JP3745702B2 - リングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法 - Google Patents
リングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本願発明は、蛍光表示管、CRT、PDP(プラズマディスプレイ)等の電子管やELD(エレクトロルミネセントディスプレイ)等のリングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子管やELD等の電子デバイスは、密封容器内にゲッターを取付け、外部から電磁波やレーザー光等によってそのゲッターを加熱し活性化して、密封容器内のガスや水を吸収したり、所定のガスを放出させたりしている。例えば、電子管が真空管系の場合には、密封容器内のガスを吸収して真空度を高め、電子管が放電管系の場合には、密封容器内に封入したキセノン、ネオン等を主成分とする放電ガス以外の不要又は有害なガスを吸収し、ELDの場合には、密封容器内の水を吸収して長寿命化を図るために、夫々密封容器内にゲッターを取付けている。
図7、図8により、従来のゲッターを備えた電子デバイスの内、蛍光表示管について説明する。なお図7、図8に共通する部分は、同じ符号を使用している。
【0003】
図7は、従来のリングゲッターを取付けた蛍光表示管の断面図である。
図7(a)は、図7(b)のY2−Y2部分の矢印方向の断面図、図7(b)は、図7(a)のY1−Y1部分の断面図である。ガラスのアノード基板511に、蛍光体を塗布したアノード電極55を形成し、陰極用フィラメント532の保持部材(アンカー又はサポート)531の取付け部材52を形成してある。取付け部材52には、リングゲッター54の保持部材543を取付けてある。ゲッター保持部材543には、ゲッター材料542を充填したリング状容器541を溶接等により固定してある。アノード電極55とフィラメント532の間には、グリッド56を配置してある。なお512は、ガラスのフロント基板、513〜515は、ガラスの側面板である。またアノード配線等の配線、フロント基板のネサ膜等は省略してある。
【0004】
リング状容器541は、鉄製容器にニッケルメッキしたものからなり、Ba,Mg等又はそれらの合金に、Al,Ni等の添加金属を添加してなるゲッター材料542を充填してある。
リングゲッター54は、蛍光表示管の外側から高周波誘導加熱によりリング状容器541を加熱して、ゲッター材542をフラッシュ(蒸発)させて、活性化している。蒸発したゲッター材542の粒子は、フロント基板512の内面にゲッターミラー膜を形成する。
【0005】
リングゲッター54は、特殊なリング状容器541や保持部材543等を使用するため、小型化が難しく、取付けスペースが大きくなってしまう。かつリング状容器541は、アノード基板511と1mm以上離さないと、加熱の際アノード基板511にクラックが生じてしまう。そのため、蛍光表示管の小型化、薄型化の障害になっている。またリング状容器541や保持部材543は、加工費が高く、かつそれらの取付け作業が簡単でないため、蛍光表示管の製造コストが高くなってしまう。
またリングゲッター54の取付け場所は、取付け部材52等金属部品に限られてしまうため、リングゲッター54の配置に自由度がない。
【0006】
図7のリングゲッターの欠点を改善するため、特殊なリング状容器や保持部材等を使用しない、図8のリングレスゲッターが提案されている。
図8(a)は、フロント基板512の内面にポケット部(凹状部)を形成し、そのポケット部にゲッター材料を充填してリングレスゲッター54を形成してある(特開平5−114373号公報参照)。この場合には、フロント基板512にポケット部を形成しなければならないため、加工費が高くなり、かつポケット部はあまり深くできないため充分なゲッター効果を得るのに必要な量のゲッター材料を充填することができない。
【0007】
図8(b)は、スクリーン印刷や真空蒸着によりフロント基板512の内面にゲッター材料の厚膜又は薄膜状のリングレスゲッター54を形成してある(WO93/16484号公報参照)。この場合には、リングレスゲッター54は、厚膜又は薄膜状であるから充分なゲッター効果を得るのに必要な量のゲッター材料を固定することができない。
【0008】
図8(a)、図8(b)のリングレスゲッターに代えて、図8(c)のリングレスゲッター54も考えられる。図8(c)のリングレスゲッター54は、ゲッター材料を直径2mm、厚さ0.5mmの円板状に焼結したものからなり、そのリングレスゲッター54をフロント基板512の内面に、フリットガラス57により取付けてある。この場合には、リングレスゲッター54は、その厚みを厚くすることにより充分な量のゲッター材料を取付けることができるが、接着強度、特にリングレスゲッターとフリットガラスの接着強度が弱いため(シェア−強度は1N以下)、蛍光表示管の製造過程で脱落する恐れがある。
【0009】
加えて接着用フリットガラスを大気中で焼成する際、ゲッター材料は、焼成温度が高いと劣化するため(例えば成分のBaAl4が酸化する)、焼成温度を低くするが(大気焼成の場合450℃以下)、焼成温度が低いとフリットガラスペーストの有機成分(例えばエチルセルロース)が残ってしまい、蛍光表示管の信頼性を損なう原因になる。またリングレスゲッター54をレーザー光でフラッシュする際、レーザー光がフリットガラス57に達すると、大量のガスが放出され、フィラメント532のエミッションが著しく低下してしまう。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明は、前記した従来のリングゲッター及びリングレスゲッターの問題点に鑑み、構造が簡単で、取付けが容易で、配置に自由度があり、取付け時やフラッシュ時の加熱によるガラスの基板のクラックがなく、電子管やELD等の電子デバイスの小型化や薄型化に適し、かつ電子デバイスの機能を損なうガスの発生がない、リングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の電子デバイスは、密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする。
請求項2に記載の電子デバイスは、密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化しており、光エネルギーによってその固定したリングレスゲッターを活性化して形成したゲッターミラー膜を備えていることを特徴とする。
請求項3に記載の電子デバイスは、請求項1又は請求項2に記載の電子デバイスにおいて、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。
請求項4に記載の電子デバイスは、請求項1又は請求項2に記載の電子デバイスにおいて、前記ガラスの基材は密封容器の一部を構成していることを特徴とする。
請求項5に記載の電子デバイスは、密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはゲッター材料粉末と添加金属との混合粉末をプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする。
請求項6に記載の電子デバイスは、樹脂製密封容器の内面に光エネルギーによって固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする。
【0012】
請求項7に記載のリングレスゲッターの固定方法は、電子デバイスにおいて、ガラスの基材にプレス成形により形成したリングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレスゲッターに照射して、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化してリングレスゲッターをガラスの基材に固定することを特徴とする。
請求項8に記載のリングレスゲッターの固定方法は、請求項7に記載のリングレスゲッターの固定方法において、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。
請求項9に記載のリングレスゲッターの活性化方法は、電子デバイスにおいて、ガラスの基材にプレス成形により形成したリングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレスゲッターに照射して、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化してリングレスゲッターをガラスの基材に固定し、その固定したリングレスゲッターに光エネルギーを照射して、リングレスゲッターを活性化することを特徴とする。
請求項10に記載のリングレスゲッターの活性化方法は、請求項9に記載のリングレスゲッターの活性化方法において、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
図1〜図6により本願発明の実施の形態に係る電子デバイスの一つである蛍光表示管、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法について説明する。なお各図に共通の部分は、同じ符号を使用している。
【0014】
図1は、本願発明の第1実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。図1(a)は、図1(b)のX2−X2部分の矢印方向の断面図であり、図1(b)は、図1(a)のX1−X1部分の矢印方向の断面図である。
図1において、111は、ガラスのアノード基板、112は、ガラスのフロント基板、113〜115は、ガラスの側面板、12は、金属板等からなるフィラメントの保持部材(アンカー又はサポート)の取付け部材、131は、426合金(Ni42%、Cr6%、残りFe)等の金属部材からなるフィラメントの保持部材、132は、WやRe−W等の芯線に三元炭酸塩等の電子放出物質を被着した陰極用のフィラメント、15は、ZnO:Zn等の蛍光体を塗布したアルミニウム等の金属膜からなるアノード電極、16は、フィラメント132とアノード電極15との間に配置したステンレスや426合金等からなるグリッド、G11〜G13は、リングレスゲッターである。
【0015】
リングレスゲッターG11〜G13は、BaAl4,MgAl等の粉末、又はBaAl4,MgAl等とNi,Ti,Fe等の添加金属との混合粉末を、プレス成形により形成する。
アノード基板111、フロント基板112及び側面板113〜115は、蛍光表示管の外囲器、即ち密封容器を構成している。ここで側面板をアノード基板111又はフロント基板112と一体的に箱状に形成した場合には、側面板は必要ない。
【0016】
リングレスゲッターG11〜G13は、後述するように、アノード基板111の外側からレーザー光を照射してアノード基板111の内面に接着剤等の固着部材を使用せずに直接固定してある。リングレスゲッターG11〜G13は、それらの大きさにより一個でよい場合もあり、複数個使用する方がよい場合もある。リングレスゲッターG11〜G13の個数は、蛍光表示管内に発生するガスの吸収に必要なゲッター材料の総量で決まるから、そのガス量に応じて選定する。
リングレスゲッターG11〜G13は、プレス成形により任意の形状に形成できるから、アノード基板111の空きスペースの形状に対応した形状のものを複数個用意することにより、その空きスペースをリングレスゲッターの固定場所として有効に利用することができる。
【0017】
図2は、本願発明の第2実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
図2(a)は、リングレスゲッターG14,G15をフロント基板112の面に固定した例であり、図2(b)は、リングレスゲッターG16を側面板114の内面に固定した例である。図2は、図2(a)、図2(b)の配置を組合せて、1個の蛍光表示管のフロント基板112及び側面板114に、リングレスゲッターG14,G15,G16を固定することもできる。
【0018】
図3は、本願発明の第3実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
図3は、フィラメント132をフロント基板112に取付け、リングレスゲッターG17をガラスの中間基板116に固定してある。
中間基板116は、グリッド16を保持する部材で、フィラメント132から放出された電子がアノード電極15に向かって通過できる開口部117を形成してある。中間基板116は、蛍光表示管の外囲器(密封容器)の中仕切り部材として使用することもできる。
【0019】
フィラメント132の端部は、フロント基板112に形成したカソード取付け電極となるアルミニウム等の金属層(膜)133に超音波溶接により取付けてある。即ちフィラメント132の端部を、金属層133と金属片134の間に挟持し、金属片134を金属層133に超音波溶接(拡散溶接、摩擦圧接、固相接合等を含む)してある。フィラメント132は、アルミニウム細線やガラスファイバー等からなるスペーサー135により所定の高さに保持されている。
図3のリングレスゲッターG17は、中間基板116の一方の面に固定してあるが、両面に固定することもできる。その場合は、両面のリングレスゲッターが重ならないように配置する。
【0020】
図4は、本願発明の第4実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
図4は、アノード基板111に形成したアルミニウム等の金属膜からなるアノード配線151の上に、リングレスゲッターG18を直接(SiO2やSiN等からなる絶縁層を介することなく)固定してある。ここでアノード配線とは、アノード電極に接続され、蛍光表示管の外部に引き出されて給電点となる配線である(後述のカソード配線とグリッド配線も同様である)。この場合、リングレスゲッターG18を固定するときに、仮にアノード配線151が溶融してもリングレスゲッターG18は金属であるから、リングレスゲッターG18の部分でアノード配線151が断線することはない。なおリングレスゲッターG18は、後述するように蛍光表示管の封止後レーザー光を照射してフラッシュするが、フラッシュによりリングレスゲッターG18全部が蒸発してしまうことはないから、そのフラッシュによりアノード配線151が断線することはない。
本実施形態の場合には、リングレスゲッターをアノード配線上にも固定できるから、リングレスゲッターの配置の自由度は一層が大きくなる。
これは、カソード基板(フロント基板)に形成したカソード電極に接続されたカソード配線やグリッドに接続されたグリッド配線にも同様に適用可能である。
【0021】
図5は、本願発明の実施の形態に係るリングレスゲッターの平面図と断面図である。
図5(a)、(b)のリングレスゲッターG21は、4角形にプレス成形してある。図5(b)は、図5(a)のX3−X3部分の断面図である。
図5(c)のリングレスゲッターG22は、円板状にプレス成形してあり、図5(d)のリングレスゲッターG23は、ドーナツ状にプレス成形してある。
【0022】
図5(e)、(f)のリングレスゲッターG24は、4角形にプレス成形してある。図5(f)は、図5(e)のX4−X4部分の断面図である。リングレスゲッター24は、ゲッター材料層G241とAl等の金属板又は金属材料層の金属層G242からなり、ゲッター材料と金属板とを一体的にプレス成形してある。リングレスゲッター24は、金属層G242をアノード基板等の固定面に向けて固定する。金属層G242は、インジウム、錫又はその合金、426合金、アルミニウム等を使用できる。
リングレスゲッター24は、金属層G242を有するから、ゲッター材料層G241のみの場合よりも壊れ難く、したがってリングレスゲッターG24の固定作業等が容易になる。
【0023】
図5のリングレスゲッターの形状は、一例であって他の形状のものであってもよい。蛍光表示管に取付けるリングレスゲッターは、一個に限らず、リングレスゲッターを取付ける場所の形状に対応した形状のものを複数個用い、蛍光表示管内の空きスペースを有効に利用することができる。
【0024】
図6は、本願発明の実施の形態に係るリングレスゲッターの固定方法及びリングレスゲッターのフラッシュによる活性化方法を説明するための図である。
まず図6(a)のように、アノード基板111の内面上に仮止めしたリングレスゲッターG11に、アノード基板111の外側からレーザー光L1を照射する。その仮止めは、アクリル等の低温分解性の接着剤により固定する方法、或いは機械的にリングレスゲッターをクランプしてアノード基板へ押し付けて固定する方法等がある。リレーザー光L1は、アノード基板111にほとんど吸収されずに透過してリングレスゲッターG11に到達する。リングレスゲッターG11は、レーザー光L1により加熱されて溶融する。この際レーザー光L1は、アノード基板111を透過してしまうから、アノード基板111を加熱することはないが、リングレスゲッターG11の加熱によりアノード基板111も加熱され、アノード基板111のリングレスゲッターG11が接触している部分が溶融する。この状態でリングレスゲッターG11とアノード基板111を冷やすと、双方の溶融した部分が固化するため、リングレスゲッターG11はアノード基板111に強固に固定される。
【0025】
ここでリングレスゲッターG11の材料は、従来ゲッター材料として使用されているものを使用できるが、例えばBaAl4,MgAl等とNi,Ti,Fe等との混合物を使用した場合には、AlとNi等とが反応して反応熱を発生する。その反応熱により、リングレスゲッターG11の温度は、1050℃程度まで上昇するため、アノード基板111の内表面(リングレスゲッターG11に接触している部分)は、急速に溶融する。リングレスゲッターの材料は、光エネルギーであるレーザー光の透過率が低いもの(全透過以外のもの)を適宜選択する。
【0026】
このように本願の発明者は、レーザー光L1がガラスのアノード基板111を透過してリングレスゲッターG11を加熱し、そのリングレスゲッターG11の加熱によりアノード基板111も加熱されて溶融する点に着目し、レーザー光L1の照射によりリングレスゲッターG11をアノード基板111に固定する方法を発明した。
【0027】
レーザー光L1の照射は、レーザーマーカー方式、ドットスポット方式のいずれであってもよい。またレーザーは、YAGレーザー、エキシマレーザー、炭酸ガスレーザー等を使用する。
ガラスの基材は、可視光からYAGレーザーで使用される1.06μmまでを透過する。特に1.06μmの透過率は高いため、YAGレーザーを用いると有効である。
【0028】
本実施形態は、直径2mm、厚さ0.5mmの円板状のリングレスゲッターと、2×10mm、厚さ0.5mmの平板状リングレスゲッターを用い、それらのリングレスゲッターを、厚さ1.1mmのソーダ−ガラスの基板に固定した。なお基板に用いるガラスは、無アルカリガラス等他のガラスでもよい。
レーザーは、YAGレーザーを使用し、レーザー光の照射条件を、17W,10kH,20mm/秒に設定して、レーザーマーカー方式により実施した。
【0029】
この方法によるリングレスゲッターの接着強度(シェア−強度)は、円板状のものは20N、平板状のものは60N以上となり、同じ大きさ同じ条件のリングレスゲッターをフリットガラスにより接着した場合の接着強度に比べて、20倍以上になった。ここでシェア−強度は、アノード基板上に固定したリングレスゲッターに、その側面からアノード基板と平行する方向の力を加えて、リングレスゲッターをアノード基板から剥がすときの力、即ちリングレスゲッターを剥がすのに要する力の最大値のことである。
【0030】
アノード基板111にリングレスゲッターG11を固定した後、従来の組み立工程を経て、図6(b)のように蛍光表示管を組み立て、封着排気する。
排気後図6(c)のように、フロント基板112の外側、即ち蛍光表示管の外囲器(密封容器)の外側からレーザー光L2をリングレスゲッターG11に照射すると、リングレスゲッターG11は活性化(フラッシュ)して、蒸発した(フラッシュした)ゲッター材料の粒子が矢印F方向へ飛散してフロント基板112の内面、即ち蛍光表示管の外囲器の内面にゲッターミラー膜(図示せず)を形成する。なおレーザー光L2を、側面板114の外側からリングレスゲッターG11の側面に照射して、Ba等からなるゲッターミラー膜を側面板114の内面に形成することもできる。
レーザーの照射は、照射条件を8W,5kH,100mm/秒に設定して、レーザーマーカー方式により実施した。
【0031】
前記各実施形態は、リングレスゲッターをアノード基板、フロント基板、側面板、或いはグリッド保持用の中間基板に固定する例について説明したが、リングレスゲッターを固定する部材は、これらに限らない。例えば、ガラスの支柱(支持部材或いはスペーサー)、蒸発したゲッター材料が表示領域、電極等へ飛散するのを防止するガラス板等、蛍光表示管の外囲器内に配置するガラスの部材であればリングレスゲッターを固定することができる。本願発明は、これらのリングレスゲッターを固定するガラスの部材をガラス基材と呼ぶ。
【0032】
前記各実施形態は、個々のガラスの基材にリングレスゲッターを固定する例について説明したが、複数のガラス基板にリングレスゲッターを固定することもできる。リングレスゲッターを固定するガラスの基材と場所は、蛍光表示管の構造により適宜選定する。
【0033】
前記各実施形態は、レーザー光によりリングレスゲッターを取付け、レーザー光によりフラッシュする例について説明したが、レーザー光に限らず、レーザー光以外の光エネルギーを使用することができる。
前記各実施形態は、蒸発型ゲッターについて説明したが、Zr,Ti,Ta等を主成分とする非蒸発型ゲッターであってもよい。なお非蒸発型ゲッターの場合には、フラッシュさせずに活性化温度に加熱してガス吸着機能を発現させるが、その加熱に光エネルギーを利用することが可能である。
【0034】
前記各実施形態は、蛍光表示管について説明したが、蛍光表示管に限らず、電界電子放出型蛍光表示管、大画面表示装置用発光管、蛍光プリントヘッド用発光管、CRT等の真空管系電子管、PDP等の放電管系電子管、ELD等の電子デバイスであってもよい。電子デバイスが放電管系電子管やELDの場合には、リングレスゲッターは、非蒸発型のものを使用し、PDPは、窒素、酸素等を吸収するゲッター材料を、ELD、特に第1電極と、第1電極の上に形成された発光層を含む有機層と、有機層の上に形成された第2電極からなる有機発光素子が密封容器内に収められている有機ELDは、水を吸収するゲッター材料を使用する。またELDは、密封容器にプラスチック、ポリマーフィルム等の樹脂も使用されているが、樹脂が透明の場合、即ち光エネルギーが透過する場合には、光エネルギーは樹脂を加熱することなく透過するから、光エネルギーによってリングレスゲッターを密封容器の内面に固定することができる。
【0035】
前記各実施形態は、アノード基板、フロント基板、側面板、或いはグリッド保持用中間基板の全ての基材がガラスからなる場合について説明したが、必ずしも全ての基材をガラスにする必要はなく、少なくともリングレスゲッターを固定する基材がガラスであればよく、また基材は、少なくともリングレスゲッターを固定する箇所がガラスであればよい。
また同様にリングレスゲッターを活性化する場合には、リングレスゲッターに対向する基板(リングレスゲッターに光エネルギーを照射する際、光エネルギーを透過する基板)の全部又は一部がガラスであればよい。
【0036】
【発明の効果】
本願発明のリングレスゲッターは、構造が簡単であり、レーザー光等をリングレスゲッターに照射するのみで、ガラスの基板に固定することができるから、取付け作業が簡単になり、取付けの自動化が容易になる。
本願発明は、ガラスの基板にリングレスゲッターを固定することができるから、リングレスゲッターの配置の自由度が大きく、例えばアノード配線等の金属の配線(電極配線)の上にも固定することができる。
【0037】
本願発明のリングレスゲッターとガラスの基材は、一旦溶融して固化するから、リングレスゲッターは、ガラスの基材に強固に固定される。即ち本願発明のリングレスゲッターとガラスの基材は、リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化して固定するから、リングレスゲッターは、ガラスの基材に強固に固定される。
本願発明は、リングレスゲッターの固定にフリットガラスを使用しないから、リングレスゲッターのフラッシュの際、フリットガラスからガスが発生してフィラメント等の電子源の電子放出を妨げることがない。
【0038】
本願発明のリングレスゲッターは、レーザー光等によってガラスの基材に固定し、レーザー光等によってフラッシュするから、レーザー光等の照射条件を変えるのみで、同じレーザー光等の照射装置を、リングレスゲッターの取付けとフラッシュに共用することができる。
【0039】
本願発明のリングレスゲッターは、ゲッター材料の粉末をプレス成形するのみで形成できるから、構造が簡単になり、かつ安価に容易に製造することができる。また本願発明のリングレスゲッターは、任意の形状に成形できるから、電子デバイス内の空きスペースに対応した形状のものを製造することができる。したがって形状の異なるリングレスゲッターを組合せて使用することにより、電子デバイス内の空きスペースを有効に利用することができる。
本願発明のリングレスゲッターは、ゲッター材料の粉末と添加金属の混合粉末をプレス成形して形成するから、リングレスゲッターとガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方を溶融し固化して固定するとき、リングレスゲッターにレーザー光等を照射するとリングレスゲッターは、発熱するためその溶融が容易になる。
【0040】
本願発明のリングレスゲッターは、プレス成形により形成するから、リングレスゲッターの厚さを任意に設定できる。したがって本願発明は、電子デバイス内のガスの吸収に必要な充分の量のゲッター材料からなるリングレスゲッターを電子デバイス内に取付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の第1実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
【図2】本願発明の第2実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
【図3】本願発明の第3実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
【図4】本願発明の第4実施形態に係る蛍光表示管の断面図である。
【図5】本願発明の実施形態に係るリングレスゲッターの平面図と断面図である。
【図6】本願発明の実施形態に係るリングレスゲッターの固定方法及びリングレスゲッターのフラッシュ方法を説明するための図である。
【図7】従来のリングゲッターを備えた蛍光表示管の断面図である。
【図8】従来のリングレスゲッターを備えた蛍光表示管の断面図である。
【符号の説明】
111 アノード基板
112 フロント基板
113,114,115 側面板
116 中間基板
12 フィラメントの保持部材の取付け部材
131 フィラメントの保持部材(アンカー又はサポート)
132 陰極用のフィラメント
133 金属層(膜)
134 金属片
135 スペーサー
15 蛍光体を塗布したアノード電極
16 グリッド
G11〜G18、G21〜G24 リングレスゲッター
Claims (10)
- 密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする電子デバイス。
- 密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化しており、光エネルギーによってその固定したリングレスゲッターを活性化して形成したゲッターミラー膜を備えていることを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1又は請求項2に記載の電子デバイスにおいて、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1又は請求項2に記載の電子デバイスにおいて、前記ガラスの基材は密封容器の一部を構成していることを特徴とする電子デバイス。
- 密封容器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはゲッター材料粉末と添加金属との混合粉末をプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする電子デバイス。
- 樹脂製密封容器の内面に光エネルギーによって固定したリングレスゲッターを備え、前記リングレスゲッターはプレス成形により形成し、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化していることを特徴とする電子デバイス。
- 電子デバイスにおいて、ガラスの基材にプレス成形により形成したリングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレスゲッターに照射して、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化してリングレスゲッターをガラスの基材に固定することを特徴とするリングレスゲッターの固定方法。
- 請求項7に記載のリングレスゲッターの固定方法において、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とするリングレスゲッターの固定方法。
- 電子デバイスにおいて、ガラスの基材にプレス成形により形成したリングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレスゲッターに照射して、前記リングレスゲッターと前記ガラスの基材の前記リングレスゲッターが接触している部分の双方の溶融した部分を固化してリングレスゲッターをガラスの基材に固定し、その固定したリングレスゲッターに光エネルギーを照射して、リングレスゲッターを活性化することを特徴とするリングレスゲッターの活性化方法。
- 請求項9に記載のリングレスゲッターの活性化方法において、光エネルギーは、レーザー光であることを特徴とするリングレスゲッターの活性化方法。
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