜２１と、導電膜２１の上面に積層された有機ＥＬ積層膜２２と、有機ＥＬ積層膜２２の上面に形成される上部透明電極２３と、上部透明電極２３に接続される引出し電極２４とから成る。基板１０と封止板３０の周辺突状部３１とは、その間に形成された封止部に配されたハンダから成る溶着層４０を介して封止接合される。
【選択図】 図１
【解決手段】 表示パネルとしての有機ＥＬ素子１００は、無アルカリガラス製の基板１０と、基板１０の上に形成された有機ＥＬ積層体２０と、この有機ＥＬ積層体２０を覆うように形成された封止板３０とから成る。封止板３０は、中央の凹部３２の周辺部に幅２．０ｍｍの周辺突条部３１が形成され、有機ＥＬ積層体２０は、基板１０上に形成され、ＩＴＯ膜から成る導電膜２１と、導電膜２１の上面に積層された有機ＥＬ積層膜２２と、有機ＥＬ積層膜２２の上面に形成される上部透明電極２３と、上部透明電極２３に接続される引出し電極２４とから成る。基板１０と封止板３０の周辺突状部３１とは、その間に形成された封止部に配されたハンダから成る溶着層４０を介して封止接合される。
【選択図】 図１
Description
本発明は、表示パネル及びその製造方法に関する。
従来の表示パネルのうち、特に、ＥＬ表示パネルとしてのＥＬ素子は、発光層を介して対向する電極及び背面電極に電圧を選択的に印加することによって該発光層を選択的に発光させることができ、マトリックス表示に適するパッシブ型のものと、高速スイッチング機能によって高速切換え表示を行うことができ、動画表示に適するアクティブ型のものとの２種類が知られている。
上記パッシブ型のＥＬ素子は、単純マトリックス構造をとり、基板と、該基板上に配された電極と、発光層を含み、該電極の上面に積層されたＥＬ積層体と、該ＥＬ積層体の上面に積層された背面電極と、該ＥＬ積層体を積層した基板に頂面が接着される周辺突条部を周辺部に規定するように中央部が凹状に加工され、周辺突条部の頂面の封止部を介して基板上に接着されたガラス製の封止板とから成る。
また、上記アクティブ型のＥＬ素子は、アクティブマトリックス構造をとり、ＴＦＴ液晶素子の構造と同様に、基板と、該基板上に画素毎に形成された薄膜トランジスター回路又はダイオードと、発光層を含み、該薄膜トランジスター回路又は該ダイオードの上面に積層されたＥＬ積層体と、該ＥＬ積層体を積層した基板に頂面が接着される周辺突条部を周辺部に規定するように中央部が凹状に加工されたガラス製の封止板とから成る。
上記パッシブ型のＥＬ素子と上記アクティブ型のＥＬ素子とにおいて、トップエミッション型のＥＬ素子は、上記発光層から上記封止板側までを透明部材で構成することにより、発光層からの光を封止板側から取出すものである。
これらのＥＬ素子において、長期間使用することにより、封止板の密封性が低下してＥＬ素子内に水分等が混入し、この結果、ＥＬ積層膜が劣化することがある。これを防止するために、ＥＬ素子内を水分や酸素から遮断すべく、基板と封止板とは、基板と封止板の周辺突条部との間の封止部に配された接着剤から成る接着層を介して接着されている。この接着層を構成する接着剤の材料としては、一般的に、樹脂や低融点ガラス等が用いられている。
特開２００２−２３１４４２号公報
しかしながら、表示パネルのうち、特に、ＥＬ表示パネルとしてのＥＬ素子は、基板と封止板の周辺突条部との間の封止部に配された接着層の材料として樹脂製接着剤を用いた場合は、樹脂が透湿性を有していることにより、樹脂を通して水分がＥＬ素子内部に浸入するので、ＥＬ素子、特に有機ＥＬ素子の特性が悪化すると共に耐候性が低下してしまうという問題がある。また、接着層の材料として低融点ガラスを用いた場合は、接着工程の際にＥＬ素子が高温になるので、ＥＬ素子、特に有機ＥＬ素子の特性が悪化したり、ＥＬ素子内の基板に反りが生じてしまうという問題がある。
本発明の目的は、製造時に高温にさらすのを防止することができ、且つ耐候性を向上させる表示パネルを提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項１記載の表示パネルは、基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルにおいて、前記基板と前記封止板は、金属材料から成る溶着層を介して封止接合されていることを特徴とする。
請求項２記載の表示パネルは、請求項１記載の表示パネルにおいて、前記金属材料は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＡｇから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むハンダから成ることを特徴とする。
請求項３記載の表示パネルは、請求項２記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、さらに、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする。
請求項４記載の表示パネルは、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示パネルにおいて、前記金属材料は、共晶点温度又は融点が２５０℃以下であることを特徴とする。
請求項５記載の表示パネルは、請求項２記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、液相線温度が１５０℃以下であることを特徴とする。
請求項６記載の表示パネルは、請求項２記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、且つ液相線温度が１２５℃以下であることを特徴とする。
請求項７記載の表示パネルは、請求項３記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜７．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．１％、かつ液相線温度が１５０℃以下であることを特徴とする。
請求項８記載の表示パネルは、請求項３記載の表示パネルにおいて、前記ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜５．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．０５％、かつ液相線温度が１２５℃以下であることを特徴とする。
請求項９記載の表示パネルは、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示パネルにおいて、前記表示パネルは有機ＥＬ表示パネルであることを特徴とする。
請求項１０記載の表示パネルの製造方法は、基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルの製造方法において、前記基板と前記封止板とを、溶融した金属材料を用いて摩擦接合法によって封止接合することを特徴とする。
請求項１１記載の表示パネルの製造方法は、基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルの製造方法において、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方に溶融した金属材料を塗布する塗布ステップと、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面を互いに合わせる合わせステップと、塗布した前記金属材料を溶着させることにより前記基板と前記封止板とを封止接合する封止接合ステップとを備えることを特徴とする。
請求項１２記載の表示パネルの製造方法は、請求項１１記載の表示パネルの製造方法において、前記塗布ステップは、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方と溶融した前記金属材料との界面を活性化させて前記金属材料を塗布することを特徴とする。
請求項１３記載の表示パネルの製造方法は、請求項１１記載の表示パネルの製造方法において、前記塗布ステップ及び前記封止接合ステップの少なくとも一方は不活性雰囲気内で行われることを特徴とする。
請求項１記載の表示パネルによれば、基板と封止板は、金属材料から成る溶着層を介して封止接合されているので、製造時に表示パネルを高温にさらすのを防止することができ、且つ封止板の凹部の気密性が向上すると共に凹部の透湿性が低下し、もって表示パネルの耐候性を向上させることができる。
請求項２記載の表示パネルによれば、金属材料は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＡｇから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むハンダから成るので、請求項１の効果を確実に奏することができる。
請求項３記載の表示パネルによれば、ハンダは、さらに、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むので、溶着層と基板のガラス成分との接着性を向上させることができる。
請求項４記載の表示パネルによれば、金属材料は、共晶点温度又は融点が２５０℃以下であるので、溶着時の熱による表示パネルの劣化や、熱による基板の反りを確実に防止することができる。
請求項５記載の表示パネルによれば、ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、液相線温度が１５０℃以下であるので、基板との接着性が更に向上し、且つ低い温度での封止接合を実現することができる。
請求項６記載の表示パネルによれば、ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、且つ液相線温度が１２５℃以下であるので、基板との接着性が更に向上すると共に凝固後の組織が微細で柔軟性に富み、機械的特性に優れ、且つ更に低い温度での封止接合を実現することができる。
請求項７記載の表示パネルによれば、ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜７．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．１％、かつ液相線温度が１５０℃以下であるので、基板との接着性を更に向上させることができると共に、ＴｉとＺｎとを共存させることによりＴｉをより均質に含有させることができ、もってハンダと基板との界面における耐候性を向上させることができる。
請求項８記載の表示パネルによれば、ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜５．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．０５％、かつ液相線温度が１２５℃以下であるので、基板との接着性を更に向上させることができると共に、ＴｉとＺｎとを共存させることによりＴｉをより均質に含有させることができ、もってハンダと基板との界面における耐候性を更に向上させることができる。
請求項１０記載の表示パネルの製造方法によれば、基板と封止板とを、溶融した金属材料を用いて摩擦接合法によって封止接合するので、金属材料の基板への付着性を向上させた封止接合を実現することができる。
請求項１１記載の表示パネルの製造方法によれば、基板の一方の主面及び封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方に溶融した金属材料を塗布し、基板の一方の主面及び封止板の一方の主面を互いに合わせて、塗布した金属材料を溶着させることにより基板と封止板とを封止接合するので、金属材料を所望の幅や厚みで塗布することができ、もって表示パネルの耐候性を更に向上させることができる。
請求項１２記載の表示パネルの製造方法によれば、基板の一方の主面及び封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方と溶融した金属材料との界面を活性化させて金属材料を塗布するので、基板と金属材料との接着強度又は封止板と金属材料との接着強度を向上させることができる。
請求項１３記載の表示パネルの製造方法によれば、塗布及び封止接合の少なくとも一方は不活性雰囲気内で行われるので、金属材料の表面における酸化物の発生を抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る表示パネルを図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る表示パネルとしてのＥＬ表示パネルの断面図である。
図１において、ＥＬ表示パネルとしてのトップエミッション型有機ＥＬ素子１００は、パッシブ構造をとり、大きさ７．０ｃｍ角、厚さ１．０ｍｍの板状の透明な無アルカリガラス製の基板１０と、基板１０の上に形成された有機ＥＬ積層体２０と、この有機ＥＬ積層体２０を覆うように形成された封止板３０とから成る。
封止板３０は、大きさ５．０ｃｍ角、厚さ１．１ｍｍの板状の透明な無アルカリガラス製のガラス素板から加工されると共に、表面に、中央部を凹状に規定すべく中央の凹部３２の周辺部に幅２．０ｍｍの周辺突条部３１が形成され、底部の厚さが０．８ｍｍである。
封止板３０の凹部３２の形成は、ガラス素板を後述するウェットエッチング法により凹状に形成することにより行われる。このウェットエッチング法によりエッチングされたガラス素板のエッチング深さを測定したところ３００μｍであった。また、凹部３２の底面隅角部において湾曲部位を有し、その曲率半径は約３００μｍであった。封止板３０の凹部３２の底部の厚さは、０．３〜１．１ｍｍが好ましい。厚さが、０．３ｍｍ未満では封止板３０の強度が不十分であり、１．１ｍｍで封止板３０の強度は十分得られる。
上記のウェットエッチング法は、ガラス素板の４．５ｃｍ角の中央部が露出するように耐酸性テープ、即ちレジストでマスキングした後、このマスキングされたガラス素板を、例えば２０質量％フッ化水素酸、１質量％ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムの混合液から成り、２５℃に保たれたエッチング液に浸漬するものである。
有機ＥＬ積層体２０は、基板１０上に形成され、厚さ３００ｎｍのＩＴＯ膜から成る導電膜２１と、後述する発光層を含み、該導電膜２１の上面に積層された有機ＥＬ積層膜２２と、有機ＥＬ積層膜２２の上面に形成され、厚さ５００ｎｍのＩＴＯ膜から成る上部透明電極２３と、上部透明電極２３に接続され、厚さ３００ｎｍのＩＴＯ膜から成る引出し電極２４とから成る。
有機ＥＬ積層膜２２は、導電膜２１側に配されたトリフェニルジアミンから成る高さ７０ｎｍの正孔輸送層と、この正孔輸送層の上面に形成されたキノリノールアルミ錯体から成る高さ７０ｎｍの発光層とから成る。さらには、上部透明電極２３と発光層との間に、さらにトリアゾールやオキサジアゾールから成る透明な電子輸送層が配されて構成されていてもよい。
基板１０と封止板３０の周辺突状部３１とは、その間に形成された封止部に配されたハンダから成る溶着層４０を介して後述する図２の装置により封止接合される。具体的には、封止板３０を基板１０に対して所定の位置に配置した後、組成が９１．２Ｓｎ−８．８Ｚｎ（共晶点温度：１９８℃）の溶融したハンダａを用いて、封止板３０の周辺突条部３１を基板１０に溶着する。
図２は、本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法を実行する溶着装置の断面図である。
図２において、溶着装置Ａは、図１における基板１０と封止板３０の周辺突状部３１との封止接合を行うように、以下のように構成されている。
即ち、溶着装置Ａは、高部で載置台５０を介して有機ＥＬ素子１００の基板１０及び封止板３０を保持すると共に、低部で供給塔５１を保持する段付き定盤５２を有する。段付き定盤５２の底部には、上記有機ＥＬ表示パネル１００に沿って２本のレール部材５３が配され、上記供給塔５１はレール部材５３上を走行する移動機構５４の上に載置されている。
供給塔５１は、液相又は固相のハンダａを貯留する横断面長方形のるつぼ部５５と、るつぼ部５５の側壁部に内蔵されると共にるつぼ部５５内に貯留されたハンダａを加熱する電熱ヒータ５６と、るつぼ部５５の底部に連通すると共に有機ＥＬ素子１００の基板１０及び封止板３０の封止部（間隙部５７）に向かって開口する断面長尺状の導入部５８と、導入部５８の中位に水平に配された導入板５９とを備える。導入板５９は、導入部５８から延伸して間隙部５７に嵌入しており、これにより、ハンダａは、その表面張力と相俟って間隙部５７に侵入する。加えて、るつぼ部５５内で液位ΔＨにあるハンダａの重力が導入板５９の部位においてハンダａに印加され、これにより、ハンダａの間隙部５７内への侵入を促進する。
一方、移動機構５４は、間隙部５７に沿ってレール部材５３上を一定速度で移動する。これにより、ハンダａが導入部５８を介して間隙部５７の全長に亘って侵入する。
導入板５９は、図３に示すように、間隙部５７に沿って２連の波形部６０を有してもよい。この波形部６０は、その山部が封止板３０の周辺突状部３１の頂面上を摺動し、谷部が基板１０上を摺動するようになっている。これにより、ハンダａの基板１０への付着性を更に向上させて、摩擦接合法による封止接合を実現することができる。
本実施の形態によれば、基板１０と封止板３０の周辺突条部３１とは、ハンダａから成る溶着層４０を介して封止接合されるので、封止板３０の凹部３２の気密性が向上すると共に凹部３２の透湿性が低下し、もって有機ＥＬ素子１００の耐候性を向上させることができる。また、これにより、従来封止板３０の凹部３２に配されているシリカゲル等の除湿剤が不要になるので、製造コストを減少させることができると共に製造工程の工数を削減することができる。また、有機ＥＬ素子１００の温度を上昇させることなく封止板３０を基板１０に溶着することができるので、溶着時の熱による有機ＥＬ素子１００の劣化や、熱による基板１０の反りを防止することができる。
本実施の形態によれば、基板１０と封止板３０とを、溶融したハンダａを用いて摩擦接合法によって封止接合するので、ハンダａの基板１０への付着性を向上させた封止接合を実現することができる。
本実施の形態では、溶着層４０は、溶着装置Ａを用いて形成されたが、これに限定されるものではなく、陽極接合、超音波を用いた接合、多段接合、圧着接合等の接合方法を用いて形成されるものであってもよい。
本実施の形態では、基板１０と封止板３０の周辺突条部３１とをハンダａから成る溶着層４０により封止接合しているが、これに限定されず、図４に示すように、基板１０及び封止板３０の外周縁部は、段付き加工されたものであってもよく（図４（ａ））、また、べべリング加工されたものであってもよい（図４（ｂ））。さらに、基板１０及び封止板３０の外周縁部において、図４（ｃ）に示すように、基板１０及び封止板３０の夫々の外周端に、ハンダａから成る溶着層４０を用いて外枠７０を溶着させることにより基板１０と封止板３０とを封止接合してもよい。
図５及び図６は、本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法の変形例を説明するのに用いられる図である。
本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法の変形例は、まず、大きさ７．０ｃｍ角、厚さ１．０ｍｍの板状の透明な無アルカリガラス製の基板１０と、基板１０と同一形状且つ同一サイズの封止板３０を準備し、次に、図６に示すように、Ｎ２、Ａｒ等の不活性雰囲気内で、基板１０の一方の主面における外周縁部に、その先端にある管状の射出口９１の内径が１．５ｍｍ、外径が２．０ｍｍであるディスペンサ９０を用いて、ディスペンサ９０の先端を基板１０の一方の主面上で摺動させることによって、基板１０とハンダａとの界面を摩擦により活性化させて溶融したハンダａを線状に塗布して固化させ（塗布ステップ）、基板１０の外周縁部全体に亘ってハンダ部８１を形成し（図５（ａ））、さらに、封止板３０の一方の主面における外周縁部に、ディスペンサ９０を用いて封止板３０とハンダａとの界面を摩擦により活性化させて溶融したハンダａを線状に塗布して固化させ、封止板３０の外周縁部全体に亘ってハンダ部８２を形成する。
ディスペンサ９０は、ディスペンサ９０から射出されるハンダａの量、基板１０とハンダａとの界面における摩擦幅、即ち射出口９１の外径、及びディスペンサ９０の送り速度を制御することにより、所望の幅及び厚みであるハンダ部８１及びハンダ部８２を形成することができる。
本方法は、さらに、ハンダ部８１が形成された基板１０の一方の主面及びハンダ部８２が形成された封止板３０の一方の主面を互いに合わせて（合わせステップ）（図５（ｂ））、更に、基板１０及び封止板３０を、Ｎ２、Ａｒ等の不活性雰囲気内で、ハンダａの共晶点温度付近、例えば２００℃に加熱し、ハンダ部８１とハンダ部８２とを互いに融着させて溶着層８３を形成し（図５（ｃ））、溶着層８３を介して基板１０と封止板３０とを溶着させることにより基板１０と封止板３０とを封止接合する（封止接合ステップ）。
本実施の形態によれば、基板１０の一方の主面における外周縁部に溶融したハンダａを塗布し、さらに、封止板３０の一方の主面における外周縁部に溶融したハンダａを塗布し、基板１０の一方の主面及び封止板３０の一方の主面を互いに合わせて、ハンダ部８１とハンダ部８２とを溶着させることにより基板１０と封止板３０とを封止接合するので、ハンダ部８１及びハンダ部８２を所望の幅や厚みにすることができ、もって有機ＥＬ素子１００の耐候性を更に向上させることができる。
本実施の形態によれば、基板１０とハンダａとの界面及び封止板３０とハンダａとの界面を活性化させて溶融したハンダａを塗布するので、基板１０とハンダａとの接着強度及び封止板３０とハンダａとの接着強度を向上させることができる。
本実施の形態によれば、塗布及び封止接合の少なくとも一方は、Ｎ２、Ａｒ等の不活性雰囲気内で行うので、ハンダ部８１及びハンダ部８２の表面における酸化物の発生を抑制することができる。
本実施の形態では、ディスペンサ９０の先端を基板１０の一方の主面上で摺動させることによって基板１０とハンダａとの界面を摩擦により活性化させて溶融したハンダａを塗布したが、これに限るものではなく、ディスペンサ９０に連結されると共に微小な振動を発生する不図示の振動発生装置を用いてハンダａに振動を印加することによって基板１０の一方の主面とハンダａとの界面を活性化させ、基板１０の一方の主面にハンダａを塗布してもよい。
本実施の形態では、基板１０の一方の主面における外周縁部に溶融したハンダａを塗布して固化させ、さらに、封止板３０の一方の主面における外周縁部に溶融したハンダａを塗布して固化させたが、これに限るものではなく、基板１０の一方の主面及び封止板３０の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方に、溶融したハンダａを塗布して固化させてもよい。具体的には、基板１０の一方の主面における外周縁部のみにハンダａを塗布した場合は、不図示の振動発生装置を用いて封止板３０に振動を印加することにより封止板３０の一方の主面とハンダ部８１との界面を活性化させ、ハンダ部８１が形成された基板１０の一方の主面及び封止板３０の一方の主面を互いに合わせてもよい。同様に、封止板３０の一方の主面における外周縁部のみにハンダａを塗布した場合は、不図示の振動発生装置を用いて基板１０に振動を印加することにより基板１０の一方の主面とハンダ部８２との界面を活性化させ、ハンダ部８２が形成された封止板３０の一方の主面及び基板１０の一方の主面を互いに合わせてもよい。
本発明の各実施の形態では、９１．２Ｓｎ−８．８Ｚｎ（共晶点温度：１９８℃）のハンダａを用いたが、これに限定されるものではなく、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＡｇから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含む合金又は金属であって、共晶点温度又は融点が２５０℃以下となるハンダであってもよい。
さらに、上記金属材料は、さらに、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含んでいてもよい。これにより、溶着層４０と基板１０のガラス成分との接着性を向上させることができる。
また、上記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、液相線温度が１５０℃以下であるのが好ましい。これにより、基板１０との接着性が更に向上し、且つ低い温度での封止接合を実現することができる。
ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が５０〜６５％の範囲であり、且つ液相線温度が１２５℃以下であるのがより好ましい。これにより、基板１０との接着性が更に向上すると共に凝固後の組織が微細で柔軟性に富み、機械的特性に優れ、且つ更に低い温度での封止接合を実現することができる。
また、ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜７．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．１％、かつ液相線温度が１５０℃以下であるのが好ましく、さらに、Ｚｎが０．１〜５．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．０５％であり、かつ液相線温度が１２５℃以下で
あるのがより好ましい。これにより、基板１０との接着性が更に向上すると共に、ＴｉとＺｎとを共存させることによりＴｉをより均質に含有させることができ、もってハンダと基板１０との界面における耐候性を向上させることができる。
あるのがより好ましい。これにより、基板１０との接着性が更に向上すると共に、ＴｉとＺｎとを共存させることによりＴｉをより均質に含有させることができ、もってハンダと基板１０との界面における耐候性を向上させることができる。
ここで、Ｚｎが上記範囲の量より少ない場合は、基板１０との接着性が向上しないと共にＴｉをより均質に含有させることができず、一方Ｚｎが上記範囲の量より多い場合は、ハンダの液相線温度が高くなることで接着に必要な温度が高くなり不都合である。
Ｔｉが上記範囲の量より少ない場合は、基板１０との接着性が向上せず、一方Ｔｉが上記範囲の量より多い場合は、ハンダの液相線温度が高くなることにより、接着に必要な温度が高くなり不都合である。特に、ハンダの溶融状態においてＴｉと他成分との化合物が析出しやすくなり好ましくない。
また、より好ましくはＩｎ−Ｓｎ二元系の共晶組成であるＩｎ５２％、Ｓｎ４８％に近いハンダである程良く、特に、Ｉｎ−Ｓｎ二元系の共晶組成であるＩｎ５２％、Ｓｎ４８％（共晶温度１１７℃）から成るハンダは、凝固後の組織が非常に細微となり、柔軟性に富み、機械的特性に優れるため好ましい。
さらに好ましくは、Ｉｎ−Ｓｎ二元系の共晶組成であるＩｎ５２％、Ｓｎ４８％（共晶温度１１７℃）から成るハンダにＺｎとＴｉを添加したもの、例えば、Ｉｎ５１％、Ｓｎ４７％、Ｚｎ２．０％、Ｔｉ０．００２％の組成から成るハンダがよい。これにより、基板１０との接着性が極めて良好であり、ハンダと基板１０との界面の耐候性も極めて良好となる。
上記ハンダとしては、具体的には、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系等のハンダであって、その共晶点温度が２５０℃以下となるようなハンダを用いてもよい。
本実施の形態では、ガラス素板に凹部３２を形成する方法として、ウェットエッチング法を用いているが、ドライエッチング法でもよく、ドライエッチング法とウェットエッチング法とを併用してもよい。
本実施の形態では、封止板３０の材料として無アルカリガラスを用いたが、有機ＥＬ素子１００の構成に応じて低アルカリガラス、又はエッチング後にアルカリ溶出防止処理を施したソーダライムガラス又は石英ガラスを用いることができる。また、封止板３０の材料として、金属材料を用いてもよく、この金属材料としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅを用いることが好ましく、さらに、ＳＵＳ、セラミック、Ｐｔ、Ａｕを用いてもよい。
また、封止板３０の形状は、図１に記載された形状に限定されるものではなく、有機ＥＬ積層体２０を保護するべく、基板１０と溶着層４０とによって封止できるものであればよい。
本実施の形態では、有機ＥＬ積層膜２２はパッシブ構造をとるものであったが、アクティブ構造をとるものであってもよい。また、本実施の形態では、有機ＥＬ素子１００はトップエミッション構造をとるものとしたが、ボトムエミッション構造をとるものであってもよい。
また、ＥＬ積層膜は、有機ＥＬ積層膜２２に代えて、無機ＥＬ積層膜であってもよい。この場合、透明導電膜側から順に、絶縁層、発光層、絶縁層からなるものや、電子障壁層、発光層、電流制限層からなるものが用いられる。
また、本実施の形態では、ＥＬ表示パネルとしての有機ＥＬ素子１００を用いたが、これに限定されるものではなく、ＣＲＴ、ＰＤＰ等の表示パネルを用いてもよい。
１０ 基板
２０ 有機ＥＬ積層体
２１ 導電膜
２２ 有機ＥＬ積層膜
２３ 上部透明電極
２４ 引出し電極
３０ 封止板
３１ 周辺突条部
４０ 溶着層
５７ 間隙部
１００ 有機ＥＬ素子
２０ 有機ＥＬ積層体
２１ 導電膜
２２ 有機ＥＬ積層膜
２３ 上部透明電極
２４ 引出し電極
３０ 封止板
３１ 周辺突条部
４０ 溶着層
５７ 間隙部
１００ 有機ＥＬ素子
Claims (13)
- 基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルにおいて、前記基板と前記封止板は、金属材料から成る溶着層を介して封止接合されていることを特徴とする表示パネル。
- 前記金属材料は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｇａ、及びＡｇから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むハンダから成ることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
- 前記ハンダは、さらに、Ｔｉ、Ａｌ、及びＣｒから成る群から選択された少なくとも１つの材料を含むことを特徴とする請求項２記載の表示パネル。
- 前記金属材料は、共晶点温度又は融点が２５０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示パネル。
- 前記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、液相線温度が１５０℃以下であることを特徴とする請求項２記載の表示パネル。
- 前記ハンダは、実質的にＩｎとＳｎから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、かつ液相線温度が１２５℃以下であることを特徴とする請求項２記載の表示パネル。
- 前記ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜７．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．１％、かつ液相線温度が１５０℃以下であることを特徴とする請求項３記載の表示パネル。
- 前記ハンダは、実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉから成り、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）の重量配分率が５０〜６５％の範囲であり、Ｚｎが０．１〜５．０％、Ｔｉが０．０００１〜０．０５％、かつ液相線温度が１２５℃以下であることを特徴とする請求項３記載の表示パネル。
- 前記表示パネルは有機ＥＬ表示パネルであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示パネル。
- 基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルの製造方法において、前記基板と前記封止板とを、溶融した金属材料を用いて摩擦接合法によって封止接合することを特徴とする表示パネルの製造方法。
- 基板と、前記基板に封止接合された封止板とを備える表示パネルの製造方法において、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方に溶融した金属材料を塗布する塗布ステップと、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面を互いに合わせる合わせステップと、塗布した前記金属材料を溶着させることにより前記基板と前記封止板とを封止接合する封止接合ステップとを備えることを特徴とする表示パネルの製造方法。
- 前記塗布ステップは、前記基板の一方の主面及び前記封止板の一方の主面における外周縁部の少なくとも一方と溶融した前記金属材料との界面を活性化させて前記金属材料を塗布することを特徴とする請求項１１記載の表示パネルの製造方法。
- 前記塗布ステップ及び前記封止接合ステップの少なくとも一方は不活性雰囲気内で行われることを特徴とする請求項１１記載の表示パネルの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003422679A JP2005116497A (ja) | 2003-03-10 | 2003-12-19 | 表示パネル及びその製造方法 |
| PCT/JP2004/003093 WO2004082337A1 (ja) | 2003-03-10 | 2004-03-10 | 表示パネル及びその製造方法 |
| GB0518956A GB2416320A (en) | 2003-03-10 | 2004-03-10 | Display panel and process for producing the same |
| KR1020057016942A KR20050104423A (ko) | 2003-03-10 | 2004-03-10 | 표시 패널 및 그 제조 방법 |
| TW093106312A TW200501808A (en) | 2003-03-10 | 2004-03-10 | Display panel and process for producing the same |
| US11/222,568 US20060061271A1 (en) | 2003-03-10 | 2005-09-09 | Display panel and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003063220 | 2003-03-10 | ||
| JP2003317114 | 2003-09-09 | ||
| JP2003328805 | 2003-09-19 | ||
| JP2003422679A JP2005116497A (ja) | 2003-03-10 | 2003-12-19 | 表示パネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005116497A true JP2005116497A (ja) | 2005-04-28 |
Family
ID=32996198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003422679A Withdrawn JP2005116497A (ja) | 2003-03-10 | 2003-12-19 | 表示パネル及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060061271A1 (ja) |
| JP (1) | JP2005116497A (ja) |
| KR (1) | KR20050104423A (ja) |
| GB (1) | GB2416320A (ja) |
| TW (1) | TW200501808A (ja) |
| WO (1) | WO2004082337A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008077855A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
| JP2008089634A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2018018756A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 表示装置の製造方法および製造装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004362914A (ja) | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置 |
| JP2007250455A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
| DE102013110174A1 (de) * | 2013-09-16 | 2015-03-19 | Osram Oled Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
| WO2016084256A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| WO2018003865A1 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-04 | 京セラ株式会社 | 封止体、太陽電池モジュールおよび封止体の製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0680881B2 (ja) * | 1984-06-29 | 1994-10-12 | 富士通株式会社 | 半田溶融式高密度コネクタ |
| JPH04277716A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体及び情報記録装置 |
| JPH07227690A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-08-29 | Asahi Glass Co Ltd | はんだ合金及びターゲット構造体 |
| US6195142B1 (en) * | 1995-12-28 | 2001-02-27 | Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. | Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element |
| JPH10125463A (ja) * | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| JPH11510647A (ja) * | 1996-05-28 | 1999-09-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
| US5874804A (en) * | 1997-03-03 | 1999-02-23 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package and method of fabrication |
| JPH11239866A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-09-07 | Nihon Almit Co Ltd | 低温半田付け法 |
| JP2001058287A (ja) * | 1999-06-11 | 2001-03-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 無鉛ハンダ |
| DE10005296A1 (de) * | 2000-02-07 | 2001-08-16 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung für die Emission elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US6706316B2 (en) * | 2001-05-08 | 2004-03-16 | Eastman Kodak Company | Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays |
| JP3745702B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2006-02-15 | 双葉電子工業株式会社 | リングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法 |
| JP2004027404A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 防湿封止材及びこれを用いた実装体、防湿封止材の製造方法及び防湿封止材を用いた実装体の製造方法 |
-
2003
- 2003-12-19 JP JP2003422679A patent/JP2005116497A/ja not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-03-10 WO PCT/JP2004/003093 patent/WO2004082337A1/ja active Application Filing
- 2004-03-10 GB GB0518956A patent/GB2416320A/en not_active Withdrawn
- 2004-03-10 KR KR1020057016942A patent/KR20050104423A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-03-10 TW TW093106312A patent/TW200501808A/zh unknown
-
2005
- 2005-09-09 US US11/222,568 patent/US20060061271A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008077855A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
| JP2008089634A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2018018756A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 表示装置の製造方法および製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2416320A (en) | 2006-01-25 |
| WO2004082337A1 (ja) | 2004-09-23 |
| KR20050104423A (ko) | 2005-11-02 |
| TW200501808A (en) | 2005-01-01 |
| US20060061271A1 (en) | 2006-03-23 |
| GB0518956D0 (en) | 2005-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1814182B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR100682561B1 (ko) | 유리 패널 및 그 제조 방법 | |
| JP5555793B2 (ja) | アンチモンを含まないガラス、アンチモンを含まないフリット、およびフリットで緊密に封止されたガラスパッケージ | |
| US20070292072A1 (en) | Solder alloys | |
| US8375744B2 (en) | Hermetically sealed glass package and method of manufacture | |
| TWI375484B (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
| US6936963B2 (en) | Process for encapsulating a component made of organic semiconductors | |
| US6724143B2 (en) | Packaging structure for a display device | |
| JP4842470B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセント装置 | |
| US20090014746A1 (en) | Solder alloys | |
| US20060061271A1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
| US8110982B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| EP3483130A1 (en) | Tempered vacuum glass | |
| EP1921689A1 (en) | Organic light-emitting display device and fabricating method of the same | |
| US20110014731A1 (en) | Method for sealing a photonic device | |
| KR20090128430A (ko) | 유기 ｅｌ 패널 및 그 제조 방법 | |
| JP2007200840A (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
| CN104628252A (zh) | 一种掺稀土无铅玻璃料和利用该玻璃料的电气元件密封方法 | |
| JP4506753B2 (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP2014512085A (ja) | 可撓性の固体状態デバイスのための低温接触構造体 | |
| JP5516194B2 (ja) | 光加熱封着用ガラス、封着材料層付きガラス部材、及び電子デバイスとその製造方法 | |
| JP2004279966A (ja) | 表示パネルの製造装置及びその製造方法 | |
| GB2383683A (en) | Sealed housing for a display device comprising two sealing layers | |
| CN1759638A (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
| JPH04278983A (ja) | 表示パネルの封止方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060427 |
|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070306 |