CN106463598B - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106463598B
CN106463598B CN201580032393.7A CN201580032393A CN106463598B CN 106463598 B CN106463598 B CN 106463598B CN 201580032393 A CN201580032393 A CN 201580032393A CN 106463598 B CN106463598 B CN 106463598B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead
light emitting
emitting device
protrusion
recessed portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580032393.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106463598A (zh
Inventor
李泰昌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=54332757&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN106463598(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co Ltd
Publication of CN106463598A publication Critical patent/CN106463598A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106463598B publication Critical patent/CN106463598B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

公开一种发光装置。发光装置包括：相互隔开配置的第1引线及第2引线；包括基底、反射器及空腔的主体部；及配置于空腔内的发光二极管，第1引线包括下部第1引线及位于下部第1引线上的上部第1引线，第2引线包括下部第2引线及位于下部第2引线上的上部第2引线，上部第1引线和上部第2引线的隔开区域的形态，不同于下部第1引线和下部第2引线的隔开区域的形态，上部第1引线和上部第2引线的隔开区域具有至少一次以上的弯曲的形态。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及发光装置，特别是涉及一种具有提高的强度的发光装置。
背景技术
发光二极管作为发出因电子和空穴的复合而发生的光的无机半导体元件，最近使用在显示器、汽车灯、普通照明等多个领域。发光二极管寿命长、耗电低、响应速度快，诸如包含发光二极管的发光二极管封装件的发光装置有望替代以往的光源。
包含发光二极管的发光装置根据用途而可以制造成多样的形态，其结构考虑发光效率及耐久性等而决定。图1(a)及图1(b)图示了以往包含发光二极管的发光装置的一个示例。
如果参照图1(a)及图1(b)，发光装置包括：主体部20，其包括基底21和反射器23以及被反射器23环绕的空腔25；第1引线11及第2引线13，其被主体部20固定，其一部分在主体部20的空腔25及主体部20的下面露出；及发光二极管30，其配置于引线11、13中至少一个的上面，电气连接于引线11、13。所述发光装置的第1引线11及第2引线13相互隔开地配置，两引线11、13隔开的空间(C-C'线周边区域)被填充有基底21。
一般而言，为了提高所述发光装置的发光效率，较大地形成空腔25在全体基底21面积中所占的面积。即，如图1(a)所示，应用以下结构，即，较薄地形成反射器23的侧面方向厚度，使空腔25的面积更大，从而提高发光装置的发光效率。另外，考虑到连接导线31的结构性特征及散热效率，一般而言，如图所示，也较大地形成引线11、13所占的面积。
在具有如上所述结构的以往发光装置中，如果外部的冲击或压力施加于所述发光装置，则发生第1引线11与第2引线13之间的隔开空间(C-C'线周边区域)的基底21被破损的问题。特别是当第1引线11与第2引线13之间区域的基底21破损时，导线31发生断线的可能性大，发光装置发生不良的可能性很高。可是，当考虑到发光效率和散热效率时，在减小空腔25面积或增加引线11、13的隔开宽度方面存在界限。因此，要求一种能够在把发光装置的发光强度保持在同等水平的同时制造可靠性高的发光装置的结构。
发明内容
解决的技术问题
本发明要解决的课题是提供一种对抗外部冲击或压力的强度高的发光装置。
本发明要解决的另一课题是提供一种在具有提高的强度的同时，能够保持与以往发光装置同等水平的发光强度的发光装置。
技术方案
本发明一种样态的发光装置包括：相互隔开配置的第1引线及第2引线；主体部，其包括基底、反射器及空腔，所述基底至少部分地包围所述第1及第2引线的侧面，填充所述第1及第2引线的隔开区域，所述反射器位于所述基底上，所述空腔被所述反射器环绕，且上部形成开口；及配置于所述空腔内的发光二极管，所述第1引线包括下部第1引线及位于所述下部第1引线上的上部第1引线，所述第2引线包括下部第2引线及位于所述下部第2引线上的上部第2引线，所述上部第1引线和所述上部第2引线的隔开区域的形态不同于所述下部第1引线和所述下部第2引线的隔开区域的形态，所述上部第1引线和所述上部第2引线的隔开区域具有至少一次以上的弯曲的形态。
根据所述发光装置，位于引线的隔开区域的基底部的强度增加，使得发光装置的可靠性提高。
进而，所述上部第1引线可以包括在与所述上部第2引线相向的侧面形成的第1凸出部及第1凹陷部，所述上部第2引线包括在与所述上部第1引线相向的侧面形成的第2凸出部及第2凹陷部。
另外，所述第1凸出部的位置可以对应于形成所述第2凹陷部的部分，所述第2凸出部的位置可以对应于形成所述第1凹陷部的部分。
所述第1凸出部可以形成得对应啮合于所述第2凹陷部，所述第2凸出部可以形成得对应啮合于所述第1凹陷部。
在其它实施例中，所述第1凸出部及所述第1凹陷部可以分别位于所述上部第1引线和所述上部第2引线相向的侧面的两末端，所述第2凸出部及所述第2凹陷部可以分别位于所述上部第2引线和所述上部第1引线相向的侧面的两末端。
另外，所述第1凸出部和所述第1凹陷部之间的相向侧面可以具有直线形态。
所述第1凸出部和所述第2凹陷部的隔开区域及所述第2凸出部和所述第1凹陷部的隔开区域可以位于所述反射器下方。
在一些实施例中，所述下部第1引线和所述下部第2引线可以分别包括在所述下部第1引线和所述下部第2引线相向的侧面的棱上形成的第1倒角部及第2倒角部。
进而，所述下部第1引线或所述下部第2引线可以不位于所述第1凸出部的下方区域和所述第2凸出部的下方区域。
在其它实施例中，所述下部第1引线及下部第2引线中至少一个可以包括在所述下部第1引线和所述下部第2引线相向的侧面的棱上形成的倒角部。
所述发光装置的一侧面的宽度(W2)与所述倒角部的倒角程度(R)的比率R/W2可以为超过0.052且在0.25以下。
所述下部第1引线及下部第2引线可以分别位于所述上部第1引线及上部第2引线的区域内。
所述发光装置的一侧面的宽度(W2)和与平行于所述一侧面的剖面对应的所述空腔的宽度(W1)的比率W1/W2可以为0.8以上且不足0.92。
所述发光装置可以还包括配置于所述空腔内的发光二极管。
本发明另一种样态的引线包括相互隔开配置的第1引线及第2引线，所述第1引线包括下部第1引线及位于所述下部第1引线上的上部第1引线，所述第2引线包括下部第2引线及位于所述下部第2引线上的上部第2引线，所述上部第1引线和所述上部第2引线的隔开区域的形态不同于所述下部第1引线和所述下部第2引线的隔开区域的形态，所述上部第1引线和所述上部第2引线的隔开区域具有至少一次以上的弯曲的形态。
所述上部第1引线可以包括在与所述上部第2引线相向的侧面形成的第1凸出部及第1凹陷部，所述上部第2引线可以包括在与所述上部第1引线相向的侧面形成的第2凸出部及第2凹陷部。
所述第1凸出部的位置可以对应于形成所述第2凹陷部的部分，所述第2凸出部的位置可以对应于形成所述第1凹陷部的部分。
所述第1凸出部可以形成得对应啮合于所述第2凹陷部，所述第2凸出部可以形成得对应啮合于所述第1凹陷部。
所述第1凸出部及所述第1凹陷部可以分别位于所述上部第1引线和所述上部第2引线相向的侧面的两末端，所述第2凸出部及所述第2凹陷部可以分别位于所述上部第2引线和所述上部第1引线相向的侧面的两末端。
另外，所述第1凸出部与所述第1凹陷部之间的相向侧面可以具有直线形态。
所述下部第1引线和所述下部第2引线可以分别包括在所述下部第1引线和所述下部第2引线相向的侧面的棱上形成的第1倒角部及第2倒角部。
所述下部第1引线或所述下部第2引线可以不位于所述第1凸出部的下方区域和所述第2凸出部的下方区域。
所述下部第1引线及下部第2引线中至少一个可以包括在所述下部第1引线和所述下部第2引线相向的侧面的棱上形成的倒角部。
发明效果
根据本发明，引线在相向的侧面形成有凸出部和凹陷部和/或倒角部，可以提供引线之间区域的强度增加的发光装置。根据此，本发明的发光装置的可靠性可以提高。
另外，可以提供在使反射器的水平方向厚度更厚的同时能够保持发光强度的发光装置，因而可以提供具有相同发光强度并具有提高的强度的发光装置。
附图说明
图1(a)及图1(b)是用于说明以往的发光装置的俯视图及剖面图。
图2至图4是用于说明本发明一个实施例的发光装置的俯视图、仰视图及剖面图。
图5(a)及图5(b)是用于说明本发明一个实施例的引线的形状的仰视图及仰视立体图。
图6至图8是用于说明本发明实施例的发光装置的强度改善效果的实验例的俯视图。
具体实施方式
下面参照附图，详细说明本发明的实施例。以下介绍的实施例是为了能够向本发明所属技术领域的普通技术人员充分传递本发明的思想而作为示例提供的。因此，本发明不限定于以下说明的实施例，也可以以其它形态而具体化。而且，就附图而言，为了便利，可以夸张表现构成要素的宽度、长度、厚度等。另外，当记载一个构成要素在另一构成要素的“上部”或“上面”时，不仅是各部分直接在另一部分的“上部”或“上面”的情形，还包括在各构成要素与另一构成要素之间有其它构成要素的情形。在通篇说明书中，相同的参照符号代表相同的构成要素。
多个实施例
图2至图4是用于说明本发明一个实施例的发光装置的俯视图、仰视图及剖面图。另外，图5(a)及图5(b)是用于说明本发明一个实施例的引线的形状的仰视图及仰视立体图。
如果参照图2至图4，所述发光装置包括第1引线100和第2引线200、主体部300及发光二极管30。另外，所述发光装置可以还包括导线31及成型部40。
第1引线100和第2引线200可以相互隔开地配置，可以配置于所述发光装置的下部，形成发光装置下部区域的一部分。特别是第1引线100和第2引线200的隔开区域340可以被填充有基底310，基底310的下面和第1及第2引线100、200的下面可以配置于同一平面，使发光装置的下面平坦。
第1引线100可以包括上部第1引线110及下部第1引线120，第2引线200可以包括上部第2引线210及下部第2引线220。上部及下部第1引线110、120可以一体形成，上部及下部第2引线210、220也可以一体形成。第1引线100及第2引线200可以包括导电性及导热性高的物质，例如，可以包括金属或金属合金。
另外，隔开区域340的位于上部第1引线110和上部第2引线210间的一部分的形态，可以不同于隔开区域340的位于下部第1引线120和下部第2引线220间的另外的部分的形态。进而，位于上部第1引线110和上部第2引线210间的隔开区域340具有至少一次以上的弯曲的形态。参照图2，位于上部第1引线110和上部第2引线210之间的隔开区域340在被折的区域(或部分)350处被弯曲。
下面在图2至图4基础上，参照图5(a)及图5(b)，对本发明一个实施例的第1及第2引线100、200进行更详细说明。
首先，第1引线100包括上部第1引线110及下部第1引线120。上部第1引线110位于下部第1引线120上，上部第1引线110的面积大于下部第1引线120，下部第1引线120可以位于上部第1引线110所占的区域内。因此，如果从上方观察第1引线100，则在上面只露出上部第1引线110。另外，借助于上部及下部第1引线110、120的面积差异，如图4所示，在第1引线100的侧面可以形成有端部130。这种端部130被填充有基底310，从而第1引线100和主体部300可以更坚固地得到固定。
第2引线200也包括上部第2引线210及下部第2引线220。上部第2引线210位于下部第2引线220上，上部第2引线210的面积大于下部第2引线220，下部第2引线220可以位于上部第2引线210所占的区域内。因此，如果从上方观察第2引线200，则在上面只露出上部第2引线210。另外，借助于上部及下部第2引线210、220的面积差异，如图4所示，在第2引线200的侧面，可以形成有端部230。这种端部230被填充有基底310，从而第2引线200和主体部300可以更坚固地得到固定。
上部第1引线110位于与上部第2引线210相向的侧面，可以包括向上部第2引线210的方向凸出的第1凸出部111及向朝向上部第2引线210的方向的相反方向凹入的第1凹陷部113。与此对应地，上部第2引线210也可以包括位于与上部第1引线110相向的侧面的第2凸出部211及第2凹陷部213。
在第1凸出部111形成的区域，可以配置有与其对应形成的第2凹陷部213，在第2凸出部211形成的区域，可以配置有与其对应形成的第1凹陷部113。即，如图2、图5(a)及图5(b)所示，第1凸出部111和第2凹陷部213在相互对应的区域形成，相互啮合地配置，第2凸出部211和第1凹陷部113可以在相互对应的区域形成，相互啮合地配置。
第1凸出部111和第1凹陷部113可以分别位于第1引线100和第2引线200相向的侧面的两末端。另外，第2凸出部211和第2凹陷部213可以分别位于第2引线200和第1引线100相向的侧面的两末端。根据此，在所述相向的侧面中，第1凸出部111和第1凹陷部113之间区域的侧面，可以与第2引线200的第2凸出部211和第2凹陷部213之间区域的侧面相互构成直线且并排配置。不过，本发明并非限定于此，第1引线100和第2引线200间的隔开区域340的形状可以多样地形成。即，根据本发明，上部第1引线110和上部第2引线210间的隔开区域340可以为并非直线的形状。
本发明的发光装置具有包括凹陷部和凸出部的多个引线，可以包括多个引线，其呈以所述凹陷部和凸出部相互啮合的方式对应形成的形状。因此，即使在第1引线100和第2引线200之间区域的末端发生裂纹，由于在引线之间的隔开区域存在被折的部分350，能够切断裂纹的传播(propagation)。即，借助于以相互啮合在引线的相向侧面末端的方式形成的多个凹陷部和多个凸出部，能够有效防止裂纹的发生及传播。因此，可以提高发光装置的强度，使发光装置的可靠性变得优秀。特别是能够在引线的相向的侧面形成凹陷部和凸出部，从而提高发光装置的强度，因而即使不增加引线间的隔开距离或不对发光装置的其它构成进行变形，也能够提高发光装置的强度。
另一方面，上部第1引线110及上部第2引线120可以包括细微凸出部140、240，所述细微凸出部140、240部分地位于相互相向的侧面之外的其它多个侧面。细微凸出部140、240之间的空间可以被填充有基底310。在上部第1及上部第2引线110、120还形成有细微凸出部140、240，从而能够有效防止引线100、200从基底310脱离或隔开。
其次，下部第1引线120及下部第2引线220分别位于上部第1引线110及上部第2引线210下方。
下部第1引线120可以包括位于与下部第2引线220相向的侧面的第1倒角部121。另外，下部第2引线220也可以包括位于与下部第1引线120相向的侧面的第2倒角部221。
如图所示，第1倒角部121和第2倒角部221可以分别形成在下部第1引线120和下部第2引线220相互相向的侧面的两末端棱部分。因此，下部第1引线120和下部第2引线220间的隔开距离可以从相向侧面中心部分越向棱部分越增大。
另外，借助于第1倒角部121和第2倒角部221，以去除了下部第1引线120和下部第2引线220的棱部分的形态形成，因此，下部引线120、220可以不位于第1凸出部111及第2凸出部211下方。因此，填充引线100、200间的隔开区域340两末端的部分的基底310的强度可以被进一步提高。
第1倒角部121及第2倒角部221的倒角程度可以根据需要而多样地调节，可以考虑发光装置的强度和引线的散热效率等而决定。如图3所示，在本说明书中，把从未倒角的相向侧面至形成在因倒角而被折的部分的顶点部分的距离定义为倒角程度(R)。此时，倒角程度(R)可以根据发光装置的大小而多样地调节。例如，当把平行于代表倒角程度(R)的线段的发光装置一侧面的宽度定义为W2时，倒角程度R与W2之间比率R/W2可以为超过0.052且在0.25以下。例如，在发光装置的一侧面宽度W2为5mm的发光装置的情况下，倒角程度(R)可以为超过0.26mm且在1.25mm以下。
这种倒角程度(R)可以均适用于下部第1引线120及下部第2引线220。另外，如图所示，在相向的侧面的所有棱上可以形成具有相同倒角程度(R)的多个倒角部，但不同于此，也可以形成具有互不相同倒角程度(R)的多个倒角部。
在引线间的隔开区域340发生破损的机制之一是在引线间的隔开区域340的两末端发生裂纹，而发生的裂纹沿着引线之间的隔开区域340得到传播。但是，根据本实施例，通过在多个下部引线相向的侧面形成多个倒角部，从而可以有效防止在引线间的隔开区域340的两末端的基底310发生裂纹。因此，发光装置的强度可以提高。
如果再参照图2至图5(b)，第1引线100及第2引线200中至少一个可以包括上下贯通其的至少一个以上的贯通孔115、215。贯通孔115、215中可以被填充有基底310，根据此，基底310和引线100、200可以更坚固地得到固定。
另一方面，贯通孔115、215的侧面既可以具有倾斜，也可以具有端部。此时，贯通孔115、215的上部开口的面积和下部开口的面积可以互不相同。
如果再参照图2至图4，主体部300可以包括基底310、反射器320及空腔330。
基底310至少部分地包围第1及第2引线100、200的侧面，特别是填充第1引线100和第2引线200间的隔开区域340。第1引线100和第2引线200的上面及下面可以露出，根据此，基底310的上面和引线100、200的上面可以大致在同一平面上以相同高度形成，基底310的下面和引线100、200的下面可以大致在同一平面上以相同的高度形成。不过，本发明并非限定于此。另一方面，在基底210的侧面，细微凸出部140、240也可以被露出。基底310可以与引线100、200一同发挥与发光装置基板相同的功能。
基底310可以包括陶瓷或高分子物质，例如，可以包括硅、聚酰胺或环氧等。进而，基底310还可以包括诸如TiO2的填充剂。
反射器320可以沿着由基底310及引线100、200构成的发光装置的下部区域的外廓边缘配置，因此，空腔300可以形成在被反射器320环绕的区域。在空腔300的下面，第1及第2引线100、200的一部分及基底310的一部分可以被露出。
反射器320可以发挥把从发光二极管30释放的光反射到上部的作用，为了使反射功能更有效，内部侧面可以倾斜。
反射器320的水平方向厚度可以考虑发光装置的强度及发光装置的光度而根据需要多样地形成。当加厚反射器320的水平方向厚度时，虽然可以提高发光装置的强度，但由于使所述厚度变厚，从而越使空腔300的面积减小，有可能越会使发光装置的发光强度减小。
为了在提高发光装置强度的同时保持发光装置的发光强度，反射器320的水平方向厚度可以按如下决定。如果参照图4，在贯通发光装置中央，并沿着平行于发光装置一侧面的线段而切断的剖面中，把整体宽度定义为W2，把空腔330上部的宽度定义为W1。此时，W1/W2可以为0.8以上且不足0.92。例如，在W2为5mm的发光装置的情况下，空腔330的宽度W1可以为4.0mm以上且不足4.6mm。这种情况下，可以在提高发光装置的强度的同时保持发光强度，可以提高发光装置的可靠性。
反射器320可以覆盖第1引线100及第2引线200的凸出部111、211及凹陷部113、213。根据此，在空腔330的下面，上部第1引线110和上部第2引线210间的隔开区域340中，只有具有直线形态的部分可以被露出。根据此，可以更有效地防止在第1引线100和第2引线200间的隔开区域340的两末端发生裂纹。不过，本发明并非限定于此。
反射器320可以包括陶瓷或高分子物质，例如，可以包括硅、聚酰胺或环氧等。进而，反射器320可以还包括诸如TiO2的填充剂。
反射器320和基底310可以一体形成。另外，不同于此，也可以以相互独立的构成形成。当反射器320和基底310以一体形成时，可以经过1次的成型工序等而同时形成。
发光二极管30可以位于第1引线100和第2引线200中至少一个的引线上。发光二极管30可以为通常技术人员周知的多样的发光二极管。发光二极管30可以为水平型、垂直型或倒装芯片型等发光二极管，可以根据其形态而决定电气连接形态。例如，如图所示，发光二极管30可以为垂直型发光二极管，发光二极管30配置于第2引线200上，通过其下面而与第2引线200电气连接，通过导线31而与第1引线100电气连接。
另外，在本实施例中，图示了发光装置包括一个发光二极管30，但本发明不限定于此，也可以包括多个发光二极管30。
对于与发光二极管30相关的公知技术内容，下面省略详细说明。
进而，所述发光装置可以还包括成型部40，其填充空腔300，密封发光二极管30。成型部40可以具有透光性，例如，可以包括硅或高分子物质。
多个实验例
图6至图8是用于说明本发明实施例的发光装置的强度改善效果的实验例的俯视图。本实验例用于说明本发明的发光装置的强度改善效果及防止发光强度下降。本实验例中利用的发光装置具有5×5mm2的大小。另外，各发光装置包括的发光二极管应用(株)首尔半导体公司的具有650×1300μm2大小的发光二极管。
(第1实验例)
第1实验例显示出根据反射器的水平方向的厚度的发光强度的影响。如果参照图6，在样本1至3中，W2为5mm，W1分别为4.6mm、4.2mm及4.0mm。下表1显示出发光二极管的发光强度、发光装置的光束(luminous flux)及代表发光二极管的发光强度和发光装置的光束间比率的k-factor。此时，k-factor如下。
【表1】
根据所述实验例可知，即使使反射器的水平方向厚度增加，空腔的宽度从4.6mm减小为4.0mm，k-factor也显示出几乎同等的水平。即，可知即使把空腔的宽度相对于发光装置一侧面减小至0.8水平，使发光装置的强度增加，发光装置的发光强度也大致保持既定。
(第2实验例)
第2实验例显示了根据第1引线和第2引线上是否存在凸出部及凹陷部的发光装置强度测试结果。强度测试结果利用自动荷重测量装置(push-pull gauge system)导出。施加荷重的部分如图7所示，为A点及B点。下表2图示了根据空腔的宽度和凸出部及凹陷部的存在与否的强度测试结果。
【表2】
根据第2实验例可知，当引线上存在凸出部及凹陷部时，在引线的隔开区域的中央部分或外廓部分，强度均增加。另外可知，在同时包括使反射器水平方向厚度增加的构成、凸出部及凹陷部构成的发光装置的情况下，其强度增加率最高。
(第3实验例)
第3实验例显示了根据第1引线和第2引线的倒角部的倒角程度的发光装置强度测试结果。强度测试结果利用自动荷重测量装置(push-pull gauge system)导出。施加荷重的部分如图8所示，为A点及B点。下表3及表4图示了根据空腔的宽度和倒角部的倒角程度的强度测试结果。
【表3】
【表4】
根据第3实验例可知，当引线包括倒角部时，引线的隔开区域的中央部分或外廓部分，其强度均增加。
本发明并非限定于以上详细说明的多样实施例及实验例，在不超出本发明的专利权利要求书的技术思想的范围内，可以进行多样的变形和变更。

Claims (6)

1.一种发光装置，包括：
第1引线，包括上部第1引线和下部第1引线；
第2引线，通过隔开空间与所述第1引线隔开，第2引线包括上部第2引线和下部第2引线；
基底，包围所述第1及第2引线的侧面的一部分，基底填充隔开空间，
反射器，沿着发光装置的下部区域的外廓边缘设置；
空腔，形成在被反射器环绕的区域中，使得第1引线、第2引线和基底被空腔的下表面部分地暴露；以及
发光二极管，设置在第1引线和第2引线中的至少一个上，
其中：
上部第1引线的面积大于下部第1引线的面积；
上部第2引线的面积大于下部第2引线的面积；
所述上部第1引线包括形成在上部第1引线的侧面上的凸出部，上部第1引线的侧面面对上部第2引线的侧面；
所述上部第2引线包括设置在上部第2引线的区域中的凹陷部，所述凹陷部与凸出部对应；
在与空腔的下表面垂直的视图中，隔开空间在凸出部和凹陷部之间形成旋转的“L”形状，
其中，所述下部第1引线及所述下部第2引线分别包括在所述下部第1引线和所述下部第2引线相向的侧面的棱上形成的第1倒角部和第2倒角部，使得所述下部第1引线和所述下部第2引线不位于所述凸出部下方，
其中，所述第1倒角部与所述第2倒角部之间的隔开距离从所述第1倒角部和所述第2倒角部的与所述棱相邻的一端朝向远离所述棱的另一端增大，
其中，隔开空间的位于所述上部第1引线和所述上部第2引线之间的第一部分的形状不同于隔开空间的位于所述下部第1引线和所述下部第2引线之间的第二部分的形状。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述凸出部位于所述第1引线的侧面末端，所述凹陷部位于所述第2引线的侧面末端。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，
所述反射器位于所述凸出部和所述凹陷部的上方。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第1引线和所述第2引线中的至少一个包括形成在其侧面上的至少一个细微凸出部。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，
所述第1引线和所述第2引线中的每个包括至少一个细微凸出部。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，
所述细微凸出部之间的空间被填充有所述基底。
CN201580032393.7A 2014-04-22 2015-04-20 发光装置 Active CN106463598B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140048174A KR102160075B1 (ko) 2014-04-22 2014-04-22 발광 장치
KR10-2014-0048174 2014-04-22
PCT/KR2015/003936 WO2015163657A1 (ko) 2014-04-22 2015-04-20 발광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106463598A CN106463598A (zh) 2017-02-22
CN106463598B true CN106463598B (zh) 2019-11-12

Family

ID=54332757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580032393.7A Active CN106463598B (zh) 2014-04-22 2015-04-20 发光装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9978919B2 (zh)
EP (1) EP3136456B1 (zh)
KR (1) KR102160075B1 (zh)
CN (1) CN106463598B (zh)
WO (1) WO2015163657A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102562091B1 (ko) * 2016-02-12 2023-08-02 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
JP7048879B2 (ja) * 2017-10-12 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN112566398B (zh) * 2021-01-11 2021-12-21 深圳市双煜电气设备有限公司 一种防风沙防水的电气箱装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367619A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001057443A (ja) 1999-08-19 2001-02-27 Rohm Co Ltd 発光ダイオ−ドランプ
TW200822384A (en) 2006-11-03 2008-05-16 Coretronic Corp LED package structure
US8093619B2 (en) * 2006-12-28 2012-01-10 Nichia Corporation Light emitting device
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
KR101078028B1 (ko) 2009-06-10 2011-10-31 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지용 리드 프레임
JP5920333B2 (ja) * 2011-02-28 2016-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101886715B1 (ko) * 2011-09-22 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101869246B1 (ko) * 2012-01-13 2018-07-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP6291713B2 (ja) * 2013-03-14 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム
WO2014192707A1 (ja) * 2013-05-28 2014-12-04 日東電工株式会社 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置
JP6221403B2 (ja) * 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101933187B1 (ko) * 2013-06-27 2018-12-31 서울반도체 주식회사 발광 디바이스

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367619A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构

Also Published As

Publication number Publication date
US9978919B2 (en) 2018-05-22
CN106463598A (zh) 2017-02-22
EP3136456B1 (en) 2020-01-01
KR102160075B1 (ko) 2020-09-25
US10205076B2 (en) 2019-02-12
EP3136456A4 (en) 2017-09-20
KR20150121930A (ko) 2015-10-30
WO2015163657A1 (ko) 2015-10-29
EP3136456A1 (en) 2017-03-01
US20170047496A1 (en) 2017-02-16
US20180261744A1 (en) 2018-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100772433B1 (ko) 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
JP6459880B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
TWI435467B (zh) 發光二極體封裝體
US8283693B2 (en) Light emitting device with a lens of silicone
KR101103674B1 (ko) 발광 소자
JP3138795U (ja) 半導体発光装置及び半導体発光装置を用いた面状発光源
TWI476963B (zh) 發光二極體封裝件
CN106463598B (zh) 发光装置
JP2014049764A (ja) 側面型発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
CN109390451B (zh) 发光器件封装件
US20150041844A1 (en) Light emitting device
TWI329934B (en) Lead frame structure of light emitting diode
KR20130043899A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
EP3848984A1 (en) Light emitting diode package
JP2008166661A (ja) 半導体発光装置
KR20120001189A (ko) 발광 다이오드 패키지
JP5942263B2 (ja) 発光モジュールおよび当該発光モジュールを用いた照明用光源
KR100877775B1 (ko) 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
TW201537774A (zh) 半導體發光裝置及其製造方法
KR20170036292A (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
TW201515277A (zh) 發光二極體封裝結構
KR102070980B1 (ko) 발광 소자
JP2011198834A (ja) 半導体発光装置
KR100840208B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20100026453A (ko) 발광 장치 및 이를 구비하는 백라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant