KR101933187B1 - 발광 디바이스 - Google Patents
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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Abstract
본 발명은 발광 디바이스에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 오목한 칩 안착부를 갖는 제1 리드와, 제1 리드와 이격된 제2 리드와, 제1 및 제2 리드를 지지하는 몰딩부와, 칩 안착부에 실장된 발광 다이오드 칩과, 제1 및 제2 리드 중 적어도 어느 하나로부터 연장되며 서로 마주보는 몰딩부의 측면에서 노출되는 연결부를 포함한다.
Description
본 발명은 발광 디바이스에 관한 것이다.
발광 다이오드는 기본적으로 P형 반도체와 N형 반도체의 접합인 PN 접합 다이오드이다.
상기 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합한 뒤, 상기 P형 반도체와 N형 반도체에 전압을 인가하여 전류를 흘려주면, 상기 P형 반도체의 정공은 상기 N형 반도체 쪽으로 이동하고, 이와는 반대로 상기 N형 반도체의 전자는 상기 P형 반도체 쪽으로 이동하여 상기 전자 및 정공은 상기 PN 접합부로 이동하게 된다.
상기 PN 접합부로 이동된 전자는 전도대(conduction band)에서 가전대(valence band)로 떨어지면서 정공과 결합하게 된다. 이때, 상기 전도대와 가전대의 높이 차이 즉, 에너지 차이에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 상기 에너지가 광의 형태로 방출된다.
이러한 발광 다이오드는 광을 발하는 반도체 소자로서 친환경, 저 전압, 긴 수명 및 저 가격 등의 특징이 있으며, 종래에는 표시용 램프나 숫자와 같은 단순 정보표시에 많이 응용되어 왔으나, 최근에는 산업기술의 발전, 특히 정보표시 기술과 반도체 기술의 발전으로 디스플레이 분야, 자동차 헤드램프, 프로젝터 등 다방면에 걸쳐서 사용되기에 이르렀다.
이러한 발광 다이오드는 큰 출력이 요구됨에 따라 우수한 방열 성능을 가지면서 렌즈를 일체형으로 구비하여 발광 방향을 조절할 수 있는 패키지 구조로 제조될 수 있다.
이러한 발광 디바이스는 리드 프레임의 어느 하나의 전극 상에 발광 다이오드 칩을 실장하고, 상기 리드 프레임의 다른 하나의 전극과 상기 발광 다이오드 칩을 와이어 연결한 후, 상기 리드 프레임과 발광 다이오드 칩을 실리콘 또는 에폭시 등으로 몰딩하여 몰딩부와 렌즈를 동시에 형성하여 제조할 수 있다.
그러나 이러한 종래의 발광 디바이스는 몰딩부와 렌즈를 실리콘 또는 에폭시 등으로 몰딩할 때, 상기 리드 프레임의 뒤틀림이 발생하거나, 상기 리드 프레임의 뒤틀림 등에 의해 상기 와이어가 상기 발광 다이오드 칩 또는 전극으로부터 분리되는 와이어 오픈 등이 발생하는 문제점을 있을 수 있다.
본 발명의 목적은 리드 프레임의 뒤틀림이나 와이어 오픈 등이 발생되지 않은 렌즈 일체형의 발광 디바이스를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 오목한 칩 안착부를 갖는 제1 리드; 상기 제1 리드와 이격된 제2 리드; 상기 제1 및 제2 리드를 지지하는 몰딩부; 상기 칩 안착부에 실장된 발광 다이오드 칩; 및 상기 제1 및 제2 리드 중 적어도 어느 하나로부터 연장되며 서로 마주보는 상기 몰딩부의 측면에서 노출되는 연결부를 포함한다.
상기 제1 리드는 상기 칩 안착부가 형성된 제1 몸체부; 상기 제1 몸체부의 가장자리를 따라 형성된 제1 경사부; 및 상기 제1 경사부로부터 외측방향으로 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 연결부는 상기 제1 돌출부로부터 연장되어 상기 제1 및 제2 리드와 결합되는 몰딩부의 외측면상에서 외부에 노출된다.
상기 연결부는 상기 몰딩부의 외측면상으로 절곡된다.
상기 연결부는 상기 몰딩부의 외측면상으로 절곡되고, 상기 몰딩부 바닥면으로 연장되게 절곡된다.
상기 제1 경사부는 상기 제1 몸체부로부터 멀어질수록 점차 두께가 얇아진다.
상기 제1 돌출부는 상기 몰딩부 내에 위치한다.
상기 제2 리드는 제2 몸체부; 상기 제2 몸체부의 가장자리를 따라 형성된 제2 경사부; 및 상기 제2 경사부로부터 외측방향으로 돌출된 제2 돌출부를 포함하고, 상기 연결부는 상기 제2 돌출부로부터 연장되어 상기 제1 및 제2 리드와 결합되는 몰딩부의 외측면상에서 외부에 노출되다.
상기 연결부는 상기 몰딩부의 외측면상으로 절곡된다.
상기 연결부는 상기 몰딩부의 외측면상으로 절곡되고, 상기 몰딩부 바닥면으로 연장되게 절곡된다.
상기 제2 경사부는 상기 제2 몸체부로부터 멀어질수록 점차 두께가 얇아진다.
상기 제2 돌출부는 상기 몰딩부 내에 위치한다.
본 발명에 의하면, 본 발명의 목적은 리드 프레임의 뒤틀림이나 와이어 오픈 등이 발생되지 않은 렌즈 일체형의 발광 디바이스를 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스에서 렌즈부를 제거한 후 표면을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 선을 따라 절취한 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B' 선을 따라 절취한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스의 배면을 보여주는 배면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 디바이스에서 렌즈부를 제거한 후 표면을 보여주는 평면도이다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스의 제조 공정을 보여주는 개념도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스에서 렌즈부를 제거한 후 표면을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 선을 따라 절취한 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B' 선을 따라 절취한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스의 배면을 보여주는 배면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 디바이스에서 렌즈부를 제거한 후 표면을 보여주는 평면도이다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스의 제조 공정을 보여주는 개념도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스에서 렌즈부를 제거한 후 표면을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 선을 따라 절취한 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B' 선을 따라 절취한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스의 배면을 보여주는 배면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스(100)는 발광 다이오드 칩(110), 제1 리드(120), 제2 리드(130), 몰딩부(140) 및 렌즈부(150)를 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(110)은 수직형 발광 다이오드 칩 또는 수평형 발광 다이오드 칩일 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩(110)은 자외선 발광 다이오드 칩 또는 적색, 청색 또는 녹색을 발광하는 가시광선 발광 다이오드 칩일 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩(110)은 도들에서 자세히 도시하고 있지 않지만, 기판과 상기 기판 상에 구비됨 발광 다이오드를 포함할 수 있고, 상기 발광 다이오드는 n형 반도체층(미도시), 활성층(미도시) 및 p형 반도체층(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 n형 반도체층(미도시) 또는 p형 반도체층(미도시)은 불순물이 도핑된 Ⅲ-N 계열의 화합물 반도체, 예컨대 (Al, Ga, In)N 계열의 Ⅲ족 질화물 반도체층일 수 있다. 상기 활성층(미도시)은 Ⅲ-N 계열의 화합물 반도체, 예컨대 (Al, Ga, In)N 반도체층으로 이루어질 수 있으며, 하나의 웰층(미도시)을 포함하는 단일 양자웰 구조일 수도 있고, 웰층(미도시)과 장벽층(미도시)이 교대로 반복되어 적층된 구조인 다중 양자웰 구조로 구비될 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩(110)은 상기 제1 리드(120)에 실장될 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩(110)은 이후 설명되는 상기 제1 리드(120)의 홈부(125) 내에 실장되어 있을 수 있다.
이때, 도 2 및 도 3 등에서는 도시하고 있지 않지만, 상기 제1 리드(120)의 표면에 상기 홈부(125)를 구비하지 않을 수 있으며, 상기 제1 리드(120)의 표면에 상기 홈부(125)를 구비하지 않은 경우, 상기 발광 다이오드 칩(110)은 상기 제1 리드(120)의 표면에 실장되어 있을 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩(110)이 상기 제1 리드(120)의 표면에 실장되어 있는 경우, 상기 발광 다이오드 칩(110)은 그 자체 내에 형광체를 포함하고 있거나, 형광체가 필요없는 구조일 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(110)은 와이어(112)를 통해 상기 제2 리드(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 도 2 및 도 3 등에 도시하고 있지 않지만, 상기 발광 다이오드 칩(110)은 와이어(미도시)를 통해 상기 제1 리드(120)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(110)은 형광체(114)에 의해 코팅되어 있을 수 있다. 즉, 상기 형광체(114)는 상기 홈부(125) 내부를 채우는 형태로 구비될 수 있다.
상기 제1 리드(120)는 몸체부(121), 경사부(122), 돌출부(123) 및 연결부(124)를 포함할 수 있다.
상기 제1 리드(120)의 몸체부(121)는 상기 제1 리드(120) 부분 중에서 그 두께가 두꺼운 부분으로, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 일측 표면에는 상기 발광 다이오드 칩(110)이 실장되는 홈부(125)를 구비하고, 타측 표면, 즉, 바닥면은 이후 설명되는 몰딩부(140)로부터 노출된 형태로 구비될 수 있다. 상기 노출된 타측 표면은 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 발생된 열이 방열하는 역할을 할 수 있다.
상기 홈부(125)는 상기 발광 다이오드 칩(110)이 실장되는 바닥면(125a)과 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 발광된 광을 반사시키는 반사면(125b)을 구비할 수 있다.
이때, 상기 홈부(125)는 이후 설명되는 몰딩부(140)의 중심 또는 이후 설명되는 렌즈부(150)의 중심에 위치할 수 있다. 이는 상기 홈부(125), 정확하게는 상기 홈부(125)의 바닥면(125a)에 상기 발광 다이오드 칩(110)이 실장되기 때문이다.
상기 제1 리드(120)의 경사부(122)는 상기 몸체부(121)로부터 연장되어 구비되되, 상기 몸체부(121)로부터 멀어질 수 록 그 두께가 얇아지는 영역이다.
상기 경사부(122)는 상기 제1 리드(120)의 타측 표면, 즉 바닥면에 대해 둔각을 이루면서 경사져 구비되되, 상기 제1 리드(120)의 타측 표면, 즉 바닥면으로부터 일정 높이까지 경사져 구비될 수 있다. 여기서 상기 '둔각'은 90도보다는 크고 180도보다는 작은 각을 의미하며, 상기 바닥면에 대해 상기 경사부(122)가 이루는 각이 둔각으로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 일정 높이는 이후 설명되는 상기 돌출부(123)의 두께 및 상기 몸체부(121)의 두께에 따라 적절히 결정될 수 있다. 즉, 상기 돌출부(123)의 두께가 두꺼울 수 록 상기 일정 높이는 낮아질 수 있다.
상기 제1 리드(120)의 돌출부(123)와 연결부(124)는 상기 경사부(122)로부터 연장되어 구비될 수 있다.
상기 돌출부(123)와 연결부(124)는 상기 경사부(122)로부터 연장되어 구비되는 점은 동일하나, 상기 돌출부(123)는 이후 설명되는 상기 몰딩부(140) 내부에 구비되나, 상기 연결부(124)는 도 1에 도시된 바와 같이 적어도 그 측면이 상기 몰딩부(140)의 측면에 노출된 형태로 구비될 수 있다.
또한, 도 1 등에서 도시하고 있지 않지만, 상기 연결부(124)는 그 끝단이 상기 몰딩부(140)로부터 돌출되어 노출된 형태로 구비될 수 있고, 또한, 상기 연결부(124)는 더 연장되어 상기 몰딩부(140)의 측면 상에 위치하도록 1회 절곡되어 구비될 수 있고, 더욱 연장되어 상기 몰딩부(140)의 측면뿐만 아니라 바닥면 상에 위치하도록 2회 절곡되어 구비될 수 있다.
상기 제2 리드(130)는 몸체부(131), 경사부(132), 돌출부(133), 연결부(134), 제1 다리부(135) 및 제2 다리부(136)를 포함할 수 있다.
상기 제1 리드(130)의 몸체부(131)는 상기 제2 리드(130) 부분 중에서 그 두께가 두꺼운 부분으로, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 제1 리드(120)의 제1 측면(120a)과 대면하되, 일정 간격으로 이격되도록 구비될 수 있다.
상기 몸체부(131)는 그 타측 표면, 즉, 바닥면에는 상기 제1 리드(120)의 몸체부(121)와 유사하게, 상기 몰딩부(140)로부터 노출된 형태로 구비될 수 있다.
상기 제2 리드(130)의 경사부(132)는 상기 몸체부(131)로부터 연장되어 구비되되, 상기 몸체부(131)로부터 멀어질 수 록 그 두께가 얇아지는 영역이다.
상기 경사부(132)는 상기 제1 리드(120)의 경사부(122)와 유사하게, 상기 제2 리드(130)의 타측 표면, 즉 바닥면에 대해 둔각을 이루면서 경사져 구비되되, 상기 제2 리드(130)의 타측 표면, 즉 바닥면으로부터 일정 높이까지 경사져 구비될 수 있다. 이때, 상기 일정 높이는 이후 설명되는 상기 돌출부(133)의 두께 및 상기 몸체부(131)의 두께에 따라 적절히 결정될 수 있다. 즉, 상기 돌출부(133)의 두께가 두꺼울 수 록 상기 일정 높이는 낮아질 수 있다.
상기 제2 리드(130)의 돌출부(133)와 연결부(134)는 상기 경사부(132)로부터 연장되어 구비될 수 있다.
상기 돌출부(133)와 연결부(134)는 상기 경사부(132)로부터 연장되어 구비되는 점은 동일하나, 상기 돌출부(133)는 이후 설명되는 상기 몰딩부(140) 내부에 구비되나, 상기 연결부(134)는 도 1에 도시된 바와 같이 적어도 그 측면이 상기 몰딩부(140)의 측면에 노출된 형태로 구비될 수 있다.
또한, 도 1 등에서 도시하고 있지 않지만, 상기 연결부(134)는 그 끝단이 상기 몰딩부(140)로부터 돌출되어 노출된 형태로 구비될 수 있고, 또한, 상기 연결부(134)는 더 연장되어 상기 몰딩부(140)의 측면 상에 위치하도록 1회 절곡되어 구비될 수 있고, 더욱 연장되어 상기 몰딩부(140)의 측면뿐만 아니라 바닥면 상에 위치하도록 2회 절곡되어 구비될 수 있다.
상기 제2 리드(130)의 제1 다리부(135) 및 제2 다리부(136)는 상기 경사부(132)로부터 연장되어 상기 제2 리드(130)는 전체적으로 'ㄷ'자 형태로 구비될 수 있다. 상기 제1 다리부(135) 및 제2 다리부(136)가 상기 돌출부(133) 및 연결부(134)와 다른 점은 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 다리부(135)는 상기 경사부(132)로부터 연장되어 구비되되, 상기 제1 리드(120)의 제1 측면(120a)과 연결된 제2 측면(120b)과 대응되도록 연장되고, 상기 제2 다리부(136)는 상기 경사부(132)로부터 연장되어 구비되되, 상기 제1 측면(120a)과 연결된 다른 측면, 즉, 상기 제2 측면(120b)과 평행한 제3 측면(120c)에 대응되도록 연장되어 구비된다는 점이다.
그러므로, 상기 제2 리드(130)는 상기 제1 리드(120)의 제1 측면(120a), 상기 제2 측면(120b) 및 상기 제3 측면(120c)에 일정 간격 이격된 위치에 구비되어, 상기 제1 리드(120)의 제1 측면(120a), 상기 제2 측면(120b) 및 상기 제3 측면(120c), 즉, 상기 제1 리드(120)의 세 면을 감싸는 형태로 구비될 수 있다.
상기 몰딩부(140)는 실리콘 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다.
상기 몰딩부(140)는 상기 발광 다이오드 칩(110)을 포함하여 상기 제1 리드(120)와 제2 리드(130)를 감싸는 형태로 구비될 수 있다. 정확하게는 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 리드(120)의 바닥면, 상기 제2 리드(130)의 바닥면, 상기 제1 리드(120)의 연결부(124)의 측면 및 상기 제2 리드(130)의 연결부(134)의 측면을 제외한 다른 면은 모두 감싸는 형태로 구비될 수 있다.
상기 렌즈부(150)는 상기 몰딩부(140)와 일체형으로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 몰딩부(140)와 렌즈부(150)는 한 번의 몰딩으로 동시에 형성될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스(100)는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리드(120)의 경사부(122) 및 제2 리드(130)의 경사부(132)는 상기 제1 리드(120)와 제2 리드(130)의 바닥면에 대해 둔각을 이루고 있어 상기 제1 리드(120)와 제2 리드(130)의 바닥면에서 상부 방향으로 갈수록 상기 제1 리드(120)와 제2 리드(130)의 너비가 넓어져 상기 몰딩부(140)로부터의 이탈이 용이하지 않게 구비될 수 있다.
또한, 상기 발광 디바이스(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 제1 다리부(135) 및 제2 다리부(136)가 각각 상기 제1 리드(120)의 제2 측면(120b) 및 제3 측면(120c)에 평행하도록 구비되어 있어, 상기 제2 리드(130)가 상기 제1 리드(120)의 네 측면(120a, 120b, 120c, 120d) 중 적어도 세 면(120a, 120b, 120c)의 측면을 감싸는 형태로 구비되어 상기 발광 디바이스(100)가 뒤틀리는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 발광 디바이스(100)는 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제1 리드(120)의 몸체부(121)의 측면들, 경사부(122)와 상기 제2 리드(130)의 측면들, 즉, 경사부(132)를 상기 몰딩부(140)는 덮는 형태로 구비되어, 상기 몰딩부(140)에 의해 상기 제1 리드(120) 또는 제2 리드(130)가 측면 방향으로 이동되는 것을 방지하는 상기 와이어(112)가 상기 발광 디바이스(110) 또는 제2 리드(130)와 오픈, 즉 분리되는 것을 방지될 수 있다. 즉, 상기 발광 디바이스(100)는 상기 몰딩부(140)가 상기 제1 리드(110)와 제2 리드(120)의 측면을 덮는 형태로 구비되어 상기 제1 리드(110) 또는 제2 리드(120)가 팽창하여도 상기 제1 리드(110)와 제2 리드(120) 사이의 이격 간격은 급격히 변경되지 않아, 상기 와이어(110)가 오픈되는 문제가 발생되지 않는다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 디바이스에서 렌즈부를 제거한 후 표면을 보여주는 평면도이다.
도 6을 참조하여 설명하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 디바이스(200)는 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스(100)와 비교하여 상기 제1 리드(120')의 형상 및 제2 리드(130')의 형상에서 차이가 있을 뿐 다른 점은 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 디바이스(200)의 제2 리드(130')는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스(100)와 비교하여, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 다리부(135')와 제2 다리부(136')가 각각 적어도 1회 절곡되어 구비된다는 점에서 차이가 있다.
즉, 상기 제1 다리부(135')는 상기 제1 전극(120')의 제2 측면(120b) 뿐만 아니라 제4 측면(120d)의 일부를 덮도록 구비되고, 상기 제2 다리부(136')는 상기 제1 전극(120')의 제3 측면(120c) 뿐만 아니라 제4 측면(120d)의 일부를 덮도록 구비되어 상기 제2 리드(130')의 전체적인 형상이 'ㅁ'자에서 어느 한 변의 일부가 오픈되어 있는 형상으로 구비되어 있다는 점에서 차이가 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 디바이스(200)의 제1 리드(120')는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스(100)와 비교하여, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 제2 리드(130')의 전체적인 형상이 ㅁ'자에서 어느 한 변의 일부가 오픈되어 있는 형상으로 변형됨에 따라 상기 제2 측면(120b)과 제4 측면(120d) 사이의 모서리 및 상기 제3 측면(120c)과 제4 측면(120d) 사이의 모서리가 제거된 형상으로 구비된다는 점에서 차이가 있다.
상기와 같은 차이점 이외의 다른 구성은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스(100)의 구성과 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.
따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 디바이스(200)는 상기 제2 리드(130')가 전체적인 형상이 'ㅁ'자에서 어느 한 변의 일부가 오픈되어 있는 형상으로 변경됨으로써 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스(100)에서 상술한 상기 제1 리드(120')와 제2 리드(130')의 이탈을 방지, 상기 발광 디바이스(200)의 뒤틀림 방지 및 상기 와이어(110)의 오픈 방지를 더욱더 확실하게 이룰 수 있다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스의 제조 공정을 보여주는 개념도들이다.
이때, 도 7 내지 도 11은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스(100)를 제조하는 방법을 설명하고 있으나, 도 6을 참조하여 설명한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 디바이스(200)를 제조하는 방법으로 변경될 수 있다.
도 7을 참조하여 설명하면, 우선 리드 프레임(10)을 준비한다.
이어서, 상기 리드 프레임(10)의 타측 표면 상에 포토레지스트 패턴(160)을 형성한다.
상기 포토레지스트 패턴(160)은 제1 리드(120)의 몸체부(121)의 바닥면과 대응되는 제1 패턴(162), 제2 리드(130)의 몸체부(131)의 바닥면과 대응되는 제2 패턴(164) 및 하나의 단위 패키지를 정의하는 제3 패턴(166)을 포함할 수 있다.
상기 제1 패턴(162)은 상기 제1 리드(120)의 몸체부(121)를 형성하고, 상기 제2 패턴(164)은 제2 리드(130)의 몸체부(131)를 형성한다.
도 8을 참조하여 설명하면, 상기 포토레지스트 패턴(160)을 마스크로 상기 리드 프레임(10)을 식각하여 상기 제1 리드(120)의 경사부(122) 및 제2 리드(130)의 경사부(132)를 형성한다.
상기 경사부들(122, 132)은 상기 포토레지스트 패턴(160)의 제1 패턴(162) 및 제2 패턴(164)과 가까울수록 상기 리드 프레임(10)이 덜 식각됨으로써 형성될 수 있다.
또한, 상기 포토레지스트 패턴(160)을 마스크로 하여 상기 리드 프레임(10)을 식각하여 상기 제1 리드(120)의 돌출부(123) 및 연결부(124)와 상기 제2 리드(130)의 돌출부(133), 연결부(134), 제1 다리부(135) 및 제2 다리부(136)를 형성하기 위한 식각 영역(13)을 형성할 수 있다.
도 9를 참조하여 설명하면, 식각 공정이 완료된 후, 상기 포토레지스트 패턴(160)을 제거한 후, 펀칭 공정으로 펀칭하여 상기 리드 프레임(10)의 일부를 상기 제1 리드(120) 및 제2 리드(130)로 형성한다. 이때, 상기 펀칭 공정은 상기 식각 영역(13)을 펀칭하여 이루어질 수 있다.
이때, 상기 제1 리드(120)와 제2 리드(130)는 각각의 연결부(124, 134)로 상기 리드 프레임(10)에 연결된 형태로 구비될 수 있다.
상기 펀칭 공정으로 펀칭할 때, 펀칭기 몰드의 형상을 변경함으로써 도 6에 도시된 본 발명의 다른 실시 예에 개시된 제1 리드(120') 및 제2 리드(130')를 형성할 수 있다.
도 10을 참조하여 설명하면, 상기 제1 리드(120)의 일측 표면에 발광 다이오드 칩(110)을 상기 제1 리드(120)의 홈부(125)에 실장한다. 한편, 상기 제1 리드(120)에 홈부(125)를 구비하고 있지 않은 경우, 상기 발광 다이오드 칩(110)은 이 상기 제1 리드(120)의 표면의 일정 영역 상에 실장될 수 있다.
이어서, 상기 발광 다이오드 칩(110)과 상기 제2 리드(130)를 와이어(112)를 통해 연결한다.
이때, 상기 홈부(125)는 상기 펀칭 공정 후, 상기 제1 리드(120)의 일측 표면에 형성할 수도 있고, 상기 리드 프레임(10)에 미리 형성되어 있는 것을 이용할 수 있다.
도 11을 참조하여 설명하면, 상기 발광 다이오드 칩(110)을 실장한 후, 상기 발광 다이오드 칩(110)을 덮도록 형광체를 도포한다. 이때, 도 11에서는 자세히 도시하고 있지 않지만, 상기 발광 다이오드 칩(110)이 실장된 상기 홈부(125)를 상기 형광체를 채움으로써 도포할 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(110)이 상기 제1 리드(120)의 일측 표면에 실장되어 있는 경우, 상기 형광체는 스프레이 코팅, 컨포멀 코팅 및 필름 접착 등으로 형성될 수도 있다.
이어서, 상기 발광 다이오드 칩(110), 제1 리드(120) 및 제2 리드(130)를 덮는 몰딩부(140)와 상기 몰딩부(140) 상에 구비된 렌즈부(150)를 몰딩 공정을 통해 형성한다.
이때, 상기 몰딩부(140)의 측면을 통해 상기 제1 리드(120)의 연결부(124)들 및 제2 리드(130)의 연결부(134)들이 노출되어 있을 수 있다.
이어서, 도 11에서 도시하고 있지 않지만, 상기 몰딩부(140)의 측면에 노출된 상기 제1 리드(120)의 연결부(124)들 및 제2 리드(130)의 연결부(134)들을 절단하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 디바이스(100)를 제조할 수 있다.
이상 본 발명을 상기 실시 예들을 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니다. 당업자라면, 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정, 변경을 할 수 있으며 이러한 수정과 변경 또한 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.
110 : 발광 다이오드 칩 120 : 제1 리드
130 : 제2 리드 140 : 몰딩부
150 : 렌즈부
130 : 제2 리드 140 : 몰딩부
150 : 렌즈부
Claims (11)
- 오목한 칩 안착부를 갖는 제1 리드;
상기 제1 리드와 이격된 제2 리드;
상기 제1 및 제2 리드를 지지하는 몰딩부;
상기 칩 안착부에 실장된 발광 다이오드 칩; 및
상기 제1 및 제2 리드 중 적어도 어느 하나로부터 연장되며 서로 마주보는 상기 몰딩부의 측면에서 노출되는 연결부를 포함하고,
상기 제1 리드는,
상기 칩 안착부가 형성된 제1 몸체부;
상기 제1 몸체부의 가장자리를 따라 형성된 제1 경사부; 및
상기 제1 경사부로부터 외측방향으로 돌출된 제1 돌출부를 포함하고,
상기 연결부는 상기 제1 돌출부로부터 연장되어 상기 제1 및 제2 리드와 결합되는 상기 몰딩부의 외측면상에서 외부에 노출되는 발광 디바이스. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 연결부는 상기 몰딩부의 외측면상으로 절곡되는 발광 디바이스. - 청구항 1에 있어서,
상기 연결부는 상기 몰딩부의 외측면상으로 절곡되고, 상기 몰딩부 바닥면으로 연장되게 절곡된 발광 디바이스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 경사부는 상기 제1 몸체부로부터 멀어질수록 점차 두께가 얇아지는 발광 디바이스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 돌출부는 상기 몰딩부 내에 위치한 발광 디바이스. - 오목한 칩 안착부를 갖는 제1 리드;
상기 제1 리드와 이격된 제2 리드;
상기 제1 및 제2 리드를 지지하는 몰딩부;
상기 칩 안착부에 실장된 발광 다이오드 칩; 및
상기 제1 및 제2 리드 중 적어도 어느 하나로부터 연장되며 서로 마주보는 상기 몰딩부의 측면에서 노출되는 연결부를 포함하고,
상기 제2 리드는,
제2 몸체부;
상기 제2 몸체부의 가장자리를 따라 형성된 제2 경사부; 및
상기 제2 경사부로부터 외측방향으로 돌출된 제2 돌출부를 포함하고,
상기 연결부는 상기 제2 돌출부로부터 연장되어 상기 제1 및 제2 리드와 결합되는 상기 몰딩부의 외측면상에서 외부에 노출되는 발광 디바이스. - 청구항 7에 있어서,
상기 연결부는 상기 몰딩부의 외측면상으로 절곡되는 발광 디바이스. - 청구항 7에 있어서,
상기 연결부는 상기 몰딩부의 외측면상으로 절곡되고, 상기 몰딩부 바닥면으로 연장되게 절곡된 발광 디바이스. - 청구항 7에 있어서,
상기 제2 경사부는 상기 제2 몸체부로부터 멀어질수록 점차 두께가 얇아지는 발광 디바이스. - 청구항 7에 있어서,
상기 제2 돌출부는 상기 몰딩부 내에 위치한 발광 디바이스.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130074755A KR101933187B1 (ko) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 발광 디바이스 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130074755A KR101933187B1 (ko) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 발광 디바이스 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110144422A Division KR101979826B1 (ko) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | 발광 다이오드 패키지 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130083883A KR20130083883A (ko) | 2013-07-23 |
KR101933187B1 true KR101933187B1 (ko) | 2018-12-31 |
Family
ID=48994726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130074755A KR101933187B1 (ko) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 발광 디바이스 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101933187B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102160075B1 (ko) * | 2014-04-22 | 2020-09-25 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
CN114335290A (zh) * | 2019-08-13 | 2022-04-12 | 光宝光电(常州)有限公司 | 封装结构 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011233852A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-11-17 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
-
2013
- 2013-06-27 KR KR1020130074755A patent/KR101933187B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011233852A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-11-17 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130083883A (ko) | 2013-07-23 |
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