JP2002184331A

JP2002184331A - 画像表示装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2002184331A
Application number: JP2000377813A
Authority: JP
Inventors: Akiyoshi Yamada; 晃義山田; Kazuyuki Kiyono; 和之清野; Koji Nishimura; 孝司西村
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-12-12
Filing date: 2000-12-12
Publication date: 2002-06-28

Abstract

(57)【要約】【課題】真空雰囲気中で容易に封着を行うことが可能な
画像表示装置、およびその製造方法を提供することにあ
る。【解決手段】画像表示装置の真空外囲器１０は、対向配
置された背面基板１２および前面基板１１と、これらの
基板間に設けられた側壁１８と、を有している。前面基
板１１の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基
板上には電子放出素子２２が設けられている。前面基板
と側壁との間の封着面には、下地層３１とこの下地層に
重ねてインジウム層３２とが形成され、真空雰囲気中で
インジウムを加熱溶融することにより、前面基板および
背面基板が側壁を介して互いに封着されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、対向配置された
背面基板および前面基板を有する外囲器と、この外囲器
の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備え画像
表示装置、およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、次世代の軽量、薄型の平面型表示
装置として、電子放出素子（以下、エミッタと称する）
を多数並べ、蛍光面と対向配置させた表示装置の開発が
進められている。エミッタとしては、電界放出型あるい
は表面伝導型の素子が想定される。通常、エミッタとし
て電界放出型電子放出素子を用いた表示装置は、フィー
ルドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと称す
る）、また、エミッタとして表面伝導型電子放出素子を
用いた表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ
（以下、ＳＥＤと称する）と呼ばれている。

【０００３】例えば、ＦＥＤは、一般に、所定の隙間を
置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、
これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を
互いに接合することにより真空外囲器を構成している。
前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面
基板の内面には、蛍光体を励起して発光させる電子放出
源として多数のエミッタが設けられている。また、背面
基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるため
に、これら基板の間には複数の支持部材が配設されてい
る。

【０００４】背面基板側の電位はほぼ０Ｖであり、蛍光
面にはアノード電圧Ｖａが印加される。そして、蛍光体
スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体にエミッタか
ら放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させる
ことによって画像を表示する。

【０００５】このようなＦＥＤでは、前面基板と背面基
板との隙間を数ｍｍ以下に設定することができ、現在の
テレビやコンピュータのディスプレイとして使用されて
いる陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、軽量化、薄型化を
達成することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した平面表示装置
では、真空外囲器内部の真空度を例えば１０^−５〜１０
^−６Ｐａに保つ必要がある。従来の排気工程では、真空
外囲器を３００℃程度まで加熱するベーキング処理によ
り、外囲器内部の表面吸着ガスを放出させるようにして
いたが、このような排気方法では表面吸着ガスを十分に
放出させることはできない。

【０００７】そのため、例えば特開平９−８２２４５号
公報には、前面基板の蛍光体スクリーン上に形成された
メタルバック上を、Ｔｉ，Ｚｒもしくはそれらの合金か
らなるゲッタ材で被覆する構成、メタルバック自身を上
記のようなゲッタ材で形成する構成、あるいは、画像表
示領域内で、電子放出素子以外の部分に、上記のような
ゲッタ材を配置した構成の平板表示装置が記載されてい
る。

【０００８】しかしながら、特開平９−８２２４５号公
報に開示された画像表示装置では、ゲッタ材を通常のパ
ネル工程で形成しているため、ゲッタ材の表面は当然酸
化することになる。ゲッタ材は、特に表面の活性度合い
が重要であるため、表面酸化したゲッタ材では満足なガ
ス吸着効果を得ることができない。

【０００９】真空外囲器内部の真空度を上げる方法とし
ては、背面基板、側壁、前面基板を真空装置内に投入
し、真空雰囲気中でこれらのべ一キング、電子線照射を
行って表面吸着ガスを放出させた後、ゲッタ膜を形成
し、そのまま真空雰囲気中でフリットガラスなどを用い
て側壁と背面基板および前面基板とを封着する方法が考
えられる。この方法によれば、電子線洗浄によって表面
吸着ガスを十分に放出させることができ、ゲッタ膜も酸
化されず十分なガス吸着効果を得ることができる。ま
た、排気管が不要であるため、画像表示装置のスペース
が無駄に消費されることがなくなる。

【００１０】しかしながら、真空中でフリットガラスを
使用して封着を行う場合、フリットガラスを４００℃以
上の高温に加熱する必要があり、その際、フリットガラ
スから多数の気泡が発生し、真空外囲器の気密性、封着
強度などが悪化し、信頼性が低下するという問題があ
る。また、電子放出素子の特性上、４００℃以上の高温
にすることは避けた方がよい場合があり、そのような場
合には、フリットガラスを用いて封着する方法は好まし
くない。

【００１１】この発明は以上の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、真空雰囲気中で容易に封着を行うこと
が可能な画像表示装置、およびその製造方法を提供する
ことにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る画像表示装置は、背面基板、および
この背面基板に対向配置された前面基板を有した外囲器
と、上記外囲器の内側に設けられた複数の画素表示素子
と、を備え、上記前面基板および上記背面基板は、下地
層とこの下地層上に設けられ上記下地層と異種の金属封
着材層とにより、直接あるいは間接的に封着されている
ことを特徴としている。

【００１３】また、この発明に係る他の画像表示装置
は、背面基板と、この背面基板に対向配置された前面基
板と、上記前面基板の周縁部と上記背面基板の周縁部と
の間に配設された側壁とを有した外囲器と、上記外囲器
の内側に設けられた複数の画素表示素子と、を備え、上
記前面基板と側壁との間、および上記背面基板と側壁と
の間の少なくとも一方は、下地層とこの下地層上に設け
られ上記下地層と異種の金属封着材層とにより封着され
ていることを特徴としている。

【００１４】更に、この発明に係る他の画像表示装置
は、背面基板、およびこの背面基板に対向配置された前
面基板を有した外囲器と、上記外囲器の内側に設けられ
た複数の画素表示素子と、を備え、上記前面基板および
上記背面基板は、下地層とこの下地層上に設けられ上記
下地層と異種の金属封着材層とが融合した封着層によ
り、直接あるいは間接的に封着されていることを特徴と
している。

【００１５】一方、この発明に係る画像表示装置の製造
方法は、背面基板、およびこの背面基板に対向配置され
た前面基板を有した真空外囲器と、上記外囲器の内側に
設けられた複数の画素表示素子と、を備えた画像表示装
置の製造方法において、上記背面基板と上記前面基板と
の間の封着面に沿って下地層を形成する工程と、上記下
地層と異種の金属封着材層を上記下地層に重ねて形成す
る工程と、上記背面基板および前面基板を真空雰囲気中
で加熱し、上記金属封着材層を溶融させて上記背面基板
と上記前面基板と直接あるいは間接的に封着する工程
と、を備えたことを特徴としている。

【００１６】上記本発明に係る画像表示装置およびその
製造方法において、上記金属封着材料として、３５０℃
以下の融点を有した低融点金属材料を用い、例えば、イ
ンジウムまたはインジウムを含む合金を用いている。ま
た、上記下地層は、金属封着材料に対して濡れ性および
気密性の良い材料、すなわち、親和性の高い材料である
ことが望ましく、銀、金、アルミニウム、ニッケル、コ
バルト、銅の少なくとも１つを含む金属ペースト、銀、
金、アルミニウム、ニッケル、コバルト、銅の少なくと
も１つを含む金属メッキ層あるいは蒸着膜、又はガラス
材料等を用いている。

【００１７】上記のように構成された画像表示装置およ
びその製造方法によれば、金属封着材層を用いて前面基
板と背面基板と直接あるいは間接的に封着することによ
り、背面基板に設けられてた電子放出素子などに熱的な
損傷を与えることのない低い温度で、封着を行なうこと
ができる。また、フリットガラスを用いた場合のように
多数の気泡が発生することがなく、真空外囲器の気密
性、封着強度を向上することができる。同時に、金属封
着材層と異種の下地層を設けることにより、封着時に金
属封着材料が溶融して粘性が低くなった場合でも、下地
層により金属封着材料の流動を防止し所定位置に保持す
ることができる。従って、取り扱いが容易であり、真空
雰囲気中で容易にかつ確実に封着を行うことが可能な画
像表示装置、およびその製造方法を得ることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の画像表示装置をＦＥＤに適用した実施の形態につ
いて詳細に説明する。図１および図２に示すように、こ
のＦＥＤは、絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラスか
らなる前面基板１１、および背面基板１２を備え、これ
らの基板は約１．５〜３．０ｍｍの隙間を置いて対向配
置されている。そして、前面基板１１および背面基板１
２は、矩形枠状の側壁１８を介して周縁部同士が接合さ
れ、内部が真空状態に維持された偏平な矩形状の真空外
囲器１０を構成している。

【００１９】真空外囲器１０の内部には、背面基板１２
および前面基板１１に加わる大気圧荷重を支えるため、
複数の支持部材１４が設けられている。これらの支持部
材１４は、真空外囲器１０の長辺と平行な方向に延出し
ているとともに、短辺と平行な方向に沿って所定の間隔
を置いて配置されている。なお、支持部材１４の形状に
ついては特にこれに限定されるものではなく、柱状の支
持部材を用いてもよい。

【００２０】図３に示すように、前面基板１１の内面に
は蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体
スクリーン１６は、赤、緑、青の３色に発光する蛍光体
層Ｒ、Ｇ、Ｂとマトリックス状の黒色光吸収部２０とで
形成されている。上述の支持部材１４は、黒色光吸収部
の影に隠れるように置かれる。また、蛍光体スクリーン
１６上には、メタルバックとして図示しないアルミニウ
ム層が蒸着されている。

【００２１】図２に示すように、背面基板１２の内面上
には、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子放出源とし
て、それぞれ電子ビームを放出する多数の電界放出型の
電子放出素子２２が設けられている。これらの電子放出
素子２２は、各画素毎に対応して複数列および複数行に
配列され、この発明における画素表示素子として機能す
る。

【００２２】詳細に述べると、背面基板１２の内面上に
は、導電性カソード層２４が形成され、この導電性カソ
ード層上には多数のキャビティ２５を有した二酸化シリ
コン膜２６が形成されている。二酸化シリコン膜２６上
には、モリブデン、ニオブ等からなるゲート電極２８が
形成されている。そして、背面基板１２の内面上におい
て各キャビティ２５内に、モリブデン等からなるコーン
状の電子放出素子２２が設けられている。その他、背面
基板１２上には、電子放出素子２２に接続された図示し
ないマトリックス状の配線等が形成されている。

【００２３】上記のように構成されたＦＥＤにおいて、
映像信号は、単純マトリックス方式に形成された電子放
出素子２２とゲート電極２８に入力される。電子放出素
子２２を基準とした場合、最も輝度の高い状態の時、＋
１００Ｖのゲート電圧が印加される。また、蛍光体スク
リーン１６には＋１０ｋＶが印加される。そして、電子
放出素子２２から放出される電子ビームの大きさは、ゲ
ート電極２８の電圧によって変調され、この電子ビーム
が蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起して発光させ
ることにより画像を表示する。

【００２４】このように蛍光体スクリーン１６には高電
圧が印加されるため、前面基板１１、背面基板１２、側
壁１８、および支持部材１４用の板ガラスには、高歪点
ガラスが使用されている。また、後述するように、背面
基板１２と側壁１８との間は、フリットガラス等の低融
点ガラス３０によって封着され、前面基板１１と側壁１
８との間は、封着面上に形成された下地層３１とこの下
地層上に形成されたインジウム層３２とが融合した封着
層３３によって封着されている。

【００２５】次に、上記のように構成されたＦＥＤの製
造方法について詳細に説明する。まず、前面基板１１と
なる板ガラスに蛍光体スクリーン１６を形成する。これ
は、前面基板１１と同じ大きさの板ガラスを準備し、こ
の板ガラスにプロッターマシンで蛍光体層のストライプ
パターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンを
形成された板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決
め治具に載せて露光台にセットすることにより、露光、
現像して蛍光体スクリーン１６を生成する。

【００２６】続いて、背面基板用の板ガラスに電子放出
素子２２を形成する。この場合、板ガラス上にマトリッ
クス状の導電性カソード層を形成し、この導電性カソー
ド層上に、例えば熱酸化法、ＣＶＤ法、あるいはスパッ
タリング法により二酸化シリコン膜の絶縁膜を形成す
る。

【００２７】その後、この絶縁膜上に、例えばスパッタ
リング法や電子ビーム蒸着法によりモリブデンやニオブ
などのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、こ
の金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状の
レジストパターンをリソグラフィーにより形成する。こ
のレジストパターンをマスクとして金属膜をウェットエ
ッチング法またはドライエッチング法によりエッチング
し、ゲート電極２８を形成する。

【００２８】次に、レジストパターン及びゲート電極を
マスクとして絶縁膜をウェットエッチングまたはドライ
エッチング法によりエッチングして、キャビティ２５を
形成する。そして、レジストパターンを除去した後、背
面基板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビー
ム蒸着を行うことにより、ゲート電極２８上に、例えば
アルミニウム、ニッケルやコバルトからなる剥離層を形
成する。この後、背面基板表面に対して垂直な方向か
ら、カソード形成用の材料として、例えばモリブデンを
電子ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、各キ
ャビティ２５の内部に電子放出素子２２を形成する。続
いて、剥離層をその上に形成された金属膜とともにリフ
トオフ法により除去する。

【００２９】続いて、電子放出素子２２の形成された背
面基板１２の周縁部と矩形枠状の側壁１８との間を、大
気中で低融点ガラス３０により互いに封着する。同時
に、大気中で、背面基板１２上に複数の支持部材１４を
低融点ガラス３０により封着する。

【００３０】その後、背面基板１２と前面基板１１とを
側壁１８を介して互いに封着する。この場合、図４に示
すように、まず、封着面となる側壁１８の上面、および
前面基板１１の内面周縁部上に、それぞれ下地層３１を
全周に亘って所定幅に形成する。本実施の形態におい
て、下地層３１は銀ペーストを塗布して形成する。

【００３１】続いて、各下地層３１の上に、金属封着材
料としてのインジウムを塗布し、それぞれ下地層の全周
に亘って延びたインジウム層３２を形成する。このイン
ジウム層３２の幅は、下地層３１の幅よりも狭く形成
し、インジウム層の両側縁が下地層３１の両側縁からそ
れぞれ所定の隙間を置いた状態に塗布する。例えば、側
壁１８の幅を９ｍｍとした場合、下地層３１の幅は７ｍ
ｍ、インジウム層３２の幅は６ｍｍ程度に形成される。

【００３２】なお、金属封着材料としては、融点が約３
５０℃以下で密着性、接合性に優れた低融点金属材料を
使用することが望ましい。本実施の形態で用いるインジ
ウム（Ｉｎ）は、融点１５６．７℃と低いだけでなく、
蒸気圧が低い、軟らかく衝撃に対して強い、低温でも脆
くならないなどの優れた特徴がある。しかも、条件によ
ってはガラスに直接接合することができるので、本発明
の目的に好適した材料である。

【００３３】また、低融点金属材料としては、Ｉｎの単
体ではなく、酸化銀、銀、金、銅、アルミニウム、亜
鉛、錫等の元素を単独あるいは複合で添加した合金を用
いることもできる。例えば、Ｉｎ９７％−Ａｇ３％の共
晶合金では、融点が１４１℃とさらに低くなり、しかも
機械的強度を高めることができる。

【００３４】なお、上記説明では、「融点」という表現
を用いているが、２種以上の金属からなる合金では、融
点が単一に定まらない場合がある。一般にそのような場
合には、液相線温度と固相線温度が定義される。前者
は、液体の状態から温度を下げていった際、合金の一部
が固体化し始める温度であり、後者は合金の全てが固体
化する温度である。本実施の形態では、説明の便宜上、
このような場合においても融点という表現を用いること
にし、固相線温度を融点と呼ぶことにする。

【００３５】一方、前述した下地層３１は、金属封着材
料に対して濡れ性および気密性の良い材料、つまり、金
属封着材料に対して親和性の高い材料を用いる。上述し
た銀ペーストの他、金、アルミニウム、ニッケル、コバ
ルト、銅等の金属ペーストを用いすることができる。金
属ペーストの他、下地層３１として、銀、金、アルミニ
ウム、ニッケル、コバルト、銅等の金属メッキ層あるい
は蒸着膜、又はガラス材料層を用いることもできる。

【００３６】次に、封着面に下地層３１およびインジウ
ム層３２が形成された前面基板１１と、背面基板１２に
側壁１８が封着されているとともにこの側壁上面に下地
層３１およびインジウム層３２が形成された背面側組立
体とは、図５に示すように、封着面同士が向かい合った
状態で、かつ、所定の距離をおいて対向した状態で治具
等により保持され、真空処理装置に投入される。

【００３７】図６に示すように、この真空処理装置１０
０は、順に並んで設けられたロード室１０１、ベーキン
グ、電子線洗浄室１０２、冷却室１０３、ゲッタ膜の蒸
着室１０４、組立室１０５、冷却室１０６、およびアン
ロード室１０７を有している。これら各室は真空処理が
可能な処理室として構成され、ＦＥＤの製造時には全室
が真空排気されている。また、隣合う処理室間はゲート
バルブ等により接続されている。

【００３８】所定の間隔をおいて対向した背面側組立体
および前面基板１１は、ロード室１０１に投入され、ロ
ード室１０１内を真空雰囲気とした後、ベーキング、電
子線洗浄室１０２へ送られる。べーキング、電子線洗浄
室１０２では、１０^−５Ｐａ程度の高真空度に達した時
点で、背面側組立体および前面基板を３００℃程度の温
度に加熱してベーキングし、各部材の表面吸着ガスを十
分に放出させる。

【００３９】この温度ではインジウム層（融点約１５６
℃）３２が溶融する。しかし、インジウム層３２は親和
性の高い下地層３１上に形成されているため、インジウ
ムが流動することなく下地層３１上に保持され、電子放
出素子２２側や背面基板の外側、あるいは蛍光体スクリ
ーン１６側への流出が防止される。

【００４０】また、べーキング、電子線洗浄室１０２で
は、加熱と同時に、べーキング、電子線洗浄室１０２に
取り付けられた図示しない電子線発生装置から、前面基
板１１の蛍光体スクリーン面、および背面基板１２の電
子放出素子面に電子線を照射する。この電子線は、電子
線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査
されるため、蛍光体スクリーン面、および電子放出素子
面の全面を電子線洗浄することが可能となる。

【００４１】加熱、電子線洗浄後、背面基板側組立体お
よび前面基板１１は冷却室１０３に送られ、例えば約１
００℃の温度の温度まで冷却される。続いて、背面側組
立体および前面基板１１はゲッタ膜の蒸着室１０４へ送
られ、ここで蛍光体スクリーンの外側にゲッタ膜として
Ｂａ膜が蒸着形成される。このＢａ膜は、表面が酸素や
炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持
することができる。

【００４２】次に、背面側組立体および前面基板１１は
組立室１０５に送られ、ここで２００℃まで加熱されイ
ンジウム層３２が再び液状に溶融あるいは軟化される。
この状態で、前面基板１１と側壁１８とを接合して所定
の圧力で加圧した後、インジウムを除冷して固化させ
る。これにより、前面基板１１と側壁１８とが、インジ
ウム層３２および下地層３１を融合した封着層３３によ
って封着され、真空外囲器１０が形成される。

【００４３】このようにして形成された真空外囲器１０
は、冷却室１０６で常温まで冷却された後、アンロード
室１０７から取り出される。以上の工程により、ＦＥＤ
が完成する。

【００４４】以上のように構成されたＦＥＤおよびその
製造方法によれば、真空雰囲気中で前面基板１１、およ
び背面基板１２の封着を行なうことにより、ベーキング
および電子線洗浄の併用によって基板の表面吸着ガスを
十分に放出させることができ、ゲッタ膜も酸化されず十
分なガス吸着効果を得ることができる。これにより、高
い真空度を維持可能なＦＥＤを得ることができる。

【００４５】また、封着材料としてインジウムを使用す
ることにより封着時の発泡を抑えることができ、気密性
および封着強度の高いＦＥＤを得ることが可能となる。
同時に、インジウム層３２の下に下地層３１を設けるこ
とにより、封着工程においてインジウムが溶融した場合
でもインジウムの流出を防止し所定位置に保持すること
ができる。従って、インジウムの取り扱いが簡単とな
り、５０インチ以上の大型の画像表示装置であっても容
易にかつ確実に封着することができる。

【００４６】なお、上述した実施の形態では、前面基板
１１の封着面と側壁１８の封着面との両方に下地層３１
およびインジウム層３２を形成した状態で封着する構成
としたが、いずれか一方の封着面のみに、例えば、図７
に示すように、前面基板１１の封着面のみに下地層３１
およびインジウム層３２を形成した状態で封着する構成
としてもよい。

【００４７】その他、この発明は上述した実施の形態に
限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能
である。例えば、背面基板と側壁との間を、上記と同様
の下地層３１およびインジウム層３２を融合した封着層
によって封着してもよい。また、前面基板あるいは背面
基板の一方の周縁部を折り曲げて形成し、これらの基板
を側壁を介することなく直接的に接合する構成としても
よい。更に、インジウム層は、全周に亘って下地層の幅
よりも小さな幅に形成されている構成としたが、下地層
の少なくとも一部分において下地層の幅よりも小さな幅
に形成されていれば、インジウムの流動を防止すること
が可能となる。

【００４８】また、上述した実施の形態では、電子放出
素子として電界放出型の電子放出素子を用いたが、これ
に限らず、ｐｎ型の冷陰極素子あるいは表面伝導型の電
子放出素子等の他の電子放出素子を用いてもよい。ま
た、この発明は、プラズマ表示パネル（ＰＤＰ）、エレ
クトロルミネッセンス（ＥＬ）等の他の画像表示装置に
も適用可能である。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述したように、この本発明によれ
ば、下地層とこの下地層上に形成された金属封着材層と
を用いて基板同士を封着することにより、真空雰囲気中
で容易に封着を行うことができるとともに気密性および
封着強度の高い画像表示装置、およびその製造方法を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態に係るＦＥＤを示す斜視
図。

【図２】図１の線Ａ−Ａに沿った断面図。

【図３】上記ＦＥＤの蛍光体スクリーンを示す平面図。

【図４】上記ＦＥＤの真空外囲器を構成する側壁の封着
面および前面基板の封着面に下地層およびインジウム層
を形成した状態を示す斜視図。

【図５】上記封着部に下地層およびインジウム層が形成
された背面側組立体と前面基板とを対向配置した状態を
示す断面図。

【図６】上記ＦＥＤの製造に用いる真空処理装置を概略
的に示す図。

【図７】この発明の他の実施の形態に係るＦＥＤの真空
外囲器を形成する工程において、前面基板の封着面に下
地層およびインジウム層を形成した状態を示す断面図。

【符号の説明】

１０…真空外囲器１１…前面基板１２…背面基板１４…支持部材１６…蛍光体スクリーン１８…側壁２２…電子放出素子３０…低融点ガラス３１…下地層３２…インジウム層１００…真空処理装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西村孝司埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番地２号株式会社東芝深谷工場内Ｆターム(参考） 5C012 BC03 5C032 AA07 BB03 5C036 EE17 EF01 EG02 EG05 EG06 EH04 EH21 5C094 AA02 AA31 BA21 CA19 CA24 DA07 EB02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】背面基板、およびこの背面基板に対向配置
された前面基板を有した外囲器と、上記外囲器の内側に
設けられた複数の画素表示素子と、を備え、上記前面基板および上記背面基板は、下地層とこの下地
層上に設けられ上記下地層と異種の金属封着材層とによ
り、直接あるいは間接的に封着されていることを特徴と
する画像表示装置。
【請求項２】背面基板と、この背面基板に対向配置され
た前面基板と、上記前面基板の周縁部と上記背面基板の
周縁部との間に配設された側壁と、を有した外囲器と、
上記外囲器の内側に設けられた複数の画素表示素子と、
を備え、上記前面基板と側壁との間、および上記背面基板と側壁
との間の少なくとも一方は、下地層とこの下地層上に設
けられ上記下地層と異種の金属封着材層とにより封着さ
れていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】背面基板、およびこの背面基板に対向配置
された前面基板を有した外囲器と、上記外囲器の内側に
設けられた複数の画素表示素子と、を備え、上記前面基板および上記背面基板は、下地層とこの下地
層上に設けられ上記下地層と異種の金属封着材層とが融
合した封着層により、直接あるいは間接的に封着されて
いることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】上記金属封着材層は、融点が３５０℃以下
の低融点金属材料により形成されていることを特徴とす
る請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像表示装
置。
【請求項５】上記低融点金属材料は、インジウムまたは
インジウムを含む合金であることを特徴とする請求項４
記載の画像表示装置。
【請求項６】上記下地層は、銀、金、アルミニウム、ニ
ッケル、コバルト、銅の少なくとも１つを含む金属ペー
ストにより形成されていることを特徴とする請求項１な
いし５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】上記下地層は、銀、金、アルミニウム、ニ
ッケル、コンバルト、銅の少なくとも１つを含む金属メ
ッキ層あるいは蒸着膜、又はガラス材料により形成され
ていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１
項に記載の画像表示装置。
【請求項８】上記金属封着材層の幅は、上記下地層の少
なくとも一部分において、この下地層の幅以下に形成さ
れていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか
１項に記載の画像表示装置。
【請求項９】背面基板、およびこの背面基板に対向配置
された前面基板を有する外囲器と、上記前面基板の内面に形成された蛍光体スクリーンと、上記背面基板上に設けられ、上記蛍光体スクリーンに電
子ビームを放出し蛍光体スクリーンを発光させる電子放
出源と、を備え、上記前面基板および上記背面基板は、下地層とこの下地
層上に設けられ上記下地層と異種の金属封着材層とによ
り、直接あるいは間接的に封着されていることを特徴と
する画像表示装置。
【請求項１０】背面基板、およびこの背面基板に対向配
置された前面基板を有した外囲器と、上記外囲器の内側
に設けられた複数の画素表示素子と、を備えた画像表示
装置の製造方法において、上記背面基板と上記前面基板との間の封着面に沿って下
地層を形成する工程と、上記下地層と異種の金属封着材層を上記下地層に重ねて
形成する工程と、上記背面基板および前面基板を真空雰囲気中で加熱し、
上記金属封着材層を溶融させて上記背面基板と上記前面
基板と直接あるいは間接的に封着する工程と、を備えたことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１１】上記金属封着材層を、融点が３５０℃以
下の低融点金属材料により形成することを特徴とする請
求項１０に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】上記低融点金属材料は、インジウムまた
はインジウムを含む合金であることを特徴とする請求項
１１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１３】上記下地層を、銀、金、アルミニウム、
ニッケル、コバルト、銅の少なくとも１つを含む金属ペ
ーストにより形成することを特徴とする請求項１０ない
し１２のいずれか１項に記載の画像表示装置の製造方
法。
【請求項１４】上記下地層を、銀、金、アルミニウム、
ニッケル、コバルト、銅の少なくとも１つを含む金属メ
ッキ層あるいは蒸着膜、又はガラス材料により形成する
ことを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか１項
に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１５】上記下地層の少なくとも一部分におい
て、上記金属封着材層を上記下地層の幅以下の幅に形成
することを特徴とする請求項１０ないし１４のいずれか
１項に記載の画像表示装置の製造方法。