CN103367619A - 金属支架结构及发光二极管结构 - Google Patents
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Abstract
一种金属支架结构及发光二极管结构，发光二级管结构包括一金属支架、至少一发光二极管芯片及一封装体。该金属支架包括一第一导线架及一第二导线架，其中该第一导线架面向该第二导线架的边缘突出一凸出部，该第二导线架凹陷地形成一对应该凸出部的凹陷部，该第一导线架与该第二导线架的间形成一电性绝缘区，该第一导线架及该第二导线架靠近该电性绝缘区的边缘形成至少一个第二盲孔；该至少一发光二极管芯片电性连接于该第一导线架及该第二导线架；该封装体包括一覆盖该金属支架的基部、及一位于该至少一发光二极管芯片上方的透光部。本发明可克服因切割过程受机械剪力所造成与导线架剥离的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种金属支架结构及发光二极管结构，特别涉及一种应用方形扁平无接脚封装(Quad Flat No-lead)技术，以封装体封装金属支架的发光二极管结构，以及设置于发光二极管结构内的金属支架结构。
背景技术
为着改善现有发光二极管的工艺，已发展使用“方形扁平无接脚封装”(Quad Flat No-lead，QFN)技术制造发光二极管。其金属支架裸露于封装体的底面，具较佳散热效能；此外，产品也具有较薄的尺寸。
相关专利如本发明申请人的中国台湾专利公告号TW 551694的“表面粘着电子元件的金属支架结构”，其在于增加胶体与金属支架的连接强度，使产品在切割工艺时，改善胶材的剥离(peeling)的问题。
基于上述的基础，本发明针对QFN工艺的发光二极管封装结构，作进一步的研发改善。不仅考量承受机械剪力脱离的问题，更进一步考量多组金属支架之间连接部(bar)因切割工艺高温所造成胶材剥离及毛边问题。此外，QFN工艺的发光二极管封装结构由于金属支架裸露于封装体的底面，金属支架的两个导线架之间是水气入侵最短路径之处，产品容易因水气入侵固晶区而导致芯片发光效率的衰退，因此本发明也考量如何改善水气侵入的问题。
因此，本发明提出一种设计合理且有效改善上述问题的金属支架结构及其发光二极管结构。
发明内容
本发明所要解决的技术问题，在于提供一种发光二极管结构及其金属支架结构，利用蚀刻工艺的半蚀刻方式，以设计凸型导线架，以及半蚀的盲孔以加强金属支架与封装体之间的结合强度。
此外，本发明要解决的技术问题，还在于提供一种发光二极管结构及其金属支架结构，利用三段式结构以强化金属支架的两个导线架之间的电性绝缘区(即水气入侵最短路径)，借由多段式结构以阻绝水气入侵并强化胶材接着力。
为了解决上述技术问题，本发明的其中一种方案提供一种金属支架结构，其顶面封装一封装体且形成一透光部，该金属支架结构包括一金属支架，其包括有一第一导线架及一第二导线架，其中该第一导线架朝向该第二导线架的边缘局部突出一凸出部，其中该第一导线架与该第二导线架之间形成一电性绝缘区，其中该金属支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其组合，该第一盲孔由该金属支架的顶面向下凹陷形成，且该第一盲孔的位置对应该透光部的内径轮廓，该第二盲孔靠近该电性绝缘区。
此外，为了解决上述技术问题，本发明还提供一种发光二极管结构，其包括一金属支架、至少一发光二极管芯片及一封装体。该金属支架包括有一第一导线架及一第二导线架，其中该第一导线架面向该第二导线架的边缘突出一凸出部，该第一导线架与该第二导线架之间形成一电性绝缘区，其中该金属支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其组合，该第一盲孔由该金属支架的顶面向下凹陷形成，该第二盲孔靠近该电性绝缘区；该至少一发光二极管芯片设置于该金属支架上，且电性连接于该第一导线架及该第二导线架；该封装体包括一封装该金属支架的基部、及一位于该至少一发光二极管芯片上方的透光部，其中该第一盲孔的位置对应该透光部的内径轮廓。
本发明至少具有以下有益效果：本发明可克服因切割过程受机械剪力所造成与导线架剥离的问题。本发明利用半蚀刻技术，工艺更成熟，可提升量产良率。此外，提高封装的稳定性，增加产品可靠度和寿命。
为了能更进一步了解本发明为达成既定目的所采取的技术、方法及功效，请参阅以下有关本发明的详细说明、附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得以深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。
附图说明
图1为本发明的发光二极管结构第一实施例的立体分解示意图。
图1A为本发明的金属支架的立体图。
图2为本发明的发光二极管结构的立体图。
图3为本发明的发光二极管结构的另一立体图。
图4为本发明的发光二极管结构的俯视图。
图4A为沿着图4中AA线的剖视图。
图5为本发明的发光二极管结构第二实施例的立体图。
图6为本发明的发光二极管结构第三实施例的立体图。
图6A为沿着图6中AA线的剖视图。
图7及图8为本发明的发光二极管结构第四实施例的立体图。
图9及图10为本发明的发光二极管结构第五实施例的立体图。
图11及图12为本发明的发光二极管结构第六实施例的立体图。
图13及图14为本发明的发光二极管结构第七实施例的立体图。
图15及图16为本发明的发光二极管结构第八实施例的立体图。
其中，附图标记说明如下：
发光二极管结构100、100’、100”
金属支架10、10’、10a、10b、10c、10d、10e
第一导线架11、11’、11a、11b、11c、11d、11e
第二导线架12、12’、12a、12b、12c、12d、12e
凸出部110
凹陷部120
第二盲孔111a、111b、121a、121b
阶梯结构112、112d、122、122d
上凹槽113、123
第三盲孔114、124、114d、124d
第一盲孔115、115b、115c、115d
第一盲孔125、125b、125c
下凹槽116、126、116d、126d
贯穿孔117、127
盲孔117b、127b
上孔部1171
下孔部1172
焊垫118，118b，128，128b
连接部119、129
电性绝缘区G
发光二极管芯片20、20’
导线22a、22b
封装体30、30”
基部32、32”
反射面322
凸肋324
透光部34、34”
具体实施方式
请参考图1，图1为本发明的发光二极管结构的立体分解示意图。本发明的发光二极管结构100包括一金属支架10、一芯片20、及一覆盖该金属支架10及该芯片20的封装体30。金属支架10包括有一第一导线架11及一第二导线架12。其中该芯片20以发光二极管芯片为例说明，但不限制于此。本实施例的发光二极管芯片20以导线(bonding wire)22a及22b分别电性连接于该第一导线架11及该第二导线架12；封装体30可分为封装该金属支架10的基部32及位于芯片20上方的透光部34。封装体30的材料可以是树脂或硅胶等。然而，并不以此为限。
此图仅为示意说明，实际制造的主要过程是先在一金属板体形成多组金属支架10，所述多个多组的金属支架10之间各以多个连接部(bar)119、129彼此连接。然后，将发光二极管芯片20以打线或覆晶的方式电性连接于该金属支架10之后，再以该封装体30分别封装所述多个金属支架10及该发光二极管芯片20。最后，将该多组金属支架10分别切割分离。完成后，如图2所示的。其中本实施例以一个发光二极管芯片20表示，然而其数量与种类并不限制于此，可以是至少一个发光二极管芯片。当发光二极管芯片选用一白光芯片时，此发光二极管结构不需通过荧光粉来混光，即为一白光的发光二极管结构。当选用蓝光芯片时，可于蓝光芯片上涂布黄色荧光粉或于封装胶内掺混黄色荧光粉来进行混光，亦可得到一个白光的发光二极管结构。当发光二极管为一紫外光芯片时，可于紫外光芯片上涂布红绿蓝荧光粉或于封装结构内掺混红绿蓝荧光粉来得到一白光的发光二极管结构。
请参考图1及图1A，其中图1A为本发明的金属支架的立体图。该金属支架10的第一导线架(first lead frame)11及第二导线架(second lead frame)12，构成本发明的发光二极管的金属支架结构。本实施例的特征之一在于该第一导线架11大体呈凸型，该第二导线架12大体呈凹型，两者相互配合。更具体的说，该第一导线架11面向该第二导线架12的边缘局部突出一凸出部110，该第二导线架12凹陷地形成一对应该凸出部110的凹陷部120，该第一导线架11与该第二导线架12之间形成一呈多个弯折状的电性绝缘区G。
本实施例为着强化该金属支架10与该封装体30的结合强度，第一导线架11的顶面形成二第一盲孔115；此外，该第一导线架11及该第二导线架12靠近该电性绝缘区G的边缘各形成多个第二盲孔111a、111b、121a、121b。
本实施例中上述第一盲孔115为呈弯弧形的盲孔。所述多个第二盲孔为呈半圆形的盲孔。本发明所指的“盲孔”(blind vias)是指未完全贯穿导线架，“半盲孔”表示其深度大约贯穿导线架的一半厚度，故盲孔与半盲孔的差异在于多了蚀刻深度的限定。在本实施例中，该金属支架10是使用蚀刻工艺，并且为多元化半蚀工艺(half-etching)结构设计，其优点在于成品尺寸控制精准，并且可降低成本。然而，本发明的所述多个盲孔并不限制于上述形状。
本实施例中该第一导线架11的该凸出部110大体呈矩形，该凸出部110的转角各形成一斜边，所述多个第二盲孔111a、111b由该凸出部110的所述多个斜边向内蚀刻而成。上述第一导线架11的所述多个第二盲孔111a、111b与第二导线架12的所述多个第二盲孔121a、121b彼此相对，并且形成于该第一导线架11及该第二导线架12的顶面边缘，所述多个第二盲孔111a、111b、121a、121b呈半圆形，其蚀刻深度小于该金属支架10的一半高度。上述实施方式中，凸出部110的形状以矩形为例，但不以此为限，凸出部的形状可由芯片的摆放方式或芯片的形状所定义，可依设计者而定，如多边形或圆弧形的凸出部。第一导线架11和第二导线架12的第二盲孔111a、111b、121a、121b可为一大的半圆形盲孔和一小的半圆形盲孔的任意组合，但不以此限。
上述结构的优点在于，借由凸型及凹型相配合的一对导线架11、12、以及呈多个弯折状的该电性绝缘区G，金属支架10与封装体30的结合力得以加强；此外，第二盲孔111a、111b、121a、121b也可加强金属支架10与封装体30的结合力。相较于申请人前案的导线架之间的电性绝缘区呈一直线，本发明可以克服侧向机械剪力问题，解决导线架与胶体剥离的现象。
请参阅图1A，为本发明的金属支架另一角度的立体图。本发明的金属支架10的底部亦具有改良的设计，该金属支架10的外缘底面向内凹陷形成一全周的阶梯结构112、122，该全周的阶梯结构112、122环绕金属支架10底部的全部周围。此外，该第一导线架11及该第二导线架12的底面具有多个由该阶梯结构112、122向内凹陷形成的第三盲孔114、124。本实施例中，所述多个第三盲孔114、124为向内凹陷半圆形的半盲孔，每一金属支架10的四个侧边各形成有二对的第三盲孔114、124。另外，本发明的金属支架10外缘向外突出多个连接部119、129以连接另一金属支架(图未示)。本发明利用全周式的阶梯结构112、122以及连接部119、129可以减少切割厚度及毛边，同时减少高温切割的时间；借由毛边的减少，本发明可以减少切割工艺的切断点水气入侵问题，以及因为切割工艺高温造成的胶材剥离问题。再者，所述多个第三盲孔114、124可以强化第一及第二导线架11、12与封装体30之间的结合力。
值得注意的是，第三盲孔114、124的位置根据连接部119、129的位置而对称存在。亦即第三盲孔114、124位于连接部119、129的两侧，使得封装体30咬合于连接部119两侧的第三盲孔114内，并咬合于连接部129两侧的第三盲孔124内，借此更加有助于第一、第二导线架11、12与封装体30的结合力。换言之，当切割两个金属支架10之间的连接部119、129时，位于第三盲孔114、124内的封装体30可抓牢第一及第二导线架11、12，使得封装体30不易与金属支架10剥离(peeling)。
请参考图1及图2，本实施例于该第一导线架11的顶面向下凹陷形成二个第一盲孔115，其位于透光部34的内径轮廓，亦即第一盲孔115只要落在透光部34内径即可，较佳为顺着透光部34的轮廓而设置第一盲孔115。此实施例上述通过所述多个第一盲孔115，本发明可加强金属支架10与透光部34的底部边缘形成环状结构，以增加结合强度。然而，所述多个第一盲孔115并不限制形成于第一导线架11，只要是形成于该金属支架10的顶面，较佳的是对应于透光部34的内径轮廓，后面将以不同实施例举例说明。
请参考图1、图1A及图3，本实施例的该金属支架10还形成多个贯穿孔117、127，其位于第一导线架11和第二导线架12的直角转角处及透光部34的外围。以该贯穿孔117的附图说明，其形状略呈倒T形，图1显示一较窄且外露于第一导线架11顶面的上孔部1171，图1A及图3显示一较宽且外露于第一导线架11底面的下孔部1172，亦即下孔部1172的孔径大于上孔部1171的孔径。当封装体30填入该贯穿孔117时，如同贯穿孔117、127的T型般咬合在金属架10。本实施例通过T形的贯穿孔117、127，可以增加封装体30咬合金属支架10的强度，并且可减缓水气侵入。
请继续参考图1及图1A，本实施例的发光二极管结构具有另一特征如下，该第一导线架11及该第二导线架12靠近该电性绝缘区G的顶面边缘各凹陷形成一上凹槽113、123，该第一导线架11及该第二导线架12靠近该电性绝缘区G的底面边缘各凹陷形成一下凹槽116、126。上述的上凹槽113、123及下凹槽116、126为局部蚀刻所述多个导线架11、12的表面而成。
请参阅图4及图4A，图4为本发明的俯视图，图4A为沿着图4中AA线的剖视图。本实施例的上凹槽的113、123剖面呈弯弧状，该下凹槽116、126的剖面呈矩形状。其中上述二个上凹槽113、123之间的宽度大于该电性绝缘区G的宽度，上述二个下凹槽116、126之间的宽度大于该电性绝缘区G的宽度，实际上，上述二个下凹槽116、126之间的宽度又大于上述二个上凹槽113、123之间的宽度，借此本发明形成一阻绝水气入侵的多段式结构，其位于金属支架10的顶面与底面的间且位于该电性绝缘区G的两侧。由于发光二极管结构100水气入侵到内部最短的路径乃是位于该电性绝缘区G，特别是容易由其底面侵入。本发明借由上述的结构，设计三段式的结构，通过三段不同宽度结构以强化电性绝缘区G的隔绝水气的性能，并且可强化封装体30与金属支架10的接着力。值得注意的是，该下凹槽116、126的剖面亦可成弯弧状，并不限于矩形结构。
[第二实施例]
请参阅图5，为本发明的发光二极管结构第二实施例的立体图。与上述实施例的差异之一在于，此第二实施例的发光二极管结构100’具有一覆晶式发光二极管芯片20’，其底面直接电性接触第一导线架11’及第二导线架12’，借此可以减少导线的耗材成本，并减少金属支架10与封装体30之间因热膨胀系数(CTE)造成热应力而断线的情形。
[第三实施例]
请参阅图6及图6A，为本发明的发光二极管结构第三实施例的立体图，及沿着图6中AA线的剖视图。本实施例与上述实施例的差异在于，封装体30”包括一不透明的基部32”及一透明的透光部34”。不透明基部32”的材料可为一白色塑料，其包覆相同于上述二个实施例的第一导线架11及第二导线架12，由于基部32”呈不透明，因此图6未显示上述的盲孔结构。如图6A所示，第一盲孔115由不透明的基部32”所包覆，可增加第一导线架11和基部32”的结合性。另外，透光部34”的材料可为一硅胶(silicone)。
本实施例的基部32”形成一环状的反射面322以及一穿过该电性绝缘区G的凸肋324。更具体的说，该凸肋324穿过局部的该三段式结构，并且突出于第一导线架11及第二导线架12的顶面，剖面状形成如同铆钉的形状。值得注意的是，高于第一导线架11和第二导线架12顶面的凸肋结构可为一梯形结构，此梯形结构如同塞子般塞在电性绝缘区G的上方，有助于阻挡水气入侵芯片20区域，提高此发光二极管结构100”的信赖性。上述环状的反射面322有助于发光二极管芯片20的光线的聚集；此外，此种结构不仅形成更佳的防水结构，并且更加强该封装体30”与第一导线架11及第二导线架12之间的结合力。然而，本实施例的凸肋324不限于上述形状，例如凸肋324也可以是平整而未突出于第一导线架11及第二导线架12的顶面。
[第四实施例]
请参考图7及图8，为本发明的发光二极管结构第四实施例的立体图。相较于第一实施例，此实施例简化地突显本发明的特征。金属支架10a具有凸型的第一导线架11a及凹型的第二导线架12a，以加强封装体30与金属支架10a之间的结合力。其中第一导线架11a朝向该第二导线架12a的边缘局部地突出该凸出部110。此外，第一导线架11a的顶面具有两个第一盲孔115，其座落在透光部34的内径轮廓，以加强与封装体30之间的结合力。类似于第一实施例，该金属支架10a的外缘底面向内凹陷形成一全周的阶梯结构112、122；该第一导线架11a及该第二导线架12a靠近该电性绝缘区G的底面边缘各凹陷形成一下凹槽116、126。和第一实施例相比，此发光二极管结构简化了第二盲孔(即座落在金属支架边缘的半圆形盲孔)、第三盲孔(即位于连接部两侧的半圆形的盲孔)，及如图4A的多段式结构，可简化蚀刻工艺。这里，仅示意用透明的封装材料封装金属支架10a，但不以此限。也可同第三实施例，封装体30可包含不透光的基部和透明的透光部等。
[第五实施例]
请参考图9及图10，为本发明的发光二极管结构第五实施例的立体图。相较于第一实施例，此实施例的金属支架10b具有凸型的第一导线架11b及第二导线架12b，两个导线架11b及12b的形状相对称，且形成呈工字型的电性绝缘区G。或者说，电性绝缘区G的两端略呈Y形状，此设计的优点在于Y型区可增加塑料面积且避免剪力破坏。由于第一导线架11b及第二导线架12b面积相当，不仅更容易打线发光二极管芯片20于金属支架10b上；此外，此种金属支架10b更适合于覆晶型的发光二极管芯片20。每一导线架的顶面各具有一较大的第一盲孔115b、125b及一对的圆形的盲孔117b及127b座落在金属支架10b的直角转角处。此实施例除了具有第一实施例的优点，此外，封装体30可以平衡地结合于第一导线架11b及第二导线架12b，不论是顶面或底面。这里，封装体30仅示意用透明的封装材料封装金属支架10a，但不以此限。也可同第三实施例，封装体30可包含不透光的基部和透明的透光部等。
本实施例的第一导线架11b及第二导线架12b底部各具有一焊垫118b、128b，两焊垫118b、128b的形状也是相对称，其优点为可平均分布焊锡，达到热平衡状态。
[第六实施例]
请参考图11及图12，为本发明的发光二极管结构第六实施例的立体图。此实施例的金属支架10c具有凸型的第一导线架11c及凹型的第二导线架12c，第一导线架11c突出的凸出部110c较平缓。每一导线架11c、12c的顶面各具有二个呈弯弧形、以及一对圆形的盲孔117c及127c座落在金属支架10c的直角转角处。所述多个第一盲孔115c、125c对称地分布于透光部34的内径轮廓且环绕着发光二极管芯片20，借此以增加封装体30和金属支架10c的结合性。
相较于前面的实施例，第一导线架11c的面积较大于第二导线架12c，第一导线架11c的底面具有二个焊垫118，第二导线架12c具有一个焊垫128。由于第一导线架11c有两个焊垫118，故位于两个焊垫118间的间隙也会有封装胶的存在，进一步增加金属支架10c和封装胶30的结合强度。这里，封装体30仅示意用透明的封装材料封装金属支架10a，但不以此限。也可同第三实施例，封装体30可包含不透光的基部和透明的透光部等。
金属支架10c的底面共有三个焊垫118及128，更方便焊接并传导余热至电路板。从另一面描述，该第一导线架11c及该第二导线架12c靠近电性绝缘区G的底面边缘的下凹槽116d、126d具有平直的边缘。换言之，金属支架10c的底面在三个焊垫118及128之间形成二个对称的直线凹槽，使得封装体30与金属支架10c底面的结合力更平衡。此外，三块焊垫可平均分布焊锡，达到热平衡状态，且其中焊垫之间更具有与塑料结合的作用力。
[第七实施例]
请参考图13及图14，为本发明的发光二极管结构第七实施例的立体图。此实施例的金属支架10d具大体呈钻石形的第一导线架11d及第二导线架12d。从另一面描述，两个导线架11d、12d大体呈五边形。与前述实施例差异点在于，位于第一导线架11d及第二导线架12d之间的电性绝缘区G穿过金属支架10d的两相邻的侧边，因此本实施例的电性绝缘区G的长度都小于前述实施例。其优点在于水气可入侵的范围更小。
此外，第一盲孔115d可为一弯弧状，且对称性的设置在第一导线架11d且环绕着发光二极管芯片20，借此以增加封装体30和金属支架10d的结合性。再者，第一导线架11d更具有三个T型贯穿孔117，第二导线架仅具有一个T型贯穿孔127，较佳位置座落在第一导线架11d和第二导线架12d的直角转角处，用以增加封装体30和金属支架10d的结合性。
还有，第一导线架11d及第二导线架12d的底面外缘具有全周的阶梯结构112d、122d，及由全周的阶梯结构112d、122d向内凹陷形成第三盲孔114d、124d，此实施例的第三盲孔的形状可为一半圆形或呈狭长形，狭长型的第三盲孔分别位于金属支架10d的四个边缘的中间，半圆型的第三盲孔分别位于金属支架10d的四个转角角落的两侧。借此可以更平衡且加强封装体30与金属支架10d的结合力。两个导线架11d、12d面向电性绝缘区G的边缘下方形成下凹槽116d、126d，各自连通于阶梯结构112d、122d。本实施例中，第三盲孔的较佳位置为连接部的两侧附近，其形状可为狭长型或半圆型，因此对称连接部的左右侧可为半圆型盲孔或狭长型盲孔的任意组合。
另外，由于第一导线架11d的底部具有较大的面积，可有效地传导芯片20的热。这里，封装体30仅示意用透明的封装材料封装金属支架10d，但不以此限。也可同第三实施例，封装体30可包含不透光的基部和透明的透光部等。
[第八实施例]
请参阅图15及图16，为本发明的发光二极管结构第八实施例的立体图。此实施例的结构类似于第三实施例，封装体30”包括一不透明的基部32”及一透明的透光部34”。差异点在于，不透明基部32”的厚度等于金属支架10e的厚度，亦即基部32”切齐于金属支架10e的顶面与底面。由附图可以看出，金属支架10e的第一导线架11e及第二导线架12e的外形，相似于第四实施例的金属支架。第一导线架11e的顶面具有两个第一盲孔115，其座落在透光部34的内径轮廓，以加强与透光部34”之间的结合力。另外，由其顶面与底面相比较，该金属支架10e的外缘底面向内凹陷而形成全周的阶梯结构112、122，该第一导线架11a及该第二导线架12a靠近该电性绝缘区G的底面边缘各凹陷形成下凹槽116、126。本实施例与第三实施例相比，少了环状反射面322，故可减少塑料使用并进一步降低发光二极管结构的总高度。此外，本实施例使用不透光的基部包覆金属支架并切齐金属支架顶面和底面，和第四实施例相比，进一步强化了封装体和金属支架结合的机械强度。
是以，通过本发明发光二极管结构及其金属支架结构，具有至少如下述的特点及功能：
一、借由凸型及凹型的导线架11、12，以及第二盲孔111a、111b、121a、121b，克服因切割过程受机械剪力所造成封装体30与导线架11、12剥离的问题。
二、借由全周的阶梯结构112、122，减少切割厚度，节省刀具磨耗及毛边的产生，进而使得尺寸更为精确，并改善吃锡良率。
三、借由导线架的第三盲孔114、124、第一盲孔115结构、T型贯穿孔117、127，有效强化导线架与封装体30的结合力。
四、借由多组的金属支架10的间的连接部119、129，减少切割工艺因切断点而造成的水气入侵问题。
五、通过多段式结构来强化电性绝缘区，延长水气入侵路径并强化导线架和胶材(或塑料)结合力。
六、选用覆晶式芯片时，可减少导线耗材成本及因不同材料的热膨胀系数不同造成热应力而导致断线的问题。
七、本发明利用半蚀刻技术，工艺更成熟，可提升量产良率。此外，提高封装的稳定性，增加产品可靠度和寿命。
惟以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，非因此即局限本发明的权利要求专利范围，故举凡运用本发明说明书及附图内容所为的等效技术变化，均同理皆包含于本发明的范围内。
Claims (20)
1.一种金属支架结构，其顶面封装一封装体且形成一透光部，其特征在于，该金属支架结构包括：
一金属支架，其包括有一第一导线架及一第二导线架，其中该第一导线架朝向该第二导线架的边缘局部突出一凸出部，其中该第一导线架与该第二导线架之间形成一电性绝缘区，其中该金属支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其组合，该第一盲孔由该金属支架的顶面向下凹陷形成，且该第一盲孔的位置对应该透光部的内径轮廓，该第二盲孔靠近该电性绝缘区。
2.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第一盲孔的形状呈弯弧形。
3.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架和该第二导线架的顶面靠近该电性绝缘区的边缘各形成该第二盲孔，该第一导线架的该第二盲孔与该第二导线架的该第二盲孔的位置彼此对应。
4.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该凸出部的转角各形成一斜边，该第二盲孔由该凸出部的所述多个斜边向内蚀刻而成。
5.如权利要求4所述的金属支架结构，其特征在于，该第二盲孔由该凸出部的该斜边向内蚀刻呈半圆形盲孔。
6.如权利要求5所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架和该第二导线架的该半圆形盲孔为一大的半圆形盲孔和一小的半圆形盲孔的搭配组合。
7.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第二盲孔的向下蚀刻深度小于该金属支架高度的一半，该金属支架高度由该金属支架的顶面和底面所界定。
8.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该金属支架的外缘底面向内形成一阶梯结构。
9.如权利要求8所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架及该第二导线架的底面具有至少一个由该阶梯结构向内凹陷形成的第三盲孔。
10.如权利要求9所述的金属支架结构，其特征在于，该金属支架的外缘向外突出多个连接部，其中每一个所述连接部的两侧对应于两个所述第三盲孔。
11.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架及该第二导线架靠近该电性绝缘区的顶面边缘各凹陷形成一上凹槽，该第一导线架及该第二导线架靠近该电性绝缘区的底面边缘各凹陷形成一下凹槽，借此形成一多段式结构。
12.如权利要求11所述的金属支架结构，其特征在于，该第一导线架和该第二导线架所界定的二个上凹槽之间的宽度大于该电性绝缘区的宽度，该第一导线架和该第二导线架所界定的二个下凹槽之间的宽度大于该电性绝缘区的宽度。
13.如权利要求11所述的金属支架结构，其特征在于，该上凹槽的剖面呈弯弧状，该下凹槽的剖面呈矩形状。
14.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该金属支架还形成多个贯穿孔，每一贯穿孔具有一外露于该第一导线架顶面的上孔部、及一外露于该第一导线架底面的下孔部，该下孔部大于该上孔部。
15.如权利要求1所述的金属支架结构，其特征在于，该第二导线架形成一凹陷部或一凸出部，该第二导线架的凹陷部或该凸出部对应于该第一导线架的该凸出部。
16.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
一金属支架，其包括有一第一导线架及一第二导线架，其中该第一导线架面向该第二导线架的边缘突出一凸出部，该第一导线架与该第二导线架之间形成一电性绝缘区，其中该金属支架具有至少一第一盲孔及至少一第二盲孔的其中之一或其组合，该第一盲孔由该金属支架的顶面向下凹陷形成，该第二盲孔靠近该电性绝缘区；
至少一发光二极管芯片，设置于该金属支架上，且电性连接于该第一导线架及该第二导线架；及
一封装体，包括一封装该金属支架的基部、及一位于该至少一发光二极管芯片上方的透光部，其中该第一盲孔的位置对应该透光部的内径轮廓。
17.如权利要求16所述的发光二极管结构，其特征在于，该基部包覆该第一导线架和该第二导线架，且该基部形成一凹陷部以承载该发光二极管芯片，该基部还具有一环状反射面以反射该发光二极管芯片的所发出的光线。
18.如权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，该基部还包含一穿过该电性绝缘区的凸肋，该凸肋突出于该第一导线架及该第二导线架的顶面。
19.如权利要求18所述的发光二极管结构，其特征在于，该基部和该透光部为一体成型，该封装体直接封装该第一导线架和该第二导线架。
20.如权利要求16所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一导线架和该第二导线架由不透光的该基部所包覆，该不透光的基部切齐该金属支架的顶面和与该顶面相对应的底面。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679770A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
| CN106463598A (zh) * | 2014-04-22 | 2017-02-22 | 首尔半导体株式会社 | 发光装置 |
| CN108933185A (zh) * | 2017-05-26 | 2018-12-04 | 黄国益 | 支撑结构、使用其的发光装置以及其加工方法 |
| CN108963049A (zh) * | 2014-05-23 | 2018-12-07 | 亿光电子(中国)有限公司 | 发光装置 |
| CN109560183A (zh) * | 2015-04-29 | 2019-04-02 | 光宝光电(常州)有限公司 | 多层式电路板及发光二极管封装结构 |
| CN109962145A (zh) * | 2017-12-25 | 2019-07-02 | 隆达电子股份有限公司 | 导线架的制造方法以及成形体 |
| CN113594323A (zh) * | 2020-04-30 | 2021-11-02 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管封装体 |
| CN113823730A (zh) * | 2018-09-28 | 2021-12-21 | 光宝光电(常州)有限公司 | 多芯片发光二极管封装结构 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5464825B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2014-04-09 | ローム株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
| CN103367344B (zh) * | 2012-04-11 | 2016-04-27 | 光宝电子(广州)有限公司 | 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条 |
| DE102012211220A1 (de) * | 2012-06-28 | 2014-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen |
| US10236429B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-19 | Lumileds Llc | Mounting assembly and lighting device |
| DE102014101557A1 (de) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102014102259A1 (de) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102014102810A1 (de) * | 2014-03-04 | 2015-09-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Herstellung optoelektronischer Bauelemente |
| KR102161272B1 (ko) * | 2014-03-25 | 2020-09-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| JP6413412B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2018-10-31 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US9515009B2 (en) * | 2015-01-08 | 2016-12-06 | Texas Instruments Incorporated | Packaged semiconductor device having leadframe features preventing delamination |
| DE102015107515A1 (de) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Leiterrahmens und Leiterrahmen |
| CN106328796B (zh) * | 2015-06-29 | 2018-09-14 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极体封装结构及晶片承载座 |
| DE102015110429A1 (de) * | 2015-06-29 | 2017-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Leuchtvorrichtung |
| JP6751554B2 (ja) * | 2015-08-20 | 2020-09-09 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用樹脂成形体、表面実装型発光装置、及び発光素子実装用樹脂成形体に用いるリードフレーム |
| CN106571383B (zh) | 2015-10-08 | 2020-04-28 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
| US10825754B2 (en) * | 2016-08-05 | 2020-11-03 | Semiconductor Components Industries, Llc | Quad flat no leads package with locking feature |
| US10892211B2 (en) * | 2017-08-09 | 2021-01-12 | Semtech Corporation | Side-solderable leadless package |
| DE102017122410B4 (de) * | 2017-09-27 | 2024-04-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Vorrichtung mit Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Vorrichtungen |
| JP7048879B2 (ja) * | 2017-10-12 | 2022-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2024054731A (ja) * | 2022-10-05 | 2024-04-17 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020066905A1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-06-06 | Bily Wang | Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes |
| US6576989B1 (en) * | 2000-11-28 | 2003-06-10 | National Semiconductor Corporation | Locking of mold compound to conductive substrate panels |
| CN101246938A (zh) * | 2007-01-24 | 2008-08-20 | 克里公司 | 用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法 |
| US7964943B2 (en) * | 2008-11-18 | 2011-06-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6794738B2 (en) * | 2002-09-23 | 2004-09-21 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe-to-plastic lock for IC package |
| US8536688B2 (en) * | 2004-05-25 | 2013-09-17 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor |
| US20070290220A1 (en) * | 2006-06-20 | 2007-12-20 | Bily Wang | Package for a light emitting diode and a process for fabricating the same |
| JP2012234955A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Toshiba Corp | Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-03-30 CN CN201210088452.0A patent/CN103367619B/zh active Active
- 2012-09-14 US US13/620,556 patent/US8829561B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020066905A1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-06-06 | Bily Wang | Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes |
| US6576989B1 (en) * | 2000-11-28 | 2003-06-10 | National Semiconductor Corporation | Locking of mold compound to conductive substrate panels |
| CN101246938A (zh) * | 2007-01-24 | 2008-08-20 | 克里公司 | 用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法 |
| US7964943B2 (en) * | 2008-11-18 | 2011-06-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106463598A (zh) * | 2014-04-22 | 2017-02-22 | 首尔半导体株式会社 | 发光装置 |
| US9978919B2 (en) | 2014-04-22 | 2018-05-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10205076B2 (en) | 2014-04-22 | 2019-02-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
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