WO2004082337A1 - 表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

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WO2004082337A1
WO2004082337A1 PCT/JP2004/003093 JP2004003093W WO2004082337A1 WO 2004082337 A1 WO2004082337 A1 WO 2004082337A1 JP 2004003093 W JP2004003093 W JP 2004003093W WO 2004082337 A1 WO2004082337 A1 WO 2004082337A1
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WO
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display panel
sealing plate
solder
sealing
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PCT/JP2004/003093
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English (en)
French (fr)
Inventor
Toru Futagami
Koichi Sakaguchi
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co., Ltd.
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Publication date
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    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C

Definitions

  • the present invention relates to a display panel and a method for manufacturing the same.
  • an EL element as an EL display panel selects the light emitting layer by selectively applying a voltage to the opposing electrode and the back electrode via the light emitting layer.
  • the flash type can be used for flash display, and the passive type suitable for matrix display and the high-speed switching function can be used for high-speed switching display. Two types are known, namely the tibe type.
  • the passive type EL element has a simple matrix structure, includes a substrate, an electrode disposed on the substrate, and a light emitting layer, and is an EL laminate stacked on an upper surface of the electrode. And a back electrode laminated on the upper surface of the EL laminate, and a concave central portion so as to define a peripheral ridge on the top surface of the substrate on which the EL laminate is laminated as a peripheral portion. And a glass sealing plate bonded to the substrate through a sealing portion on the top surface of the peripheral ridge.
  • the above-mentioned active EL element has an active matrix structure, and like the structure of a TFT liquid crystal element, a substrate and a thin film transistor formed for each pixel on the substrate.
  • An EL multilayer body including a transistor circuit or a diode and a light emitting layer, stacked on the upper surface of the thin film transistor circuit or the diode, and a substrate on which the EL multilayer body is stacked
  • a glass sealing plate whose central part is concave so that the peripheral ridge to which the top surface is adhered is defined as the peripheral part Become a character.
  • the top-emitting three-type EL element is configured such that a portion from the light-emitting layer to the sealing plate side is formed of a transparent member. Thus, light from the light emitting layer is extracted from the sealing plate side.
  • the sealing property of the sealing plate is reduced, and water or the like is mixed in the EL devices, and as a result, the EL laminated film may be deteriorated.
  • the inside of the EL element must be shielded from moisture and oxygen, and the substrate and the sealing plate are bonded to each other at the sealing portion between the substrate and the peripheral ridge of the sealing plate. It is adhered via an adhesive layer made of an agent.
  • a resin, a low-melting glass, or the like is generally used. (For example, Tokugi 2002-2 3 1 4 4 2 public announcement).
  • EL elements as EL display panels use resin as a material of an adhesive layer disposed at a sealing portion between a substrate and a peripheral ridge of a sealing plate.
  • resin a material of an adhesive layer disposed at a sealing portion between a substrate and a peripheral ridge of a sealing plate.
  • an adhesive made of a resin moisture penetrates into the EL element through the resin because the resin has moisture permeability, so that the characteristics of the EL element, particularly the organic EL element, are deteriorated.
  • the weather resistance is reduced.
  • a low-melting glass is used as the material of the adhesive layer, the temperature of the EL element becomes high during the bonding process, so that the characteristics of the EL element, particularly the organic EL element, are deteriorated.
  • the substrate is warped.
  • the substrate and the sealing plate are sealed and joined via the welding layer made of a metal material, it is possible to prevent the display panel from being exposed to a high temperature during manufacturing.
  • the airtightness of the concave portion of the sealing plate is improved, the moisture permeability of the concave portion is reduced, and the weather resistance of the display panel can be improved.
  • said metallic material is at least one material selected from the group consisting of Sn, Cu, In, Bi, Zn, Pb, Sb, Ga, and Ag. Consisting of hangs.
  • the solder further comprises at least one material selected from the group consisting of Ti, A1, and Cr.
  • the solder further includes at least one material selected from the group consisting of T i, A 1, and C r, so that the solder layer and the glass component of the substrate are combined with each other. It can improve the adhesiveness of the steel.
  • the metal material has a eutectic point temperature or a melting point of 250 ° C. or lower.
  • the solder substantially consists of In and Sn, and has a liquidus temperature of 150 or less.
  • the solder is substantially composed of In and Sn and has a liquidus temperature of 150 or less, so that the adhesion to the substrate is further improved, and It is possible to achieve sealing bonding at a low temperature.
  • the solder consists essentially of In and Sn, wherein the weight distribution of In / (In + Sn) is in the range of 50-65%, and The liquidus temperature is 125 ° C or less.
  • the solder is substantially composed of In and Sn, the weight distribution ratio of I / (In + Sn) is in the range of 50 to 65%, and Since the phase line temperature is 125 or lower, the adhesion to the substrate is further improved, and the microstructure after solidification is fine and rich in flexibility, has excellent mechanical properties, and is sealed at a lower temperature. Can be realized.
  • the solder is substantially composed of In, Sn, Zn, and Ti, and the weight distribution ratio of In / (In + Sn) is 50 to 65. %, Zn is 0, 1 to 7.0%, Ti is 0.001 to 0.1%, and the liquidus temperature is 150 ° C. or less.
  • the binder is substantially composed of In, Sn, and Zn, and the weight distribution ratio of InZ (In + Sn) is in the range of 50 to 65%. Since Zn is 0.1 to 7.0%, Ti is 0.0001 to 0.1%, and the liquidus temperature is 150 ° C or lower, the adhesiveness to the substrate is improved. And the coexistence of Ti and Zn allows Ti to be contained more uniformly, thereby reducing the weather resistance at the interface between the hang and the substrate. Can be improved.
  • the solder substantially consists of In, Sn, Zn, and Ti, and the weight distribution of InZ (In + Sn) is 50 to 65%.
  • Z n is 0. Up to 5.0%, T i is 0.001 to 0.05%, and the liquidus temperature is 125 or less.
  • the solder is substantially composed of I ⁇ , Sn, Zn, and Ti, and the weight distribution ratio of I (In + Sn) is in the range of 50-65696.
  • Zn is 0.1 to 5.0%
  • Ti is 0.0000 :! ⁇ 0.05% and the liquidus temperature is 125 or lower, so that the adhesion to the substrate can be further improved and the coexistence of Ti and Zn can be achieved. Therefore, Ti can be more uniformly contained, and the weather resistance at the interface between the hang and the substrate can be further improved.
  • the display panel is an organic EL display panel.
  • a method for manufacturing a display panel comprising: a substrate; and a sealing plate sealingly bonded to the substrate.
  • a method for manufacturing a display panel comprising: sealingly joining the sealing plate to the sealing plate by a friction joining method using a molten metal material.
  • the substrate and the sealing plate are sealed and joined by the friction joining method using the molten metal material, so that the adhesion of the metal material to the substrate is improved. It is possible to realize the sealed bonding that has been performed.
  • a method for manufacturing a display panel comprising: a substrate; and a sealing plate sealingly joined to the substrate.
  • a molten metal material is applied to at least one of the outer peripheral green portions on one main surface of the substrate and one main surface of the sealing plate, Since the main surface and one main surface of the sealing plate are aligned with each other, and the applied metal material is welded, the substrate and the sealing plate are sealed and joined.
  • the metal material can be applied in a desired width and thickness, and the weather resistance of the display panel can be further improved.
  • the applying step activates an interface between at least one of an outer peripheral portion of one main surface of the substrate and one main surface of the sealing plate and the molten metal material.
  • the metal material is applied.
  • the metal material is applied by activating the interface between at least one of the outer peripheral edges of the one main surface of the substrate and the one main surface of the sealing plate and the molten metal material. Strength between the metal and the metal material or between the sealing plate and the metal material can be improved.
  • At least one of the applying step and the sealing joining step is performed in an inert atmosphere.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an EL display panel as a display panel according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a welding device for welding the substrate and the peripheral projection of the sealing plate in FIG.
  • FIG. 3 is a view showing a modification of the introduction plate in FIG.
  • FIGS. 4A, 4B, and 4C are partial cross-sectional views showing a modification of the organic EL element shown in FIG. 1.
  • FIG. 4A shows a stepped portion on the outer periphery of the substrate and the sealing plate.
  • Fig. 4B shows the case where beveling was applied to the outer periphery of the board and the sealing plate
  • Fig. 4C shows the outer frame using solder on the outer periphery of the board and the sealing plate.
  • FIG. 4 is a diagram showing a case where the welding is performed.
  • 5A, 5B, and 5C are views used to explain a modification of the method of manufacturing the display panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a view used to explain a modification of the method of manufacturing the display panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an EL display panel as a display panel according to an embodiment of the present invention.
  • the top emission type organic EL element 100 as an EL display panel has a passive structure, a size of 7.0 cm square and a thickness of 1.0 mm.
  • the sealing plate 30 is processed from a plate-shaped transparent glass substrate made of transparent non-alkali glass having a size of 5.0 ⁇ 111 square and a thickness of 1.1 mm, and has a concave central portion on the surface.
  • a peripheral ridge 31 having a width of 2. O mm is formed at the periphery of the central recess 32, and the bottom has a thickness of 0.8 mm.
  • the concave portions 32 of the sealing plate 30 are formed by forming the glass plate into a concave shape by a later described etching method.
  • the etching depth of the glass base plate etched by this wet etching method was 300 m when measured.
  • the concave portion 32 had a curved portion at the bottom corner, and the radius of curvature was about 300 m.
  • the thickness of the bottom of the recess 32 of the sealing plate 30 is preferably 0.3 to 1.1 mm. When the thickness is less than 0.3 mm, the strength of the sealing plate 30 is insufficient, and when the thickness is 1.1 mm, the strength of the sealing plate 30 is sufficiently obtained.
  • the masked glass plate is masked with an acid-resistant tape, that is, a resist so that a 4.5 cm square central portion of the glass plate is exposed, and then the masked glass plate is removed.
  • an acid-resistant tape that is, a resist so that a 4.5 cm square central portion of the glass plate is exposed.
  • it is made of a mixture of 20% by mass of hydrofluoric acid and 1% by mass of sodium dodecylbenzenesulfonate, and is immersed in an etching solution kept at 25 ° C.
  • the organic EL laminate 20 includes a conductive film 21 formed of an ITO film having a thickness of 300 nm and a light-emitting layer described later, which is formed on the substrate 10, and is laminated on the upper surface of the conductive film 21.
  • the upper transparent electrode 23 formed of an ITO film having a thickness of 500 nm, which is formed on the upper surface of the organic EL laminated film 22 and the organic EL laminated film 22, and the upper transparent electrode 23.
  • an extraction electrode 24 made of an ITO film having a thickness of 300 nm.
  • the organic EL laminated film 22 is composed of a tri-phenyldiamine-having hole-transporting layer having a height of 7 O n ⁇ 3 ⁇ 4 disposed on the conductive film 21 side, and a quinoline formed on the upper surface of the hole-transporting layer.
  • a transparent electron transport layer made of triazolyloxadiazole may be further disposed between the upper transparent electrode 23 and the light emitting layer.
  • the substrate 10 and the peripheral protruding portion 31 of the sealing plate 30 are connected to each other by a device shown in FIG. 2 to be described later via a welding layer 40 made of solder disposed in a sealing portion formed therebetween. Sealed and joined. Specifically, after disposing the sealing plate 30 at a predetermined position with respect to the substrate 10, the composition becomes 91.2 Sn -8.8 Zn (eutectic point temperature: 1980 C) The peripheral ridge 31 of the sealing plate 30 is welded to the tomb plate 10 using the molten solder a.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a welding device that performs the method of manufacturing a display panel according to the embodiment of the present invention.
  • the welding apparatus A is provided between the substrate 10 and the sealing plate 30 in FIG. It is configured as follows so as to perform sealing joining with the peripheral projection 31. That is, the welding device A is a high-level substrate of the organic EL element 100 via the mounting table 50. It has a stepped platen 52 that holds the supply tower 51 in the lower part while holding the 10 and the sealing plate 30. At the bottom of the stepped platen 52, two rail members 53 are arranged along the organic EL display panel 100, and the supply tower 51 moves on the rail member 53. It is placed on 5 4. .
  • the supply tower 51 has a rectangular cross-section crucible 55 for storing liquid or solid phase solder a, a crucible 55 built in the side wall of the crucible 55, and a crucible 55 stored in the crucible 55.
  • An electric heating heater 56 for heating the solder a and a bottom portion of the crucible portion 55 and a sealing portion (a gap portion 5 7) of the substrate 10 of the organic EL element 100 and the sealing plate 30.
  • an introduction section 58 having an elongated cross section, and an introduction plate 59 arranged horizontally in the middle of the introduction section 58.
  • the introduction plate 59 extends from the introduction portion 58 and fits into the gap portion 57, whereby the solder a enters the gap portion 57 together with the surface tension.
  • the gravitational force of the solder a at the liquid level ⁇ H in the crucible part 55 is applied to the hang a at the position of the introduction plate 59, whereby the solder a enters the gap part 57 of the solder a. Promote intrusion.
  • the moving mechanism 54 moves at a constant speed on the rail member 53 along the gap 57.
  • the solder a moves through the introduction portion 58 to the gap portion 5.
  • the insert plate 59 has two corrugated sections along the gap 57.
  • the corrugated portion 60 slides on the top surface of the protruding portion 31 around the sealing plate 30, and the valley slides on the substrate 10. Thereby, the adhesion of the solder a to the substrate 10 is further improved, Sealed joining by the friction joining method can be realized.
  • the substrate 10 and the peripheral ridge portion 31 of the sealing plate 30 are sealed and joined via the welding layer 40 composed of the hang a.
  • the airtightness of the concave portion 32 is improved, and the moisture permeability of the concave portion 32 is reduced, so that the weather resistance of the organic EL element 100 can be improved.
  • the sealing plate 30 can be welded to the substrate 10 without increasing the temperature of the organic EL element 100, the organic EL element 100 may be deteriorated due to heat at the time of welding. It is possible to prevent the substrate 10 from warping due to heat.
  • the substrate 10 and the sealing plate 30 are sealed and joined by the friction welding method using the molten solder a, so that the adhesion of the solder a to the substrate 10 is reduced. Improved sealing bonding can be realized.
  • the welding layer 40 is formed by using the welding apparatus A, but is not limited thereto, and may be formed by anodic bonding, bonding using ultrasonic waves, multi-step bonding, pressure bonding, or the like. It may be formed using a joining method.
  • the substrate 10 and the peripheral ridges 31 of the sealing plate 30 are sealed and joined by the welding layer 40 made of solder a, but the present invention is not limited to this.
  • the outer peripheral edges of the substrate 10 and the sealing plate 30 may be stepped (FIG. 4A) or beveled.
  • the substrate 10 and the sealing plate 30 may be formed on the outer periphery of the substrate 10 and the sealing plate 30 as shown in FIG. 4C.
  • the substrate I 0 and the sealing plate 30 may be sealed to each other by welding the outer frame 70 to the outer peripheral edge thereof using a welding layer 40 made of solder a.
  • a modified example of the method for manufacturing a display panel according to the embodiment of the present invention is as follows. Then, a sealing plate 30 having the same shape and the same size as the substrate 10 is prepared, and then, as shown in FIG. 6, the substrate 10 is placed in an inert atmosphere such as N 2 or Ar. Using a dispenser 90 with an inner diameter of 1.5 mm and an outer diameter of 2.0 mm at the tip of the tubular injection port 91 at the outer peripheral edge of one main surface, By sliding the tip on one main surface of the substrate 10, the interface between the substrate 10 and the solder a is activated by friction, and the molten solder a is applied linearly and solidified.
  • a solder portion 81 is formed directly on the entire outer peripheral edge of the substrate 10 (FIG. 5C), and a solder plate 81 is formed on one main surface of the sealing plate 30.
  • a dispenser 90 the interface between the sealing plate 30 and the solder a is activated by friction on the outer peripheral portion, and the molten solder a is linearly applied and solidified.
  • a solder portion 82 is formed over the entire outer peripheral portion of the "0".
  • the dispenser 90 is the amount of the solder a injected from the dispenser 90, the friction width at the interface between the substrate 10 and the solder a, that is, the outer diameter of the injection port 91, and the feed speed of the dispenser 90.
  • the method further includes aligning one main surface of the substrate 10 on which the solder portion 81 is formed and one main surface of the sealing plate 30 on which the solder portion 82 is formed (alignment). (FIG. 5B). Further, the substrate 10 and the sealing plate 30 are placed near an eutectic point of solder a in an inert atmosphere such as N 2 or Ar, for example.
  • solder portion 81 and the solder portion 82 are fused together to form a welded layer 83 (FIG. 5C), and the substrate 10 and the sealing plate are interposed via the welded layer 83.
  • the substrate 10 and the sealing plate 30 are sealed and joined by welding 30 and. (Sealing joint step) o
  • molten solder a is applied to the outer peripheral edge of one main surface of substrate 10, and is further melted to the outer peripheral edge of one main surface of sealing plate 30.
  • the solder a is applied, the one main surface of the substrate 10 and the one main surface of the sealing plate 30 are aligned with each other, and the solder portion 81 and the hang portion 82 are welded to each other. Since the sealing member 10 and the sealing plate 30 are bonded together, the solder portions 81 and the solder portions 82 can have desired widths and thicknesses. The weather resistance can be further improved.
  • the substrate 10 and the solder a and the interface between the sealing plate 30 and the hang a are activated and the molten solder a is applied, the substrate 10 and the solder a And the adhesive strength between the sealing plate 30 and the hang a can be improved.
  • At least one of the coating and the sealing is performed in an inert atmosphere such as N 2 or Ar, and the oxide on the surface of the solder portion 81 and the solder portion 82 is formed. Can be suppressed.
  • the tip of the dispenser 90 is slid on one main surface of the substrate 10 to activate the interface between the substrate 10 and the solder a by friction to melt.
  • the solder a was applied, the present invention is not limited to this.
  • the solder a is applied to the T solder a using a vibration generator (not shown) which is connected to the dispenser 90 and generates minute vibration.
  • the interface between one main surface of substrate 10 and solder a may be activated, and solder a may be applied to one main surface of substrate 10.
  • molten solder a is applied to the outer peripheral edge of one main surface of substrate 10 and solidified, and the outer peripheral edge of one main surface of sealing plate 30 is further reduced.
  • the melted solder a was applied to the part and solidified by coating, but not limited to this, but it was applied to one main surface of the substrate 10 and one raw surface of the sealing plate 30.
  • the molten solder a may be applied to at least one of the outer peripheral edges to be solidified. Specifically, when the hang a is applied only to the outer periphery of the one main surface of the substrate 10, vibration is applied to the sealing plate 30 by using a vibration generator (not shown).
  • the interface between one of the main surfaces of the sealing plate 30 and the solder portion 81 is activated, and one of the main surface of the substrate 10 on which the solder portion 81 is formed and the one of the sealing plate 30 are formed.
  • the surfaces may be aligned with each other.
  • vibration is applied to the substrate 10 using a vibration generator (not shown).
  • the interface between one main surface of the substrate 10 and the solder portion 82 is activated, and one main surface of the sealing plate 30 on which the hang portion 82 is formed and one raw surface of the substrate 10 are formed. May be combined with each other.
  • solder a having a temperature of 91.2 Sn-8.8 Zn (eutectic point temperature: 198 ° C.) is used.
  • the present invention is not limited to this.
  • a solder having a eutectic point temperature or a melting point of 250 or less may be used.
  • the metal material may further include at least one material selected from the group consisting of Ti, Al, and Cr. Thereby, the adhesion between the welding layer 40 and the glass component of the substrate 10 can be improved.
  • the solder is substantially composed of In and Sn, and has a liquidus temperature of 150 ° C or lower.
  • the adhesion to the substrate 10 can be further improved, and the sealing bonding at a low temperature can be realized.
  • the solder consists essentially of In and Sn, where In / (In + Sn) is in the range of 50 to 65%, and the liquidus temperature is less than 125 Is more preferable. This further improves the adhesiveness to the substrate 10 and improves the adhesion.
  • the solidified structure is fine, rich in flexibility, excellent in mechanical properties, and can achieve sealed bonding at a lower temperature.
  • the cylinder is substantially composed of In, Sn ⁇ Zn, and Ti, and the weight distribution ratio of In / (In + Sn) is in the range of 50 to 65%.
  • Z n force? 7.0%
  • T i is preferably 0.001% to 0.1%
  • the liquidus temperature is preferably 150 ° C. or less. More preferably 0.1 to 5.0%
  • T i is 0.001 to 0.05% and the liquidus temperature is 125 or less.
  • T i When T i is less than the above range, the adhesion to the substrate 10 is not improved, while when T i is more than the above range, the liquidus temperature of the solder increases. This increases the temperature required for bonding, which is inconvenient. In particular, in the molten state of the solder, the compound of Ti and other components precipitates and is not preferable.
  • the solder is closer to the eutectic composition of the In-Sn binary system of In 52% and Sn 48%, especially the In-Sn binary system.
  • the solder composed of the eutectic composition of In 52% and Sn 48% (at the eutectic temperature of 117) has a very fine structure after solidification, and has high flexibility. Preferred because of its excellent mechanical properties.
  • the eutectic composition of the binary system In—Sn is In 52%
  • a hang composed of Sn 48% (eutectic temperature 1 17 ° C) with Zn and Ti added, for example, In 51%, Sn 47%, Zn 2.0 %, T i 0.002% hangs are preferred.
  • the adhesiveness to the substrate 10 is extremely good, and the weather resistance at the interface between the solder and the substrate 10 is also extremely good.
  • solder examples include Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Ag-Cu, Sn-Ag-Bi, and Sn-A.
  • a solder of g-Cu-Bi system or the like having a eutectic point of 250 ° C or less may be used. .
  • the method of forming the recesses 32 in the glass base plate uses the wet etching method.
  • the dry etching method may be used, and the dry etching method and the wet etching method may be used.
  • alkali-free glass is used as the material of the sealing plate 30.
  • a low alkali glass or an alkaline elution after etching is performed. Soda lime glass or quartz glass that has been subjected to a prevention treatment can be used.
  • a metal material may be used as the material of the sealing plate 30, and Al, Cu, and Fe are preferably used as the metal material.
  • SUS, ceramic, Pt, or Au may be used.
  • the shape of the sealing plate 30 is not limited to the shape shown in FIG. 1, but is formed by the substrate 10 and the welding layer 40 in order to protect the organic EL laminate 20. Any material can be used as long as it can be sealed.
  • the organic EL laminated film 22 has a passive structure. However, the organic EL laminated film 22 may have an active structure. Further, in the present embodiment, organic EL element 100 has a top emission structure, but may have a bottom emission structure. Further, the EL laminated film may be an inorganic EL laminated film instead of the organic EL laminated film 22. In this case, a layer composed of an insulating layer, a light emitting layer, and an insulating layer, and a layer composed of an electron barrier layer, a light emitting layer, and a current limiting layer are used in this order from the transparent conductive film side.
  • the organic EL element 100 is used as the EL display panel.
  • the present invention is not limited to this, and a display panel such as a CRT or PDP may be used. . Industrial applicability
  • the substrate and the sealing plate are sealed and joined via the welding layer made of a metal material, it is possible to prevent the display panel from being exposed to a high temperature during manufacturing.
  • the airtightness of the concave portion of the sealing plate is improved, and the moisture permeability of the concave portion is reduced, so that the weather resistance of the display panel can be improved.
  • the binder further includes at least one material selected from the group consisting of Ti, Al, and Cr, so that the welding layer and the substrate Adhesion with glass components can be improved.
  • the eutectic point temperature or melting point of the metal material is 250 ° C. or less, deterioration of the display panel due to heat during welding and warpage of the substrate due to heat are prevented. It can be prevented reliably.
  • the solder is substantially composed of In and Sn, and has a liquidus temperature of 150C or less, so that the adhesion to the substrate is further improved, In addition, sealing bonding at a low temperature can be realized.
  • the solder is substantially composed of In and Sn, and the weight distribution ratio of In / (In + Sn) is in the range of 50 to 65%.
  • the liquidus temperature is below 125 at 125, further improving the adhesion to the substrate.
  • the structure after solidification is fine and rich in flexibility, excellent in mechanical properties, and it is possible to realize sealing bonding at a lower temperature.
  • the hang substantially consists of In, Sn, Zn, and Ti, and the weight distribution ratio of In / (In + Sn) is 50 to 65. %, Zn is 0.1 to 7.0%, T i is 0.001 to 0.1%, and the liquidus temperature is 150 or less.
  • the adhesion can be further improved, and the coexistence of Ti and Zn allows Ti to be contained more homogeneously, and thus the interface between the hang and the substrate. It can improve the weather resistance of the steel. .
  • the binder is substantially composed of In, Sn, Zn, and Ti, and the weight distribution ratio of In / (In + Sn) is 50 to 6. 5%, where Zn is 0.;! To 5.0%, Ti is 0.00001 to 0.05%, and the liquidus temperature is 125 ° C or lower. Therefore, the adhesion to the substrate can be further improved, and the coexistence of Ti and Zn can make Ti more homogeneously contained. Thus, the weather resistance at the interface between the solder and the substrate can be further improved.
  • the substrate and the sealing plate are sealed and joined by a friction joining method using a molten metal material.
  • a molten metal material is applied to at least one of the outer peripheral edges of one main surface of the substrate and one main surface of the sealing plate.
  • the substrate and the sealing plate are sealed and joined by aligning the main surface of the substrate and one main surface of the sealing plate with each other and welding the applied metal material. It can be applied in a thickness, which can further improve the weather resistance of the display panel.
  • the adhesive strength between the substrate and the metal material or sealing is achieved.
  • the bonding strength between the plate and the metal material can be improved.
  • At least one of the coating and the sealing is performed in an inert atmosphere, so that the generation of oxide on the surface of the metal material is suppressed. It can be.

Abstract

製造時に高温にさらすのを防止することができ、且つ耐候性を向上させる表示パネルを提供する。表示パネルとしての有機EL素子100は、無アルカリガラス製の基板10と、基板10の上に形成された有機EL積層体20と、この有機EL積層体20を覆うように形成された封止板30とから成る。封止板30は、中央の凹部32の周辺部に幅2.0mmの周辺突条部31が形成され、有機EL積層体20は、基板10上に形成され、ITO膜から成る導電膜21と、導電膜21の上面に積層された有機EL積層膜22と、有機EL積層膜22の上面に形成される上部透明電極23と、上部透明電極23に接続される引出し電極24とから成る。基板10と封止板30の周辺突状部31とは、その間に形成された封止部に配されたハンダから成る溶着層40を介して封止接合される。

Description

明 細 窨 表示パネル及ぴその製造方法 技術分野
本発明は、 表示パネル及びその製造方法に関する。 背景技術
従来の表示パネルのう ち、 特に、 E L表示パネルと しての E L素子は、 発光層を介して対向する電極及び背面電極に電圧を選択的に印加する こ と によ つて該発光層を選択的に発光させる こ とができ、 マ ト リ ッ クス表 示に適するパッ シブ型のものと、 高速スィ ツ チング機能によ って高速切 換え表示を行う こ とができ、 動画表示に適するアク ティ ブ型の もの との 2種類が知られている。
上記パッ シブ型の E L素子は、 単純マ ト リ ッ クス構造を と り 、 基板と、 該基板上に配された'電極と、 発光層を含み、 該電極の上面に積層された E L積層体と、 該 E L積層体の上面に積層された背面電極と、 該 E L積 層体を積層 した基板に頂面が接着され'る周辺突条部を周辺部に規定する よ う に中央部が凹状に加工され、 周辺突条部の頂面の封止部を介して基 板上に接着されたガラス製の封止板とから成る。
また、 上記ァタ ティ ブ型の E L素子は、 アクティ ブマ ト リ ッ クス構造 を と り 、 T F T液晶素子の構造と同様に、 基板と、 該基板上に画素毎に '形成された薄膜 ト ラ ンジス ター回路又はダイ ォー ドと、 発光層を含み、 該薄膜ト ラ ンジスタ一回路又は該ダィ ォ一 ドの上面に積層された E L積 層体と、 該 E L積層体を積層 した基板に頂面が接着される周辺突条部を 周辺部に規定する よ う に中央部が凹状に加工されたガラス製の封止板と カゝら成る。
上記パッ シブ型の E L素子と上記アクティ ブ型の E L素子と において、 ト ッ プエミ ッ シ 3 ン型の E L素子は、 上記発光層から上記封止板側まで を透明部材で構成する こ と によ り 、 発光層からの光を封止板側から取出 すものである。
これらの E L素子において、 長期間使用する こ と によ り 、 封止板の密 封性が低下して E L素子内に水分等が混入し、 この結果、 E L積層膜が 劣化する こ とがある。 これを防止するために、 E L素子内を水分や酸素 から遮断すべ く 、 基板と封止板と.は、 基板と封止板の周辺突条部との間 の封止部に配された接着剤から成る接着層を介して接着されている。 こ の接着層を構成する接着剤の材料と しては、 一般的に、 樹脂や低融点ガ ラス等が用いられている。 (例えば、 特闢 2 0 0 2 — 2 3 1 4 4 2号公 報) 。
しかしながら、 表示パネルのう ち、 特に、 E L表示パネルと しての E L素子は、 基板と封止板の周辺突条部との間の封止部に配された接着層 の材料と して樹脂製接着剤を用いた場合は、 樹脂が透湿性を有している こ と によ り 、 樹脂を通して水分が E L素子内部に浸入するので、 E L素 子、 特に有機 E L素子の特性が悪化する と共に耐候性が低下して しま う という問題がある。 また、 接着層の材料と して低融点ガラスを用いた場 合は、 接着工程の際に E L素子が高温になるので、 E L素子、 特に有機 E L素子の特性が悪化した り 、 E L素子内の基板に反り が生じて しま う という問題がある。
本発明の目的は、 製造時に高温にさ らすのを防止する こ とができ、 且 つ耐候性を向上させる表示パネルを提供する こ とにある。 発明の開示 上記目的を達成するために、 本発明の第 1 の態様によれば、 基板と、 前記基板に封止接合された封止板と を備える表示バネルにおいて、 前記 基板と前記封止板は、 金属材料から成る溶着層を介して封止接合されて いる こ と を特徴とする表示パネルが提供される。
本発明の第 1 の態様によれば、 基板と封止板は、 金属材料から成る溶 着層を介して封止接合されているので、 製造時に表示パネルを高温にさ らすのを防止する こ とができ、 且つ封止板の凹部の気密性が向上する と 共に凹部の透湿性が低下し、 も つて表示パネルの耐候性を向上させる こ とができ る。
好ま しく は、 前記金属材料は、 S n、 C u、 I n、 B i 、 Z n、 P b、 S b、 G a、 及び A gから成る群から選択された少な く と も 1 つの材料 を含むハングから成る。
好ま し く は、 前記ハンダは、 さ らに、 T i 、 A 1 、 及ぴ C r から成る 群から選択された少な く と も 1 つの材料を含む。
この構成によれば、 ハンダは、 さ らに、 T i 、 A 1 、 及ぴ C r から成 る群から選択された少な く と も 1 つの材料を含むので、 溶着層 と基板の ガラス成分との接着性を向上させる こ とができる。
よ り好ま しく は、 前記金属材料は、 共晶点温度又は融点が 2 5 0 °C以 下である。
この構成によれば、 金属材料は、 共晶点温度又は融点が 2 5 0 ^下 であるので、 溶着時の熱による表示パネルの劣化や、 熱によ る基板の反 り を確実に防止する こ とができ る
よ り好ま し く は、 前記ハンダは、 実質的に I n と S nから成り 、 液相 線温度が 1 5 0 以下である。
この構成によれば、 ハンダは、 実質的に I n と S nから成 り 、 液相線 温度が 1 5 0 以下であるので、 基板との接着性が更に向上し、 且つ低 い温度での封止接合を実現するこ とができ る。
よ り好ま し く は、 前記ハンダは、 実質的に I n と S nから成り 、 I n / ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲であ り 、 且つ液相 線温度が 1 2 5 °C以下である こ と を特徴とする。
この構成によれば、 ハ ンダは、 実質的に I n と S nから成 り 、 I / ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲であ り 、 且つ液相線 温度が 1 2 5で以下であるので、 基板との接着性が更に向上する と共に 凝固後の組織が微細で柔軟性に富み、 機械的特性に優れ、 且つ更に低い 温度での封止接合を実現するこ とができ る。
さ らに好ま し く は、 前記ハ ンダは、 実質的に I n、 S n、 Z n、 T i から成り 、 I n / ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲で あ り 、 Z nが 0 , 1 〜 7 . 0 %、 T i が 0 . 0 0 0 1 〜 0. 1 %、 かつ 液相線温度が 1 5 0 Ό以下である。
この構成によれば、 ノヽンダは、 実質的に I n、 S n、 Z n、 から 成り、 I n Z ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲であ り 、 Z nが 0 . 1 〜 7. 0 %、 T i が 0. 0 0 0 1 〜 0. 1 %、 かつ液相線 温度が 1 5 0 "C以下であるので、 基板との接着性を更に向上させる こ と ができ る と共に、 T i と Z n と を共存させる こ と によ り T i を よ り均質 に含有させる こ とができ、 もってハングと基板との界面における耐候性 を向上させる こ とができ る。
さ ら に好ま し く は、 前記ハンダは、 実質的に I n、 S n、 Z n、 T i から成り 、 I n Z ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲で あ り 、 Z nが 0 . :! 〜 5 . 0 %、 T i が 0 . 0 0 0 1 〜 0 . 0 5 %、 か つ液相線温度が 1 2 5 以下である。
この構成によれば、 ハンダは、 実質的に I ϊΐ、 S n、 Z n、 T i から 成り 、 I ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 - 6 5 96の範囲であ り 、 Z nが 0 . 1 ~ 5 . 0 %、 T i が 0 . 0 0 0 :! 〜 0 . 0 5 %、 かつ液相 線温度が 1 2 5 以下であるので、 基板との接着性を更に向上させる こ とができ る と共に、 T i と Z n と を共存させる こ と によ り T i を よ り均 質に含有させる こ とができ、 も ってハングと基板との界面における耐候 性を更に向上させる こ とができ る。'
さ らに好ま し く は、 前記表示パネルは有機 E L表示パネルである。 上記目的を達成するために、 本発明の第 2 の態橡によれば、 基板と、 前記基板に封止接合された封止板と を傭える表示パネルの製造方法にお いて、 前記基板と前記封止板と を、 溶融した金属材料を用いて摩擦接合 法によ つて封止接合する こ と を特徴とする表示パネルの製造方法が提供 される。
本発明の第 2 の態様によれば、 基板と封止板と を、 溶融した金属材料 を用いて摩擦接合法によ って封止接合するので、 金属材料の基板への付 着性を向上させた封止接合を実現する こ とができ る。
上記目的を達成するために、 本発明の第 3 の態様によれば、 基板と、 前記基板に封止接合された封止板と を備える表示パネルの製造方法にお いて、 前記基板の一方の主面及ぴ前記封止板の一方の生面における外周 縁部の少な く と も一方に溶融した金属材料を塗布する塗布ステ ッ プと、 前記基板の一方の生面及び前記封止板の一方の主面を互いに合わせる合 わせステ ッ プと、 塗布した前記金属材料を溶着させる こ と によ り前記基 板と前記封止板と を封止接合する封止接合ステ ツ プと を備える表示パネ ルの製造方法が提供される。
本発明の第 3 の態様によれば、 基板の一方の主面及ぴ封止板の一方の 主面における外周緑部の少な く と も一方に溶融した金属材料を塗布 し、 基板の一方の主面及び封止板の一方の主面を互いに合わせて、 塗布 した 金属材料を溶着させる こ と によ り基板と封止板と を封止接合するので、 金属材料を所望の幅や厚みで塗布することができ、 もって表示パネルの 耐候性を更に向上させることができる。
好ま しく は、 前記塗布ステップは、 前記基板の一方の主面及び前記封 止板の一方の主面における外周縁部の少なく と も一方と溶融した前記金 属材料との界面を活性化させて前記金属材料を塗布する。
これによ り、 基板の一方の主面及び封止板の一方の主面における外周 縁部の少なく と も一方と溶融した金属材料との界面を活性化させて金属 材料を塗布するので、 基板と金属材料との接着強度又は封止板と金属材 科との接着強度を向上させることができる。
さらに好ま しく は、 前記塗布ステップ及び前記封止接合ステ ッ プの少 な く と も一方は不活性雰囲気内で行われる。
これによ り、 塗布及び封止接合の少なく と も一方は不活性雰囲気内で 行われるので、 金属材料の表面における酸化物の発生を抑制するこ とが でき る。 図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明の実施の形態に係る表示パネルと しての E L表示パネ ルの断面図である。
図 2 は、 図 1 における基板と封止板の周辺突状部との溶着を行う溶着 装置の断面図である。
図 3は、 図 2における導入板の変形例.を示す図である。
図 4 A、 図 4 B、 及ぴ図 4 Cは、 図 1 の有機 E L素子の変形例を示す 部分断面図であり、 図 4 Aは、 基板と封止板の外周椽部に段付き加工を 施した場合、 図 4 Bは、 基板と封止板の外周緣部にベべリ ング加工を施 した場合、 図 4 Cは、 基板と封止钣の外周端にハンダを用いて外枠を溶 着させた場合を夫々示す図である。 図 5 A、 図 5 B、 及び図 5 Cは、 本発明の実施の形態に係る表示パネ ルの製造方法の変形例を説明するのに用いられる図である。
図 6 は、 本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法の変形例を 説明するのに用いられる図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図 1 は、 本発明の実施の形態に係る表示パネルと しての E L表示パネ ルの断面図である。
図 1 において、 E L表示パネルと しての ト ッ プェミ ッ シ ョ ン型有機 E L素子 1 0 0は、 パッ シブ構造を と り 、 大き さ 7. 0 c m角、 厚さ .1. O mmの板状の透明な無アルカ リ ガラス製の基板 1 0 と、 基板 1 0の上 に形成された有機 E L積層体 2 0 と、 この有機 E L積層体 2 0 を覆う よ う に形成された封止板 3 0 とから成る。
封止板 3 0は、 大き さ 5. 0 じ 111角、 厚さ 1. 1 mmの板状の透明な 無アルカ リ ガラス製のガラス素板から加工される と共に、 表面に、 中央 部を凹状に規定すべく 中央の凹部 3 2の周辺部に幅 2. O mmの周辺突 条部 3 1が形成され、 底部の厚さが 0. 8 mmである。
封止板 3 0の凹部 3 2の形成は、 ガラス素板を後述するゥ エ ツ ト エツ チング法によ り 凹状に形成する こ と によ り行われる。 このゥヱ ッ ト エツ チング法によ りエッチングされたガラス素板のエッチング深さ を測定し たと ころ 3 0 0 mであった。 また、 凹部 3 2の底面隅角部において湾 曲部位を有し、 その曲率半径は約 3 0 0 mであった。 封止板 3 0の凹 部 3 2の底部の厚さは、 0. 3 〜 1. 1 m mが好ま しい。 厚さが、 0. 3 m m未満では封止板 3 0の強度が不十分であ り 、 1 . 1 mmで封止板 3 0の強度は十分得られる。 上記のゥ ヱ ッ ト エツチング法は、 ガラス素板の 4. 5 c m角の中央部 が露出する よ う に耐酸性テープ、 即ち レジス トでマスキングした後、 こ のマスキ ングされたガラス素板を、 例えば 2 0質量%フ ッ化水素酸、 1 質量% ドデシルベンゼンスルホ ン酸ナ ト リ ゥ ムの混合液から成 り 、 2 5 °Cに保たれたエッチング液に浸漬する ものである。
有機 E L積層体 2 0は、 基板 1 0上に形成され、 厚さ 3 0 0 n mの I T O膜から成る導電膜 2 1 と、 後述する発光層を含み、 該導電膜 2 1 の 上面に積層された有機 E L積層膜 2 2 と、 有機 E L積層膜 2 2の上面に 形成され、 厚さ 5 0 0 n mの I T O膜から成る上部透明電極 2 3 と、 上 部透明電極 2 3 に接続され、 厚さ 3 0 0 n mの I T O膜から成る引出 し 電極 2 4 とから成る。
有機 E L積層膜 2 2は、 導電膜 2 1側に配された ト リ フエニルジァ ミ ンから成る高さ 7 O n ι¾の正孔輸送層 と、 この正孔輸送層の上面に形成 されたキノ リ ノ ールアルミ錯体から成る高さ 7 0 n mの発光層 とから成 る。 さ ら には、 上部透明電極 2 3 と発光層との間に、 さ らに ト リ アゾー ルゃォキサジァゾールから成る透明な電子輸送層が配されて構成されて い'ても よい。
基板 1 0 と封止板 3 0の周辺突状部 3 1 とは、 その間に形成された封 止部に配されたハンダから成る溶着層 4 0を介して後述する図 2の装置 によ り封止接合される。 具体的には、 封止板 3 0 を基板 1 0 に対して所 定の位置に配置した後、 組成が 9 1. 2 S n - 8. 8 Z n (共晶点温度 : 1 9 81C) の溶融したハンダ a を用いて、 封止板 3 0の周辺突条部 3 1 を墓板 1 0 に溶着する。
図 2 は、 本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法を実行する 溶着装置の断面図である。
図 2 において、 溶着装置 Aは、 図 1 における基板 1 0 と封止板 3 0の 周辺突状部 3 1 との封止接合を行う よ う に、 以下のよ う に構成されてい 即ち、 溶着装置 Aは、 高部で載置台 5 0 を介して有機 E L素子 1 0 0 の基板 1 0及び封止板 3 0 を保持する と共に、 低部で供給塔 5 1 を保持 する段付き定盤 5 2 を有する。 段付き定盤 5 2 の底部には、 上記有機 E L表示パネル 1 0 0 に沿つて 2本のレール部材 5 3 が配され、 上記供給 塔 5 1 はレ ル部材 5 3上を走行する移動機構 5 4 の上に載置されてい る。 .
供給塔 5 1 は、 液相又は固相のハンダ a を貯留する横断面長方形のる つほ部 5 5 と、 るつぼ部 5 5 の側壁部に内蔵される と共にるっぽ部 5 5 内に貯留されたハンダ a を加熱する電熱ヒ一タ 5 6 と、 るつぼ部 5 5 の 底部に連通する と共に有機 E L素子 1 0 0の基板 1 0及び封止板 3 0 の 封止部 (間隙部 5 7 ) に向かって開口する断面長尺状の導入部 5 8 と、 導入部 5 8 の中位に水平に配された導入板 5 9 と を備える。 導入板 5 9 は、 導入部 5 8 から延伸して間隙部 5 7 に嵌入しており 、 これによ り 、 ハンダ a は、 その表面張力と相俟って間隙部 5 7 に侵入する。 加えて、 るつぼ部 5 5内で液位 Δ Hにあるハンダ a の重力が導入板 5 9 の部位に おいてハング a に印加され、 これによ り '、 ハンダ a の間隙部 5 7内への 侵入を促進する。
一方、 移動機構 5 4 は、 間隙部 5 7 に沿つ てレ一ル部材 5 3 上を一定 速度で移動する。 これによ り 、 ハンダ a が導入部 5 8 を介して間隙部 5
7 の全長に亘って侵入する。
¾入板 5 9 は、 図 3 に示すよ う に、 間隙部 5 7 に沿って 2連の波形部
6 0 を有しても よい。 この波形部 6 0 は、 その山部が封止板 3 0 の周辺 突状部 3 1 の頂面上を摺動し、 谷部が基板 1 0上を摺動する よ う になつ ている。 これによ り 、 ハンダ aの基板 1 0への付着性を更に向上させて、 摩擦接合法による封止接合を実現するこ とができる。
本実施の形態によれば、基板 1 0 と封止板 3 0 の周辺突条部 3 1 とは、 ハング a から成る溶着層 4 0 を介して封止接合されるので、 封止板 3 0 の凹部 3 2の気密性が向上する と共に凹部 3 2の透湿性が低下 し、 も つ で有機 E L素子 1 0 0 の耐候性を向上させる こ とができ る。 また、 これ によ り 、 従来封止板 3 0 の凹部 3 2 に配されているシリ 力ゲル等の除湿 剤が不要になるので、 製造コス ト を減少させる こ とができ る と共に製造 工程の工数を削減する こ とができ る。 また、 有機 E L素子 1 0 0 の温度 を上昇させる こ とな く封止板 3 0 を基板 1 0 に溶着することができるの で、 溶着時の熱による有機 E L素子 1 0 0 の劣化や、 熱によ る基板 1 0 の反り を防止するこ とができ る。
本実施の形態によれば、 基板 1 0 と封止板 3 0 と を、 溶融したハンダ a を用いて摩擦接合法によ つて封止接合するので、 ハンダ a の基板 1 0 への付着性を向上させた封止接合を実現するこ とができ る。
本実施の形態では、 溶着層 4 0 は、 溶着装置 Aを用いて形成されたが、 これに限定されるものではな く 、 陽極接合、 超音波を用いた接合、 多段 接合、 圧着接合等の接合方法を用いて形成される ものであっても よい。 本実施の形態では、 基板 1 0 と封止板 3 0の周辺突条部 3 1 と をハン ダ aから成る溶着層 4 0 によ り封止接合しているが、これに限定されず、 図 4 に示すよ う に、 基板 1 0及び封止板 3 0の外周縁部は、 段付き加工 されたも のであっても よ く (図 4 A ) 、 また、 ベべリ ング加工されたも のであっても よい (図 4 B ) さ らに、 基板 1 0 及ぴ封止板 3 0の外周 縁部において、 図 4 C に示すよ う に、 基板 1 0及ぴ封止扳 3 0の夫々の 外周端に、 ハンダ a から成る溶着層 4 0 を用いて外枠 7 0 を溶着させる こ と によ り基板 I 0 と封止板 3 0 と を封止接合しても よい。
図 5及び図 6 は、 本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法の T JP2004/003093
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変形例を説明するのに用いられる図である。
本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法の変形例は、 まず、 大き さ 7 . 0 c m角、 厚さ 1 . 0 m mの板状の透明な無アルカ リ ガラス 製の基板 1 0 と、 基板 1 0 と同一形状且つ同一サイズの封止板 3 0 を準 傭し、 次に、 図 6 に示すよ う に、 N 2、 A r等の不活性雰囲気内で、 基 板 1 0の一方の主面における外周縁部に、 その先端にある管状の射出口 9 1 の内径が 1 . 5 m m , 外径が 2 . 0 m mであるデイ スペンサ 9 0 を 用いて、 デイ スペンサ 9 0 の先端を基板 1 0 の一方の主面上で摺動させ る こ と によって、 基板 1 0 とハンダ a との界面を摩擦によ り活性化させ て溶融したハンダ a を線状に塗布して固化させ (塗布ステッ プ) 、 基板 1 0 の外周縁部全体に直つてハンダ部 8 1 を形成し (図 5 C〉 、 さ らに、 封止板 3 0 の一方の主面における外周縁部に、 デイスペンサ 9 0 を用い て封止板 3 0 とハンダ a との界面を摩擦によ り活性化させて溶融したハ ンダ a を線状に塗布して固化させ、 封止板 3 0 の外周縁部全体に亘って ハンダ部 8 2 を形成する。
デイスペンサ 9 0 は、デイ スペンサ 9 0 から射出されるハンダ aの量、 基板 1 0 とハンダ a との界面における摩擦幅、 即ち射出口 9 1 の外径、 及ぴデイ スペンサ 9 0 の送 り速度を制御する こ と によ り 、.所望の幅及び 厚みであるハンダ部 8 1及ぴハンダ部 8 2 を形成するこ とができ る。 本方法は、 さ らに、 ハンダ部 8 1 が形成された基板 1 0の一方の主面 及ぴハンダ部 8 2が形成された封止板 3 0 の一方の主面を互いに合わせ て (合わせス ッ プ) (図 5 B ) 、 更に、 基板 1 0及び'封止板 3 0 を、 N 2、 A r等の不活性雰囲気内で、 ハンダ a の共晶点温度付近、 例えば
2 0 0 に加熱し、 ハンダ部 8 1 とハンダ部 8 2 と を互いに融着させて 溶着層 8 3 を形成し (図 5 C ) 、 溶着層 8 3 を介して基板 1 0 と封止板
3 0 と を溶着させるこ と によ り基板 1 0 と封止板 3 0 と を封止接合する (封止接合ステッ プ) o
本実施の形態によれば、 基板 1 0 の一方の主面における外周縁部に溶 融したハンダ a を塗布し、 さ らに、 封止板 3 0 の一方の主面における外 周縁部に溶融したハンダ a を塗布し、 基板 1 0 の一方の主面及び封止板 3 0 の一方の主面を互いに合わせて、 ハンダ部 8 1 とハング部 8 2 と を 溶着させる こ と によ り 基板 1 0 と封止板 3 0 と を封止接合するので、 ハ ンダ部 8 1 及ぴハンダ部 8 2 を所望の幅や厚みにする こ とができ、 も つ て有機 E L素子 1 0 0 の耐候性を更に向上させる こ とができる。
本実施の形態によれば、 基板 1 0 とハンダ a との界面及び封止板 3 0 とハング a との界面を活性化させて溶融したハンダ a を塗布するので、 基板 1 0 とハンダ a との接着強度及び封止板 3 0 とハング a との接着強 度を向上させる こ とができ る。
本実施の形態によれば、 塗布及び封止接合の少な く と も一方は、 N 2、 A r等の不活性雰囲気内で行う めで、 ハンダ部 8 1 及びハンダ部 8 2 の 表面における酸化物の発生を抑制するこ とができ る。
本実施の形態では、 デイ スペンサ 9 0 の先端を.基板 1 0 の一方の主面 上で摺動させるこ とによって基板 1 0 とハンダ a との界面を摩擦によ り 活性化させて溶融したハンダ aを塗布したが、これに限る ものではな く 、 デイ スペンサ 9 0 に連結される と共に微小な振動を発生する不図示の振 動発生装置を用い Tハンダ a に振動を印加するこ と によつて基板 1 0 の 一方の主面とハンダ a との界面を活性化させ、 基板 1 0 の一方の主面に ノヽンダ aを塗布しても よい。
本実施の形態では、 基板 1 0 の一方の主面における外周縁部に溶融し たハンダ a を塗布して固化させ、 さ らに、 封止板 3 0 の一方の主面にお ける外周縁部に溶融したハンダ a を塗'布して固化させたが、 これに限る ものではな く 、 基板 1 0 の一方の主面及び封止板 3 0 の一方の生面にお ける外周縁部の少な く と も一方に、 溶融したハンダ a を塗布して固化さ せても よ い。 具体的には、 基板 1 0 の一方の主面における外周緣部のみ にハング a を塗布した場合は、 不図示の振動発生装置を用いて封止板 3 0 に振動を印加する こ と によ り封止板 3 0 の一方の主面とハンダ部 8 1 との界面を活性化させ、 ハンダ部 8 1 が形成された基板 1 0 の一方の主 面及び封止板 3 0 の一方の生面を互いに合わせても よい。 同様に、 封止 板 3 0 の一方の主面における外周縁部のみにハンダ a を塗布した場合は、 不図^の振動発生装置を用いて基板 1 0 に振動を印加する こ と によ り基 板 1 0 の一方の主面とハンダ部 8 2 との界面を活性化させ、 ハング部 8 2 が形成された封止板 3 0 の一方の主面及ぴ基板 1 0 の一方の生面を互 いに合わせても よい。
本発明の各実施の形態では、 9 1 . 2 S n - 8 . 8 Z n (共晶点温度 : 1 9 8 °C ) のハンダ a を用いたが、 これに限定される ものではな く 、 S n、 C u、 I n、 B i 、 Z n、 P b、 S b、 G a、 及ぴ A gから成る群 から選択された少な く と も 1 つの材料を含む合金又は金属であって、 共 晶点温度又は融点が 2 5 0 以下と なるハンダであっても よい。
さ らに、 上記金属材料は、 さ らに、 T i 、 A l 、 及び C r から成る群 から選択された少な く と も 1 つの材料を含んでいても よい。これによ り 、 溶着層 4 0 と基板 1 0 のガラス成分との接着性を向上させる こ とができ る。
また、 上記ハンダは、 実質的に I n と S nから成り 、 液相線温度が 1 5 0 °C以下であるのが好ま しい。 これによ り 、 基板 1 0 との接着性が更 に向上し、 且つ低い温度での封止接合を実現する こ とができ る。
ハンダは、 実質的に I n と S nから成 り 、 I n / ( I n + S n ) が 5 0〜 6 5 %の.範囲であ り、 且つ液相線温度が 1 2 5 で以下であるのがよ り好ま しい。 これによ り、 基板 1 0 との接着性が更に向上する と共に凝 固後の組織が微細で柔軟性に富み、 機械的特性に優れ、 且つ更に低い温 度での封止接合を実現する こ とができ る。
また、 ノヽ ンダは、 実質的に I n、 S nヽ Z n、 T i から成り 、 I n / ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲であ り 、 Z n力? 0 . :! 〜 7 . 0 %、 T i が 0 . 0 0 0 1 〜 0 . 1 %、 かつ液相線温度が 1 5 0 C以下であるのが好ま し く 、 さ らに、 Z nが 0 . 1 〜 5 . 0 %、 T i が 0 . 0 0 0 1 〜 0 . 0 5 %であ り、 かつ液相線温度が 1 2 5 以下で あるのがよ り好ま しい。 これによ り 、 基板 1 0 との接着性が更に向上す る と共に、 T i と Z n と を共存させる こ と によ り T i を よ り均質に含有 させる こ どができ、 も ってハンダと基板 1 0 との界面における耐候性を 向上させる こ とができ る。
こ こで、 Z nが上記範囲の量よ り少ない場合は、 基板 1 0 との接着性 が向上しないと共に T i を よ り均質に含有させる こ とができず、 一方 Z nが上記範囲の量よ り多い場合は、 ハンダの液相線温度が高く なる こ と で接着に.必要な温度が高く な り不都合である。
T i が上記範囲の量よ り少ない場合は、 基板 1 0 との接着性が向上せ ず、 一方 T i が上記.範囲の量よ り多い場合は、 ハンダの液相線温度が高 く なる こ と によ り 、 接着に必要な温度が高 く な り不都合である。 特に、 ハンダの溶融状態において T i と他成分との化合物が析出しゃす く な り 好ま し く ない。
また、よ り好ま し く は I n — S n二元系の共晶組成である I n 5 2 %、 S n 4 8 %に近いハンダである程良く 、 特に、 I n — S n二元系の共晶 組成である I n 5 2 %、 S n 4 8 % (共晶温度 1 1 7 で) から成るハン ダは、 凝固後の組織が非常に細微と な り 、 柔軟性に富み、 機械的特性に 優れるため好ま しい。
さ らに好ま し く は、 I n — S n二元系の共晶組成である I n 5 2 %、 S n 4 8 % (共晶温度 1 1 7 °C ) から成るハングに Z n と T i を添加し たも の、 例えば、 I n 5 1 %、 S n 4 7 %、 Z n 2 . 0 %、 T i 0 . 0 0 2 %の組成から成るハングがよい。 これによ り 、 基板 1 0 との接着性 が極めて良好であ り 、 ハンダと基板 1 0 との界面の耐候性も極めて良好 となる。
上記ハンダと しては、 具体的には、 S n — A g系、 S n — C u系、 S n — A g — C u系、 S n— A g — B i 系、 S n — A g — C u — B i 系等 のハンダであって、 その共晶点温度が 2 5 0 °C以下と なる よ う なハンダ を用いても よい。 .
本実施の形態では、 ガラス素板に凹部 3 2 を形成する方法と して、 ゥ エ ツ トエッチング法を用いているが、 ドライ エッ チング法でも よ く 、 ド ライエッチング法と ウエ ッ トエッチング法と を併用 しても よい。
本実施の形態では、 封止板 3 0 の材料と して無アルカ リ ガラスを用い たが、 有機 E L素子 1 0 0 の構成に応じて低アルカ リ ガラ 、 又はェッ チング後にアル力 リ溶出防止処理を施したソーダライ ムガラス又は石英 ガラスを用いる こ とができ る。 また、 封止板 3 0 の材料と して、 金属材 料を用いても よ く 、 この金属材料と しては、 A l 、 C u、 F e を用いる こ とが好ま し く 、 さ ら に、 S U S、 セラ ミ ッ ク、 P t、 A u を用いても よい。
また、 封止板 3 0 の形状は、 図 1 に記載された形状に限定される もの ではな く 、 有機 E L積層体 2 0 を保護するべ く 、 基板 1 0 と溶着層 4 0 と によ って封止でき る ものであればよい。
本実施の形態では、 有機 E L積層膜 2 2 はパッ シブ構造を と る も ので あつたが、 アク ティ ブ構造を とる ものであっても よい。 また、 本実施の 形態では、 有锾 E L素子 1 0 0 は ト ッ プェミ ッ シ ョ ン構造を と る ものと したが、 ボ ト ムエミ ッ シ ヨ ン構造を とる ものであっても よい。 また、 E L積層膜は、 有機 E L積層膜 2 2 に代えて、 無機 E L積層膜 であっても よ い。 この場合、 透明導電膜側から順に、 絶縁層、 発光層、 絶縁層からなる ものや、 電子障壁層、 発光層、 電流制限層からなる もの が用いられる。
また、 本実施の形態では、 E L表示パネルと しての有機 E L素子 1 0 0 を用いたが、 これに限定される も のではな く 、 C R T、 P D P等の表 示パネルを用いても よい。 産業上の利用可能性
本発明に係る表示パネルによれば、 基板と封止板は、 金属材料から成 る溶着層を介して封止接合されているので、 製造時に表示パネルを高温 にさ らすのを防止する こ とができ、 且つ封止板の凹部の気密性が向上す る と共に凹部の透湿性が低下し、 も つて表示パネルの耐候性を向上させ る こ とができ る。
本発明に係る表示パネルによれば、 ノヽンダは、 さ らに、 T i 、 A l 、 及び C r から成る群から選択された少な く と も 1 つの材料を含むので、 溶着層 と基板のガラス成分との接着性を向上させる こ とができ る。
本発明に係る表示パネルによれば、 金属材料は、 共晶点温度又は融点 が 2 5 0 °C以下であるので、 溶着時の熱によ る表示パネルの劣化や、 熱 による基板の反り を確実に防止するこ とができる。
本発明に係る表示パネルによれば、 ハンダは、 実質的に I n と S nか ら成 り 、 液相線温度が 1 5 0 1C以下であるので、 基板との接着性が更に 向上し、 且つ低い温度での封止接合を実現する こ とができ る。
本発明に係る表示パネルによれば、 ハンダは、 実質的に I n と S nか ら成 り 、 I n / ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲であ り 、 且つ液相線温度が 1 2 5で以下であるので、 基板との接着性が更に 向上する と共に凝固後の組織が微細で柔軟性に富み、機械的特性に優れ、 且つ更に低い温度での封止接合を実現する こ とができ る。
本発明に係る表示パネルによれば、 ハングは、 実質的に I n、 S n、 Z n、 T i から成り、 I n / ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0〜 6 5 % の範囲であ り 、 Z nが 0. 1 〜 7. 0 %、 T i が 0. 0 0 0 1 〜 0. 1 % かつ液相線温度が 1 5 0 以下であるので、 基板との接着性を更に向上 させるこ とができ る と共に、 T i と Z n と を共存させる こ と によ り T i をよ り均質に含有させる こ とができ、 も ってハングと基板との界面にお ける耐候性を向上させる こ とができ る。 .
本発明に係る表示パネルによれば、 ノヽンダは、 実質的に I n、 S n、 Z n、 T i から成り 、 I n / ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0〜 6 5 % の範囲であ り 、 Z nが 0. ;! 〜 5. 0 %、 T i が 0. 0 0 0 1 〜 0. 0 5 %、 かつ液相線温度が 1 2 5 °C以下であるので、 基板との接着性を更 に向上させる こ とができ る と共に、 T i と Z n と を共存させる こ と によ り T i を よ り均質に含有させるこ とができ、 も ってハンダと基板との界 面における耐候性を更に向上させる こ とができ る。
本発明に係る表示パネルの製造方法によれば、 基板と封止板と を、 溶 融した金属材料を用いて摩擦接合法によ つて封止接合するので、 金属材 科の基板への付着性を向上させた封止接合を実現する こ とができ る。 本発明に係る表示パネルの製造方法によれば、 基板の一方の主面及び 封止板の一方の主面における外周縁部の少な く と も一方に溶融した金属 材料を塗布し、 基板の一方の主面及び封止板の一方の主面を互いに合わ せて、 塗布した金属材料を溶着させる こ と によ り基板と封止板と を封止 接合するので、 金属材料を所望の幅や厚みで塗布する こ とができ、 も つ て表示パネルの耐候性を更に向上させる こ とができ る。
本発明に係る表示パネルの製造方法によれば、 基板の一方の主面及ぴ 封止板の一方の主面における外周縁部の少な く と も一方と溶融した金属 材料との界面を活性化させて金属材科を塗布するので、 基板と金属材料 との接着強度又は封止板と金属材料との接着強度を向上させる こ とがで き る o
本発明に係る表示パネルの製造方法によれば、 塗布及び封止接合の少 な く と も一方は不活性雰囲気内で行われるので、 金属材料の表面におけ る酸化物の発生を抑制するこ とができ る。

Claims

請 求 の 範 囲 1 , 基板と、 前記基板に封止接合された封止板と を備える表示パネル において、 前記基板と前記封止板は、 金属材料から成る溶着層を介して 封止接合されている こ と を特徴とする表示パネル。
2 . 前記金属材科は、 S n、 C u、 I n、 B i 、 Z n、 P b 、 S b、 G a、 及び A gから成る群から選択された少な く と も 1 つの材科を含む ハンダから成るこ と を特徴とする請求項 1記載の表示パネル。
3 . 前記ハンダは、 さ らに、 T i 、 A 1 、 及び C r から成る群から選 択された少な く と も 1 つの材料を含むこ と を特徴とする請求項 2記載の 表示ノヽ °ネル
4 . 前記金属材料は、 共晶点温度又は融点が 2 5 0で以下である こ と を特徴とする請求項 1記載の表示パネル。
5 . 前記ハングは、 実質的に I n と S nから成 り 、 液相線温度が 1 5 0 以下であるこ とを特徴とする請求項 2記載の表示パネル。
6 . 前記ハンダは、 実質的に I n と S nから成 り、 I n , ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲であ り、 かつ液相線温度が 1 2 5 C以下であるこ と を特徴とする請求項 2記載の表示パネル。
7 . 前記ハンダは、 実質的に I n、 S n、 Z n、 T i から成り 、 I n / ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲であ り、 Z n力 0 .
1 〜 7 . 0 %、 T i が 0. 0 0 0 1 〜 0. 1 %、 かつ液相線温度が 1 5 0 以下である こ と を特徴とする請求項 3記載の表示パネル。
8 . 前記ハンダは、 実質的に I n、 S n、 Z n、 T i から成 り 、 I n / ( I n + S n ) の重量配分率が 5 0 〜 6 5 %の範囲であ り、 Z nが 0 . 1 〜 5 . 0 %、 T i が 0. 0 0 0 1 〜 0. 0 5 %、 かつ液相鐡温度が 1 2 5 以下であるこ とを特徴とする請求項 3記載の表示パネル。
9 . 前記表示パネルは有機 E L表示パネルである こ と を特徽とする請 求項 1記載の表示パネル。
1 0 . 基板と、 前記基板に封止接合された封止板と を備える表示パネ ルの製造方法において、 前記基板と前記封止板と を、 溶融 した金属材料 を用いて摩擦接合法によ って封止接合する こ と を特徽とする表示パネル の製造方法。
1 1 . 基板と、 前記基板に封止接合された封止板と を備える表示パネ ルの製造方法において、 前記基板の一方の生面及び前記封止板の一方の 主面における外周緣部の少な く と も一方に溶融した金属材料を塗布する 塗布ステ ッ プと、 前記基板の一方の i面及び前記封止板の一方の主面を 互いに合わせる合わせステ ッ プと、 塗布した前記金属材料を溶着させる こ と によ り前記基板と前記封止板と を封止接合する封止接合ステッ プと を備えるこ と を特徴とする表示パネルの製造方法。
1 2 . 前記塗布ステ ッ プは、 前記基板の一方の主面及び前記封止板の 一方の主面における外周縁部の少な く と も一方と溶融した前記金属材料 との界面を活性化させて前記金属材料を塗布する こ と を特徴とする M求 項 1 1記載の表示パネルの製造方法。
1 3 . 前記塗布ステ ッ プ及び前記封止接合ステッ プの少な く と も一方 は不活性雰囲気内で行われる こ と を特徴とする請求項 1 1記載の表示パ ネルの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7659659B2 (en) 2003-06-04 2010-02-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and display using same
WO2018003865A1 (ja) * 2016-06-28 2018-01-04 京セラ株式会社 封止体、太陽電池モジュールおよび封止体の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250455A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
JP4816357B2 (ja) * 2006-09-19 2011-11-16 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2008089634A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
DE102013110174A1 (de) * 2013-09-16 2015-03-19 Osram Oled Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
US10243165B2 (en) * 2014-11-28 2019-03-26 Pioneer Corporation Light-emitting device
JP6833385B2 (ja) * 2016-07-29 2021-02-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置の製造方法および製造装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6114096A (ja) * 1984-06-29 1986-01-22 Fujitsu Ltd コネクタ接点用半田合金
JPH07227690A (ja) * 1994-02-21 1995-08-29 Asahi Glass Co Ltd はんだ合金及びターゲット構造体
JPH10125463A (ja) * 1995-12-28 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
JPH11239866A (ja) * 1997-12-19 1999-09-07 Nihon Almit Co Ltd 低温半田付け法
JPH11510647A (ja) * 1996-05-28 1999-09-14 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2001058287A (ja) * 1999-06-11 2001-03-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 無鉛ハンダ
JP2004027404A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 防湿封止材及びこれを用いた実装体、防湿封止材の製造方法及び防湿封止材を用いた実装体の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04277716A (ja) * 1991-03-06 1992-10-02 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録媒体及び情報記録装置
US6195142B1 (en) * 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
US5874804A (en) * 1997-03-03 1999-02-23 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package and method of fabrication
DE10005296A1 (de) * 2000-02-07 2001-08-16 Infineon Technologies Ag Vorrichtung für die Emission elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zu deren Herstellung
US6706316B2 (en) * 2001-05-08 2004-03-16 Eastman Kodak Company Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays
JP3745702B2 (ja) * 2002-05-10 2006-02-15 双葉電子工業株式会社 リングレスゲッターを備えた電子デバイス、リングレスゲッターの固定方法、及びリングレスゲッターの活性化方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6114096A (ja) * 1984-06-29 1986-01-22 Fujitsu Ltd コネクタ接点用半田合金
JPH07227690A (ja) * 1994-02-21 1995-08-29 Asahi Glass Co Ltd はんだ合金及びターゲット構造体
JPH10125463A (ja) * 1995-12-28 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
JPH11510647A (ja) * 1996-05-28 1999-09-14 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JPH11239866A (ja) * 1997-12-19 1999-09-07 Nihon Almit Co Ltd 低温半田付け法
JP2001058287A (ja) * 1999-06-11 2001-03-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 無鉛ハンダ
JP2004027404A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Hitachi Chem Co Ltd 防湿封止材及びこれを用いた実装体、防湿封止材の製造方法及び防湿封止材を用いた実装体の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7659659B2 (en) 2003-06-04 2010-02-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and display using same
US7800299B2 (en) 2003-06-04 2010-09-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and display using same
WO2018003865A1 (ja) * 2016-06-28 2018-01-04 京セラ株式会社 封止体、太陽電池モジュールおよび封止体の製造方法

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