JP2003331759A - リングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法 - Google Patents
リングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法Info
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- H01J2329/94—Means for exhausting the vessel or maintaining vacuum within the vessel
- H01J2329/943—Means for maintaining vacuum within the vessel
- H01J2329/945—Means for maintaining vacuum within the vessel by gettering
- H01J2329/946—Means for maintaining vacuum within the vessel by gettering characterised by the position or form of the getter
Abstract
(57)【要約】
【課題】 蛍光表示管等の電子デバイスにおいて、簡単
な構造のリングレスゲッターを簡単に固定すること、及
びリングレスゲッターの配置の自由度を大きくするこ
と。 【解決手段】 リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、
ガラスのアノード基板１１１の内面にレーザー光によっ
て固定されている。アノード基板１１１の外側からレー
ザー光をリングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３に照射する
と、レーザー光は、アノード基板１１１を透過し、リン
グレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３を加熱して溶融する。そ
の加熱により、アノード基板１１１の内面が溶融する。
冷えるとリングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３とアノード
基板１１１の溶融した部分は、固化するから、リングレ
スゲッターＧ１１〜Ｇ１３はアノード基板１１１に固定
される。リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、ゲッタ
ー材料をプレス成形によって任意の形状に形成する。
な構造のリングレスゲッターを簡単に固定すること、及
びリングレスゲッターの配置の自由度を大きくするこ
と。 【解決手段】 リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、
ガラスのアノード基板１１１の内面にレーザー光によっ
て固定されている。アノード基板１１１の外側からレー
ザー光をリングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３に照射する
と、レーザー光は、アノード基板１１１を透過し、リン
グレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３を加熱して溶融する。そ
の加熱により、アノード基板１１１の内面が溶融する。
冷えるとリングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３とアノード
基板１１１の溶融した部分は、固化するから、リングレ
スゲッターＧ１１〜Ｇ１３はアノード基板１１１に固定
される。リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、ゲッタ
ー材料をプレス成形によって任意の形状に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、蛍光表示管、Ｃ
ＲＴ、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等の電子管やＥ
ＬＤ（エレクトロルミネセントディスプレイ）等のリン
グレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッ
ターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法
に関する。
ＲＴ、ＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等の電子管やＥ
ＬＤ（エレクトロルミネセントディスプレイ）等のリン
グレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッ
ターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子管やＥＬＤ等の電子デバイスは、密
封容器内にゲッターを取付け、外部から電磁波やレーザ
ー光等によってそのゲッターを加熱し活性化して、密封
容器内のガスや水を吸収したり、所定のガスを放出させ
たりしている。例えば、電子管が真空管系の場合には、
密封容器内のガスを吸収して真空度を高め、電子管が放
電管系の場合には、密封容器内に封入したキセノン、ネ
オン等を主成分とする放電ガス以外の不要又は有害なガ
スを吸収し、ＥＬＤの場合には、密封容器内の水を吸収
して長寿命化を図るために、夫々密封容器内にゲッター
を取付けている。図７、図８により、従来のゲッターを
備えた電子デバイスの内、蛍光表示管について説明す
る。なお図７、図８に共通する部分は、同じ符号を使用
している。
封容器内にゲッターを取付け、外部から電磁波やレーザ
ー光等によってそのゲッターを加熱し活性化して、密封
容器内のガスや水を吸収したり、所定のガスを放出させ
たりしている。例えば、電子管が真空管系の場合には、
密封容器内のガスを吸収して真空度を高め、電子管が放
電管系の場合には、密封容器内に封入したキセノン、ネ
オン等を主成分とする放電ガス以外の不要又は有害なガ
スを吸収し、ＥＬＤの場合には、密封容器内の水を吸収
して長寿命化を図るために、夫々密封容器内にゲッター
を取付けている。図７、図８により、従来のゲッターを
備えた電子デバイスの内、蛍光表示管について説明す
る。なお図７、図８に共通する部分は、同じ符号を使用
している。
【０００３】図７は、従来のリングゲッターを取付けた
蛍光表示管の断面図である。図７（ａ）は、図７（ｂ）
のＹ２−Ｙ２部分の矢印方向の断面図、図７（ｂ）は、
図７（ａ）のＹ１−Ｙ１部分の断面図である。ガラスの
アノード基板５１１に、蛍光体を塗布したアノード電極
５５を形成し、陰極用フィラメント５３２の保持部材
（アンカー又はサポート）５３１の取付け部材５２を形
成してある。取付け部材５２には、リングゲッター５４
の保持部材５４３を取付けてある。ゲッター保持部材５
４３には、ゲッター材料５４２を充填したリング状容器
５４１を溶接等により固定してある。アノード電極５５
とフィラメント５３２の間には、グリッド５６を配置し
てある。なお５１２は、ガラスのフロント基板、５１３
〜５１５は、ガラスの側面板である。またアノード配線
等の配線、フロント基板のネサ膜等は省略してある。
蛍光表示管の断面図である。図７（ａ）は、図７（ｂ）
のＹ２−Ｙ２部分の矢印方向の断面図、図７（ｂ）は、
図７（ａ）のＹ１−Ｙ１部分の断面図である。ガラスの
アノード基板５１１に、蛍光体を塗布したアノード電極
５５を形成し、陰極用フィラメント５３２の保持部材
（アンカー又はサポート）５３１の取付け部材５２を形
成してある。取付け部材５２には、リングゲッター５４
の保持部材５４３を取付けてある。ゲッター保持部材５
４３には、ゲッター材料５４２を充填したリング状容器
５４１を溶接等により固定してある。アノード電極５５
とフィラメント５３２の間には、グリッド５６を配置し
てある。なお５１２は、ガラスのフロント基板、５１３
〜５１５は、ガラスの側面板である。またアノード配線
等の配線、フロント基板のネサ膜等は省略してある。
【０００４】リング状容器５４１は、鉄製容器にニッケ
ルメッキしたものからなり、Ｂａ，Ｍｇ等又はそれらの
合金に、Ａｌ，Ｎｉ等の添加金属を添加してなるゲッタ
ー材料５４２を充填してある。リングゲッター５４は、
蛍光表示管の外側から高周波誘導加熱によりリング状容
器５４１を加熱して、ゲッター材５４２をフラッシュ
（蒸発）させて、活性化している。蒸発したゲッター材
５４２の粒子は、フロント基板５１２の内面にゲッター
ミラー膜を形成する。
ルメッキしたものからなり、Ｂａ，Ｍｇ等又はそれらの
合金に、Ａｌ，Ｎｉ等の添加金属を添加してなるゲッタ
ー材料５４２を充填してある。リングゲッター５４は、
蛍光表示管の外側から高周波誘導加熱によりリング状容
器５４１を加熱して、ゲッター材５４２をフラッシュ
（蒸発）させて、活性化している。蒸発したゲッター材
５４２の粒子は、フロント基板５１２の内面にゲッター
ミラー膜を形成する。
【０００５】リングゲッター５４は、特殊なリング状容
器５４１や保持部材５４３等を使用するため、小型化が
難しく、取付けスペースが大きくなってしまう。かつリ
ング状容器５４１は、アノード基板５１１と１ｍｍ以上
離さないと、加熱の際アノード基板５１１にクラックが
生じてしまう。そのため、蛍光表示管の小型化、薄型化
の障害になっている。またリング状容器５４１や保持部
材５４３は、加工費が高く、かつそれらの取付け作業が
簡単でないため、蛍光表示管の製造コストが高くなって
しまう。またリングゲッター５４の取付け場所は、取付
け部材５２等金属部品に限られてしまうため、リングゲ
ッター５４の配置に自由度がない。
器５４１や保持部材５４３等を使用するため、小型化が
難しく、取付けスペースが大きくなってしまう。かつリ
ング状容器５４１は、アノード基板５１１と１ｍｍ以上
離さないと、加熱の際アノード基板５１１にクラックが
生じてしまう。そのため、蛍光表示管の小型化、薄型化
の障害になっている。またリング状容器５４１や保持部
材５４３は、加工費が高く、かつそれらの取付け作業が
簡単でないため、蛍光表示管の製造コストが高くなって
しまう。またリングゲッター５４の取付け場所は、取付
け部材５２等金属部品に限られてしまうため、リングゲ
ッター５４の配置に自由度がない。
【０００６】図７のリングゲッターの欠点を改善するた
め、特殊なリング状容器や保持部材等を使用しない、図
８のリングレスゲッターが提案されている。図８（ａ）
は、フロント基板５１２の内面にポケット部（凹状部）
を形成し、そのポケット部にゲッター材料を充填してリ
ングレスゲッター５４を形成してある（特開平５−１１
４３７３号公報参照）。この場合には、フロント基板５
１２にポケット部を形成しなければならないため、加工
費が高くなり、かつポケット部はあまり深くできないた
め充分なゲッター効果を得るのに必要な量のゲッター材
料を充填することができない。
め、特殊なリング状容器や保持部材等を使用しない、図
８のリングレスゲッターが提案されている。図８（ａ）
は、フロント基板５１２の内面にポケット部（凹状部）
を形成し、そのポケット部にゲッター材料を充填してリ
ングレスゲッター５４を形成してある（特開平５−１１
４３７３号公報参照）。この場合には、フロント基板５
１２にポケット部を形成しなければならないため、加工
費が高くなり、かつポケット部はあまり深くできないた
め充分なゲッター効果を得るのに必要な量のゲッター材
料を充填することができない。
【０００７】図８（ｂ）は、スクリーン印刷や真空蒸着
によりフロント基板５１２の内面にゲッター材料の厚膜
又は薄膜状のリングレスゲッター５４を形成してある
（ＷＯ９３／１６４８４号公報参照）。この場合には、
リングレスゲッター５４は、厚膜又は薄膜状であるから
充分なゲッター効果を得るのに必要な量のゲッター材料
を固定することができない。
によりフロント基板５１２の内面にゲッター材料の厚膜
又は薄膜状のリングレスゲッター５４を形成してある
（ＷＯ９３／１６４８４号公報参照）。この場合には、
リングレスゲッター５４は、厚膜又は薄膜状であるから
充分なゲッター効果を得るのに必要な量のゲッター材料
を固定することができない。
【０００８】図８（ａ）、図８（ｂ）のリングレスゲッ
ターに代えて、図８（ｃ）のリングレスゲッター５４も
考えられる。図８（ｃ）のリングレスゲッター５４は、
ゲッター材料を直径２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円板状に
焼結したものからなり、そのリングレスゲッター５４を
フロント基板５１２の内面に、フリットガラス５７によ
り取付けてある。この場合には、リングレスゲッター５
４は、その厚みを厚くすることにより充分な量のゲッタ
ー材料を取付けることができるが、接着強度、特にリン
グレスゲッターとフリットガラスの接着強度が弱いため
（シェア−強度は１Ｎ以下）、蛍光表示管の製造過程で
脱落する恐れがある。
ターに代えて、図８（ｃ）のリングレスゲッター５４も
考えられる。図８（ｃ）のリングレスゲッター５４は、
ゲッター材料を直径２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの円板状に
焼結したものからなり、そのリングレスゲッター５４を
フロント基板５１２の内面に、フリットガラス５７によ
り取付けてある。この場合には、リングレスゲッター５
４は、その厚みを厚くすることにより充分な量のゲッタ
ー材料を取付けることができるが、接着強度、特にリン
グレスゲッターとフリットガラスの接着強度が弱いため
（シェア−強度は１Ｎ以下）、蛍光表示管の製造過程で
脱落する恐れがある。
【０００９】加えて接着用フリットガラスを大気中で焼
成する際、ゲッター材料は、焼成温度が高いと劣化する
ため（例えば成分のＢａＡｌ4が酸化する）、焼成温度
を低くするが（大気焼成の場合４５０℃以下）、焼成温
度が低いとフリットガラスペーストの有機成分（例えば
エチルセルロース）が残ってしまい、蛍光表示管の信頼
性を損なう原因になる。またリングレスゲッター５４を
レーザー光でフラッシュする際、レーザー光がフリット
ガラス５７に達すると、大量のガスが放出され、フィラ
メント５３２のエミッションが著しく低下してしまう。
成する際、ゲッター材料は、焼成温度が高いと劣化する
ため（例えば成分のＢａＡｌ4が酸化する）、焼成温度
を低くするが（大気焼成の場合４５０℃以下）、焼成温
度が低いとフリットガラスペーストの有機成分（例えば
エチルセルロース）が残ってしまい、蛍光表示管の信頼
性を損なう原因になる。またリングレスゲッター５４を
レーザー光でフラッシュする際、レーザー光がフリット
ガラス５７に達すると、大量のガスが放出され、フィラ
メント５３２のエミッションが著しく低下してしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は、前記した
従来のリングゲッター及びリングレスゲッターの問題点
に鑑み、構造が簡単で、取付けが容易で、配置に自由度
があり、取付け時やフラッシュ時の加熱によるガラスの
基板のクラックがなく、電子管やＥＬＤ等の電子デバイ
スの小型化や薄型化に適し、かつ電子デバイスの機能を
損なうガスの発生がない、リングレスゲッターを備えた
電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリ
ングレスゲッターの活性化方法を提供することを目的と
する。
従来のリングゲッター及びリングレスゲッターの問題点
に鑑み、構造が簡単で、取付けが容易で、配置に自由度
があり、取付け時やフラッシュ時の加熱によるガラスの
基板のクラックがなく、電子管やＥＬＤ等の電子デバイ
スの小型化や薄型化に適し、かつ電子デバイスの機能を
損なうガスの発生がない、リングレスゲッターを備えた
電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリ
ングレスゲッターの活性化方法を提供することを目的と
する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の電子デ
バイスは、密封容器内に光エネルギーによってガラスの
基材に固定したリングレスゲッターを備えていることを
特徴とする。請求項２に記載の電子デバイスは、密封容
器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリ
ングレスゲッターを備え、光エネルギーによってその固
定したリングレスゲッターを活性化して形成したゲッタ
ーミラー膜を備えていることを特徴とする。請求項３に
記載の電子デバイスは、請求項１又は請求項２に記載の
電子デバイスにおいて、光エネルギーは、レーザー光で
あることを特徴とする。請求項４に記載の電子デバイス
は、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスにおい
て、前記ガラスの基材は密封容器の一部を構成している
ことを特徴とする。請求項５に記載の電子デバイスは、
請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスにおいて、
リングレスゲッターは、ゲッター材料粉末をプレス成形
により形成してあることを特徴とする。請求項６に記載
の電子デバイスは、樹脂製密封容器の内面に光エネルギ
ーによって固定したリングレスゲッターを備えているこ
とを特徴とする。
バイスは、密封容器内に光エネルギーによってガラスの
基材に固定したリングレスゲッターを備えていることを
特徴とする。請求項２に記載の電子デバイスは、密封容
器内に光エネルギーによってガラスの基材に固定したリ
ングレスゲッターを備え、光エネルギーによってその固
定したリングレスゲッターを活性化して形成したゲッタ
ーミラー膜を備えていることを特徴とする。請求項３に
記載の電子デバイスは、請求項１又は請求項２に記載の
電子デバイスにおいて、光エネルギーは、レーザー光で
あることを特徴とする。請求項４に記載の電子デバイス
は、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスにおい
て、前記ガラスの基材は密封容器の一部を構成している
ことを特徴とする。請求項５に記載の電子デバイスは、
請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスにおいて、
リングレスゲッターは、ゲッター材料粉末をプレス成形
により形成してあることを特徴とする。請求項６に記載
の電子デバイスは、樹脂製密封容器の内面に光エネルギ
ーによって固定したリングレスゲッターを備えているこ
とを特徴とする。
【００１２】請求項７に記載のリングレスゲッターの固
定方法は、電子デバイスにおいて、ガラスの基材にリン
グレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリング
レスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギ
ーをリングレスゲッターに照射して、リングレスゲッタ
ーをガラスの基材に固定することを特徴とする。請求項
８に記載のリングレスゲッターの固定方法は、請求項７
に記載のリングレスゲッターの固定方法において、光エ
ネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。請求
項９に記載のリングレスゲッターの活性化方法は、電子
デバイスにおいて、ガラスの基材にリングレスゲッター
を仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを
仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレス
ゲッターに照射して、リングレスゲッターをガラスの基
材に固定し、その固定したリングレスゲッターに光エネ
ルギーを照射して、リングレスゲッターを活性化するこ
とを特徴とする。請求項１０に記載のリングレスゲッタ
ーの活性化方法は、請求項９に記載のリングレスゲッタ
ーの活性化方法において、光エネルギーは、レーザー光
であることを特徴とする。
定方法は、電子デバイスにおいて、ガラスの基材にリン
グレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリング
レスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネルギ
ーをリングレスゲッターに照射して、リングレスゲッタ
ーをガラスの基材に固定することを特徴とする。請求項
８に記載のリングレスゲッターの固定方法は、請求項７
に記載のリングレスゲッターの固定方法において、光エ
ネルギーは、レーザー光であることを特徴とする。請求
項９に記載のリングレスゲッターの活性化方法は、電子
デバイスにおいて、ガラスの基材にリングレスゲッター
を仮止めし、そのガラスの基材のリングレスゲッターを
仮止めした面と反対の面から光エネルギーをリングレス
ゲッターに照射して、リングレスゲッターをガラスの基
材に固定し、その固定したリングレスゲッターに光エネ
ルギーを照射して、リングレスゲッターを活性化するこ
とを特徴とする。請求項１０に記載のリングレスゲッタ
ーの活性化方法は、請求項９に記載のリングレスゲッタ
ーの活性化方法において、光エネルギーは、レーザー光
であることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１〜図６により本願発明の実施
の形態に係る電子デバイスの一つである蛍光表示管、リ
ングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッター
の活性化方法について説明する。なお各図に共通の部分
は、同じ符号を使用している。
の形態に係る電子デバイスの一つである蛍光表示管、リ
ングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッター
の活性化方法について説明する。なお各図に共通の部分
は、同じ符号を使用している。
【００１４】図１は、本願発明の第１実施形態に係る蛍
光表示管の断面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）の
Ｘ２−Ｘ２部分の矢印方向の断面図であり、図１（ｂ）
は、図１（ａ）のＸ１−Ｘ１部分の矢印方向の断面図で
ある。図１において、１１１は、ガラスのアノード基
板、１１２は、ガラスのフロント基板、１１３〜１１５
は、ガラスの側面板、１２は、金属板等からなるフィラ
メントの保持部材（アンカー又はサポート）の取付け部
材、１３１は、４２６合金（Ｎｉ４２％、Ｃｒ６％、残
りＦｅ）等の金属部材からなるフィラメントの保持部
材、１３２は、ＷやＲｅ−Ｗ等の芯線に三元炭酸塩等の
電子放出物質を被着した陰極用のフィラメント、１５
は、ＺｎＯ：Ｚｎ等の蛍光体を塗布したアルミニウム等
の金属膜からなるアノード電極、１６は、フィラメント
１３２とアノード電極１５との間に配置したステンレス
や４２６合金等からなるグリッド、Ｇ１１〜Ｇ１３は、
リングレスゲッターである。
光表示管の断面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）の
Ｘ２−Ｘ２部分の矢印方向の断面図であり、図１（ｂ）
は、図１（ａ）のＸ１−Ｘ１部分の矢印方向の断面図で
ある。図１において、１１１は、ガラスのアノード基
板、１１２は、ガラスのフロント基板、１１３〜１１５
は、ガラスの側面板、１２は、金属板等からなるフィラ
メントの保持部材（アンカー又はサポート）の取付け部
材、１３１は、４２６合金（Ｎｉ４２％、Ｃｒ６％、残
りＦｅ）等の金属部材からなるフィラメントの保持部
材、１３２は、ＷやＲｅ−Ｗ等の芯線に三元炭酸塩等の
電子放出物質を被着した陰極用のフィラメント、１５
は、ＺｎＯ：Ｚｎ等の蛍光体を塗布したアルミニウム等
の金属膜からなるアノード電極、１６は、フィラメント
１３２とアノード電極１５との間に配置したステンレス
や４２６合金等からなるグリッド、Ｇ１１〜Ｇ１３は、
リングレスゲッターである。
【００１５】リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、Ｂ
ａＡｌ4，ＭｇＡｌ等の粉末、又はＢａＡｌ4，ＭｇＡｌ
等とＮｉ，Ｔｉ，Ｆｅ等の添加金属との混合粉末を、プ
レス成形により形成する。アノード基板１１１、フロン
ト基板１１２及び側面板１１３〜１１５は、蛍光表示管
の外囲器、即ち密封容器を構成している。ここで側面板
をアノード基板１１１又はフロント基板１１２と一体的
に箱状に形成した場合には、側面板は必要ない。
ａＡｌ4，ＭｇＡｌ等の粉末、又はＢａＡｌ4，ＭｇＡｌ
等とＮｉ，Ｔｉ，Ｆｅ等の添加金属との混合粉末を、プ
レス成形により形成する。アノード基板１１１、フロン
ト基板１１２及び側面板１１３〜１１５は、蛍光表示管
の外囲器、即ち密封容器を構成している。ここで側面板
をアノード基板１１１又はフロント基板１１２と一体的
に箱状に形成した場合には、側面板は必要ない。
【００１６】リングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、後
述するように、アノード基板１１１の外側からレーザー
光を照射してアノード基板１１１の内面に接着剤等の固
着部材を使用せずに直接固定してある。リングレスゲッ
ターＧ１１〜Ｇ１３は、それらの大きさにより一個でよ
い場合もあり、複数個使用する方がよい場合もある。リ
ングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３の個数は、蛍光表示管
内に発生するガスの吸収に必要なゲッター材料の総量で
決まるから、そのガス量に応じて選定する。リングレス
ゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、プレス成形により任意の形
状に形成できるから、アノード基板１１１の空きスペー
スの形状に対応した形状のものを複数個用意することに
より、その空きスペースをリングレスゲッターの固定場
所として有効に利用することができる。
述するように、アノード基板１１１の外側からレーザー
光を照射してアノード基板１１１の内面に接着剤等の固
着部材を使用せずに直接固定してある。リングレスゲッ
ターＧ１１〜Ｇ１３は、それらの大きさにより一個でよ
い場合もあり、複数個使用する方がよい場合もある。リ
ングレスゲッターＧ１１〜Ｇ１３の個数は、蛍光表示管
内に発生するガスの吸収に必要なゲッター材料の総量で
決まるから、そのガス量に応じて選定する。リングレス
ゲッターＧ１１〜Ｇ１３は、プレス成形により任意の形
状に形成できるから、アノード基板１１１の空きスペー
スの形状に対応した形状のものを複数個用意することに
より、その空きスペースをリングレスゲッターの固定場
所として有効に利用することができる。
【００１７】図２は、本願発明の第２実施形態に係る蛍
光表示管の断面図である。図２（ａ）は、リングレスゲ
ッターＧ１４，Ｇ１５をフロント基板１１２の面に固定
した例であり、図２（ｂ）は、リングレスゲッターＧ１
６を側面板１１４の内面に固定した例である。図２は、
図２（ａ）、図２（ｂ）の配置を組合せて、１個の蛍光
表示管のフロント基板１１２及び側面板１１４に、リン
グレスゲッターＧ１４，Ｇ１５，Ｇ１６を固定すること
もできる。
光表示管の断面図である。図２（ａ）は、リングレスゲ
ッターＧ１４，Ｇ１５をフロント基板１１２の面に固定
した例であり、図２（ｂ）は、リングレスゲッターＧ１
６を側面板１１４の内面に固定した例である。図２は、
図２（ａ）、図２（ｂ）の配置を組合せて、１個の蛍光
表示管のフロント基板１１２及び側面板１１４に、リン
グレスゲッターＧ１４，Ｇ１５，Ｇ１６を固定すること
もできる。
【００１８】図３は、本願発明の第３実施形態に係る蛍
光表示管の断面図である。図３は、フィラメント１３２
をフロント基板１１２に取付け、リングレスゲッターＧ
１７をガラスの中間基板１１６に固定してある。中間基
板１１６は、グリッド１６を保持する部材で、フィラメ
ント１３２から放出された電子がアノード電極１５に向
かって通過できる開口部１１７を形成してある。中間基
板１１６は、蛍光表示管の外囲器（密封容器）の中仕切
り部材として使用することもできる。
光表示管の断面図である。図３は、フィラメント１３２
をフロント基板１１２に取付け、リングレスゲッターＧ
１７をガラスの中間基板１１６に固定してある。中間基
板１１６は、グリッド１６を保持する部材で、フィラメ
ント１３２から放出された電子がアノード電極１５に向
かって通過できる開口部１１７を形成してある。中間基
板１１６は、蛍光表示管の外囲器（密封容器）の中仕切
り部材として使用することもできる。
【００１９】フィラメント１３２の端部は、フロント基
板１１２に形成したカソード取付け電極となるアルミニ
ウム等の金属層（膜）１３３に超音波溶接により取付け
てある。即ちフィラメント１３２の端部を、金属層１３
３と金属片１３４の間に挟持し、金属片１３４を金属層
１３３に超音波溶接（拡散溶接、摩擦圧接、固相接合等
を含む）してある。フィラメント１３２は、アルミニウ
ム細線やガラスファイバー等からなるスペーサー１３５
により所定の高さに保持されている。図３のリングレス
ゲッターＧ１７は、中間基板１１６の一方の面に固定し
てあるが、両面に固定することもできる。その場合は、
両面のリングレスゲッターが重ならないように配置す
る。
板１１２に形成したカソード取付け電極となるアルミニ
ウム等の金属層（膜）１３３に超音波溶接により取付け
てある。即ちフィラメント１３２の端部を、金属層１３
３と金属片１３４の間に挟持し、金属片１３４を金属層
１３３に超音波溶接（拡散溶接、摩擦圧接、固相接合等
を含む）してある。フィラメント１３２は、アルミニウ
ム細線やガラスファイバー等からなるスペーサー１３５
により所定の高さに保持されている。図３のリングレス
ゲッターＧ１７は、中間基板１１６の一方の面に固定し
てあるが、両面に固定することもできる。その場合は、
両面のリングレスゲッターが重ならないように配置す
る。
【００２０】図４は、本願発明の第４実施形態に係る蛍
光表示管の断面図である。図４は、アノード基板１１１
に形成したアルミニウム等の金属膜からなるアノード配
線１５１の上に、リングレスゲッターＧ１８を直接（Ｓ
ｉＯ2やＳｉＮ等からなる絶縁層を介することなく）固
定してある。ここでアノード配線とは、アノード電極に
接続され、蛍光表示管の外部に引き出されて給電点とな
る配線である（後述のカソード配線とグリッド配線も同
様である）。この場合、リングレスゲッターＧ１８を固
定するときに、仮にアノード配線１５１が溶融してもリ
ングレスゲッターＧ１８は金属であるから、リングレス
ゲッターＧ１８の部分でアノード配線１５１が断線する
ことはない。なおリングレスゲッターＧ１８は、後述す
るように蛍光表示管の封止後レーザー光を照射してフラ
ッシュするが、フラッシュによりリングレスゲッターＧ
１８全部が蒸発してしまうことはないから、そのフラッ
シュによりアノード配線１５１が断線することはない。
本実施形態の場合には、リングレスゲッターをアノード
配線上にも固定できるから、リングレスゲッターの配置
の自由度は一層が大きくなる。これは、カソード基板
（フロント基板）に形成したカソード電極に接続された
カソード配線やグリッドに接続されたグリッド配線にも
同様に適用可能である。
光表示管の断面図である。図４は、アノード基板１１１
に形成したアルミニウム等の金属膜からなるアノード配
線１５１の上に、リングレスゲッターＧ１８を直接（Ｓ
ｉＯ2やＳｉＮ等からなる絶縁層を介することなく）固
定してある。ここでアノード配線とは、アノード電極に
接続され、蛍光表示管の外部に引き出されて給電点とな
る配線である（後述のカソード配線とグリッド配線も同
様である）。この場合、リングレスゲッターＧ１８を固
定するときに、仮にアノード配線１５１が溶融してもリ
ングレスゲッターＧ１８は金属であるから、リングレス
ゲッターＧ１８の部分でアノード配線１５１が断線する
ことはない。なおリングレスゲッターＧ１８は、後述す
るように蛍光表示管の封止後レーザー光を照射してフラ
ッシュするが、フラッシュによりリングレスゲッターＧ
１８全部が蒸発してしまうことはないから、そのフラッ
シュによりアノード配線１５１が断線することはない。
本実施形態の場合には、リングレスゲッターをアノード
配線上にも固定できるから、リングレスゲッターの配置
の自由度は一層が大きくなる。これは、カソード基板
（フロント基板）に形成したカソード電極に接続された
カソード配線やグリッドに接続されたグリッド配線にも
同様に適用可能である。
【００２１】図５は、本願発明の実施の形態に係るリン
グレスゲッターの平面図と断面図である。図５（ａ）、
（ｂ）のリングレスゲッターＧ２１は、４角形にプレス
成形してある。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＸ３−Ｘ３
部分の断面図である。図５（ｃ）のリングレスゲッター
Ｇ２２は、円板状にプレス成形してあり、図５（ｄ）の
リングレスゲッターＧ２３は、ドーナツ状にプレス成形
してある。
グレスゲッターの平面図と断面図である。図５（ａ）、
（ｂ）のリングレスゲッターＧ２１は、４角形にプレス
成形してある。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＸ３−Ｘ３
部分の断面図である。図５（ｃ）のリングレスゲッター
Ｇ２２は、円板状にプレス成形してあり、図５（ｄ）の
リングレスゲッターＧ２３は、ドーナツ状にプレス成形
してある。
【００２２】図５（ｅ）、（ｆ）のリングレスゲッター
Ｇ２４は、４角形にプレス成形してある。図５（ｆ）
は、図５（ｅ）のＸ４−Ｘ４部分の断面図である。リン
グレスゲッター２４は、ゲッター材料層Ｇ２４１とＡｌ
等の金属板又は金属材料層の金属層Ｇ２４２からなり、
ゲッター材料と金属板とを一体的にプレス成形してあ
る。リングレスゲッター２４は、金属層Ｇ２４２をアノ
ード基板等の固定面に向けて固定する。金属層Ｇ２４２
は、インジウム、錫又はその合金、４２６合金、アルミ
ニウム等を使用できる。リングレスゲッター２４は、金
属層Ｇ２４２を有するから、ゲッター材料層Ｇ２４１の
みの場合よりも壊れ難く、したがってリングレスゲッタ
ーＧ２４の固定作業等が容易になる。
Ｇ２４は、４角形にプレス成形してある。図５（ｆ）
は、図５（ｅ）のＸ４−Ｘ４部分の断面図である。リン
グレスゲッター２４は、ゲッター材料層Ｇ２４１とＡｌ
等の金属板又は金属材料層の金属層Ｇ２４２からなり、
ゲッター材料と金属板とを一体的にプレス成形してあ
る。リングレスゲッター２４は、金属層Ｇ２４２をアノ
ード基板等の固定面に向けて固定する。金属層Ｇ２４２
は、インジウム、錫又はその合金、４２６合金、アルミ
ニウム等を使用できる。リングレスゲッター２４は、金
属層Ｇ２４２を有するから、ゲッター材料層Ｇ２４１の
みの場合よりも壊れ難く、したがってリングレスゲッタ
ーＧ２４の固定作業等が容易になる。
【００２３】図５のリングレスゲッターの形状は、一例
であって他の形状のものであってもよい。蛍光表示管に
取付けるリングレスゲッターは、一個に限らず、リング
レスゲッターを取付ける場所の形状に対応した形状のも
のを複数個用い、蛍光表示管内の空きスペースを有効に
利用することができる。
であって他の形状のものであってもよい。蛍光表示管に
取付けるリングレスゲッターは、一個に限らず、リング
レスゲッターを取付ける場所の形状に対応した形状のも
のを複数個用い、蛍光表示管内の空きスペースを有効に
利用することができる。
【００２４】図６は、本願発明の実施の形態に係るリン
グレスゲッターの固定方法及びリングレスゲッターのフ
ラッシュによる活性化方法を説明するための図である。
まず図６（ａ）のように、アノード基板１１１の内面上
に仮止めしたリングレスゲッターＧ１１に、アノード基
板１１１の外側からレーザー光Ｌ１を照射する。その仮
止めは、アクリル等の低温分解性の接着剤により固定す
る方法、或いは機械的にリングレスゲッターをクランプ
してアノード基板へ押し付けて固定する方法等がある。
リレーザー光Ｌ１は、アノード基板１１１にほとんど吸
収されずに透過してリングレスゲッターＧ１１に到達す
る。リングレスゲッターＧ１１は、レーザー光Ｌ１によ
り加熱されて溶融する。この際レーザー光Ｌ１は、アノ
ード基板１１１を透過してしまうから、アノード基板１
１１を加熱することはないが、リングレスゲッターＧ１
１の加熱によりアノード基板１１１も加熱され、アノー
ド基板１１１のリングレスゲッターＧ１１が接触してい
る部分が溶融する。この状態でリングレスゲッターＧ１
１とアノード基板１１１を冷やすと、双方の溶融した部
分が固化するため、リングレスゲッターＧ１１はアノー
ド基板１１１に強固に固定される。
グレスゲッターの固定方法及びリングレスゲッターのフ
ラッシュによる活性化方法を説明するための図である。
まず図６（ａ）のように、アノード基板１１１の内面上
に仮止めしたリングレスゲッターＧ１１に、アノード基
板１１１の外側からレーザー光Ｌ１を照射する。その仮
止めは、アクリル等の低温分解性の接着剤により固定す
る方法、或いは機械的にリングレスゲッターをクランプ
してアノード基板へ押し付けて固定する方法等がある。
リレーザー光Ｌ１は、アノード基板１１１にほとんど吸
収されずに透過してリングレスゲッターＧ１１に到達す
る。リングレスゲッターＧ１１は、レーザー光Ｌ１によ
り加熱されて溶融する。この際レーザー光Ｌ１は、アノ
ード基板１１１を透過してしまうから、アノード基板１
１１を加熱することはないが、リングレスゲッターＧ１
１の加熱によりアノード基板１１１も加熱され、アノー
ド基板１１１のリングレスゲッターＧ１１が接触してい
る部分が溶融する。この状態でリングレスゲッターＧ１
１とアノード基板１１１を冷やすと、双方の溶融した部
分が固化するため、リングレスゲッターＧ１１はアノー
ド基板１１１に強固に固定される。
【００２５】ここでリングレスゲッターＧ１１の材料
は、従来ゲッター材料として使用されているものを使用
できるが、例えばＢａＡｌ4，ＭｇＡｌ等とＮｉ，Ｔ
ｉ，Ｆｅ等との混合物を使用した場合には、ＡｌとＮｉ
等とが反応して反応熱を発生する。その反応熱により、
リングレスゲッターＧ１１の温度は、１０５０℃程度ま
で上昇するため、アノード基板１１１の内表面（リング
レスゲッターＧ１１に接触している部分）は、急速に溶
融する。リングレスゲッターの材料は、光エネルギーで
あるレーザー光の透過率が低いもの（全透過以外のも
の）を適宜選択する。
は、従来ゲッター材料として使用されているものを使用
できるが、例えばＢａＡｌ4，ＭｇＡｌ等とＮｉ，Ｔ
ｉ，Ｆｅ等との混合物を使用した場合には、ＡｌとＮｉ
等とが反応して反応熱を発生する。その反応熱により、
リングレスゲッターＧ１１の温度は、１０５０℃程度ま
で上昇するため、アノード基板１１１の内表面（リング
レスゲッターＧ１１に接触している部分）は、急速に溶
融する。リングレスゲッターの材料は、光エネルギーで
あるレーザー光の透過率が低いもの（全透過以外のも
の）を適宜選択する。
【００２６】このように本願の発明者は、レーザー光Ｌ
１がガラスのアノード基板１１１を透過してリングレス
ゲッターＧ１１を加熱し、そのリングレスゲッターＧ１
１の加熱によりアノード基板１１１も加熱されて溶融す
る点に着目し、レーザー光Ｌ１の照射によりリングレス
ゲッターＧ１１をアノード基板１１１に固定する方法を
発明した。
１がガラスのアノード基板１１１を透過してリングレス
ゲッターＧ１１を加熱し、そのリングレスゲッターＧ１
１の加熱によりアノード基板１１１も加熱されて溶融す
る点に着目し、レーザー光Ｌ１の照射によりリングレス
ゲッターＧ１１をアノード基板１１１に固定する方法を
発明した。
【００２７】レーザー光Ｌ１の照射は、レーザーマーカ
ー方式、ドットスポット方式のいずれであってもよい。
またレーザーは、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、
炭酸ガスレーザー等を使用する。ガラスの基材は、可視
光からＹＡＧレーザーで使用される１．０６μｍまでを
透過する。特に１．０６μｍの透過率は高いため、ＹＡ
Ｇレーザーを用いると有効である。
ー方式、ドットスポット方式のいずれであってもよい。
またレーザーは、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、
炭酸ガスレーザー等を使用する。ガラスの基材は、可視
光からＹＡＧレーザーで使用される１．０６μｍまでを
透過する。特に１．０６μｍの透過率は高いため、ＹＡ
Ｇレーザーを用いると有効である。
【００２８】本実施形態は、直径２ｍｍ、厚さ０．５ｍ
ｍの円板状のリングレスゲッターと、２×１０ｍｍ、厚
さ０．５ｍｍの平板状リングレスゲッターを用い、それ
らのリングレスゲッターを、厚さ１．１ｍｍのソーダ−
ガラスの基板に固定した。なお基板に用いるガラスは、
無アルカリガラス等他のガラスでもよい。レーザーは、
ＹＡＧレーザーを使用し、レーザー光の照射条件を、１
７Ｗ，１０ｋＨ，２０ｍｍ／秒に設定して、レーザーマ
ーカー方式により実施した。
ｍの円板状のリングレスゲッターと、２×１０ｍｍ、厚
さ０．５ｍｍの平板状リングレスゲッターを用い、それ
らのリングレスゲッターを、厚さ１．１ｍｍのソーダ−
ガラスの基板に固定した。なお基板に用いるガラスは、
無アルカリガラス等他のガラスでもよい。レーザーは、
ＹＡＧレーザーを使用し、レーザー光の照射条件を、１
７Ｗ，１０ｋＨ，２０ｍｍ／秒に設定して、レーザーマ
ーカー方式により実施した。
【００２９】この方法によるリングレスゲッターの接着
強度（シェア−強度）は、円板状のものは２０Ｎ、平板
状のものは６０Ｎ以上となり、同じ大きさ同じ条件のリ
ングレスゲッターをフリットガラスにより接着した場合
の接着強度に比べて、２０倍以上になった。ここでシェ
ア−強度は、アノード基板上に固定したリングレスゲッ
ターに、その側面からアノード基板と平行する方向の力
を加えて、リングレスゲッターをアノード基板から剥が
すときの力、即ちリングレスゲッターを剥がすのに要す
る力の最大値のことである。
強度（シェア−強度）は、円板状のものは２０Ｎ、平板
状のものは６０Ｎ以上となり、同じ大きさ同じ条件のリ
ングレスゲッターをフリットガラスにより接着した場合
の接着強度に比べて、２０倍以上になった。ここでシェ
ア−強度は、アノード基板上に固定したリングレスゲッ
ターに、その側面からアノード基板と平行する方向の力
を加えて、リングレスゲッターをアノード基板から剥が
すときの力、即ちリングレスゲッターを剥がすのに要す
る力の最大値のことである。
【００３０】アノード基板１１１にリングレスゲッター
Ｇ１１を固定した後、従来の組み立工程を経て、図６
（ｂ）のように蛍光表示管を組み立て、封着排気する。
排気後図６（ｃ）のように、フロント基板１１２の外
側、即ち蛍光表示管の外囲器（密封容器）の外側からレ
ーザー光Ｌ２をリングレスゲッターＧ１１に照射する
と、リングレスゲッターＧ１１は活性化（フラッシュ）
して、蒸発した（フラッシュした）ゲッター材料の粒子
が矢印Ｆ方向へ飛散してフロント基板１１２の内面、即
ち蛍光表示管の外囲器の内面にゲッターミラー膜（図示
せず）を形成する。なおレーザー光Ｌ２を、側面板１１
４の外側からリングレスゲッターＧ１１の側面に照射し
て、Ｂａ等からなるゲッターミラー膜を側面板１１４の
内面に形成することもできる。レーザーの照射は、照射
条件を８Ｗ，５ｋＨ，１００ｍｍ／秒に設定して、レー
ザーマーカー方式により実施した。
Ｇ１１を固定した後、従来の組み立工程を経て、図６
（ｂ）のように蛍光表示管を組み立て、封着排気する。
排気後図６（ｃ）のように、フロント基板１１２の外
側、即ち蛍光表示管の外囲器（密封容器）の外側からレ
ーザー光Ｌ２をリングレスゲッターＧ１１に照射する
と、リングレスゲッターＧ１１は活性化（フラッシュ）
して、蒸発した（フラッシュした）ゲッター材料の粒子
が矢印Ｆ方向へ飛散してフロント基板１１２の内面、即
ち蛍光表示管の外囲器の内面にゲッターミラー膜（図示
せず）を形成する。なおレーザー光Ｌ２を、側面板１１
４の外側からリングレスゲッターＧ１１の側面に照射し
て、Ｂａ等からなるゲッターミラー膜を側面板１１４の
内面に形成することもできる。レーザーの照射は、照射
条件を８Ｗ，５ｋＨ，１００ｍｍ／秒に設定して、レー
ザーマーカー方式により実施した。
【００３１】前記各実施形態は、リングレスゲッターを
アノード基板、フロント基板、側面板、或いはグリッド
保持用の中間基板に固定する例について説明したが、リ
ングレスゲッターを固定する部材は、これらに限らな
い。例えば、ガラスの支柱（支持部材或いはスペーサ
ー）、蒸発したゲッター材料が表示領域、電極等へ飛散
するのを防止するガラス板等、蛍光表示管の外囲器内に
配置するガラスの部材であればリングレスゲッターを固
定することができる。本願発明は、これらのリングレス
ゲッターを固定するガラスの部材をガラス基材と呼ぶ。
アノード基板、フロント基板、側面板、或いはグリッド
保持用の中間基板に固定する例について説明したが、リ
ングレスゲッターを固定する部材は、これらに限らな
い。例えば、ガラスの支柱（支持部材或いはスペーサ
ー）、蒸発したゲッター材料が表示領域、電極等へ飛散
するのを防止するガラス板等、蛍光表示管の外囲器内に
配置するガラスの部材であればリングレスゲッターを固
定することができる。本願発明は、これらのリングレス
ゲッターを固定するガラスの部材をガラス基材と呼ぶ。
【００３２】前記各実施形態は、個々のガラスの基材に
リングレスゲッターを固定する例について説明したが、
複数のガラス基板にリングレスゲッターを固定すること
もできる。リングレスゲッターを固定するガラスの基材
と場所は、蛍光表示管の構造により適宜選定する。
リングレスゲッターを固定する例について説明したが、
複数のガラス基板にリングレスゲッターを固定すること
もできる。リングレスゲッターを固定するガラスの基材
と場所は、蛍光表示管の構造により適宜選定する。
【００３３】前記各実施形態は、レーザー光によりリン
グレスゲッターを取付け、レーザー光によりフラッシュ
する例について説明したが、レーザー光に限らず、レー
ザー光以外の光エネルギーを使用することができる。前
記各実施形態は、蒸発型ゲッターについて説明したが、
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ等を主成分とする非蒸発型ゲッターで
あってもよい。なお非蒸発型ゲッターの場合には、フラ
ッシュさせずに活性化温度に加熱してガス吸着機能を発
現させるが、その加熱に光エネルギーを利用することが
可能である。
グレスゲッターを取付け、レーザー光によりフラッシュ
する例について説明したが、レーザー光に限らず、レー
ザー光以外の光エネルギーを使用することができる。前
記各実施形態は、蒸発型ゲッターについて説明したが、
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ等を主成分とする非蒸発型ゲッターで
あってもよい。なお非蒸発型ゲッターの場合には、フラ
ッシュさせずに活性化温度に加熱してガス吸着機能を発
現させるが、その加熱に光エネルギーを利用することが
可能である。
【００３４】前記各実施形態は、蛍光表示管について説
明したが、蛍光表示管に限らず、電界電子放出型蛍光表
示管、大画面表示装置用発光管、蛍光プリントヘッド用
発光管、ＣＲＴ等の真空管系電子管、ＰＤＰ等の放電管
系電子管、ＥＬＤ等の電子デバイスであってもよい。電
子デバイスが放電管系電子管やＥＬＤの場合には、リン
グレスゲッターは、非蒸発型のものを使用し、ＰＤＰ
は、窒素、酸素等を吸収するゲッター材料を、ＥＬＤ、
特に第１電極と、第１電極の上に形成された発光層を含
む有機層と、有機層の上に形成された第２電極からなる
有機発光素子が密封容器内に収められている有機ＥＬＤ
は、水を吸収するゲッター材料を使用する。またＥＬＤ
は、密封容器にプラスチック、ポリマーフィルム等の樹
脂も使用されているが、樹脂が透明の場合、即ち光エネ
ルギーが透過する場合には、光エネルギーは樹脂を加熱
することなく透過するから、光エネルギーによってリン
グレスゲッターを密封容器の内面に固定することができ
る。
明したが、蛍光表示管に限らず、電界電子放出型蛍光表
示管、大画面表示装置用発光管、蛍光プリントヘッド用
発光管、ＣＲＴ等の真空管系電子管、ＰＤＰ等の放電管
系電子管、ＥＬＤ等の電子デバイスであってもよい。電
子デバイスが放電管系電子管やＥＬＤの場合には、リン
グレスゲッターは、非蒸発型のものを使用し、ＰＤＰ
は、窒素、酸素等を吸収するゲッター材料を、ＥＬＤ、
特に第１電極と、第１電極の上に形成された発光層を含
む有機層と、有機層の上に形成された第２電極からなる
有機発光素子が密封容器内に収められている有機ＥＬＤ
は、水を吸収するゲッター材料を使用する。またＥＬＤ
は、密封容器にプラスチック、ポリマーフィルム等の樹
脂も使用されているが、樹脂が透明の場合、即ち光エネ
ルギーが透過する場合には、光エネルギーは樹脂を加熱
することなく透過するから、光エネルギーによってリン
グレスゲッターを密封容器の内面に固定することができ
る。
【００３５】前記各実施形態は、アノード基板、フロン
ト基板、側面板、或いはグリッド保持用中間基板の全て
の基材がガラスからなる場合について説明したが、必ず
しも全ての基材をガラスにする必要はなく、少なくとも
リングレスゲッターを固定する基材がガラスであればよ
く、また基材は、少なくともリングレスゲッターを固定
する箇所がガラスであればよい。また同様にリングレス
ゲッターを活性化する場合には、リングレスゲッターに
対向する基板（リングレスゲッターに光エネルギーを照
射する際、光エネルギーを透過する基板）の全部又は一
部がガラスであればよい。
ト基板、側面板、或いはグリッド保持用中間基板の全て
の基材がガラスからなる場合について説明したが、必ず
しも全ての基材をガラスにする必要はなく、少なくとも
リングレスゲッターを固定する基材がガラスであればよ
く、また基材は、少なくともリングレスゲッターを固定
する箇所がガラスであればよい。また同様にリングレス
ゲッターを活性化する場合には、リングレスゲッターに
対向する基板（リングレスゲッターに光エネルギーを照
射する際、光エネルギーを透過する基板）の全部又は一
部がガラスであればよい。
【００３６】
【発明の効果】本願発明のリングレスゲッターは、構造
が簡単であり、レーザー光等をリングレスゲッターに照
射するのみで、ガラスの基板に固定することができるか
ら、取付け作業が簡単になり、取付けの自動化が容易に
なる。本願発明は、ガラスの基板にリングレスゲッター
を固定することができるから、リングレスゲッターの配
置の自由度が大きく、例えばアノード配線等の金属の配
線（電極配線）の上にも固定することができる。
が簡単であり、レーザー光等をリングレスゲッターに照
射するのみで、ガラスの基板に固定することができるか
ら、取付け作業が簡単になり、取付けの自動化が容易に
なる。本願発明は、ガラスの基板にリングレスゲッター
を固定することができるから、リングレスゲッターの配
置の自由度が大きく、例えばアノード配線等の金属の配
線（電極配線）の上にも固定することができる。
【００３７】本願発明のリングレスゲッターとガラスの
基材は、一旦溶融して固化するから、リングレスゲッタ
ーは、ガラスの基材に強固に固定される。本願発明は、
リングレスゲッターの固定にフリットガラスを使用しな
いから、リングレスゲッターのフラッシュの際、フリッ
トガラスからガスが発生してフィラメント等の電子源の
電子放出を妨げることがない。
基材は、一旦溶融して固化するから、リングレスゲッタ
ーは、ガラスの基材に強固に固定される。本願発明は、
リングレスゲッターの固定にフリットガラスを使用しな
いから、リングレスゲッターのフラッシュの際、フリッ
トガラスからガスが発生してフィラメント等の電子源の
電子放出を妨げることがない。
【００３８】本願発明のリングレスゲッターは、レーザ
ー光等によってガラスの基材に固定し、レーザー光等に
よってフラッシュするから、レーザー光等の照射条件を
変えるのみで、同じレーザー光等の照射装置を、リング
レスゲッターの取付けとフラッシュに共用することがで
きる。
ー光等によってガラスの基材に固定し、レーザー光等に
よってフラッシュするから、レーザー光等の照射条件を
変えるのみで、同じレーザー光等の照射装置を、リング
レスゲッターの取付けとフラッシュに共用することがで
きる。
【００３９】本願発明のリングレスゲッターは、ゲッタ
ー材料の粉末をプレス成形するのみで形成できるから、
構造が簡単になり、かつ安価に容易に製造することがで
きる。また本願発明のリングレスゲッターは、任意の形
状に成形できるから、電子デバイス内の空きスペースに
対応した形状のものを製造することができる。したがっ
て形状の異なるリングレスゲッターを組合せて使用する
ことにより、電子デバイス内の空きスペースを有効に利
用することができる。
ー材料の粉末をプレス成形するのみで形成できるから、
構造が簡単になり、かつ安価に容易に製造することがで
きる。また本願発明のリングレスゲッターは、任意の形
状に成形できるから、電子デバイス内の空きスペースに
対応した形状のものを製造することができる。したがっ
て形状の異なるリングレスゲッターを組合せて使用する
ことにより、電子デバイス内の空きスペースを有効に利
用することができる。
【００４０】本願発明のリングレスゲッターは、プレス
成形により形成するから、リングレスゲッターの厚さを
任意に設定できる。したがって本願発明は、電子デバイ
ス内のガスの吸収に必要な充分の量のゲッター材料から
なるリングレスゲッターを電子デバイス内に取付けるこ
とができる。
成形により形成するから、リングレスゲッターの厚さを
任意に設定できる。したがって本願発明は、電子デバイ
ス内のガスの吸収に必要な充分の量のゲッター材料から
なるリングレスゲッターを電子デバイス内に取付けるこ
とができる。
【図１】本願発明の第１実施形態に係る蛍光表示管の断
面図である。
面図である。
【図２】本願発明の第２実施形態に係る蛍光表示管の断
面図である。
面図である。
【図３】本願発明の第３実施形態に係る蛍光表示管の断
面図である。
面図である。
【図４】本願発明の第４実施形態に係る蛍光表示管の断
面図である。
面図である。
【図５】本願発明の実施形態に係るリングレスゲッター
の平面図と断面図である。
の平面図と断面図である。
【図６】本願発明の実施形態に係るリングレスゲッター
の固定方法及びリングレスゲッターのフラッシュ方法を
説明するための図である。
の固定方法及びリングレスゲッターのフラッシュ方法を
説明するための図である。
【図７】従来のリングゲッターを備えた蛍光表示管の断
面図である。
面図である。
【図８】従来のリングレスゲッターを備えた蛍光表示管
の断面図である。
の断面図である。
１１１ アノード基板
１１２ フロント基板
１１３，１１４，１１５ 側面板
１１６ 中間基板
１２ フィラメントの保持部材の取付け部材
１３１ フィラメントの保持部材（アンカー又はサポ
ート） １３２ 陰極用のフィラメント １３３ 金属層（膜） １３４ 金属片 １３５ スペーサー １５ 蛍光体を塗布したアノード電極 １６ グリッド Ｇ１１〜Ｇ１８、Ｇ２１〜Ｇ２４ リングレスゲッタ
ー
ート） １３２ 陰極用のフィラメント １３３ 金属層（膜） １３４ 金属片 １３５ スペーサー １５ 蛍光体を塗布したアノード電極 １６ グリッド Ｇ１１〜Ｇ１８、Ｇ２１〜Ｇ２４ リングレスゲッタ
ー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小川行雄
千葉県茂原市大芝629双葉電子工業株式会
社内
Ｆターム(参考） 5C012 AA04 AA05
5C032 AA01 AA06 JJ01 JJ11
5C036 EE14 EF02 EF05 EG50 EH26
5C235 JJ13 JJ14 JJ15
Claims (10)
- 【請求項１】 密封容器内に光エネルギーによってガラ
スの基材に固定したリングレスゲッターを備えているこ
とを特徴とする電子デバイス。 - 【請求項２】 密封容器内に光エネルギーによってガラ
スの基材に固定したリングレスゲッターを備え、光エネ
ルギーによってその固定したリングレスゲッターを活性
化して形成したゲッターミラー膜を備えていることを特
徴とする電子デバイス。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の電子デバ
イスにおいて、光エネルギーは、レーザー光であること
を特徴とする電子デバイス。 - 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載の電子デバ
イスにおいて、前記ガラスの基材は密封容器の一部を構
成していることを特徴とする電子デバイス。 - 【請求項５】 請求項１又は請求項２に記載の電子デバ
イスにおいて、リングレスゲッターは、ゲッター材料粉
末をプレス成形により形成してあることを特徴とする電
子デバイス。 - 【請求項６】 樹脂製密封容器の内面に光エネルギーに
よって固定したリングレスゲッターを備えていることを
特徴とする電子デバイス。 - 【請求項７】 電子デバイスにおいて、ガラスの基材に
リングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリ
ングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネ
ルギーをリングレスゲッターに照射して、リングレスゲ
ッターをガラスの基材に固定することを特徴とするリン
グレスゲッターの固定方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載のリングレスゲッターの
固定方法において、光エネルギーは、レーザー光である
ことを特徴とするリングレスゲッターの固定方法。 - 【請求項９】 電子デバイスにおいて、ガラスの基材に
リングレスゲッターを仮止めし、そのガラスの基材のリ
ングレスゲッターを仮止めした面と反対の面から光エネ
ルギーをリングレスゲッターに照射して、リングレスゲ
ッターをガラスの基材に固定し、その固定したリングレ
スゲッターに光エネルギーを照射して、リングレスゲッ
ターを活性化することを特徴とするリングレスゲッター
の活性化方法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載のリングレスゲッター
の活性化方法において、光エネルギーは、レーザー光で
あることを特徴とするリングレスゲッターの活性化方
法。
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