CN103022275B - 发光二极管的封装方法 - Google Patents

Abstract

一种发光二极管封装方法，其包括步骤：提供一导电架，该导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；提供一发光二极管晶粒，采用共晶技术将该发光二极管晶粒固定在该导电架上，并使该发光二极管晶粒分别与所述第一电极和第二电极形成电性连接；提供一覆盖层，使该覆盖层包覆所述发光二极管晶粒及部分导电架；形成一基座，该基座环绕该覆盖层并局部覆盖导电架；及将一封装层覆盖形成于该覆盖层上。与先前技术相比，该种方法先将发光二极管晶粒在高温环境下通过共晶结合固定在导电架上，然后再形成其他封装结构，从而避免高温环境损坏其他封装结构，进而提升发光二极管封装体的品质，提高制程良率。

Description

发光二极管的封装方法

技术领域

本发明涉及一种半导体结构的封装方法，尤其涉及一种发光二极管的封装方法。

背景技术

与传统光源相比，发光二极管具有无汞、体积小、光学特性佳等优点。随着发光二极管发光效率的不断提升，越来越多的发光二极管被用作光源。

发光二极管晶粒采用共晶结构固定时，其散热效率增加且寿命更长。常见的发光二极管封装过程中，先提供一具有电极结构及反射杯的封装基板，然后在封装基板上的反射杯内设置发光二极管晶粒，接着通过共晶技术使发光二极管晶粒与封装基板相结合固定，然后在发光二极管晶粒上方形成荧光粉层及覆盖层，以覆盖发光二极管晶粒。然而，采用共晶技术时需要在高温环境下进行，上述封装过程中，基板等封装结构在后续的高温环境下容易变质或黄化，进而影响发光二极管的封装品质和制程良率。

发明内容

本发明旨在提供一种能够提高封装品质和制程良率的发光二极管封装方法。

一种发光二极管封装方法，包括以下步骤:

提供一导电架，该导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；

提供一发光二极管晶粒，采用共晶技术将该发光二极管晶粒固定在该导电架上，并使该发光二极管晶粒分别与所述第一电极和第二电极形成电性连接；

提供一覆盖层，使该覆盖层包覆所述发光二极管晶粒及部分导电架；

形成一基座，该基座环绕该覆盖层并局部覆盖导电架，所述基座包括一反射部和一承载部，该反射部和承载部分别位于所述导电架的上、下两侧，该反射部环绕该覆盖层，该导电架的第一、第二电极穿设于反射部和承载部之间，所述承载部包括一收容槽，该收容槽贴合该覆盖层的下表面并收容该覆盖层；及

将一封装层覆盖形成于该覆盖层上。

与先前技术相比，该种方法先将发光二极管晶粒在高温环境下通过共晶结合固定在导电架上，然后再形成其他封装结构，从而避免高温环境损坏其他封装结构，进而提升发光二极管封装体的品质，提高制程良率。

附图说明

图1至图5为本发明一实施例的发光二极管的封装方法的各步骤示意图。

主要元件符号说明

发光二极管                  100

导电架                      10

第一电极                    11

第二电极                    12

发光二极管晶粒              20

覆盖层                      30

基座                        40

封装层                      50

承载部                      41

反射部                      42

收容槽                      411

贴合部                      412

收容空间                    422

凸块                        60

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。

本发明实施例提供的发光二极管的封装方法，大致包括如下流程：

提供一导电架，该导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；

提供一发光二极管晶粒，利用共晶技术将该发光二极管晶粒固定在该导电架上并分别与所述第一电极和第二电极形成电性连接；

提供一覆盖层，使该覆盖层包覆所述发光二极管晶粒及部分导电架；

形成一基座，该基座环绕该覆盖层并包覆部分导电层；及

将一封装层覆盖形成于该覆盖层上。

下面结合图1至图5对该流程作详细说明。

首先请参见图1，提供一导电架10，该导电架10包括相互间隔的第一电极11和第二电极12。所述第一电极11及第二电极12均呈平板状且可由导电性能较佳的材料制成。本实施例中，该导电架10由金属材料制成，其他实施例中，材质可为任何合适的导电材料。该第一电极11和第二电极12用于与后续待封装的发光二极管晶粒20的正、负极相连，以从外界获取电能并将电能提供给该发光二极管晶粒20。

参见图2，提供一发光二极管晶粒20，利用共晶技术将该发光二极管晶粒20固定在该导电架10上并分别与所述第一电极11和第二电极12形成电性连接。具体的，在高于310℃的环境下，使该导电架10与该发光二极管晶粒20通过凸块(bump)60发生共晶结合，形成一共晶结构，从而形成电性连接。

参见图3，提供一覆盖层30，使该覆盖层30包覆所述发光二极管晶粒20及部分导电架10。具体的，该覆盖层30包覆所述发光二极管晶粒20，同时包覆靠近该发光二极管晶粒20一侧的第一电极11和第二电极12的端部。该覆盖层30还可根据发光二极管晶粒20与发光需要包含有荧光粉，该荧光粉包含石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉、氮氧化物基荧光粉和氮化物基荧光粉中的一种或多种。

参见图4，形成一基座40，该基座40环绕该覆盖层30并包覆部分导电架10。优选地，本实施例中该基座40的材质为塑料。该基座40包括一承载部41和一反射部42，该承载部41和反射部42分别位于导电架10的上下两侧。该第一电极11及第二电极12穿设过基座40、并位于承载部41和一反射部42之间，且该第一电极11及第二电极12的远离发光二极管晶粒20的端部伸出至基座40之外。本实施例中，采用嵌入模压技术形成该基座40。

具体的，所述承载部41包括一收容槽411及位于收容槽411两侧并向上延伸的两贴合部412。该收容槽411贴合该覆盖层30的下表面以收容承载所述覆盖层30。所述两贴合部412相互对称，该两贴合部412的上表面分别与第一电极11的部分下表面、第二电极12的部分下表面相贴合，以承载所示第一电极11及第二电极12。

所述反射部42围成一收容空间422用以收容所述覆盖层30，该反射部42的下表面分别与所述第一电极11的部分上表面、第二电极12的部分上表面相贴合。

参见图5，将一封装层50覆盖形成于该覆盖层30上。本实施例中，将一封装层50填充于收容空间422内并覆盖该覆盖层30。具体的，该封装层50覆盖所述覆盖层30并与所述反射部42的上表面相持平。该封装层50由透明材料制成，其可以由硅树脂或其他树脂，或者其他混合材料制作而成。

与先前技术相比，该种方法先将发光二极管晶粒20在高温环境下通过共晶结合固定在导电架10上，然后再形成其他封装结构，从而避免高温环境损坏其他封装结构，进而提升发光二极管封装体的品质，提高制程良率。

可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种发光二极管封装方法，其包括步骤：

提供一导电架，该导电架包括相互间隔的第一电极和第二电极；

提供一发光二极管晶粒，采用共晶技术将该发光二极管晶粒固定在该导电架上，并使该发光二极管晶粒分别与所述第一电极和第二电极形成电性连接；

提供一覆盖层，使该覆盖层包覆所述发光二极管晶粒及部分导电架；

形成一基座，该基座环绕该覆盖层并局部覆盖导电架，所述基座包括一反射部和一承载部，该反射部和承载部分别位于所述导电架的上、下两侧，该反射部环绕该覆盖层，该导电架的第一、第二电极穿设于反射部和承载部之间，所述承载部包括一收容槽，该收容槽贴合该覆盖层的下表面并收容该覆盖层；及

将一封装层覆盖形成于该覆盖层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，采用共晶技术固定发光二极管晶粒的温度高于310℃。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该第一电极及第二电极的远离发光二极管晶粒的端部伸出至基座之外。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述承载部还包括位于收容槽两侧并向上延伸的两贴合部，所述两贴合部相互对称，该两贴合部的上表面分别与第一电极的部分下表面、第二电极的部分下表面相贴合。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，所述反射部包括一收容空间，该收容空间将所述覆盖层收容在内。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该反射部的下表面分别与所述第一电极的部分上表面、第二电极的部分上表面相贴合。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该覆盖层包覆导电架第一电极和第二电极邻近发光二极管晶粒的端部。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装方法，其特征在于，该基座采用嵌入模压技术形成。