JP2004013067A - 画像表示装置 - Google Patents
画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004013067A JP2004013067A JP2002169856A JP2002169856A JP2004013067A JP 2004013067 A JP2004013067 A JP 2004013067A JP 2002169856 A JP2002169856 A JP 2002169856A JP 2002169856 A JP2002169856 A JP 2002169856A JP 2004013067 A JP2004013067 A JP 2004013067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- substrate
- front substrate
- vacuum
- image display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】封着部の耐湿性が向上し、気密性および信頼性の高い画像表示装置を提供することにある。
【解決手段】背面基板12、およびこの背面基板に対向配置された前面基板11を有した外囲器10と、外囲器の内側に設けられた複数の画素表示素子22と、を備えている。前面基板および背面基板は封着層33を介して周辺部が封着され、この封着層は、低融点材料およびアンチモンを含んでいる。
【選択図】 図3
【解決手段】背面基板12、およびこの背面基板に対向配置された前面基板11を有した外囲器10と、外囲器の内側に設けられた複数の画素表示素子22と、を備えている。前面基板および背面基板は封着層33を介して周辺部が封着され、この封着層は、低融点材料およびアンチモンを含んでいる。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、対向配置された基板と、一方の基板の内側に配置された多数の電子放出素子と、を有した画像表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な画像表示装置が開発されている。このような画像表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ(以下、LCDと称する)、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称する)、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ(以下、FEDと称する)、表面伝導型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表面伝導電子放出ディスプレイ(以下、SEDと称する)などがある。
【0003】
例えばFEDやSEDでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周辺部同士を互いに接合することにより真空の外囲器を構成している。前面基板および背面基板としてはガラス板が用いられている。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として多数の電子放出素子(以下、エミッタと称する)が設けられている。
【0004】
また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧Vaが印加される。そして、蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体にエミッタから放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
【0005】
このようなFEDやSEDでは、表示装置の厚さを数mm程度にまで薄くすることができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されているCRTと比較して、軽量化、薄型化を達成することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなFEDやSEDでは、外囲器の内部を高真空にすることが必要となる。また、PDPにおいても、外囲器内を一度真空にしてから放電ガスを充填する必要がある。
【0007】
外囲器を真空にする方法としては、まず、外囲器の構成部材である前面基板、背面基板、および側壁を適当な封着材料により大気中で加熱して接合し、その後、前面基板または背面基板に設けた排気管を通して外囲器内を排気した後、排気管を真空封止する方法がある。しかし、平面型の外囲器では排気管を介した排気速度は極めて小さく、到達できる真空度も悪いため、量産性および特性面に問題がある。
【0008】
この問題を解決する方法として、例えば特開2000−229825号公報には、外囲器を構成する前面基板および背面基板の最終組立を真空槽内にて行う方法が示されている。
【0009】
この方法では、まず、真空槽内に持ち込まれた前面基板および背面基板を十分に加熱しておく。これは、外囲器真空度を劣化させる主因となっている外囲器内壁からのガス放出を軽減するためである。次に、前面基板および背面基板が冷えて真空槽内の真空度が十分に向上したところで、外囲器真空度を改善、維持させるためのゲッタ膜を蛍光面スクリーン上に形成する。その後、封着材料が溶解する温度まで前面基板および背面基板を再び加熱し、前面基板および背面基板を所定の位置に組み合わせた状態で封着材料が固化するまで冷却する。
【0010】
このような方法で作成された真空外囲器は、封着工程と真空封止工程を兼ねるうえ、排気に伴う多大な時間が要らず、かつ、極めて良好な真空度を得ることができる。また、封着材料としては、封着、封止一括処理に適した低融点材料を使用することが望ましい。
【0011】
一方、平面型の画像表示装置では、封着後、10年以上もの長い間、高い真空度を保持する必要がある。そのため、封着部の信頼性は高いものでなければならない。しかし、封着材料として低融点材料であるインジウムまたはインジウム錫などの合金を使用した場合、封着部に水分が付着すると、低融点材料と基板、つまり、ガラス板との界面に水分が浸透し、内部空洞が発生することがある。このことから、低融点材料で封着した外囲器は、湿度の高い場所に放置したり、あるいは、外囲器の外面に結露が生じるような環境に配置すると、封着部が徐々に侵食され真空リークが発生する恐れがある。そして、真空リークが発生した場合、画像特性が大幅に劣化し、更には、画像表示装置として耐え得ないものになってしまう。
【0012】
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は、封着部の侵食を防止し、気密性および信頼性の向上した画像表示装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、背面基板、およびこの背面基板に対向配置された前面基板を有した外囲器と、上記外囲器の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備え、上記前面基板および上記背面基板は封着層を介して周辺部が封着され、この封着層は、低融点材料およびアンチモンを含んでいる。
【0014】
上記のように構成された画像表示装置によれば、封着層として低融点材料およびアンチモンを含んだ封着材料を用いることにより、封着層の耐湿性が向上し、封着層の侵食による気密性低下を防止して信頼性の向上を図ることが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、この発明の画像表示装置をFEDに適用した実施の形態について詳細に説明する。
図1ないし図3に示すように、このFEDは、絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板11、および背面基板12を備え、これらの基板は約1.5〜3.0mmの隙間を置いて対向配置されている。そして、前面基板11および背面基板12は、矩形枠状の側壁18を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な矩形状の真空外囲器10を構成している。
【0016】
真空外囲器10の内部には、背面基板12および前面基板11に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材14が設けられている。これらの支持部材14は、真空外囲器10の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材14の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。
【0017】
図4に示すように、前面基板11の内面上には蛍光体スクリーン16が形成されている。この蛍光体スクリーン16は、赤、青、緑の3色に発光するストライプ状の蛍光体層R、G、B、およびこれらの蛍光体層間に位置した非発光部としてのストライプ状の黒色光吸収層20を並べて構成されている。蛍光体層R、G、Bは、真空外囲器10の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、蛍光体スクリーン16上には、メタルバックとして図示しないアルミニウム層が蒸着されている。
【0018】
図3に示すように、背面基板12の内面上には、蛍光体層R、G、Bを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電界放出型の電子放出素子22が設けられている。画素表示素子として機能するこれらの電子放出素子22は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。
【0019】
詳細に述べると、背面基板12の内面上には、導電性カソード層24が形成され、この導電性カソード層上には多数のキャビティ25を有した二酸化シリコン膜26が形成されている。二酸化シリコン膜26上には、モリブデン、ニオブ等からなるゲート電極28が形成されている。そして、背面基板12の内面上において各キャビティ25内に、モリブデン等からなるコーン状の電子放出素子22が設けられている。その他、背面基板12上には、電子放出素子22に接続された図示しないマトリックス状の配線等が形成されている。
【0020】
上記のように構成されたFEDにおいて、映像信号は、電子放出素子22とゲート電極28に入力される。電子放出素子22を基準とした場合、最も輝度の高い状態の時、+100Vのゲート電圧が印加される。また、蛍光体スクリーン16には+10kVが印加される。そして、電子放出素子22から放出される電子ビームの大きさは、ゲート電極28の電圧によって変調され、この電子ビームが蛍光体スクリーン16の蛍光体層を励起して発光させることにより画像を表示する。
【0021】
このように蛍光体スクリーン16には高電圧が印加されるため、前面基板11、背面基板12、側壁18、および支持部材14用の板ガラスには、高歪点ガラスが使用されている。また、後述するように、背面基板12と側壁18との間は、フリットガラス等の低融点ガラス30によって封着され、前面基板11と側壁18との間は、封着面上に形成された下地層31とこの下地層上に形成されたインジウム層32とが融合した封着層33によって封着されている。
【0022】
次に、上記のように構成されたFEDの製造方法について詳細に説明する。
まず、前面基板11となる板ガラスに蛍光体スクリーン16を形成する。これは、前面基板11と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッターマシンで蛍光体層のストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンが形成された板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台にセットし、露光、現像して蛍光体スクリーン16を生成する。
【0023】
続いて、背面基板用の板ガラスに電子放出素子22を形成する。この場合、板ガラス上にマトリックス状の導電性カソード層を形成し、この導電性カソード層上に、例えば熱酸化法、CVD法、あるいはスパッタリング法により二酸化シリコン膜の絶縁膜を形成する。
【0024】
その後、この絶縁膜上に、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法によりモリブデンやニオブなどのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状のレジストパターンをリソグラフィーにより形成する。このレジストパターンをマスクとして金属膜をウェットエッチング法またはドライエッチング法によりエッチングし、ゲート電極28を形成する。
【0025】
次に、レジストパターン及びゲート電極をマスクとして絶縁膜をウェットエッチングまたはドライエッチング法によりエッチングして、キャビティ25を形成する。そして、レジストパターンを除去した後、背面基板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム蒸着を行うことにより、ゲート電極28上に、例えばアルミニウムやニッケルからなる剥離層を形成する。この後、背面基板表面に対して垂直な方向から、カソード形成用の材料として、例えばモリブデンを電子ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、各キャビティ25の内部に電子放出素子22を形成する。続いて、剥離層をその上に形成された金属膜とともにリフトオフ法により除去する。
【0026】
次に、電子放出素子22の形成された背面基板12の周縁部と矩形枠状の側壁18との間を、大気中で低融点ガラス30により互いに封着する。その後、背面基板12と前面基板11とを側壁18を介して互いに封着する。この場合、図5に示すように、まず、封着面となる側壁18の上面、および前面基板11の内面周縁部上に、それぞれ下地層31を全周に亘って所定幅に形成する。下地層31としては、例えば銀ペーストを用いる。続いて、各下地層31の上に、金属封着材料としてのインジウムを塗布し、それぞれ下地層の全周に亘って延びたインジウム層32を形成する。
【0027】
なお、金属封着材料としては、融点が約350℃以下で密着性、接合性に優れた低融点金属材料を使用することが望ましい。本実施の形態で用いるインジウム(In)は、融点156.7℃と低いだけでなく、蒸気圧が低い、軟らかく衝撃に対して強い、低温でも脆くならないなどの優れた特徴がある。そして、封着材料は、インジウムを50重量%以上含んでいるとともに、加えてアンチモン(Sb)を含有している。なお、封着材料としては、インジウムにAg、Sn、Bi、Al、Zn、Cu、Ni、Co、Fe等の材料を含有したものを用いてもよい。
【0028】
下地層31は、金属封着材料に対して濡れ性および気密性の良い材料、つまり、金属封着材料に対して親和性の高い材料を用いる。下地層31としては、銀ペーストの他、Ni、Co、Au、Cu、Al等の金属ペーストを用いることができ、また、必ずしもペーストにする必要はない。なお、条件によっては下地層を省略し、インジウムをガラス基板上に直接接合することも可能である。
【0029】
次に、封着面に下地層31およびインジウム層32が形成された前面基板11と、背面基板12に側壁18が封着されているとともにこの側壁上面に下地層31およびインジウム層32が形成された背面側組立体とを、図6に示すように、封着面同士が向かい合った状態で、かつ、所定の距離をおいて対向した状態で治具等により保持し、真空処理装置に投入する。
【0030】
図7に示すように、この真空処理装置100は、順に並んで設けられたロード室101、ベーキング、電子線洗浄室102、冷却室103、ゲッター膜の蒸着室104、組立室105、冷却室106、およびアンロード室107を有している。これら各室は真空処理が可能な処理室として構成され、FEDの製造時には全室が真空排気されている。また、隣合う処理室間はゲートバルブ等により接続されている。
【0031】
所定の間隔をおいて対向した背面側組立体および前面基板11は、ロード室101に投入され、ロード室101内を真空雰囲気とした後、ベーキング、電子線洗浄室102へ送られる。べーキング、電子線洗浄室102では、10−5Pa程度の高真空度に達した時点で、背面側組立体および前面基板11を300℃程度の温度に加熱してベーキングし、各部材の表面吸着ガスを十分に放出させる。
【0032】
この温度ではインジウム層32が溶融する。しかし、インジウム層32は親和性の高い下地層31上に形成されているため、インジウムは流動することなく下地層31上に保持され、電子放出素子22側や背面基板12の外側、あるいは蛍光体スクリーン16側への流出が防止される。
【0033】
また、ベーキング、電子線洗浄室102では、加熱と同時に、ベーキング、電子線洗浄室102に取り付けられた図示しない電子線発生装置から、前面基板11の蛍光体スクリーン面、および背面基板12の電子放出素子面に電子線を照射する。この電子線は、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査されるため、蛍光体スクリーン面、および電子放出素子面の全面を電子線洗浄することが可能となる。
【0034】
加熱、電子線洗浄後、背面基板側組立体および前面基板11は冷却室103に送られ、例えば約100℃の温度の温度まで冷却される。続いて、背面側組立体および前面基板11はゲッター膜を形成する蒸着室104へ送られ、ここで蛍光体スクリーンの外側にゲッター膜としてBa膜が蒸着形成される。このBa膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持することができる。
【0035】
次に、背面側組立体および前面基板11は組立室105に送られ、ここで200℃まで加熱されインジウム層32が再び液状に溶融あるいは軟化される。この状態で、前面基板11と側壁18とを接合して所定の圧力で加圧した後、インジウムを除冷して固化させる。これにより、前面基板11と側壁18とが、インジウム層32および下地層31を融合した封着層33によって封着され、真空外囲器10が形成される。
【0036】
このようにして形成された真空外囲器10は、冷却室106で常温まで冷却された後、アンロード室107から取り出される。以上の工程により、FEDが完成する。
【0037】
以上のように構成されたFEDおよびその製造方法によれば、真空雰囲気中で前面基板11、および背面基板12の封着を行うことにより、ベーキングおよび電子線洗浄の併用によって基板の表面吸着ガスを十分に放出させることができ、ゲッター膜も酸化されず十分なガス吸着効果を得ることができる。これにより、高い真空度を維持可能なFEDを得ることができる。
【0038】
また、封着材料としてインジウムを使用することにより、フリットガラスで封着した場合のように、真空中で発泡することなく、気密性および封着強度の高いFEDパネルを得ることが可能となる。同時に、インジウム層32の下に下地層31を設けることにより、封着工程においてインジウムが溶融した場合でもインジウムの流出を防止し所定位置に保持することができる。このようにしてFEDを作製することで、気密性の高い真空外囲器10が得られる。
【0039】
一方、上記のように構成されたFEDにおいて、封着材料であるインジウムにはアンチモンが0.1〜3.0重量%含有されている。そして、封着材料にアンチモンを含有することにより、封着層33の耐湿性を向上させることができる。
【0040】
本発明者等は封着層の耐湿特性試験を行った。ここでは、封着層の耐湿特性を加速的に試験するため、FEDの真空外囲器を1日浸水させて封着層の腐食状態を調べた。その試験結果を図8に示す。図に示すように、封着材料にアンチモンが含有されていない場合(0wt%)、基板と封着層との界面部分が侵食されたのに対し、アンチモンを1.0重量%含有している場合は侵食が見られなかった。なお、封着材料にアンチモンを0.1重量%含有した場合でも封着層界面部分の侵食が低減し、封着層の耐湿性向上効果が得られた。
【0041】
このように封着材料にアンチモンを含有させることにより、封着層の耐湿性が向上し、長期間に渡り、封着部の真空気密性を保持し、信頼性向上を図ることができる。しかし、アンチモンを3.0重量%より多く含有すると、封着層の硬度が高くなり、基板への応力が発生したり、あるいはインジウム合金自体が脆くなってしまい望ましくない。そのため、封着層におけるアンチモンの含有量は、0.1ないし3.0重量%の範囲に設定されていることが望ましい。また、アンチモンは、インジウムに含有させたが、下地層に含有させても同様の効果が得られる。なお、本発明において、アンチモンの含有量(重量%)は、封着層全体に対する割合を示している。
【0042】
以上のことから、封着部の耐湿性が向上し、長期に渡って真空リークの無い気密性の高い真空外囲器を得ることができ、50インチ以上の大型であっても、信頼性が高く高品質な画像表示が可能なFEDを実現することができる。
【0043】
なお、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、下地層は、前面基板または側壁のどちらか一方に設ける構成としてもよい。また、上述した実施の形態では、背面基板と側壁との封着に低融点ガラスを用いたが、上述した封着層33と同様の封着層により封着してもよい。
【0044】
その他、電子放出素子として電界放出型の電子放出素子を用いたが、これに限らず、pn型の冷陰極素子あるいは表面伝導型の電子放出素子等の他の電子放出素子を用いてもよい。また、この発明は、プラズマ表示パネル、エレクトロルミネッセンス(EL)等の他の画像表示装置にも適用可能である。
【0045】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、封着部の耐湿性が向上し、気密性および信頼性の高い画像表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態に係るFEDを示す斜視図。
【図2】上記FEDの前面基板を取り外した状態を示す斜視図。
【図3】図1の線A−Aに沿った断面図。
【図4】上記FEDの蛍光体スクリーンを示す平面図。
【図5】上記FEDの真空外囲器を構成する側壁の封着面および前面基板の封着面に下地層およびインジウム層を形成した状態を示す斜視図。
【図6】上記封着部に下地層およびインジウム層が形成された背面側組立体と前面基板とを対向配置した状態を示す断面図。
【図7】上記FEDの製造に用いる真空処理装置を概略的に示す図。
【図8】上記FEDの封着部の耐湿特性試験結果を示す図。
【符号の説明】
10…真空外囲器
11…前面基板
12…背面基板
14…支持部材
16…蛍光体スクリーン
18…側壁
22…電子放出素子
30…低融点ガラス
31…下地層
32…インジウム層
33…封着層
100…真空処理装置
【発明の属する技術分野】
この発明は、対向配置された基板と、一方の基板の内側に配置された多数の電子放出素子と、を有した画像表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な画像表示装置が開発されている。このような画像表示装置には、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ(以下、LCDと称する)、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称する)、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ(以下、FEDと称する)、表面伝導型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表面伝導電子放出ディスプレイ(以下、SEDと称する)などがある。
【0003】
例えばFEDやSEDでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周辺部同士を互いに接合することにより真空の外囲器を構成している。前面基板および背面基板としてはガラス板が用いられている。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として多数の電子放出素子(以下、エミッタと称する)が設けられている。
【0004】
また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧Vaが印加される。そして、蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体にエミッタから放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
【0005】
このようなFEDやSEDでは、表示装置の厚さを数mm程度にまで薄くすることができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されているCRTと比較して、軽量化、薄型化を達成することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなFEDやSEDでは、外囲器の内部を高真空にすることが必要となる。また、PDPにおいても、外囲器内を一度真空にしてから放電ガスを充填する必要がある。
【0007】
外囲器を真空にする方法としては、まず、外囲器の構成部材である前面基板、背面基板、および側壁を適当な封着材料により大気中で加熱して接合し、その後、前面基板または背面基板に設けた排気管を通して外囲器内を排気した後、排気管を真空封止する方法がある。しかし、平面型の外囲器では排気管を介した排気速度は極めて小さく、到達できる真空度も悪いため、量産性および特性面に問題がある。
【0008】
この問題を解決する方法として、例えば特開2000−229825号公報には、外囲器を構成する前面基板および背面基板の最終組立を真空槽内にて行う方法が示されている。
【0009】
この方法では、まず、真空槽内に持ち込まれた前面基板および背面基板を十分に加熱しておく。これは、外囲器真空度を劣化させる主因となっている外囲器内壁からのガス放出を軽減するためである。次に、前面基板および背面基板が冷えて真空槽内の真空度が十分に向上したところで、外囲器真空度を改善、維持させるためのゲッタ膜を蛍光面スクリーン上に形成する。その後、封着材料が溶解する温度まで前面基板および背面基板を再び加熱し、前面基板および背面基板を所定の位置に組み合わせた状態で封着材料が固化するまで冷却する。
【0010】
このような方法で作成された真空外囲器は、封着工程と真空封止工程を兼ねるうえ、排気に伴う多大な時間が要らず、かつ、極めて良好な真空度を得ることができる。また、封着材料としては、封着、封止一括処理に適した低融点材料を使用することが望ましい。
【0011】
一方、平面型の画像表示装置では、封着後、10年以上もの長い間、高い真空度を保持する必要がある。そのため、封着部の信頼性は高いものでなければならない。しかし、封着材料として低融点材料であるインジウムまたはインジウム錫などの合金を使用した場合、封着部に水分が付着すると、低融点材料と基板、つまり、ガラス板との界面に水分が浸透し、内部空洞が発生することがある。このことから、低融点材料で封着した外囲器は、湿度の高い場所に放置したり、あるいは、外囲器の外面に結露が生じるような環境に配置すると、封着部が徐々に侵食され真空リークが発生する恐れがある。そして、真空リークが発生した場合、画像特性が大幅に劣化し、更には、画像表示装置として耐え得ないものになってしまう。
【0012】
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は、封着部の侵食を防止し、気密性および信頼性の向上した画像表示装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、背面基板、およびこの背面基板に対向配置された前面基板を有した外囲器と、上記外囲器の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備え、上記前面基板および上記背面基板は封着層を介して周辺部が封着され、この封着層は、低融点材料およびアンチモンを含んでいる。
【0014】
上記のように構成された画像表示装置によれば、封着層として低融点材料およびアンチモンを含んだ封着材料を用いることにより、封着層の耐湿性が向上し、封着層の侵食による気密性低下を防止して信頼性の向上を図ることが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、この発明の画像表示装置をFEDに適用した実施の形態について詳細に説明する。
図1ないし図3に示すように、このFEDは、絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板11、および背面基板12を備え、これらの基板は約1.5〜3.0mmの隙間を置いて対向配置されている。そして、前面基板11および背面基板12は、矩形枠状の側壁18を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な矩形状の真空外囲器10を構成している。
【0016】
真空外囲器10の内部には、背面基板12および前面基板11に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材14が設けられている。これらの支持部材14は、真空外囲器10の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材14の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。
【0017】
図4に示すように、前面基板11の内面上には蛍光体スクリーン16が形成されている。この蛍光体スクリーン16は、赤、青、緑の3色に発光するストライプ状の蛍光体層R、G、B、およびこれらの蛍光体層間に位置した非発光部としてのストライプ状の黒色光吸収層20を並べて構成されている。蛍光体層R、G、Bは、真空外囲器10の短辺と平行な方向に延在しているとともに、長辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、蛍光体スクリーン16上には、メタルバックとして図示しないアルミニウム層が蒸着されている。
【0018】
図3に示すように、背面基板12の内面上には、蛍光体層R、G、Bを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電界放出型の電子放出素子22が設けられている。画素表示素子として機能するこれらの電子放出素子22は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。
【0019】
詳細に述べると、背面基板12の内面上には、導電性カソード層24が形成され、この導電性カソード層上には多数のキャビティ25を有した二酸化シリコン膜26が形成されている。二酸化シリコン膜26上には、モリブデン、ニオブ等からなるゲート電極28が形成されている。そして、背面基板12の内面上において各キャビティ25内に、モリブデン等からなるコーン状の電子放出素子22が設けられている。その他、背面基板12上には、電子放出素子22に接続された図示しないマトリックス状の配線等が形成されている。
【0020】
上記のように構成されたFEDにおいて、映像信号は、電子放出素子22とゲート電極28に入力される。電子放出素子22を基準とした場合、最も輝度の高い状態の時、+100Vのゲート電圧が印加される。また、蛍光体スクリーン16には+10kVが印加される。そして、電子放出素子22から放出される電子ビームの大きさは、ゲート電極28の電圧によって変調され、この電子ビームが蛍光体スクリーン16の蛍光体層を励起して発光させることにより画像を表示する。
【0021】
このように蛍光体スクリーン16には高電圧が印加されるため、前面基板11、背面基板12、側壁18、および支持部材14用の板ガラスには、高歪点ガラスが使用されている。また、後述するように、背面基板12と側壁18との間は、フリットガラス等の低融点ガラス30によって封着され、前面基板11と側壁18との間は、封着面上に形成された下地層31とこの下地層上に形成されたインジウム層32とが融合した封着層33によって封着されている。
【0022】
次に、上記のように構成されたFEDの製造方法について詳細に説明する。
まず、前面基板11となる板ガラスに蛍光体スクリーン16を形成する。これは、前面基板11と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッターマシンで蛍光体層のストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンが形成された板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台にセットし、露光、現像して蛍光体スクリーン16を生成する。
【0023】
続いて、背面基板用の板ガラスに電子放出素子22を形成する。この場合、板ガラス上にマトリックス状の導電性カソード層を形成し、この導電性カソード層上に、例えば熱酸化法、CVD法、あるいはスパッタリング法により二酸化シリコン膜の絶縁膜を形成する。
【0024】
その後、この絶縁膜上に、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法によりモリブデンやニオブなどのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状のレジストパターンをリソグラフィーにより形成する。このレジストパターンをマスクとして金属膜をウェットエッチング法またはドライエッチング法によりエッチングし、ゲート電極28を形成する。
【0025】
次に、レジストパターン及びゲート電極をマスクとして絶縁膜をウェットエッチングまたはドライエッチング法によりエッチングして、キャビティ25を形成する。そして、レジストパターンを除去した後、背面基板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム蒸着を行うことにより、ゲート電極28上に、例えばアルミニウムやニッケルからなる剥離層を形成する。この後、背面基板表面に対して垂直な方向から、カソード形成用の材料として、例えばモリブデンを電子ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、各キャビティ25の内部に電子放出素子22を形成する。続いて、剥離層をその上に形成された金属膜とともにリフトオフ法により除去する。
【0026】
次に、電子放出素子22の形成された背面基板12の周縁部と矩形枠状の側壁18との間を、大気中で低融点ガラス30により互いに封着する。その後、背面基板12と前面基板11とを側壁18を介して互いに封着する。この場合、図5に示すように、まず、封着面となる側壁18の上面、および前面基板11の内面周縁部上に、それぞれ下地層31を全周に亘って所定幅に形成する。下地層31としては、例えば銀ペーストを用いる。続いて、各下地層31の上に、金属封着材料としてのインジウムを塗布し、それぞれ下地層の全周に亘って延びたインジウム層32を形成する。
【0027】
なお、金属封着材料としては、融点が約350℃以下で密着性、接合性に優れた低融点金属材料を使用することが望ましい。本実施の形態で用いるインジウム(In)は、融点156.7℃と低いだけでなく、蒸気圧が低い、軟らかく衝撃に対して強い、低温でも脆くならないなどの優れた特徴がある。そして、封着材料は、インジウムを50重量%以上含んでいるとともに、加えてアンチモン(Sb)を含有している。なお、封着材料としては、インジウムにAg、Sn、Bi、Al、Zn、Cu、Ni、Co、Fe等の材料を含有したものを用いてもよい。
【0028】
下地層31は、金属封着材料に対して濡れ性および気密性の良い材料、つまり、金属封着材料に対して親和性の高い材料を用いる。下地層31としては、銀ペーストの他、Ni、Co、Au、Cu、Al等の金属ペーストを用いることができ、また、必ずしもペーストにする必要はない。なお、条件によっては下地層を省略し、インジウムをガラス基板上に直接接合することも可能である。
【0029】
次に、封着面に下地層31およびインジウム層32が形成された前面基板11と、背面基板12に側壁18が封着されているとともにこの側壁上面に下地層31およびインジウム層32が形成された背面側組立体とを、図6に示すように、封着面同士が向かい合った状態で、かつ、所定の距離をおいて対向した状態で治具等により保持し、真空処理装置に投入する。
【0030】
図7に示すように、この真空処理装置100は、順に並んで設けられたロード室101、ベーキング、電子線洗浄室102、冷却室103、ゲッター膜の蒸着室104、組立室105、冷却室106、およびアンロード室107を有している。これら各室は真空処理が可能な処理室として構成され、FEDの製造時には全室が真空排気されている。また、隣合う処理室間はゲートバルブ等により接続されている。
【0031】
所定の間隔をおいて対向した背面側組立体および前面基板11は、ロード室101に投入され、ロード室101内を真空雰囲気とした後、ベーキング、電子線洗浄室102へ送られる。べーキング、電子線洗浄室102では、10−5Pa程度の高真空度に達した時点で、背面側組立体および前面基板11を300℃程度の温度に加熱してベーキングし、各部材の表面吸着ガスを十分に放出させる。
【0032】
この温度ではインジウム層32が溶融する。しかし、インジウム層32は親和性の高い下地層31上に形成されているため、インジウムは流動することなく下地層31上に保持され、電子放出素子22側や背面基板12の外側、あるいは蛍光体スクリーン16側への流出が防止される。
【0033】
また、ベーキング、電子線洗浄室102では、加熱と同時に、ベーキング、電子線洗浄室102に取り付けられた図示しない電子線発生装置から、前面基板11の蛍光体スクリーン面、および背面基板12の電子放出素子面に電子線を照射する。この電子線は、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査されるため、蛍光体スクリーン面、および電子放出素子面の全面を電子線洗浄することが可能となる。
【0034】
加熱、電子線洗浄後、背面基板側組立体および前面基板11は冷却室103に送られ、例えば約100℃の温度の温度まで冷却される。続いて、背面側組立体および前面基板11はゲッター膜を形成する蒸着室104へ送られ、ここで蛍光体スクリーンの外側にゲッター膜としてBa膜が蒸着形成される。このBa膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持することができる。
【0035】
次に、背面側組立体および前面基板11は組立室105に送られ、ここで200℃まで加熱されインジウム層32が再び液状に溶融あるいは軟化される。この状態で、前面基板11と側壁18とを接合して所定の圧力で加圧した後、インジウムを除冷して固化させる。これにより、前面基板11と側壁18とが、インジウム層32および下地層31を融合した封着層33によって封着され、真空外囲器10が形成される。
【0036】
このようにして形成された真空外囲器10は、冷却室106で常温まで冷却された後、アンロード室107から取り出される。以上の工程により、FEDが完成する。
【0037】
以上のように構成されたFEDおよびその製造方法によれば、真空雰囲気中で前面基板11、および背面基板12の封着を行うことにより、ベーキングおよび電子線洗浄の併用によって基板の表面吸着ガスを十分に放出させることができ、ゲッター膜も酸化されず十分なガス吸着効果を得ることができる。これにより、高い真空度を維持可能なFEDを得ることができる。
【0038】
また、封着材料としてインジウムを使用することにより、フリットガラスで封着した場合のように、真空中で発泡することなく、気密性および封着強度の高いFEDパネルを得ることが可能となる。同時に、インジウム層32の下に下地層31を設けることにより、封着工程においてインジウムが溶融した場合でもインジウムの流出を防止し所定位置に保持することができる。このようにしてFEDを作製することで、気密性の高い真空外囲器10が得られる。
【0039】
一方、上記のように構成されたFEDにおいて、封着材料であるインジウムにはアンチモンが0.1〜3.0重量%含有されている。そして、封着材料にアンチモンを含有することにより、封着層33の耐湿性を向上させることができる。
【0040】
本発明者等は封着層の耐湿特性試験を行った。ここでは、封着層の耐湿特性を加速的に試験するため、FEDの真空外囲器を1日浸水させて封着層の腐食状態を調べた。その試験結果を図8に示す。図に示すように、封着材料にアンチモンが含有されていない場合(0wt%)、基板と封着層との界面部分が侵食されたのに対し、アンチモンを1.0重量%含有している場合は侵食が見られなかった。なお、封着材料にアンチモンを0.1重量%含有した場合でも封着層界面部分の侵食が低減し、封着層の耐湿性向上効果が得られた。
【0041】
このように封着材料にアンチモンを含有させることにより、封着層の耐湿性が向上し、長期間に渡り、封着部の真空気密性を保持し、信頼性向上を図ることができる。しかし、アンチモンを3.0重量%より多く含有すると、封着層の硬度が高くなり、基板への応力が発生したり、あるいはインジウム合金自体が脆くなってしまい望ましくない。そのため、封着層におけるアンチモンの含有量は、0.1ないし3.0重量%の範囲に設定されていることが望ましい。また、アンチモンは、インジウムに含有させたが、下地層に含有させても同様の効果が得られる。なお、本発明において、アンチモンの含有量(重量%)は、封着層全体に対する割合を示している。
【0042】
以上のことから、封着部の耐湿性が向上し、長期に渡って真空リークの無い気密性の高い真空外囲器を得ることができ、50インチ以上の大型であっても、信頼性が高く高品質な画像表示が可能なFEDを実現することができる。
【0043】
なお、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、下地層は、前面基板または側壁のどちらか一方に設ける構成としてもよい。また、上述した実施の形態では、背面基板と側壁との封着に低融点ガラスを用いたが、上述した封着層33と同様の封着層により封着してもよい。
【0044】
その他、電子放出素子として電界放出型の電子放出素子を用いたが、これに限らず、pn型の冷陰極素子あるいは表面伝導型の電子放出素子等の他の電子放出素子を用いてもよい。また、この発明は、プラズマ表示パネル、エレクトロルミネッセンス(EL)等の他の画像表示装置にも適用可能である。
【0045】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、封着部の耐湿性が向上し、気密性および信頼性の高い画像表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態に係るFEDを示す斜視図。
【図2】上記FEDの前面基板を取り外した状態を示す斜視図。
【図3】図1の線A−Aに沿った断面図。
【図4】上記FEDの蛍光体スクリーンを示す平面図。
【図5】上記FEDの真空外囲器を構成する側壁の封着面および前面基板の封着面に下地層およびインジウム層を形成した状態を示す斜視図。
【図6】上記封着部に下地層およびインジウム層が形成された背面側組立体と前面基板とを対向配置した状態を示す断面図。
【図7】上記FEDの製造に用いる真空処理装置を概略的に示す図。
【図8】上記FEDの封着部の耐湿特性試験結果を示す図。
【符号の説明】
10…真空外囲器
11…前面基板
12…背面基板
14…支持部材
16…蛍光体スクリーン
18…側壁
22…電子放出素子
30…低融点ガラス
31…下地層
32…インジウム層
33…封着層
100…真空処理装置
Claims (4)
- 背面基板、およびこの背面基板に対向配置された前面基板を有した外囲器と、上記外囲器の内側に設けられた複数の画像表示素子と、を備え、
上記前面基板および上記背面基板は封着層を介して周辺部が封着され、この封着層は、低融点材料およびアンチモンを含んでいることを特徴とする画像表示装置。 - 上記低融点材料は、インジウムを50重量%以上含んでいることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
- 上記封着層は、0.1ないし3.0重量%のアンチモンを含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載の画像表示装置。
- 上記封着層は、少なくともAg、Sn、Bi、Al、Cu、Fe、Ni、Coのいずれか1つを含んでいることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002169856A JP2004013067A (ja) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002169856A JP2004013067A (ja) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 画像表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004013067A true JP2004013067A (ja) | 2004-01-15 |
Family
ID=30436296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002169856A Pending JP2004013067A (ja) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004013067A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006001307A1 (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置および画像表示装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-06-11 JP JP2002169856A patent/JP2004013067A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006001307A1 (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 画像表示装置および画像表示装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6858982B2 (en) | Image display apparatus and method of manufacturing the same | |
JP2002182585A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
WO2005083739A1 (ja) | 画像形成装置 | |
JP2008243479A (ja) | 気密容器、気密容器を備えた画像表示装置、気密容器の製造方法 | |
JP2002184328A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2004362926A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
WO2005109463A1 (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
JP3940577B2 (ja) | 平面表示装置およびその製造方法 | |
JP2004013067A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2002100311A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
KR100769383B1 (ko) | 화상 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2002184329A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2005197050A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2002184330A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2004022189A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2007188784A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2007207436A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2002184331A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
US20050082975A1 (en) | Image display device and method of manufacturing the same | |
JP2002358915A (ja) | 画像表示装置 | |
EP1755143A1 (en) | Image display device | |
JP2008269998A (ja) | 気密容器、気密容器を備えた画像表示装置 | |
JP2007273151A (ja) | 画像表示装置の製造方法およびその製造装置 | |
JP2008243610A (ja) | 気密容器、気密容器を備えた画像表示装置、気密容器の製造方法 | |
JP2002033046A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 |