JP2001057443A - 発光ダイオ−ドランプ - Google Patents
発光ダイオ−ドランプInfo
- Publication number
- JP2001057443A JP2001057443A JP11232118A JP23211899A JP2001057443A JP 2001057443 A JP2001057443 A JP 2001057443A JP 11232118 A JP11232118 A JP 11232118A JP 23211899 A JP23211899 A JP 23211899A JP 2001057443 A JP2001057443 A JP 2001057443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- metal wire
- wire
- emitting diode
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田ＤＩＰ処理の際に、ＬＥＤチップとリ−
ドをワイヤボンデングで接続する金属線の断線を防止し
た発光ダイオ−ドランプを提供すること。 【解決手段】 一対のリ−ド２、３の一方のリ−ド３の
先端にＬＥＤチップ４をダイボンデングで搭載し、他方
のリ−ド２に金属線５によりワイヤボンデングで接続す
る。先端部を略半球形状のレンズ９に形成した透明又は
半透明合成樹脂製のモ−ルド部６でＬＥＤチップ４をパ
ッケ−ジする。半田ＤＩＰ処理時の温度がリ−ドを伝達
してリ−ドに応力が作用し、リ−ドの移動により金属線
５の断線を招来する恐れがあるが、通常リ−ドとして使
用される鉄材よりも熱伝導率が低い金属でリ−ドを形成
し、金属線５の断線を防止する。
ドをワイヤボンデングで接続する金属線の断線を防止し
た発光ダイオ−ドランプを提供すること。 【解決手段】 一対のリ−ド２、３の一方のリ−ド３の
先端にＬＥＤチップ４をダイボンデングで搭載し、他方
のリ−ド２に金属線５によりワイヤボンデングで接続す
る。先端部を略半球形状のレンズ９に形成した透明又は
半透明合成樹脂製のモ−ルド部６でＬＥＤチップ４をパ
ッケ−ジする。半田ＤＩＰ処理時の温度がリ−ドを伝達
してリ−ドに応力が作用し、リ−ドの移動により金属線
５の断線を招来する恐れがあるが、通常リ−ドとして使
用される鉄材よりも熱伝導率が低い金属でリ−ドを形成
し、金属線５の断線を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田ＤＩＰ処理の
際に、ＬＥＤチップとリ−ドをワイヤボンデングで接続
する金属線の断線を防止した発光ダイオ−ドランプに関
する。
際に、ＬＥＤチップとリ−ドをワイヤボンデングで接続
する金属線の断線を防止した発光ダイオ−ドランプに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板密着型の発光ダイオ−ド（以
下、ＬＥＤと略記する）ランプとして、図３に示す構成
のものが知られている。図３は、ＬＥＤランプを示す縦
断正面図である。図３において、ＬＥＤランプ１は二本
一対のリ−ド２、３が設けられている。その一方のリ−
ド３に発光素子チップ（ＬＥＤチップ）４をダイボンデ
ング処理で搭載する。
下、ＬＥＤと略記する）ランプとして、図３に示す構成
のものが知られている。図３は、ＬＥＤランプを示す縦
断正面図である。図３において、ＬＥＤランプ１は二本
一対のリ−ド２、３が設けられている。その一方のリ−
ド３に発光素子チップ（ＬＥＤチップ）４をダイボンデ
ング処理で搭載する。
【０００３】ＬＥＤチップ４の一方電極は前記一方のリ
−ドに接続され、ＬＥＤチップ４の他方電極は金属線５
によりリ−ド２にワイヤボンデングで接続される。６は
透明または半透明の合成樹脂製モ−ルド部で、ＬＥＤチ
ップ４と一対のリ−ド２、３をパッケ−ジする。
−ドに接続され、ＬＥＤチップ４の他方電極は金属線５
によりリ−ド２にワイヤボンデングで接続される。６は
透明または半透明の合成樹脂製モ−ルド部で、ＬＥＤチ
ップ４と一対のリ−ド２、３をパッケ−ジする。
【０００４】モ−ルド部６の先端部には、略半球形状の
レンズ９が形成される。このようにＬＥＤ１は、先端が
略半球形状の円筒体の形状、すなわちド−ム形状に形成
されており、レンズ９の反対側には、フランジ部６ｂが
形成されている。
レンズ９が形成される。このようにＬＥＤ１は、先端が
略半球形状の円筒体の形状、すなわちド−ム形状に形成
されており、レンズ９の反対側には、フランジ部６ｂが
形成されている。
【０００５】７はで基板で、表面から裏面に延在するス
ル−ホ−ル７ａ、７ｂが形成されている。ＬＥＤランプ
１を基板に実装する際には、基板７のスル−ホ−ル７
ａ、７ｂに、リ−ド２、リ−ド３の先端を挿入し、フラ
ンジ部６ｂの平面を基板７に密着させる。
ル−ホ−ル７ａ、７ｂが形成されている。ＬＥＤランプ
１を基板に実装する際には、基板７のスル−ホ−ル７
ａ、７ｂに、リ−ド２、リ−ド３の先端を挿入し、フラ
ンジ部６ｂの平面を基板７に密着させる。
【０００６】次に、リ−ド２、リ−ド３の先端をそれぞ
れ適所２ａ、３ａの位置で切り揃え、切断後のリ−ド
２、リ−ド３の先端２ｂ、３ｂを基板７の裏面に向けて
曲げる。このような処理は、カットアンドクリンチ処理
といわれている。
れ適所２ａ、３ａの位置で切り揃え、切断後のリ−ド
２、リ−ド３の先端２ｂ、３ｂを基板７の裏面に向けて
曲げる。このような処理は、カットアンドクリンチ処理
といわれている。
【０００７】このようなカットアンドクリンチ処理によ
り、ＬＥＤランプ１を基板７に実装する際に、リ−ド２
の先端２ｂには、矢視Ａ方向の応力が作用し、このよう
な応力により、リ−ド２の金属線５とのワイヤボンデン
グ部には、矢視Ｂ方向の応力が作用する。
り、ＬＥＤランプ１を基板７に実装する際に、リ−ド２
の先端２ｂには、矢視Ａ方向の応力が作用し、このよう
な応力により、リ−ド２の金属線５とのワイヤボンデン
グ部には、矢視Ｂ方向の応力が作用する。
【０００８】リ−ド２の金属線５とのワイヤボンデング
部に、矢視Ｂ方向の応力が作用することにより、金属線
５がモ−ルド部６の端面方向に引っ張られて断線し、製
品不良が発生する恐れが生じる。しかしながら、ＬＥＤ
ランプ１を基板７に実装するときに、ワイヤボンデング
部の温度がモ−ルド部６の合成樹脂の耐熱温度（約１３
０℃）を超えない場合には、合成樹脂が前記リ−ド２の
応力を吸収してリ−ド２の移動を防止する。このため、
金属線５が断線に至ることはない。
部に、矢視Ｂ方向の応力が作用することにより、金属線
５がモ−ルド部６の端面方向に引っ張られて断線し、製
品不良が発生する恐れが生じる。しかしながら、ＬＥＤ
ランプ１を基板７に実装するときに、ワイヤボンデング
部の温度がモ−ルド部６の合成樹脂の耐熱温度（約１３
０℃）を超えない場合には、合成樹脂が前記リ−ド２の
応力を吸収してリ−ド２の移動を防止する。このため、
金属線５が断線に至ることはない。
【０００９】図２は、図３のように基板７にＬＥＤラン
プ１を実装した後に、半田ディップ（ＤＩＰ）処理を行
なう例を示す縦断正面図である。図２において、８は半
田で半田ＤＩＰ処理によりリ−ド２ｂ、リ−ド３ｂと基
板７に形成されている回路パタ−ンとを電気的に接続す
る。半田ＤＩＰ処理は、例えば２６０℃の半田にリ−ド
２ｂ、リ−ド３ｂを５秒間浸漬して行なう。
プ１を実装した後に、半田ディップ（ＤＩＰ）処理を行
なう例を示す縦断正面図である。図２において、８は半
田で半田ＤＩＰ処理によりリ−ド２ｂ、リ−ド３ｂと基
板７に形成されている回路パタ−ンとを電気的に接続す
る。半田ＤＩＰ処理は、例えば２６０℃の半田にリ−ド
２ｂ、リ−ド３ｂを５秒間浸漬して行なう。
【００１０】リ−ド２、リ−ド３は、鉄材を用いている
が、鉄材は比較的熱伝導率λが高く、λ＝０．１２５
｛ｃａｌ／（ｃｍ．ｓｅｃ．ｄｅｇ）｝程度となってい
る。このため、前記のように２６０℃の半田にリ−ド２
ｂ、リ−ド３ｂを５秒間浸漬して半田ＤＩＰ処理を行な
うと、半田の熱がリ−ド２を伝わって金属線５とのワイ
ヤボンデング部に到達し、ワイヤボンデング部の温度が
合成樹脂の耐熱温度を超えることになる。
が、鉄材は比較的熱伝導率λが高く、λ＝０．１２５
｛ｃａｌ／（ｃｍ．ｓｅｃ．ｄｅｇ）｝程度となってい
る。このため、前記のように２６０℃の半田にリ−ド２
ｂ、リ−ド３ｂを５秒間浸漬して半田ＤＩＰ処理を行な
うと、半田の熱がリ−ド２を伝わって金属線５とのワイ
ヤボンデング部に到達し、ワイヤボンデング部の温度が
合成樹脂の耐熱温度を超えることになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように、リ−ド２
の金属線５とのワイヤボンデング部の温度が合成樹脂の
耐熱温度を超えると、モ−ルド部６の合成樹脂は軟化す
るために、図３で説明したようにリ−ド２に矢視Ｂ方向
の応力が作用しその残留応力が大きい場合には、リ−ド
２の応力変形に耐えることが出きなくなる。このため、
リ−ド２は破線２ｘで示すように変形し、ワイヤボンデ
ング部がモ−ルド部６の端面方向に移動し、金属線５が
５ａの位置で断線してしまう。したがって、ＬＥＤラン
プ１が点灯せず製品不良が発生するという問題があっ
た。
の金属線５とのワイヤボンデング部の温度が合成樹脂の
耐熱温度を超えると、モ−ルド部６の合成樹脂は軟化す
るために、図３で説明したようにリ−ド２に矢視Ｂ方向
の応力が作用しその残留応力が大きい場合には、リ−ド
２の応力変形に耐えることが出きなくなる。このため、
リ−ド２は破線２ｘで示すように変形し、ワイヤボンデ
ング部がモ−ルド部６の端面方向に移動し、金属線５が
５ａの位置で断線してしまう。したがって、ＬＥＤラン
プ１が点灯せず製品不良が発生するという問題があっ
た。
【００１２】本発明はこのような問題に鑑み、半田ＤＩ
Ｐ処理の際に、ＬＥＤチップとリ−ドをワイヤボンデン
グで接続する金属線の断線を防止した発光ダイオ−ドラ
ンプの提供を目的とする。
Ｐ処理の際に、ＬＥＤチップとリ−ドをワイヤボンデン
グで接続する金属線の断線を防止した発光ダイオ−ドラ
ンプの提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、発
光ダイオ−ドランプを、一対のリ−ドと、一方のリ−ド
の先端にダイボンデングで搭載される発光ダイオ−ド
（ＬＥＤ）チップと、当該ＬＥＤチップと他方のリ−ド
をワイヤボンデングで接続する金属線と、先端部を略半
球形状のレンズに形成し前記ＬＥＤチップをパッケ−ジ
する透明又は半透明合成樹脂製のモ−ルド部とを備え、
基板に密着して実装される発光ダイオ−ドランプであっ
て、前記リ−ドを鉄材よりも熱伝導率が低い金属で形成
した構成とすることによって達成される。
光ダイオ−ドランプを、一対のリ−ドと、一方のリ−ド
の先端にダイボンデングで搭載される発光ダイオ−ド
（ＬＥＤ）チップと、当該ＬＥＤチップと他方のリ−ド
をワイヤボンデングで接続する金属線と、先端部を略半
球形状のレンズに形成し前記ＬＥＤチップをパッケ−ジ
する透明又は半透明合成樹脂製のモ−ルド部とを備え、
基板に密着して実装される発光ダイオ−ドランプであっ
て、前記リ−ドを鉄材よりも熱伝導率が低い金属で形成
した構成とすることによって達成される。
【００１４】本発明の上記特徴によれば、リ−ドの熱伝
導率が低いので、半田ＤＩＰ処理時に、リ−ドの金属線
とのワイヤボンデング部の温度が合成樹脂の耐熱温度以
上には上昇せず、ワイヤボンデング部付近の合成樹脂は
軟化しない。このため、基板実装時にリ−ドのワイヤボ
ンデング部に作用する応力の残留応力を合成樹脂で吸収
して、リ−ドがモ−ルド部の端面方向へ移動することを
防止し、金属線が断線してＬＥＤランプが点灯しないよ
うな製品不良の発生を防ぐことができる。
導率が低いので、半田ＤＩＰ処理時に、リ−ドの金属線
とのワイヤボンデング部の温度が合成樹脂の耐熱温度以
上には上昇せず、ワイヤボンデング部付近の合成樹脂は
軟化しない。このため、基板実装時にリ−ドのワイヤボ
ンデング部に作用する応力の残留応力を合成樹脂で吸収
して、リ−ドがモ−ルド部の端面方向へ移動することを
防止し、金属線が断線してＬＥＤランプが点灯しないよ
うな製品不良の発生を防ぐことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態
に係るＬＥＤランプ１０を一部断面で示す縦断正面図で
ある。図３の従来例と同じ部分または対応するところに
は同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
て図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態
に係るＬＥＤランプ１０を一部断面で示す縦断正面図で
ある。図３の従来例と同じ部分または対応するところに
は同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００１６】本発明においては、リ−ド２Ｓ、リ−ド３
Ｓの材質として、熱伝導率が鉄よりも低い金属を使用す
る。このような金属として、例えば４２アロイは熱伝導
率λが、λ＝０．０３５｛ｃａｌ／（ｃｍ．ｓｅｃ．ｄ
ｅｇ）｝であり、熱伝導率λは、鉄の約（１／３．５）
に低下する。
Ｓの材質として、熱伝導率が鉄よりも低い金属を使用す
る。このような金属として、例えば４２アロイは熱伝導
率λが、λ＝０．０３５｛ｃａｌ／（ｃｍ．ｓｅｃ．ｄ
ｅｇ）｝であり、熱伝導率λは、鉄の約（１／３．５）
に低下する。
【００１７】このような、熱伝導率が低い金属でリ−ド
２Ｓ、リ−ド３Ｓを形成したＬＥＤランプ１０に対し
て、２６０℃の半田８にリ−ド２の先端２ｂとリ−ド３
の先端３ｂを５秒間浸漬して半田ＤＩＰ処理を行なう。
２Ｓ、リ−ド３Ｓを形成したＬＥＤランプ１０に対し
て、２６０℃の半田８にリ−ド２の先端２ｂとリ−ド３
の先端３ｂを５秒間浸漬して半田ＤＩＰ処理を行なう。
【００１８】この場合には、図１のラインＬの下側では
リ−ド２Ｓを伝わって半田８の熱が伝達され、モ−ルド
部６の合成樹脂の耐熱温度である約１３０℃を超えて合
成樹脂は軟化する。しかしながら、ラインＬの上側では
リ−ド２Ｓの熱伝導率が低いので、リ−ド２Ｓの温度は
合成樹脂の耐熱温度以上には上昇しない。
リ−ド２Ｓを伝わって半田８の熱が伝達され、モ−ルド
部６の合成樹脂の耐熱温度である約１３０℃を超えて合
成樹脂は軟化する。しかしながら、ラインＬの上側では
リ−ド２Ｓの熱伝導率が低いので、リ−ド２Ｓの温度は
合成樹脂の耐熱温度以上には上昇しない。
【００１９】このため、リ−ド２Ｓの金属線５とのワイ
ヤボンデング部の温度も合成樹脂の耐熱温度以上には上
昇しないので、この部分の合成樹脂は軟化しない。した
がって、基板実装時にリ−ド２Ｓに作用する矢視Ｂ方向
の応力に基づく残留応力を吸収してリ−ド２Ｓのモ−ル
ド部６の端面方向への移動を防止し、金属線５が断線し
ないようにしている。
ヤボンデング部の温度も合成樹脂の耐熱温度以上には上
昇しないので、この部分の合成樹脂は軟化しない。した
がって、基板実装時にリ−ド２Ｓに作用する矢視Ｂ方向
の応力に基づく残留応力を吸収してリ−ド２Ｓのモ−ル
ド部６の端面方向への移動を防止し、金属線５が断線し
ないようにしている。
【００２０】なお、リ−ド２Ｓ、リ−ド３Ｓには、中間
部付近に凹部２Ｐ、３Ｐを形成している。これは、リ−
ド２の先端２ｂとリ−ド３の先端３ｂから半田８の熱が
伝達される経路の長さを延長して、リ−ド２Ｓと金属線
５とのワイヤボンデング部、およびリ−ド３におけるＬ
ＥＤチップ４のボンデング部に対し温度上昇を軽減させ
るためのものである。
部付近に凹部２Ｐ、３Ｐを形成している。これは、リ−
ド２の先端２ｂとリ−ド３の先端３ｂから半田８の熱が
伝達される経路の長さを延長して、リ−ド２Ｓと金属線
５とのワイヤボンデング部、およびリ−ド３におけるＬ
ＥＤチップ４のボンデング部に対し温度上昇を軽減させ
るためのものである。
【００２１】ＬＥＤランプの製造において、半田ＤＩＰ
処理を行なう際の半田温度（２６０℃）とリ−ドの浸漬
時間（５秒間）が固定されているので、リ−ドの移動に
よる金属線の断線を防止するために前記半田温度や浸漬
時間を変更することでは対応できない。本発明において
は、通常リ−ドとして使用される鉄材よりも熱伝導率が
低い金属でリ−ドを形成することにより、半田ＤＩＰ処
理時の金属線の断線を防止するものである。
処理を行なう際の半田温度（２６０℃）とリ−ドの浸漬
時間（５秒間）が固定されているので、リ−ドの移動に
よる金属線の断線を防止するために前記半田温度や浸漬
時間を変更することでは対応できない。本発明において
は、通常リ−ドとして使用される鉄材よりも熱伝導率が
低い金属でリ−ドを形成することにより、半田ＤＩＰ処
理時の金属線の断線を防止するものである。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リ−ドの
熱伝導率が低いので、半田ＤＩＰ処理時に、リ−ドの金
属線とのワイヤボンデング部の温度が合成樹脂の耐熱温
度以上には上昇せず、ワイヤボンデング部付近の合成樹
脂は軟化しない。このため、基板実装時にリ−ドのワイ
ヤボンデング部に作用する応力の残留応力を合成樹脂で
吸収して、リ−ドがモ−ルド部の端面方向へ移動するこ
とを防止し、金属線が断線してＬＥＤランプが点灯しな
いような製品不良の発生を防ぐことができる。
熱伝導率が低いので、半田ＤＩＰ処理時に、リ−ドの金
属線とのワイヤボンデング部の温度が合成樹脂の耐熱温
度以上には上昇せず、ワイヤボンデング部付近の合成樹
脂は軟化しない。このため、基板実装時にリ−ドのワイ
ヤボンデング部に作用する応力の残留応力を合成樹脂で
吸収して、リ−ドがモ−ルド部の端面方向へ移動するこ
とを防止し、金属線が断線してＬＥＤランプが点灯しな
いような製品不良の発生を防ぐことができる。
【図１】本発明の実施の形態に係るＬＥＤランプを一部
断面で示す縦断正面図である。
断面で示す縦断正面図である。
【図２】図３のＬＥＤランプに半田ＤＩＰ処理を行なう
例を示す縦断正面図である。
例を示す縦断正面図である。
【図３】従来例のＬＥＤランプを一部断面で示す縦断正
面図である。
面図である。
１、１０ 発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）ランプ ２、３ リ−ド ４ ＬＥＤチップ ５ 金属線 ６ モ−ルド部 ６ａ レンズ ６ｂ フランジ ７ 基板 ８ 半田
Claims (1)
- 【請求項１】 一対のリ−ドと、一方のリ−ドの先端に
ダイボンデングで搭載される発光ダイオ−ド（ＬＥＤ）
チップと、当該ＬＥＤチップと他方のリ−ドをワイヤボ
ンデングで接続する金属線と、先端部を略半球形状のレ
ンズに形成し前記ＬＥＤチップをパッケ−ジする透明又
は半透明合成樹脂製のモ−ルド部とを備え、基板に密着
して実装される発光ダイオ−ドランプであって、前記リ
−ドを鉄材よりも熱伝導率が低い金属で形成したことを
特徴とする発光ダイオ−ドランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11232118A JP2001057443A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 発光ダイオ−ドランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11232118A JP2001057443A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 発光ダイオ−ドランプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001057443A true JP2001057443A (ja) | 2001-02-27 |
Family
ID=16934297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11232118A Pending JP2001057443A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 発光ダイオ−ドランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001057443A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101752484B (zh) * | 2008-12-22 | 2012-05-16 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| WO2015163657A1 (ko) * | 2014-04-22 | 2015-10-29 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
-
1999
- 1999-08-19 JP JP11232118A patent/JP2001057443A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101752484B (zh) * | 2008-12-22 | 2012-05-16 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| WO2015163657A1 (ko) * | 2014-04-22 | 2015-10-29 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| US9978919B2 (en) | 2014-04-22 | 2018-05-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10205076B2 (en) | 2014-04-22 | 2019-02-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3910144B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| US20070290307A1 (en) | Light emitting diode module | |
| JP2020502779A (ja) | Ｑｆｎ表面実装型ｒｇｂ−ｌｅｄパッケージモジュール及びその製造方法 | |
| JP2020504437A (ja) | 集積型ｒｇｂ−ｌｅｄディスプレイ | |
| KR20130124856A (ko) | 반도체 소자 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지 | |
| US20140366369A1 (en) | Light emitting device, and method for manufacturing circuit board | |
| KR100714628B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| JPH11145364A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| TWI422018B (zh) | 感測模組 | |
| JPH1050734A (ja) | チップ型半導体 | |
| JP2001057443A (ja) | 発光ダイオ−ドランプ | |
| JP2002280479A (ja) | 表面実装型の半導体装置 | |
| JP2004128330A (ja) | チップタイプｌｅｄランプの製造方法 | |
| JPH0617259U (ja) | モジュールタイプｌｅｄのモールド構造 | |
| JP4389263B2 (ja) | 半導体発光装置の製法 | |
| JP2007067452A (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR101591043B1 (ko) | 와이어 파손 방지용 ｌｅｄ 패키지 구조 | |
| JP2009021472A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US6720737B1 (en) | LED illumination structure | |
| JP2000340730A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4409074B2 (ja) | 半導体装置 | |
| TWM443814U (en) | Light bar structure | |
| JP4608810B2 (ja) | 表面実装型の半導体装置 | |
| KR101380386B1 (ko) | 고신뢰성을 갖는 발광 다이오드 패키지 | |
| JP2002076161A (ja) | 表面実装型の半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060626 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090415 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090811 |