CN101246938A - 用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法 - Google Patents

用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101246938A
CN101246938A CNA2008100038323A CN200810003832A CN101246938A CN 101246938 A CN101246938 A CN 101246938A CN A2008100038323 A CNA2008100038323 A CN A2008100038323A CN 200810003832 A CN200810003832 A CN 200810003832A CN 101246938 A CN101246938 A CN 101246938A
Authority
CN
China
Prior art keywords
area
lead frame
reflector
package body
basal surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008100038323A
Other languages
English (en)
Inventor
骆万保
N·W·小梅登多普
E·塔萨
B·凯勒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Research Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Research Inc filed Critical Cree Research Inc
Publication of CN101246938A publication Critical patent/CN101246938A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种用于发光器件的模块化包装件,包括导线架,导线架包括具有顶表面、底表面和第一厚度的第一区域以及具有顶表面、底表面和小于第一厚度的第二厚度的第二区域。导线架还包括横向延伸离开第二区域的电导线,并且包装件还包括位于导线架上并围绕第一区域的热固包装件主体。热固包装件主体位于第二区域的顶表面和底表面上。泄漏阻挡件可以位于导线架上,并且包装件主体可以位于泄漏阻挡件上。同时还披露了形成包括位于导线架上的热固包装件主体的模块化包装件的方法。

Description

用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法
技术领域
本发明涉及一种固态发光器件,并且更特别是涉及一种用于固态发光器件的包装件以及形成用于固态发光器件的包装件的方法。
背景技术
公知的是将例如半导体发光器件的固态发光器件安装在可以为发光器件发射的光提供保护、颜色选择、聚焦和类似情况的包装件内。固态发光器件例如是有机或无机发光二极管(“LED”)。用于发光二极管的某些包装件在转让给本发明的受让人并结合于此作为参考的美国公开文本NO.2004/0079957、2004/012913以及2005/0269587中描述过。
所述参考公开文本中描述的包装件可适用于高功率、固态照明器材。但是,不管这里描述的优点,还需要其中可以安装多个LED的改进的包装件。特别是,在某些通用照明器材中,希望LED包装件包括多个LED,以便在可见光谱的不同区域内发射。通过LED发射的光可以组合,以便产生所需的光强度和/或颜色,例如白光或任何其它所需颜色。在这种情况下,希望的是包装件内的LED相对紧密地安装在一起。
典型的基于导线架的LED包装件包括电导线、用于将LED包装件电连接在外部电路上的触点或迹线。在图1A所示的典型LED包装件10中,LED晶片12通过焊料结合或者导电环氧树脂安装在反射杯13上。一个或多个丝焊(wirebond)11将LED晶片12的欧姆触点连接在可以与反射杯13附接或形成整体的导线15A和/15B上。反射杯13可以填充包含例如磷的波长转换材料的密封材料16。通过LED在第一波长下发射的光可以通过磷吸收,磷可以相应地在第二波长下发射光。整个组件接着封装在透明保护树脂14内,树脂可以模制成透镜形状,以便将从LED晶片12发射的光校准。但是,热量保持对于例如图1A所示的包装件10的包装件来说是个问题,这是由于它难以经由导线15A、15B吸收热量,因为导线15A、15B不能连接在散热器上,或者它们将电短路。另外,导线15A、15B通常由最大厚度为0.50mm的薄片制成,超过该厚度将难以制造和处理。
传统表面安装的基于导线架的包装件20表示在图1B中。包装件20包括安装在反射杯23上的LED晶片22。一个或多个丝焊21将LED晶片22的欧姆触点连接在导线25A和/或25B上,导线可以与反射杯23附接或形成整体。透明保护树脂24围绕该组件模制。反射杯23可以在形成导线架时通过冲制薄金属片形成。冲制反射杯23可以造成杯23的底部和/或侧壁变薄,因此减小其热扩散性能以及分散安装在杯底部上的半导体晶片产生的热量的能力。因此,较少热量经由导线25A、25B从包装件吸取,造成现在器件性能的热阻。这种类型的包装件通常可以只处理高达大约0.5瓦的最大功率。
发明内容
本发明的实施例提供一种用于发光器件的模块化包装件。模块化包装件包括导线架,导线架包括具有顶表面、底表面和第一厚度的第一区域以及具有顶表面、底表面和小于第一厚度的第二厚度的第二区域。导线架还包括横向延伸离开第二区域的电导线,并且包装件还包括位于导线架上并围绕第一区域的热固包装件主体。热固包装件主体可以位于第二区域的顶表面和底表面上。
第二区域可以包括位于导线架内的凹口,并且热固包装件主体可以至少部分填充凹口。
第一区域可以包括与电导线隔离的模具安装区域,并且热固包装件主体可以包括限定模具安装区域之上的光学空腔的上侧壁。上侧壁可以包括限定围绕模具安装区域的反射杯的倾斜的内表面,并且包装件还包括位于反射杯内的密封剂。
在某些实施例中,热固包装件主体的至少一部分可以延伸通过导线架。
第一区域可以在其中包括反射杯,反射杯包括从反射杯的上拐角延伸到反射杯的底部的倾斜侧壁。反射杯的底部和第一区域的底表面之间的第三厚度大于第二厚度。
第一区域的宽度大于反射杯的底部的宽度。另外,第一区域的宽度可以大于或等于其上拐角处的反射杯的宽度。
模块化包装件还可包括位于反射杯的底部上的承载基板、位于承载基板上的固态发光器件以及从固态发光器件到电导线的丝焊连接件。
热固包装件主体可包括限定反射杯之上的光学空腔的上侧壁。特别是,反射杯可包括第一反射杯,并且上侧壁可包括限定围绕第一反射杯的第二反射杯的倾斜内表面。
热固包装件主体可具有大致与第一区域的底表面共面的底表面。
模块化包装件还可包括多个电导线,并且第一区域可包括电连接到多个电导线的各自电导线上并且构造成接收发光器件的第一模具安装垫。
按照本发明的某些实施例形成用于固态发光器件的方法包括提供导线架,导线架包括具有第一顶表面、底表面和第一厚度的第一区域、具有顶表面、底表面和小于第一厚度的第二厚度的第二区域以及横向延伸离开第二区域的电导线。导线架放置在具有模具空腔的模具内,并且热固前体材料被分配到模具空腔内。压力施加在模具上,并且热固前体材料固化以便在导线架上形成热固包装件主体。
热固包装件主体可暴露第一区域的底表面,并且热固包装件主体可以至少形成在电导线的底表面之下。
第一区域可包括模具安装区域,并且热固包装件主体可包括限定位于模具安装区域之上的光学空腔并且包括限定围绕模具安装区域的反射杯的上侧壁,该方法还包括将密封剂分配到反射杯内。
热固包装件主体还可包括围绕第一区域的周边边缘,并且将透镜定位在反射杯之上包括使得透镜与周边边缘接触。
第一区域可包括位于其中的反射杯,反射杯包括从反射杯的上拐角延伸到反射杯的底部的倾斜侧壁。反射杯的底部和第一区域的底表面之间的第三厚度可大于第二厚度。该方法还包括将承载基板定位在反射杯的底部上,将固态发光器件定位在承载基板上,并且形成从固态发光器件到电导线的丝焊连接件。
形成热固包装件主体可包括形成热固包装件主体,以便暴露导线架的第一区域的底表面。
在某些实施例中,提供导线架可包括提供导线架坯料,导线架坯料具有顶表面、具有底表面并具有在导线架坯料的顶表面和第一区域的底表面之间的第一厚度的第一区域以及横向延伸离开第一区域的部分,横向延伸离开第一区域的该部分具有底表面和靠近第一区域从导线架的顶表面到延伸离开第一区域的该部分的底表面并小于第一厚度的第二厚度。反射杯被冲制在第一区域内。
将反射杯冲制在第一区域包括使得包括具有限定反射杯所需形状的形状的突出部的冲头在第一区域之上与导线架坯料的上表面接触,并且在冲头上施加足够能量以便将突出部的图像印制在导线架坯料的第一区域内。
该方法还包括将挤出的多余材料去除,同时从导线架坯料冲制反射杯。
反射杯可包括从反射杯的上拐角延伸到反射杯的底部的倾斜侧壁,并且反射杯的底部和第一区域的底表面之间的第三厚度大于第二厚度。
在某些实施例中,提供导线架包括提供具有顶表面和底表面的导线架坯料,并且有选择地蚀刻、滚压和/或铣削导线架坯料,以便提供具有底表面并具有导线架坯料的顶表面和该区域的底表面之间的第一厚度的第一区域以及具有底表面和从导线架的顶表面到第二区域的底表面并小于第一厚度的第二厚度的第二区域。有选择地蚀刻、滚压和/或铣削导线架坯料可包括有选择地蚀刻、滚压和/或铣削导线架坯料以便在导线架内形成凹口。
本发明的某些实施例提供用于发光器件的模块化包装件。包装件包括导线架,导线架包括具有顶表面、底表面和第一厚度的第一区域以及具有顶表面、底表面和小于第一厚度的第二厚度的第二区域。导线架还可包括横向延伸离开第二区域的电导线以及位于第一区域的表面或第二区域的表面上的泄漏阻挡件。该包装件主体位于第二区域的顶表面和底表面上,并且还位于泄漏阻挡件上。
泄漏阻挡件可包括位于导线架内的缺口或凹槽,并且包装件主体可至少部分位于缺口或凹槽内。在某些实施例中,泄漏阻挡件可包括位于导线架上的突出部。包装件主体可位于突出部上,使得突出部变得在包装件主体内模制。
包装件主体可包括热固材料(thermoset),例如热固塑料。
第二区域可包括位于导线架内的凹口,并且热固包装件主体可至少部分填充凹口。
第一区域可包括位于其顶表面上的安装区域。泄漏阻挡件可在安装区域之外位于第一区域的顶表面上,并且包装件主体可位于泄漏阻挡件上。
包装件主体可包括限定安装区域之上的光学空腔的上侧壁,上侧壁可包括限定围绕安装区域的反射杯的倾斜内表面。包装件还可包括位于反射杯内的密封剂。
导线架可包括支承导线,并且泄漏阻挡件可位于支承导线和/或电导线上。
第一区域可包括其顶表面和底表面之间的侧壁。泄漏阻挡件可位于侧壁上。特别是,泄漏阻挡件可包括来自于侧壁的突出部。
包装件还可包括靠近其底表面位于第一区域的拐角上的周边缺口。包装件主体可至少部分填充周边缺口,并暴露第一区域的底表面。
按照本发明的某些实施例形成用于固态发光器件的包装件的方法包括提供导线架,导线架包括具有顶表面、底表面和第一厚度的第一区域以及具有顶表面、底表面和小于第一厚度的第二厚度的第二区域。导线架还可包括横向延伸离开第二区域的电导线和位于第一区域或第二区域的表面上的泄漏阻挡件。该方法还可包括将导线架放置在具有模具空腔的模具内,将前体材料分配到模具空腔内,将压力施加在模具上,并且固化前体材料以便在导线架上形成包装件主体。包装件主体可形成在泄漏阻挡件上。
附图说明
被包括用来提供本发明的进一步理解并被结合以及构成此申请一部分的附图表示本发明的某些实施例。附图中:
图1A和1B是表示用于发光器件的传统包装件的截面侧视图;
图2A是顶视图,并且图2B和2C是截面侧视图,表示按照本发明的某些实施例用于一个或多个发光器件的导线架;
图3A是按照本发明的某些实施用于一个或多个发光器件的包装件侧视图,并且图3B是截面侧视图;
图4A和4B是按照本发明的某些实施例表示导线架形成的示意图;
图5是按照本发明其它实施例用于一个或多个发光器件的包装件的截面侧视图;
图6是按照本发明实施例构造成用于包装件的导线架的顶视图;
图7是按照本发明的实施例用于一个或多个发光器件的包装件的剖视图;以及
图8是按照本发明的其它实施例用于一个或多个发光器件的包装件的截面侧视图;
图9是表示按照本发明的实施例进行操作的流程图;
图10A-10C分别是按照本发明的某些实施例的双重规格导线架的前后立体投影图和顶视图;
图11A-11B分别是按照本发明的某些实施例的导线架/主体组件的前后立体投影图;
图12是按照本发明的某些实施例的导线架/主体组件的截面示意图;
图13是按照本发明的某些实施例在导线架和包装件主体之间的界面的详细截面图。
具体实施方式
此后将参考其中表示本发明的实施例的附图更加详细描述本发明。但是本发明可以多种不同的形式体现,并且不应该认为局限于这里提出的实施例。相反,提供这些实施例以便完整和全面进行披露,并且将本发明的范围完全传递给本领域的普通技术人员。在附图中,层和区域的尺寸和相对尺寸可以被夸大以便清楚目的。类似的标号整体上用于类似的元件。
将理解到在例如层、区域或衬底的元件描述为“位于”或延伸“到”另一元件上时,它可以直接位于或直接延伸到另一元件上,或者可以具有中间元件。相比之下,在元件被描述为“直接”位于或“直接”延伸到另一元件,将没有中间元件。还将理解到在元件被描述为“连接”或“耦连”到另一元件上时,它可以直接连接或耦连到另一元件上,或者具有中间元件。相比之下,在元件被描述为“直接连接”或“直接耦连”到另一元件上时,将没有中间元件。
例如“之下”或“之上”或“上部”或“下部”或“水平”或“横向”或“垂直”的相对术语这里可以用来如附图所示描述一个元件、层或区域相对于另一元件、层或区域的关系。将理解到这些术语用来包括装置在附图所示取向之外的不同取向。
将理解到虽然术语第一、第二等这里可以用来描述不同元件、部件、区域、层和/或区段,这些元件、部件、区域、层和/或区段不应该被这些术语所限制。这些术语只用来区分将一个元件、部件、区域、层或区段与另一区域、层或区段区分。因此,下面描述的第一元件、部件。区域或区段可以称为第二元件、部件、区域、层或区段,而不偏离本发明的教导。
除非另外说明,这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明所属的领域中普通技术人员通常理解的相同含义。还将理解到这里使用的术语应该解释为具有与说明书中的文字和相关领域中的含义一致的含义,并且除非这里明确限定,将不解释为理想化或过分正式的含义。
本发明的实施例这里参考作为本发明的理想化实施例(以及中间结构)的示意图的截面图进行描述。附图中的层和区域的厚度可以被夸大以便清楚目的。另外,可以考虑到由于例如制造技术和/或误差造成的所示形状变化。因此,本发明的实施例不应该认为局限于这里所示的区域的特定形状,而是包括由例如制造得出的形状变化。
如这里使用那样,术语半导体发光器件可包括发光二极管、激光二极管和/或其它半导体器件,这些半导体器件包括具有硅、碳化硅、氮化镓和/或其它半导体材料的一个或多个半导体层、可以包括蓝宝石、硅、碳化硅和/或其它微电子衬底的衬底以及可以包括金属和/或其它传导层的一个或多个接触层。在某些实施例中,可以提供紫外线、蓝色和/或绿色发光二极管(“LED”)。还可以提供红色和/或琥珀色LED。半导体发光器件的结构和制造对于本领域普通技术人员来说是公知的,并且不需要在这里详细描述。
例如,按照本发明的实施例包装的半导体发光器件可以是在碳化硅衬底上制造的基于氮化镓的LED或激光器,例如由Cree,Inc.ofDurham,North Carolina制造和销售的器件。LED和/或激光器可构造成相互协作,从而在所谓的“倒装晶片”的取向上经由衬底出现光发射。
现在参考图2A-2C,表示按照本发明的某些实施例的导线架100。图2A是导线架100的顶视图,而图2B和2C是沿着图2A的线A-A截取的截面图。导线架100包括中央区域102和延伸离开中央区域102的多个导线104、106。电导线104、106可以相互之间和/或与导线架100的中央区域102电隔离。导线可以配置成使得相反极性类型的导线(例如阳极或阴极)设置在导线架100的相对侧上,可有助于使用导线架100来串联连接包装件。
如图2A所示,导线架100还具有上表面100a。导线架100的中央区域102具有通过侧壁102c与导线104、106的下表面104b、104c隔开的大致平的下表面102b。中央区域102具有第一厚度(即导线架100的上表面100a和中央区域102的下表面102b之间的距离),并且电导线104、106具有小于第一厚度的第二厚度(即导线架100的上表面100a和各自导线架104、106的下表面104b、106b之间的距离)。
反射杯120形成在中央区域102内。反射杯124包括从导线架100的上表面100a延伸到定位在中央区域102内的底部124b的倾斜侧壁。反射杯124具有任意周边形状。但是,在图2A-2C所示的实施例中反射杯124具有大致圆形周边形状。因此,反射杯124可形成大致圆形的上凸唇124a,其中反射杯124与导线架100的上表面100a交叉。图2A-2C所示的反射杯124的侧壁具有锥形截面形状(例如截锥体)。但是,反射杯124的侧壁可形成其它形状,例如实心抛物线区段。
反射杯124的底部124b具有小于中央区域102的宽度(即中央区域102的侧壁102c之间的距离)的直径。另外,反射杯124的上凸唇124a具有小于或等于中央区域102的宽度的直径。此外,反射杯124的底部124b和中央区域102的下表面102b之间的中央区域102的厚度可以厚于电导线104、106。如下面更加详细描述那样,用于固态发光器件的包装件可经由导线架100的中央区域102而不经由导线104、106发散热量。因此,中央区域102的相对实际尺寸可以通过包装件的热阻改善包装件的热量散发性能。
通常,热阻与热量经由其中传导的表面面积成反比。即,以简化模型,热阻通过如下等式限定:
RTH=L/kA    (1)
其中k是热传导系数,L是热量经由其中散发的材料长度,以及A表示热量经由其中散发的面积。
在半导体包装件中,热量从相对小的晶片流动到模具附接垫的较低面积。因此,热量分布和传导不能通过例如等式(1)的简单单维公式来充分模型化。相反,包装件器件的热阻可以使用热分布阻力系数来更加准确地模型化,该系数考虑到晶片和模具附接垫及其邻接状态的三维几何形状。按照这种类型的分析,除了模具附接垫的热传导性之外,即热量散发(例如图2C-3B的中央区域102),晶片周围和下面的表面面积及其厚度是在经由例如热量散发器和外部散热器(可以是金属芯PCB(印刷电路板)或壳体)之间的焊接结合部的另一界面传导离开之前给出良好热量散发的两个最为重要的参数。因此,在双重规格导线架的结构中,中央区域102应该足够大和厚,以实现所需热量散发,可以造成整个包装件的良好热性能,从而更好地利用中央区域102的相对大的表面面积。
经由计算机模型化,例如根据肯尼迪热散发阻力图表的计算机模型化,已经发现具有低热阻的包装件可以实际和节省成本的方式通过使得铜衬底的两个相对侧上的半导体晶片的底侧(用作热源)以及焊垫(用作散热器)具有特定厚度来设计。因此,按照本发明的某些实施例,可以提供双重规格(厚度)的铜合金片材。片材的较薄区段可以冲制在电导线内,而片材的较厚部分可以冲制形成其前面上的模具附接垫和器后面上的焊垫。在本发明的特定实施例中,电流可通过较薄的导线充分传导,而热量可通过其中形成有模具附接垫并具有晶片底脚几倍的表面面积的较厚区段有效散发。在某些实施例中,较薄区段可以具有大约250μm的厚度,而较厚区段可具有大约550μm的厚度。
参考图2C,包括多个固态发光器件114的承载基板在其底部124B上安装在反射杯124内。承载基板116可包括例如氮化铝、碳化硅和/或形成有多个电迹线(未示出)的化学气相沉积(CVD)金刚石的非传导材料。氮化铝和碳化硅的热传导性是大约200W/MK,而CVD金刚石的热传导性是大约800W/MK。虽然可以使用其它的厚度,承载基板116的厚度可以从大约150到大约400μm。多个丝焊连接件112一方面在承载基板116和器件114之间形成,并且另一方面承载基板116和各自电导线104、106之间形成。
包括导线架100的包装件160表示在分别作为一个或多个发光器件的包装件160的侧视图和截面侧视图的图3A和3B中。参考图3A和3B,包装件160包括围绕导线架100的模制包装件主体130和安装在导线架100的中央区域102之上的透镜140。电导线104、106从包装件主体130的侧部延伸。除了透镜140之外,或者作为选择,可以设置例如反射器、扩散器等的其它光学器材。
包装件主体130可以例如由热固材料和/或热固塑料通过转移或注射模制围绕导线架100形成。热固塑料可包括例如从TiconaEngineering Polymers得到的Vectra系列聚合物A130和/或S135的液晶聚合物。其它适当的液晶聚合物可从Solvay Advanced Polymers得到。来自于GE Polymers的聚碳酸酯,Lexan和/或来自于SolvayAdvanced Polymers的PPA(聚邻苯二酰胺)也可用作包装件主体130的热固塑料。包括热固包装件主体的实施例在下面更加详细地描述。包装件主体130可暴露导线架100的中央区域102的底表面102b。包装件主体130可至少部分在导线104、106的下表面104b、106b和导线架100的中央区域102的下表面102b之间延伸,同时暴露中央区域102的下表面102b的至少一部分。另外,包装件主体130可具有与导线架100的中央区域102的底表面102b共面的底表面130b。但是,在某些实施例中,导线架100的中央区域102的底表面102b和包装件主体130的底表面130b可以不共面。例如,包装件主体130的底表面130b可以延伸离开导线架100的中央区域102的底表面102b。在其它实施例中,中央区域102可延伸离开包装件主体130。在包装件160安装时,导线架100的暴露表面100b可以置于与例如外部散热器(未示出)热接触。
如图3B所示,包装件主体130可以形成为暴露包括反射杯120的导线架100的中央区域102的上表面。包装件主体130可包括限定反射杯120和承载基板116之上的光学空腔150的相对上侧壁134。上侧壁134可包括限定位于第一反射杯124之上并围绕第一反射杯124的第二反射杯134。透镜140可在反射杯120之上至少部分定位在光学空腔150内。通过包装件主体130限定的反射杯120和光学空腔150可以填充例如液体密封材料,例如液体硅胶和/或环氧树脂,其中可以包括例如磷的波长转换材料。
透镜140可定位成与周边边缘136接触,周边边缘可如图3B所示限定在侧壁134内和/或是主体130的分开结构。周边边缘136可以确定透镜140在反射杯120内相对于固态发光器件140的垂直位置。另外,侧壁134可以包括周边边缘136外部的周边沟槽132。周边沟槽132可特别有利于例如硅胶的液体密封剂用作包装件150的密封件的情况,如下面描述那样。
在按照本发明的某些实施例组装包装件的过程中,液体密封剂分配到通过包装件主体130限定的空腔150内。透镜140接着降低到空腔150,其中它可接触液体密封剂。在液体密封剂固化时,它可用作胶,而将透镜140放置在包装件160内。在透镜140放置成与液体密封剂接触时,某些密封剂可围绕透镜140向上挤压,可能与包装件160的光学/机械性能干涉。在包括围绕周边边缘136的周边沟槽132的本发明的实施例中,透镜140插入空腔150,直到它接触周边边缘136为止。因此,周边边缘136的高度可准确确定透镜140和固态发光器件114之间的间距可以改善从包装件到包装件的光学均匀性。过多的液体密封剂材料可最好流到周边沟槽132内,而不向上并围绕透镜140流动。使用周边边缘和沟槽来控制密封剂材料和透镜放置在题为“Method ForPackaging A light Emitting Device And Packaged Light EmittingDevices”的美国公开物NO.2005/0218421中详细描述,该申请转让给本发明的受让人,并且结合于此作为参考。
按照本发明的实施例形成导线架100表示在图4A和4B中。如其中所示,导线架坯料100’包括中央区域102’和延伸离开中央区域102’的导线104、106。坯料可以由例如铜、铝或另一具有高热传导性的金属形成。中央区域102’可具有大约550μm的厚度,而导线102、106可具有大约250μm的厚度。中央区域102’具有大于导线104、106的厚度的厚度。坯料100’被放置在成形为接收坯料100’的支承构件320内。包括突出部315的冲头310与坯料100’接触,并且足够的能量(例如力和/或热量)被施加,以便将突出部315的图像印制在中央区域102’内。突出部315可具有倾斜侧壁,并且具有小于中央区域102’的宽度的宽度,使得突出部315在中央区域102’内形成反射杯124。在反射杯124形成时被挤出的过多材料(未示出)从完成的导线架100上去除。
按照本发明其它实施例的固态发光包装件260表示在图5中。包装件260包括导线架200,导线架包括位于导线架200的中央区域内的多个模具安装区域202以及延伸离开模具安装区域的多个电导线204、206。模具安装区域202的上表面和下表面暴露。在图5所示的实施例中,各自第一电导线206与相应的模具安装区域202形成整体,而第二电导线204与模具安装区域202电隔离。
导线架坯料200’在图6的顶视图中表示。导线架坯料200’包括与四个相应导线206a-d形成整体的四个模具安装区域202a-d。坯料200’还包括与模具安装区域202a-d隔离的四个电导线204a-d。模具安装区域202a-d和导线204a-d以及206a-d通过可以在包装件主体模制在导线架坯料200’之后去除的外部框架201保持就位。导线架坯料200’可以由具有低热阻的例如铜的金属制成,并且可以小于大约30密耳厚。在某些实施例中,导线架可以小于大约15密耳厚。如下面描述那样,导线架200可基本上薄于典型导线架,这是由于导线架200可直接安装在外部散热器上,使得热量经由与安装有发光器件214的导线架200的模具安装区域202a-d相对的大表面面积从导线架吸取。
返回图5,导线架200还包括具有减小厚度的区域224,在导线架200内限定凹口226。减小厚度区域224、226可以例如通过有选择地蚀刻导线架200的多个部分来形成。通过转移或注射模制,包装件主体230形成在导线架200上/围绕导线架形成。
包装件主体230可暴露模具安装区域202的底表面202b以及导线架200的底表面的其它部分。另外,包装件主体230可具有与导线架200的底表面200b共面的底表面230b。但是,在某些实施例中,导线架200的模具安装区域202的底表面202b和包装件主体230的底表面230b可以不共面。例如,包装件主体230的底表面230b可以延伸超过导线架200的模具安装区域202的底表面202b。在其它实施例中,模具安装区域202可延伸超过包装件主体230。在包装件260安装时,导线架200的暴露表面200b可置于与例如外部散热器(未示出)热接触。
包装件主体230还可形成为填充通过导线架200的减小厚度区域224限定的凹口226。因此,包装件主体230可以至少部分从减小厚度区域224的下表面延伸到导线架200的下表面200b。通过将凹口226填充包装件主体2130,包装件主体230可与导线架200形成强机械连接,而不需要粘合剂。但是,粘合剂可添加在用来形成包装件主体230的塑料上,以便防止或减小液体密封剂材料从光学空腔250经由包装件主体的塑料材料和导线架200之间的接缝或空间流出。
包装件主体230可以形成为暴露导线架200的模具安装区域202的上表面。包装件主体230可包括限定模具安装区域202之上的光学空腔250的相对上侧壁234。上侧壁234可包括限定模具安装区域202之上并围绕模具安装区域202的反射杯的倾斜内表面238。透镜240可在模具安装区域202之上至少部分定位在光学空腔250内。通过包装件主体230限定的光学空腔250可以填充例如液体密封剂材料,例如液体硅胶和/或环氧树脂,其中可以包括例如磷的波长转换材料。
透镜240可以定位在如图5所示限定在侧壁234内的周边边缘236之上和/或可以是主体230的分开结构。在某些实施例中,例如其中主体230由热固材料形成的实施例,希望透镜240不直接接触主体230。另外,侧壁234可包括周边边缘236外部的周边沟槽232。如上所述,周边沟槽232可在例如硅胶的液体密封剂用作包装件260的密封剂时特别有用,以便减小或降低密封剂材料在包装件组装过程中或之后挤出。
多个固态发光器件214安装在电连接在各自第一电导线206上的各自模具安装区域202上。丝焊连接件216形成在发光器件214和各自第二电导线204之间。
图7是按照本发明实施例的包装件260的透视剖视图,表示模制在导线架200上的包装件主体230。四个固态发光器件214在通过包装件主体230的侧壁234限定的光学空腔250内安装在导线架200上。固态发光器件通过丝焊216连接到从与第一电导线206相对的包装件的一侧延伸的各自第二电导线204上。透镜240定位在光学空腔250之上。
图8是按照本发明其它实施例用于固态发光器件的包装件360的截面图。包装件360经由与图5所示相同的参考标号的特征类似于图5所示的包装件260的相应特征。在包装件360中,除了提供插入包装件的透镜元件之外,透镜340通过将液体密封剂材料分配到通过侧壁230形成的空腔内并固化液体密封剂来形成。被分配的透镜在2005年8月4日提交的题为“Packages for Semiconductor Light EmittingDevices Utilizing Dispensed Encapsulants and Methods ofPackaging the Same”的美国专利申请序号NO.11/197096中描述,该申请转让给本发明的受让人,并且结合于此作为参考。
特别是,在发光器件214安装在模具安装区域202之后,可以进行密封剂材料330的第一分配,以便覆盖器件214。第一分配的材料可以包括例如磷的波长转换材料。根据所分配的材料数量,第一密封剂材料330可以形成通过侧壁部分234的上边缘344限定的凸起、平的或凹入的新月。第二密封剂材料335可接着固化,以便形成光学空腔250之上的透镜340。
本发明实施例可以形成用于固态发光器件的包装件,其中多个高功率器件靠近配置,造成较高光学性能发射,以及更好的颜色混合。另外,按照本发明的包装件的组装可以简化,这是由于包装件主体可以经由注射模制技术形成。
按照本发明的某些实施例,用于一个或多个固态发光器件的基于导线架的包装件可在固态发光器件和外部散热器之间提供短热路径,这是由于发光器件安装在散热器的一侧,同时导线架的相对侧用来接触外部散热器。另外,经由其中吸取热量导线架的表面面积可以大于模具安装区域,这可改善热吸收。
如上所述,使用注射模制热塑料以便在导线架上形成主体为通用目的的器件包装件的LED包装件提供低成本解决方法。但是,注射模制塑料不适用于所有目的。例如,注射模制塑料不适用于需要更强热性能和/或为内部包装的半导体晶片提供更多环境保护的包装件。
因此,本发明的某些实施例提供高功率半导体包装件,该包装件包括更强的高热性能合成衬底,该衬底包括位于双重规格金属导线架上并由热固材料形成的主体。使用热固材料以及双重规格的导线架可以提供特别的优点,这是由于热固材料能够填充导线架内的其中导线架的厚度变化的拐角和/或凹口,并且另外提供液体和/或气体进入/离开包装件的不需要的路径。使用热固材料形成的包装件主体可与导线架形成强的机械连接,这是部分由于导线架的双重规格的性质,并还可在导线架上形成紧密密封,减小和/或防止液体/气体流入和/或离开包装件,而不管导线架的双重规格的性能。因此,包括位于双重规格的导线架上的热固主体的包装件可以是机械稳定的和/或可以具有高程度的密封。热固材料可包括可热固的聚合物、共聚物、低聚物和/或弹性体(或塑料)或其混合物。
因此,按照本发明某些实施例的包装件可以提供多晶片、高性能混合LED包装件,该包装件与高焊料回流共晶模具附接过程相适应。本发明的其它实施例提供强的、高热器件包装件,该包装件可以在高操作功率下经受苛刻的环境操作条件,而没有不适当的扭曲、主体损坏、泄漏和/或失效。
可以按照本发明某些实施例使用的热固材料可包括环氧树脂、聚酰亚胺、酚醛树脂和/或任何其它可热固的材料。用于本发明的某些实施例的热固材料可转移模制在导线架上,例如冲制或蚀刻双重规格导线架。其它类型的模制可以用来在导线架上形成主体,例如注射模制和/或铸造。
在热固材料是化学交联(即固化)时,它将化学粘接在导线架上以便形成强的三维固态热固主体。主体/导线架组合可以形成为包括一个或多个功能结构,例如金属模具粘接垫、散热器和电导线、塑料空腔、透镜保持结构等,如以上结合图5描述那样。
虽然,如上所述,例如LCP(液晶聚合物)的热塑料可用来形成模制主体,热固主体可为安装在包装件内的器件提供增强的结构和/或环境保护。
特别是,如上所述热固材料与双重规格导线架组合使用能够意外地改善性能。如上所述,例如图3A和3B所示的导线架100和/或图5所示的导线架200的双重规格导线架可以通过铣削、冲制和/或滚压金属条带以便形成具有不同截面厚度的区域的导线架来制成。导线架的例如导线、散热器、模具附接垫等不同功能区域可接着在导线架的不同区段出制成和/或者冲制,以便提供所需的功能和/或性能。
例如热固塑料的热固材料是可以前体形式分配的聚合物材料,例如树脂,并且接着经由添加例如热量(通常接近200℃)或辐射的能量而固化成较强形式。固化过程通过交联过程将树脂转换成固态塑料,其中材料的分子链在化学活性位置出反应并链接成刚性三维结构。交联过程形成具有较大分子重量的分子,造成材料具有较高熔点或容易改变成碳和残留物,而不熔化。因此,热固材料可以在其固化之后不熔化和重新成形。由于交联过程中结合的三维网络的形成,热固材料通常强于热固材料。因此,热固材料可以比热塑材料更好地适用于高温应用。
例如环氧树脂和/或聚酰亚胺的大多数热固材料在它们与表面在交联(固化)过程中接触表面时将粘接在有机和/或无机表面上。表面处的这种结合可以非常强和/或可以使得流体或气体不透过,使得围绕安装在包装件内的半导体器件的软凝胶密封剂不会泄漏。另外,热固材料和导线架之间的结合可减小或防止湿气进入包装件,否则会造成器件失效。
相比之下,在包括热塑模制主体的包装件中,在塑性主体和模制其上的导线架之间会没有结合。因此,流体和/或气体可在两个方向上通过热塑料和导线架之间的界面。因此,可在热固材料在与与其模制的有机和/或无机表面处的热固材料的结合和密封性能中找到使用例如环氧树脂或聚酰亚胺的热固材料的优点。这种结合可减小和/或防止湿气和/或其它流体或气体通过界面。因此,与热塑料相比,热固材料可在界面处提供较高程度的密封性能。
许多热固材料可经受350℃以上的温度,而不变得变形或扭曲。通常,与各自只可经受高达大约280℃的例如PPA(例如Amodel)和/或LCP(例如Vectra)的传统热塑材料相比,热固材料能够经受较高温度。因此,大多数热塑材料不能经受通常用于用来安装某些LED包装件的表面安装技术的高焊料回流温度。
例如许多环氧树脂的热固材料可通过转移模制、压缩模制和/或组装过程来模制,以便形成具有非常细微细节和/或复杂结构的塑性主体。在模制/铸造过程中,热固材料可通常在其固化成固态之前首先转换成可流动状态。在流体状态下,高压可施加在材料上,使得流体树脂填充模具内的非常小的缝隙。热塑料不能填充热固材料所能填充的空间,这是由于用于热塑料的注射模具通常设置在热塑料的熔化温度以下的温度下,一旦进入模具空腔,会开始将热塑料冷却到固态。
因此,使用热固材料以及双重规格导线架可以提供特别的优点,这是由于热固材料能够填充其中导线架的厚度变化的导线架内的拐角和/或凹口。如结合图5所述那样,通过将导线架内的例如凹口226的凹口填充包装件主体230,包装件主体230可与导线架200形成强机械连接,而不需要粘合剂。通过使用热固材料,包装件主体可与导线架形成强的机械连接,并且还在导线架上形成紧密密封,可以减小和/或防止液体/气体流入和/或离开包装件。因此,如上所述,包括位于双重规格导线架上的热固主体的包装件可以机械稳定和/或可以具有高程度的密封性能。
虽然与使用热塑料相比,使用转移模制热固材料来形成导线架主体的成本会更昂贵,包装件成本的总体增加可以忽略不计。另外,在希望较高热性能、包装件质量和/或可靠性的的应用中,热固材料的使用可以在经济上得到补偿。
图9是表示按照本发明某些实施例进行操作900的流程图。如这里所示那样,设置规格导线架(方框910)。双重规格导线架可以例如如上所述通过铣削、蚀刻、滚压和/或冲制金属坯料来形成,使得导线架具有在其中凹入部分和/或较厚部分。
双重规格导线架接着放置在具有将要模制在导线架上的塑性主体的形状的模具空腔内(方框920)。
热固材料的实例是来自于Nitto Denko的环氧树脂和苯酚酚醛树脂。这种材料可以预定重量百分比装载添加剂颗粒,例如球形、可熔硅石和/或不规则形状的TiO2(二氧化钛)固态颗粒和/或碳纤维,以便获得所需物理性能,例如热膨胀系数(CTE)、弹性模量、光学表面反射系数、热偏移温度(HDT)等。
固态或液态的热固树脂接着装载或分配到模具空腔内(方框930),在高温下固化(通常在大约175℃)。压力(几百psia)施加在热固树脂上,将树脂推入模具的流道系统。此时,固态树脂将熔化成粘度非常低的溶液。液体树脂可接着容易流过模具流道进入模具空腔,填充双重规格导线架的小缝隙和拐角和凹口(方框940)。模具上的压力增加到大约1000psia,以便将树脂压缩到模具内的最小间隙内。
在模具空腔内,液体热固材料连续经受大约175℃或更大的高模具温度以及大约1000psia的高材料压力。在这些条件下,液体热固材料将在3-5分钟内固化/凝固(方框950)。如上所述,在热固材料固化时,出现交联过程,其构成单体或聚合物相互化学反应,以便形成大的三维分子,将刚性和高熔点赋予固态热固材料。交联作用还造成热固材料化学粘接或结合在双重规格的导线架上,将机械稳定性赋予所得主体/导线架结构,并且为导线架提供紧密密封。这种结合现象可以有利于半导体发光二极管的包装件,其中密封剂可接着容纳和包含在内部,而不从而包装件泄漏。
由于热固树脂容易结合到表面上,模具空腔可由硬化模具钢制成并且抛光成镜面光洁度,以便减小硬化热固材料粘接在模具空腔上的趋势。另外,强喷射器可用来将模制部件喷射离开模具空腔。
图10-13表示LED包装件,该包装件特别适用于热固材料或热塑材料,并且可具有减小液体或软凝胶密封剂从包装件泄漏,并且增加包装件的可靠性。例如,图10A、10B和10C分别是特别适用于例如图11A和11B的立体投影图所示的包装件主体420的包装件主体的双重规格导线架400的前后立体投影图和顶视图。
特别是,参考图10A-10C,导线架400包括用作散热器并提供可以安装例如图12所示的承载基板的承载基板的安装表面404的较厚中央部分402。多个相对较薄的导线406朝着中央部分402延伸。特别是,导线架400的中央部分可具有大约0.5mm的厚度,而导线406可具有大约0.25mm的厚度。在某些实施例中,导线架400的中央部分具有大约0.55mm的厚度。导线架400可包括具有大约370-400W/m°K的热传导性的例如铜和/或铜合金。
在形成包装件主体之前,中央部分402和导线406通过支承框架410保持就位。导线406可直接附接在支承框架410上,而中央部分402可通过一个或多个支承导线412附接在支承框架401上。一旦包装件主体形成在导线架400上,导线406和中央部分402可从支承框架410上脱离。
导线架400包括有助于改善最终包装件的整体性的附加特征。例如,多个泄漏阻挡件408可形成在导线架400的中央部分402的安装表面404之上/内部。泄漏止挡件408可包括可以蚀刻和/或冲制在导线架400内的例如缺口和/或凹槽的特征。在包装件主体形成在导线架上时,包装件主体的材料可流入泄漏阻挡件408,并在固化时凝固在泄漏阻挡件408上或内部。泄漏阻挡件408可提供三维表面,以便将包装件主体结合在导线架400上。另外,泄漏阻挡件408可提供可能的泄漏必须经过其中的较长路径,因此可能减小可能进入或离开包装件光学空腔的泄漏的可能性。(由于加热或冷却,在LED包装件中的软凝胶密封剂材料膨胀或收缩时会出现泄漏)。
泄漏阻挡件408还可形成在导线406上以及支承导线412上,如图10A-10C进一步所示那样。
支承导线412还可包括断裂结构409,该结构在支承导线412内包括较深的缺口和/或凹槽,支承导线可容易在该结构处断裂或剪切,以便将中央部分402与支承框架410上分开。在某些实施例中,断裂结构409可以定位成使其位于包装件主体的周边内,从而在支承导线412断裂时,支承导线412的部分都不延伸到包装件主体的周边外部。
参考图11A和11B,包装件主体420可以形成在导线架400上。特别是,包装件主体420可以形成为暴露导线架400的中央部分402的安装表面404的至少一部分。
包装件主体420可包括例如热固塑料的热固材料。为了防止泄漏,希望的是通过热固材料尽可能封闭导线架400,只留有暴露用于模具附接、丝焊和散热器的足够的表面面积。包装件主体420还可包括限定安装表面404之上的光学空腔415的侧壁425。另外,每个导线406的至少一部分在空腔415内暴露。与安装表面404相对的中央部分402的底表面405同样通过包装件主体420暴露。底表面405可提供用于包装件的热量散发。因此,希望的是底表面405尽可能暴露。
图12是按照本发明的实施例形成在导线架400上的包装件主体420’示意截面图。包装件主体420’和导线架400的某些尺寸和/或特征被夸大以便说明目的。如图12所示,承载基板450安装在导线架400的中央部分的安装表面404上。多个LED晶片460安装在承载基板450的电迹线上。承载基板450可包括例如电隔离、热传导材料,例如氮化铝。
LED晶片经由丝焊419连接到承载基板450上的电结合垫(未示出)上,继而经由丝焊417连接到导线406上。因此,承载基板/LED晶片组件可作为模块化单元预先组装并安装在导线架400上。
包装件主体420’包括在导线架400之上延伸并限定LED晶片460之上的光学空腔415的侧壁425。侧壁425的至少一部分形成在包括泄漏阻挡件408的导线406和中央部分402的表面上,使得包装件主体420’如上所述与导线架形成强机械连接以及可以减小或防止进入/离开光学空腔415的泄漏的连接。
另外,导线架400的中央部分402可包括增强最终包装件的机械稳定性和/或防止泄漏能力的其它特征。例如,导线架400的中央部分402可包括在安装表面404及其底表面405之间位于中央部分402的侧壁上的蚀刻和/或冲制结构,例如突出部418。对于泄漏阻挡件408来说,突出部418可通过增加任何泄漏进入/离开光学空腔415的可能路径的长度而减小或防止泄漏。突出部418可进一步改善包装件主体412’和导线架400之间的机械连接。
另外,周边缺416可靠近其底表面405形成在导线架400的中央部分402的底部拐角内。周边缺口416可例如通过冲制形成。另外,将周边缺口416冲制在导线架400的中央部分402内可经由在导线架400的中央部分402的侧壁内形成有利突出部418的辅助效果。
泄漏阻挡件408更加详细地表示在作为导线架/主体组件的一部分的局部截面图的图13内。如其中所示,泄漏阻挡件408可包括冲制在导线架400的导线406内的缺口。主体420至少部分延伸到泄漏阻挡件408内。如上所述,热固材料可用于填充非常小的空间。因此,特别有利的是使用热固材料而在包括泄漏阻挡件408的实施例中形成包装件主体,这是由于热固材料可有效地填充并结合在用作泄漏阻挡件的小缺口上。
为了进一步增加最终包装件防止泄漏能力,包装件主体420、420’可由具有大致与导线架400的热膨胀系数匹配的热膨胀系数的热固材料来形成。例如,某些热固塑料具有大约17.7ppm/℃的热膨胀系数,而可用来形成导线架400的铜可具有大约18ppm/℃的热膨胀系数。
以上描述说明了本发明,并且不认为是其限制。虽然已经描述了本发明的几个示例性实施例,本领域普通技术人员容易理解到在示例性实施例中可以进行多种改型而不根本偏离本发明的新颖教导和有利之处。因此,所有变型认为是包括在由权利要求限定的本发明的范围内。因此,应该理解到以上描述说明了本发明,而不认为局限于所披露的特定实施例,并且所披露的实施例以及实施例的变型旨在包括在所附权利要求的范围内。本发明通过下面的权利要求以及其中包括的权利要求的等同物来限定。

Claims (52)

1.一种用于发光器件的模块化包装件,包括
导线架,导线架包括具有顶表面、底表面和第一厚度的第一区域以及具有顶表面、底表面和小于第一厚度的第二厚度的第二区域,导线架还包括横向延伸离开第二区域的电导线,以及
位于导线架上并围绕第一区域的热固包装件主体,其中热固包装件主体位于第二区域的顶表面和底表面上。
2.如权利要求1所述的模块化包装件,其特征在于,第二区域包括位于导线架内的凹口,其中热固包装件主体至少部分填充凹口。
3.如权利要求1所述的模块化包装件,其特征在于,第一区域包括安装区域,并且其中电导线与安装区域隔离,并且其中热固包装件主体包括限定安装区域之上的光学空腔的上侧壁。
4.如权利要求3所述的模块化包装件,其特征在于,上侧壁包括限定围绕安装区域的反射杯的倾斜的内表面,包装件还包括位于反射杯内的密封剂。
5.如权利要求1所述的模块化包装件,其特征在于,热固包装件主体的至少一部分延伸通过导线架。
6.如权利要求1所述的模块化包装件,其特征在于,第一区域包括位于其中的反射杯,反射杯包括从反射杯的上拐角延伸到反射杯的底部的倾斜侧壁;
其中反射杯的底部和第一区域的底表面之间的第三厚度大于第二厚度。
7.如权利要求6所述的模块化包装件,其特征在于,第一区域的宽度大于反射杯的底部的宽度。
8.如权利要求6所述的模块化包装件,其特征在于,第一区域的宽度大于或等于其上拐角处的反射杯的宽度。
9.如权利要求6所述的模块化包装件,其特征在于,还包括位于反射杯的底部上的承载基板、位于承载基板上的固态发光器件以及从固态发光器件到电导线的丝焊连接件。
10.如权利要求6所述的模块化包装件,其特征在于,热固包装件主体包括限定反射杯之上的光学空腔的上侧壁。
11.如权利要求10所述的模块化包装件,其特征在于,反射杯包括第一反射杯,并且上侧壁包括限定围绕第一反射杯的第二反射杯的倾斜内表面。
12.如权利要求1所述的模块化包装件,其特征在于,热固包装件主体具有大致与第一区域的底表面共面的底表面。
13.如权利要求1所述的模块化包装件,其特征在于,还包括多个电导线,其中第一区域包括电连接到多个电导线的各自电导线上并构造成接收发光器件的多个安装垫。
14.如权利要求1所述的模块化包装件,其特征在于,热固包装件主体包括热固塑料。
15.一种形成用于固态发光器件的方法,包括:
提供导线架,导线架包括具有第一顶表面、底表面和第一厚度的第一区域、具有顶表面、底表面和小于第一厚度的第二厚度的第二区域,导线架还包括横向延伸离开第二区域的电导线;
将导线架放置在具有模具空腔的模具内;
将热固前体材料分配到模具空腔内;
将压力施加在模具上,以及
将热固前体材料固化以便在导线架上形成热固包装件主体。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,热固包装件主体暴露第一区域的底表面,并且热固包装件主体至少形成在电导线的底表面之下。
17.如权利要求15所述的方法,其特征在于,第一区域包括安装区域,其中热固包装件主体包括限定位于安装区域之上的光学空腔并包括限定围绕安装区域的反射杯的上侧壁,该方法还包括将密封剂分配到反射杯内。
18.如权利要求17所述的方法,其特征在于,热固包装件主体还包括围绕第一区域的周边边缘,并且其中将透镜定位在反射杯之上包括使得透镜与周边边缘接触。
19.如权利要求18所述的方法,其特征在于,第一区域包括位于其中的反射杯,反射杯包括从反射杯的上拐角延伸到反射杯的底部的倾斜侧壁,其中反射杯的底部和第一区域的底表面之间的第三厚度大于第二厚度,该方法还包括将承载基板定位在反射杯的底部上,将固态发光器件定位在承载基板上,并且形成从固态发光器件到电导线的丝焊连接件。
20.如权利要求19所述的方法,其特征在于,形成热固包装件主体包括形成热固包装件主体,以便暴露导线架的第一区域的底表面。
21.如权利要求15所述的方法,其特征在于,提供导线架包括:
提供导线架坯料,导线架坯料具有顶表面、具有底表面并具有在导线架坯料的顶表面和第一区域的底表面之间的第一厚度的第一区域以及横向延伸离开第一区域的部分,横向延伸离开第一区域的该部分具有底表面和靠近第一区域从导线架的顶表面到延伸离开第一区域的该部分的底表面并小于第一厚度的第二厚度;以及
反射杯被冲制在第一区域内。
22.如权利要求21所述的方法,其特征在于,将反射杯冲制在第一区域包括使得包括具有限定反射杯所需形状的形状的突出部的冲头在第一区域之上与导线架坯料的上表面接触;以及
在冲头上施加足够能量以便将突出部的图像印制在导线架坯料的第一区域内。
23.如权利要求22所述的方法,其特征在于,还包括将挤出的多余材料去除,同时从导线架坯料冲制反射杯。
24.如权利要求23所述的方法,其特征在于,反射杯包括从反射杯的上拐角延伸到反射杯的底部的倾斜侧壁,以及
其中反射杯的底部和第一区域的底表面之间的第三厚度大于第二厚度。
25.如权利要求15所述的方法,其特征在于,提供导线架包括提供具有顶表面和底表面的导线架坯料,以及
有选择地蚀刻、滚压和/或铣削导线架坯料,以便提供具有底表面并具有导线架坯料的顶表面和该区域的底表面之间的第一厚度的第一区域以及具有底表面和从导线架的顶表面到第二区域的底表面并小于第一厚度的第二厚度的第二区域。
26.如权利要求25所述的方法,其特征在于,有选择地蚀刻、滚压和/或铣削导线架坯料包括有选择地蚀刻、滚压和/或铣削导线架坯料以便在导线架内形成凹口。
27.如权利要求15所述的方法,其特征在于,分配热固前体材料包括分配热固塑料前体材料。
28.一种用于发光器件的模块化包装件,包括:
导线架,导线架包括具有顶表面、底表面和第一厚度的第一区域以及具有顶表面、底表面和小于第一厚度的第二厚度的第二区域,导线架还包括横向延伸离开第二区域的电导线以及位于第一区域的表面或第二区域的表面上的泄漏阻挡件,
包装件主体位于导线架上并围绕第一区域,其中包装件主体位于第二区域的顶表面和底表面上,并且其中包装件主体位于泄漏阻挡件上。
29.如权利要求28所述的模块化包装件,其特征在于,泄漏阻挡件包括位于导线架内的缺口或凹槽,其中包装件主体至少部分位于缺口或凹槽内。
30.如权利要求28所述的模块化包装件,其特征在于,泄漏阻挡件包括位于导线架上的突出部,其中包装件主体位于突出部上。
31.如权利要求28所述的模块化包装件,其特征在于,包装件主体包括热固材料。
32.如权利要求28所述的模块化包装件,其特征在于,第二区域包括位于导线架内的凹口,其中热固包装件主体至少部分填充凹口。
33.如权利要求28所述的模块化包装件,其特征在于,第一区域包括位于其顶表面上的安装区域,其中泄漏阻挡件在安装区域之外位于第一区域的顶表面上,并且其中包装件主体位于泄漏阻挡件上。
34.如权利要求33所述的模块化包装件,其特征在于,包装件主体包括限定安装区域之上的光学空腔的上侧壁,其中上侧壁包括限定围绕安装区域的反射杯的倾斜内表面,该包装件还包括位于反射杯内的密封剂。
35.如权利要求28所述的模块化包装件,其特征在于,泄漏阻挡件位于电导线上。
36.如权利要求28所述的模块化包装件,其特征在于,导线架包括支承导线,其中泄漏阻挡件位于支承导线上。
37.如权利要求28所述的模块化包装件,其特征在于,第一区域包括其顶表面和底表面之间的侧壁,并且其中泄漏阻挡件位于侧壁上。
38.如权利要求37所述的模块化包装件,其特征在于,泄漏阻挡件包括来自于侧壁的突出部。
39.如权利要求28所述的模块化包装件,其特征在于,第一区域包括其顶表面和底表面之间的侧壁,包装件还包括靠近其底表面位于第一区域的拐角上的周边缺口,其中包装件主体至少部分填充周边缺口,并暴露第一区域的底表面。
40.一种形成用于固态发光器件的包装件的方法,包括:
提供导线架,导线架包括具有顶表面、底表面和第一厚度的第一区域以及具有顶表面、底表面和小于第一厚度的第二厚度的第二区域,导线架还包括横向延伸离开第二区域的电导线和位于第一区域或第二区域的表面上的泄漏阻挡件;
将导线架放置在具有模具空腔的模具内;
将前体材料分配到模具空腔内;
将压力施加在模具上;以及
固化前体材料以便在导线架上形成包装件主体,其中包装件主体位于泄漏阻挡件上。
41.如权利要求40所述的方法,其特征在于,包装件主体包括热固材料。
42.如权利要求40所述的方法,其特征在于,包装件暴露第一区域的底表面,并且其中包装件主体至少部分形成在电导线的底表面之下。
43.如权利要求40所述的方法,其特征在于,第一区域包括位于其顶表面上的安装区域,并且其中包装件主体包括限定安装区域之上的光学空腔并且包括限定围绕安装区域的反射杯的倾斜内表面的上侧壁,该方法还包括将密封剂分配到反射杯内。
44.如权利要求40所述的方法,其特征在于,泄漏阻挡件包括导线架内的缺口或凹槽,其中包装件主体至少部分形成在缺口或凹槽内。
45.如权利要求40所述的方法,其特征在于,泄漏阻挡件包括导线架上的突出部,其中包装件主体形成在突出部上。
46.如权利要求40所述的方法,其特征在于,第二区域包括导线架内的凹口,其中包装件主体至少部分填充凹口。
47.如权利要求40所述的方法,其特征在于,第一区域包括其顶表面上的安装区域,其中泄漏阻挡件在安装区域之外位于第一区域的顶表面上,并且其中包装件主体形成在泄漏阻挡件上。
48.如权利要求40所述的方法,其特征在于,泄漏阻挡件位于电导线上。
49.如权利要求40所述的方法,其特征在于,导线架包括支承导线,其中泄漏阻挡件位于支承导线上。
50.如权利要求40所述的方法,其特征在于,第一区域包括其顶表面和底表面之间的侧壁,并且其中泄漏阻挡件形成在侧壁上。
51.如权利要求50所述的方法,其特征在于,泄漏阻挡件包括来自于侧壁的突出部。
52.如权利要求40所述的方法,其特征在于,第一区域包括其顶表面和底表面之间的侧壁,该方法还包括靠近第一区域的底表面在第一区域的拐角上形成周边缺口,其中包装件主体形成为至少部分填充周边缺口并暴露第一区域的底表面。
CNA2008100038323A 2007-01-24 2008-01-24 用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法 Pending CN101246938A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/657347 2007-01-24
US11/657,347 US8044418B2 (en) 2006-07-13 2007-01-24 Leadframe-based packages for solid state light emitting devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101246938A true CN101246938A (zh) 2008-08-20

Family

ID=39564134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008100038323A Pending CN101246938A (zh) 2007-01-24 2008-01-24 用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8044418B2 (zh)
JP (2) JP5215678B2 (zh)
CN (1) CN101246938A (zh)
DE (1) DE102008004443A1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102185084A (zh) * 2011-04-26 2011-09-14 深圳市天电光电科技有限公司 Led封装支架及其单体、led封装结构
CN102257646A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 三星Led株式会社 发光器件封装、背光单元、显示器件和发光器件
CN102318091A (zh) * 2009-03-10 2012-01-11 株式会社纳沛斯Led Led引线框封装、使用led引线框封装的led封装及制造led封装的方法
CN102738373A (zh) * 2011-04-11 2012-10-17 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
WO2013075309A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Water resistant led devices and led display including the same
CN103311402A (zh) * 2012-03-16 2013-09-18 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装以及承载板
CN103367619A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构
CN105679728A (zh) * 2014-12-03 2016-06-15 瑞萨电子株式会社 半导体装置
CN107808867A (zh) * 2016-09-09 2018-03-16 德克萨斯仪器股份有限公司 用于半导体装置封装的可点焊引线

Families Citing this family (218)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8816369B2 (en) * 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
JP4744178B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
KR100765240B1 (ko) * 2006-09-30 2007-10-09 서울옵토디바이스주식회사 서로 다른 크기의 발광셀을 가지는 발광 다이오드 패키지및 이를 채용한 발광 소자
US8421088B2 (en) * 2007-02-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode
US8604506B2 (en) * 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
TW200900626A (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Ama Precision Inc Illumination device and optical component fixed structure
JP5043554B2 (ja) * 2007-08-07 2012-10-10 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR101365621B1 (ko) * 2007-09-04 2014-02-24 서울반도체 주식회사 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지
US9666762B2 (en) 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US9172012B2 (en) 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US9082921B2 (en) 2007-10-31 2015-07-14 Cree, Inc. Multi-die LED package
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
JP2009246343A (ja) * 2008-03-11 2009-10-22 Rohm Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
KR101526567B1 (ko) * 2008-05-07 2015-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2009278012A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Meio Kasei:Kk Led装置用パッケージ
TW201007988A (en) * 2008-05-16 2010-02-16 Meioh Plastics Molding Co Ltd LED package, lead frame and method for producing the same
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
KR100888236B1 (ko) * 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
US20100127288A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode devices and methods for fabricating the same
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US10431567B2 (en) 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
US8269248B2 (en) * 2009-03-02 2012-09-18 Thompson Joseph B Light emitting assemblies and portions thereof
US8058667B2 (en) * 2009-03-10 2011-11-15 Nepes Led Corporation Leadframe package for light emitting diode device
US8610156B2 (en) * 2009-03-10 2013-12-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
TWM366757U (en) * 2009-04-27 2009-10-11 Forward Electronics Co Ltd AC LED packaging structure
US8957435B2 (en) * 2009-04-28 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device
US9269875B2 (en) * 2009-05-20 2016-02-23 Intellectual Discovery Co., Ltd. Light emitter
DE102009032253B4 (de) 2009-07-08 2022-11-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektronisches Bauteil
US7932532B2 (en) * 2009-08-04 2011-04-26 Cree, Inc. Solid state lighting device with improved heatsink
CN102024882A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管装置及其制造方法
JP5381563B2 (ja) * 2009-09-29 2014-01-08 凸版印刷株式会社 発光素子用リードフレーム基板の製造方法
TWI408310B (zh) * 2009-09-29 2013-09-11 Liang Meng Plastic Share Co Ltd 照明裝置及其製造方法
TW201115775A (en) * 2009-10-19 2011-05-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package structure
TW201115795A (en) * 2009-10-20 2011-05-01 Forward Electronics Co Ltd LED package structure and its manufacturing process
US20110089448A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single Encapsulant For A Plurality Of Light Sources
US7893445B2 (en) * 2009-11-09 2011-02-22 Cree, Inc. Solid state emitter package including red and blue emitters
WO2011062148A1 (ja) * 2009-11-19 2011-05-26 株式会社 明王化成 半導体用パッケージ及び放熱形リードフレーム
TWI412697B (zh) * 2009-12-09 2013-10-21 Asda Technology Co Ltd 多發光二極體光源燈件
JP2011146611A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Stanley Electric Co Ltd 発光素子パッケージ、及びこれを用いた線状発光装置、面状発光装置
CN102751426B (zh) * 2010-01-20 2015-08-12 光宝电子(广州)有限公司 封装结构及发光二极管封装结构
JP5378568B2 (ja) * 2010-01-29 2013-12-25 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5010716B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5383611B2 (ja) * 2010-01-29 2014-01-08 株式会社東芝 Ledパッケージ
US8508127B2 (en) * 2010-03-09 2013-08-13 Cree, Inc. High CRI lighting device with added long-wavelength blue color
US8710525B2 (en) * 2010-03-15 2014-04-29 Nichia Corporation Light emitting device
DE102010012039A1 (de) * 2010-03-19 2011-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US8525213B2 (en) * 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
JP2011228687A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Dainippon Printing Co Ltd Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法
KR101867106B1 (ko) 2010-03-30 2018-06-12 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Led용 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 led용 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법
US9240526B2 (en) 2010-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material
JP5506531B2 (ja) * 2010-05-13 2014-05-28 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
US8455888B2 (en) * 2010-05-20 2013-06-04 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode module, and light emitting diode lamp
US20130043502A1 (en) * 2010-05-31 2013-02-21 Panasonic Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
CN102946787B (zh) * 2010-06-22 2015-08-26 欧司朗股份有限公司 照明设备
CN101887943A (zh) * 2010-06-22 2010-11-17 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种plcc led、led背光模块及手机
JP5871174B2 (ja) * 2010-07-16 2016-03-01 大日本印刷株式会社 Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法
US9831393B2 (en) * 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
KR101778832B1 (ko) 2010-11-02 2017-09-14 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Led 소자 탑재용 리드 프레임, 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 소자 탑재용 리드 프레임
USD712850S1 (en) 2010-11-18 2014-09-09 Cree, Inc. Light emitter device
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
USD707192S1 (en) 2010-11-18 2014-06-17 Cree, Inc. Light emitting device
USD721339S1 (en) 2010-12-03 2015-01-20 Cree, Inc. Light emitter device
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US8575639B2 (en) 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9240395B2 (en) 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
USD706231S1 (en) 2010-12-03 2014-06-03 Cree, Inc. Light emitting device
KR101626412B1 (ko) 2010-12-24 2016-06-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
BR112013001195B1 (pt) * 2010-12-28 2021-03-02 Nichia Corporation dispositivo emissor de luz e método para fabricar o mesmo
KR20120093679A (ko) * 2011-02-15 2012-08-23 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US8809880B2 (en) 2011-02-16 2014-08-19 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
US9048396B2 (en) 2012-06-11 2015-06-02 Cree, Inc. LED package with encapsulant having planar surfaces
US8729589B2 (en) 2011-02-16 2014-05-20 Cree, Inc. High voltage array light emitting diode (LED) devices and fixtures
US10098197B2 (en) 2011-06-03 2018-10-09 Cree, Inc. Lighting devices with individually compensating multi-color clusters
US10147853B2 (en) * 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
KR101852388B1 (ko) * 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US8921875B2 (en) 2011-05-10 2014-12-30 Cree, Inc. Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods
KR101832306B1 (ko) 2011-05-30 2018-02-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US8814621B2 (en) 2011-06-03 2014-08-26 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US8729790B2 (en) 2011-06-03 2014-05-20 Cree, Inc. Coated phosphors and light emitting devices including the same
US8906263B2 (en) 2011-06-03 2014-12-09 Cree, Inc. Red nitride phosphors
US8747697B2 (en) 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
US20120314419A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Wen-Kung Sung Heat dissipation structure of light-emitting diode
US8684569B2 (en) 2011-07-06 2014-04-01 Cree, Inc. Lens and trim attachment structure for solid state downlights
CN103782402B (zh) 2011-07-21 2017-12-01 克利公司 用于改进的化学抗性的发光体器件封装、部件和方法、以及相关方法
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US20130032828A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Hsu Takeho Led light strip module structure
US8513693B2 (en) * 2011-08-08 2013-08-20 Intellectual Discovery Co., Ltd. Miniature leadless surface mount lamp with dome and reflector cup
US9397274B2 (en) * 2011-08-24 2016-07-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US8853726B2 (en) * 2011-08-25 2014-10-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting system having the same
US8964977B2 (en) * 2011-09-01 2015-02-24 Sonic Ip, Inc. Systems and methods for saving encoded media streamed using adaptive bitrate streaming
CN103022275B (zh) * 2011-09-23 2015-05-20 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 发光二极管的封装方法
KR101186815B1 (ko) * 2011-10-10 2012-10-02 김영석 Led 패키지
KR101168854B1 (ko) * 2011-10-10 2012-07-26 김영석 Led 패키지의 제조방법
JP5873678B2 (ja) * 2011-10-12 2016-03-01 アピックヤマダ株式会社 Ledパッケージ用基板の製造方法、および、ledパッケージの製造方法
USD705181S1 (en) 2011-10-26 2014-05-20 Cree, Inc. Light emitting device component
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
CN103176309A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 康佳集团股份有限公司 使用大功率led灯的液晶模组
US9318669B2 (en) 2012-01-30 2016-04-19 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
KR20130104026A (ko) * 2012-03-12 2013-09-25 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
KR20130107536A (ko) * 2012-03-22 2013-10-02 삼성전자주식회사 Led패키지 및 그 제조방법
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
TWI476966B (zh) * 2012-03-30 2015-03-11 Lite On Electronics Guangzhou 金屬支架結構及其發光二極體結構
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
JP2013239540A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
CN103426979B (zh) * 2012-05-18 2016-06-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
US9887327B2 (en) 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US10424702B2 (en) 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
DE102012215449A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe
KR101957701B1 (ko) * 2012-11-14 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN103887400A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US9316382B2 (en) 2013-01-31 2016-04-19 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for connecting light emitting diode (LED) modules
US9030103B2 (en) 2013-02-08 2015-05-12 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable scotopic / photopic ratio
US9345091B2 (en) 2013-02-08 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitting device (LED) light fixture control systems and related methods
US9039746B2 (en) 2013-02-08 2015-05-26 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable melatonin suppression effects
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US9227347B2 (en) 2013-02-25 2016-01-05 Sabic Global Technologies B.V. Method of making a heat sink assembly, heat sink assemblies made therefrom, and illumants using the heat sink assembly
JP6476567B2 (ja) 2013-03-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20140130884A (ko) * 2013-05-02 2014-11-12 주식회사 포스코엘이디 광 반도체 조명장치
US9799802B2 (en) * 2013-05-23 2017-10-24 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting module
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
DE102013212393A1 (de) * 2013-06-27 2014-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
WO2014207635A1 (en) * 2013-06-28 2014-12-31 Koninklijke Philips N.V. Light emitting diode device
DE102013213073A1 (de) * 2013-07-04 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
US9142745B2 (en) 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
US9608177B2 (en) * 2013-08-27 2017-03-28 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit having the same
TW201517323A (zh) 2013-08-27 2015-05-01 Glo Ab 模製發光二極體封裝及其製造方法
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
US9240528B2 (en) 2013-10-03 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with high scotopic/photopic (S/P) ratio
JP2015095486A (ja) * 2013-11-08 2015-05-18 アイシン精機株式会社 半導体装置
WO2015092781A1 (en) 2013-12-19 2015-06-25 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device package
CN203707181U (zh) * 2014-02-21 2014-07-09 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管封装体
KR102252156B1 (ko) * 2014-07-08 2021-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US9640743B2 (en) 2014-09-29 2017-05-02 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
US10477636B1 (en) 2014-10-28 2019-11-12 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having multiple light sources
US10431568B2 (en) 2014-12-18 2019-10-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US9252337B1 (en) 2014-12-22 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Composite substrate for light emitting diodes
US9711700B2 (en) * 2014-12-26 2017-07-18 Nichia Corporation Light emitting device and method for producing the same
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
WO2016161161A1 (en) 2015-03-31 2016-10-06 Cree, Inc. Light emitting diodes and methods with encapsulation
WO2016176625A1 (en) 2015-04-30 2016-11-03 Cree, Inc. Solid state lighting components
JP6206442B2 (ja) 2015-04-30 2017-10-04 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びその製造方法、並びに発光装置
DE102015109876A1 (de) * 2015-06-19 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US9653664B2 (en) * 2015-06-29 2017-05-16 Point Engineering Co., Ltd. Chip substrate comprising a groove portion and chip package using the chip substrate
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US10074635B2 (en) 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
DE102015112042B4 (de) * 2015-07-23 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Leuchtvorrichtung
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
JP6260593B2 (ja) 2015-08-07 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
JP6633881B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-22 ローム株式会社 Led照明器具およびその製造方法
WO2017078402A1 (ko) * 2015-11-04 2017-05-11 엘지이노텍 주식회사 광학 플레이트, 조명 소자 및 광원 모듈
KR102531846B1 (ko) * 2015-11-04 2023-05-31 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 광학 플레이트, 발광 소자 및 광원 모듈
JP6337873B2 (ja) 2015-11-30 2018-06-06 日亜化学工業株式会社 パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法
JP6332253B2 (ja) 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP6332251B2 (ja) * 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
US10381294B2 (en) * 2016-02-01 2019-08-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device
DE102016105243A1 (de) * 2016-03-21 2017-09-21 Infineon Technologies Ag Räumlich Selektives Aufrauen von Verkapselungsmasse, um eine Haftung mit einer Funktionsstruktur zu Fördern
JP6394634B2 (ja) 2016-03-31 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
WO2018052902A1 (en) 2016-09-13 2018-03-22 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US10804251B2 (en) 2016-11-22 2020-10-13 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, components and methods
JP2017076806A (ja) * 2016-11-28 2017-04-20 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法
US10439114B2 (en) 2017-03-08 2019-10-08 Cree, Inc. Substrates for light emitting diodes and related methods
KR102261288B1 (ko) 2017-03-14 2021-06-04 현대자동차 주식회사 자동차 외장용 발광다이오드 패키지
EP3607591B1 (en) 2017-04-04 2020-10-21 Signify Holding B.V. A solid state light emitter package, a lamp, a luminaire and a method of manufacturing a solid state light emitter package
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
WO2019018193A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-24 Lumileds Llc LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING A CONNECTION GRID AND INSULATING MATERIAL
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
US11107857B2 (en) 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11101248B2 (en) 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11094852B2 (en) * 2017-08-25 2021-08-17 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple LED light source lens design in an integrated package
US10361349B2 (en) 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
KR102641336B1 (ko) * 2017-09-05 2024-02-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
US10734560B2 (en) 2017-11-29 2020-08-04 Cree, Inc. Configurable circuit layout for LEDs
CN108321283A (zh) * 2018-04-03 2018-07-24 江苏鸿利国泽光电科技有限公司 一种高光效紫外led的封装支架及其封装方法
US10573543B2 (en) 2018-04-30 2020-02-25 Cree, Inc. Apparatus and methods for mass transfer of electronic die
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
US11101410B2 (en) 2018-05-30 2021-08-24 Creeled, Inc. LED systems, apparatuses, and methods
US10453827B1 (en) 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
CN112236875A (zh) 2018-06-04 2021-01-15 科锐公司 Led设备以及方法
US10964866B2 (en) 2018-08-21 2021-03-30 Cree, Inc. LED device, system, and method with adaptive patterns
US11914141B1 (en) 2018-08-23 2024-02-27 Apple Inc. Electronic device with protected light sources
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
DE102018123031A1 (de) * 2018-09-19 2020-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und herstellungsverfahren für ein bauelement
DE102019105123B4 (de) * 2019-02-28 2021-08-12 Infineon Technologies Ag Halbleiteranordnung, laminierte Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
US11587839B2 (en) * 2019-06-27 2023-02-21 Analog Devices, Inc. Device with chemical reaction chamber
CN112713232A (zh) * 2019-10-25 2021-04-27 秀尔半导体(深圳)有限公司 透镜模块

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63200551A (ja) 1987-02-17 1988-08-18 Matsushita Electronics Corp リ−ドフレ−ム
JPH038459U (zh) 1989-06-12 1991-01-28
US5598034A (en) * 1992-07-22 1997-01-28 Vlsi Packaging Corporation Plastic packaging of microelectronic circuit devices
EP0646971B1 (de) 1993-09-30 1997-03-12 Siemens Aktiengesellschaft Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung
US5748658A (en) * 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
JPH0927579A (ja) 1995-07-10 1997-01-28 Apic Yamada Kk リードフレーム製造装置
KR0165413B1 (ko) 1995-07-18 1999-02-01 이대원 패턴 에칭 방법
JP3571450B2 (ja) 1996-02-27 2004-09-29 ローム株式会社 リードフレームの製法および発光素子の製法
KR100643442B1 (ko) * 1996-06-26 2006-11-10 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
JP2001518692A (ja) 1997-07-29 2001-10-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 光電素子
JP3618534B2 (ja) 1997-11-28 2005-02-09 同和鉱業株式会社 光通信用ランプ装置とその製造方法
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6281568B1 (en) * 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad
JP3604298B2 (ja) 1999-02-25 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP2000252323A (ja) 1999-02-26 2000-09-14 Nec Kansai Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001148514A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Matsushita Electric Works Ltd 照明光源
JP4944301B2 (ja) 2000-02-01 2012-05-30 パナソニック株式会社 光電子装置およびその製造方法
JP3736366B2 (ja) 2001-02-26 2006-01-18 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
US7034382B2 (en) * 2001-04-16 2006-04-25 M/A-Com, Inc. Leadframe-based chip scale package
JP2002319593A (ja) 2001-04-19 2002-10-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体デバイスおよび電極形成方法
US20020163001A1 (en) 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
JP4269709B2 (ja) 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
CN1663044A (zh) 2002-06-14 2005-08-31 莱尼股份有限公司 灯和制灯方法
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7042071B2 (en) 2002-10-24 2006-05-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Leadframe, plastic-encapsulated semiconductor device, and method for fabricating the same
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP4599857B2 (ja) 2003-04-24 2010-12-15 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4645071B2 (ja) 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP3802519B2 (ja) 2003-08-07 2006-07-26 日電精密工業株式会社 リードフレームの製造方法及び製造装置
JP4526257B2 (ja) 2003-10-29 2010-08-18 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
JP2005197329A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造
JP2005203448A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US20050189626A1 (en) 2004-01-29 2005-09-01 Tan Xiaochun Semiconductor device support structures
US7573072B2 (en) * 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
US7053469B2 (en) 2004-03-30 2006-05-30 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Leadless semiconductor package and manufacturing method thereof
US7326583B2 (en) 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
US7279346B2 (en) 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
JP4489485B2 (ja) 2004-03-31 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR200373718Y1 (ko) * 2004-09-20 2005-01-21 주식회사 티씨오 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드
JP4608294B2 (ja) * 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
JP2006179541A (ja) 2004-12-21 2006-07-06 Enomoto Co Ltd パワーled用リードフレーム及びその製造方法
CN100373608C (zh) 2005-01-20 2008-03-05 矽品精密工业股份有限公司 导线架式半导体封装件及其导线架
KR100593945B1 (ko) 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP4830768B2 (ja) 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102257646A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 三星Led株式会社 发光器件封装、背光单元、显示器件和发光器件
CN102318091A (zh) * 2009-03-10 2012-01-11 株式会社纳沛斯Led Led引线框封装、使用led引线框封装的led封装及制造led封装的方法
US8716734B2 (en) 2011-04-11 2014-05-06 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light emitting diode package having a portion of reflection cup material covering electrode layer on side surfaces of substrate
CN102738373A (zh) * 2011-04-11 2012-10-17 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
TWI455363B (zh) * 2011-04-11 2014-10-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN102185084A (zh) * 2011-04-26 2011-09-14 深圳市天电光电科技有限公司 Led封装支架及其单体、led封装结构
US9054257B2 (en) 2011-11-24 2015-06-09 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Water resistant LED devices and an LED display including same
WO2013075309A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Water resistant led devices and led display including the same
US10177283B2 (en) 2012-03-16 2019-01-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. LED packages and related methods
CN103311402A (zh) * 2012-03-16 2013-09-18 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装以及承载板
US9653656B2 (en) 2012-03-16 2017-05-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. LED packages and related methods
CN103311402B (zh) * 2012-03-16 2016-03-16 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装以及承载板
CN105514249A (zh) * 2012-03-16 2016-04-20 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装以及承载板
CN105514249B (zh) * 2012-03-16 2018-06-12 日月光半导体制造股份有限公司 发光二极管封装以及承载板
CN103367619B (zh) * 2012-03-30 2015-12-02 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构
CN103367619A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构
CN105679728A (zh) * 2014-12-03 2016-06-15 瑞萨电子株式会社 半导体装置
CN105679728B (zh) * 2014-12-03 2019-08-13 瑞萨电子株式会社 半导体装置
CN107808867A (zh) * 2016-09-09 2018-03-16 德克萨斯仪器股份有限公司 用于半导体装置封装的可点焊引线
CN107808867B (zh) * 2016-09-09 2022-03-29 德克萨斯仪器股份有限公司 用于半导体装置封装的可点焊引线
US11430719B2 (en) 2016-09-09 2022-08-30 Texas Instruments Incorporated Spot-solderable leads for semiconductor device packages

Also Published As

Publication number Publication date
US20120012879A1 (en) 2012-01-19
JP5215678B2 (ja) 2013-06-19
US8044418B2 (en) 2011-10-25
JP2008182242A (ja) 2008-08-07
JP2012039162A (ja) 2012-02-23
US20080012036A1 (en) 2008-01-17
US8941134B2 (en) 2015-01-27
JP5555684B2 (ja) 2014-07-23
DE102008004443A1 (de) 2008-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101246938A (zh) 用于固态发光器件的基于导线架的包装件以及形成该包装件的方法
EP2147468B1 (en) Semiconductor light emitting device packages and methods
CN101110462B (zh) 固态发光装置的基于引线框架的封装以及形成固态发光装置的基于引线框架的封装的方法
US20220123187A1 (en) Method of manufacturing a light emitting device
KR102677856B1 (ko) 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR101162404B1 (ko) 수지 밀봉 발광체 및 그 제조 방법
CN101507004B (zh) 发光装置、封装体、发光装置的制造方法、封装体的制造方法以及封装体制造用模具
KR101398404B1 (ko) 기계적으로 분리된 리드 부착물을 갖는 플라스틱오버몰딩된 패키지들
CN101903701A (zh) 薄型柔性电缆照明组件及其制备方法
CN102623612A (zh) 具有改进树脂填充和高附着力的高亮度发光二级管(led)封装、系统及方法
KR20120084554A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2011119393A (ja) 光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置及びその製造方法
US7602060B2 (en) Heat spreader in a flip chip package
TWI658518B (zh) 電路零件的製造方法及電路零件
TWI850544B (zh) 發光裝置及其製造方法
CN101188215A (zh) 具有防止翘曲的结构的半导体封装

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20080820