CN114335290A - 封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种封装结构。封装结构包含第一电极对、第二电极对、第三电极对、以及本体。本体包覆第一电极对、第二电极对及第三电极对。本体包含第一容槽、第二容槽及第三容槽，第一容槽、第二容槽及第三容槽分别对应第一电极对、第二电极对及第三电极对的位置，并且第一容槽的开口面积大于第二容槽及第三容槽的开口面积。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装结构，特别是一种适合应用于人脸抓拍的监视系统或者车牌辨识的辨识系统中的封装结构。
背景技术
现有应用于人脸抓拍的监视系统或车牌辨识的辨识系统中，其大多是以红外光发光二极管为感测光源。然而红外光发光二极管所发出的光仍有部分范围会落于红光范围内，因此传统系统外观会有红色亮点(红斑现象)，容易引起人们注意，达不到所欲的监测效果或者影响路人安全。
为消除此红斑现象，已有业者尝试将红外光发光二极管与蓝光发光二极管封装于一单一碗杯的PLCC6支架中，并于其封装胶中添加荧光粉，构成一发光装置。藉由蓝光发光二极管与荧光粉形成白光，中和红光发光二极管产生的红斑。然而此种发光装置在设计上荧光粉也会铺设到红光发光二极管上，造成红光能量损耗。此外，传统的PLCC6支架为引脚弯折的设计，体积庞大，不利于终端产品的微型化发展。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种封装结构。
本发明的其中一实施例公开一种封装结构，所述封装结构包含：第一电极对、第二电极对及第三电极对；以及本体，包覆所述第一电极对、所述第二电极对及所述第三电极对，所述本体包含第一容槽、第二容槽及第三容槽，所述第一容槽、所述第二容槽及所述第三容槽分别对应所述第一电极对、所述第二电极对及所述第三电极对的位置，并且所述第一容槽的开口面积大于所述第二容槽及所述第三容槽的开口面积。
可选地，所述第一容槽、所述第二容槽及所述第三容槽分别进一步地具有第一开口、第二开口及第三开口；于所述封装结构的俯视图中，所述第一开口的面积为所述第二开口的2倍至3倍，所述第一开口的面积为所述第三开口的2倍至3倍。
可选地，所述第二开口的面积与所述第三开口的面积相等。
可选地，所述第二开口的形状与所述第三开口的形状呈180度对称。
可选地，所述本体还包含第一分隔墙及第二分隔墙，第一分隔墙位于所述第一容槽及所述第二容槽之间，第二分隔墙位于所述第一容槽及所述第三容槽之间，所述第一分隔墙及所述第二分隔墙各具有两个弯曲段。
可选地，所述第一分隔墙的高度等于所述第二分隔墙的高度。
可选地，所述第一分隔墙所包含的其中一弯曲段是朝所述第二容槽弯折，另一弯曲段是朝所述第一容槽弯折；所述第二分隔墙所包含的其中一弯曲段是朝所述第三容槽弯折，另一弯曲段是朝所述第一容槽弯折。
可选地，所述本体还包含第一矮墙、第二矮墙及第三矮墙，第一矮墙、第二矮墙及第三矮墙分别设置于第一容槽、第二容槽及第三容槽内。
可选地，所述本体包含辅助矮墙，所述第一电极对包含辅助嵌合部，所述辅助矮墙与辅助嵌合部相互嵌合并覆盖部分的所述第一电极对。
可选地，所述第一容槽的两端部位的宽度小于所述第一容槽的中间部位的宽度。
可选地，所述第一容槽的两侧形状分别几何配合相邻的所述第二容槽的侧边形状及相邻的所述第三容槽的侧边形状。
可选地，所述第二容槽的两端部位的宽度大于所述第二容槽的中间部位的宽度，所述第三容槽的两端部位的宽度大于所述第三容槽的中间部位的宽度。
综上所述，本发明的封装结构应用于人脸抓拍的监视系统或者车牌辨识的辨识系统中的发光装置时，由于第一容槽的开口面积大于第二容槽及第三容槽的开口面积，并且被用来容置封装胶。因此，不会发生前述习知人脸抓拍的监视系统或者车牌辨识的辨识系统中的发光装置，具有荧光粉的封装胶铺设到红光发光二极管上，而造成红光能量损耗的问题。
为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1、图2及图3为本发明发光装置的不同视角的示意图。
图4为本发明的发光装置的局部分解示意图。
图5为本发明的发光装置未设置第一封装胶体、第二封装胶体及第三封装胶体的示意图。
图6为图5的俯视示意图。
图7为本发明的发光装置的第一电极对、第二电极对及第三电极对的示意图。
图8为图7的俯视图。
图9为本发明的发光装置的第一电极对、第二电极对及第三电极对的另一视角的示意图。
图10为沿图5的剖面线X剖开后的剖面示意图。
图11为沿图5的剖面线XI剖开后的剖面示意图。
图12为沿图5的剖面线XII剖开后的剖面示意图。
图13为沿图5的剖面线XIII剖开后的剖面示意图。
图14为本发明的发光装置未设置第一封装胶体、第二封装胶体、第三封装胶体的另一实施例的示意图。
图15为多个本发明的发光装置的第一电极对、第二电极对及第三电极对于制造过程中的俯视示意图。
具体实施方式
于以下说明中，如有指出请参阅特定图式或是如特定图式所示，其仅是用以强调于后续说明中，所述及的相关内容大部份出现于该特定图式中，但不限制该后续说明中仅可参考所述特定图式。
请一并参阅图1至图6，图1、图2及图3为本发明发光装置的不同视角的示意图，图4为本发明的发光装置的局部分解示意图，图5为本发明的发光装置的未设置第一封装胶体、第二封装胶体及第三封装胶体的示意图，图5为本发明的发光装置未设置第一封装胶体、第二封装胶体、第三封装胶体的示意图，图6为图5的俯视示意图。
发光装置S包含一封装结构S1、一第一发光芯片S2、一第二发光芯片S3、一第三发光芯片S4、一第一封装胶体S5、一第二封装胶体S6、一第三封装胶体S7及一透镜S8。在不同的实施例中，发光装置S也可以是不具有透镜S8。
封装结构S1包含一本体1及一第一电极对3、一第二电极对5及一第三电极对7。本体1包覆第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7，且第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7彼此电性独立。本体1包含第一容槽11、第二容槽12及第三容槽13，第一容槽11、第二容槽12及第三容槽13成列且间隔地设置，且第一容槽11位于第二容槽12及第三容槽13之间。在实际应用中，本体1可以是由环氧模塑料(Epoxy Molding Compound,EMC)所形成，但不以此为限。
第一容槽11、第二容槽12及第三容槽13分别对应第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7设置，而第一电极对3的一部分、第二电极对5的一部分及第三电极对7的一部分是对应露出于第一容槽11、第二容槽12及第三容槽13，且第一电极对3的一部分、第二电极对5的一部分及第三电极对7的一部分是对应露出于本体1的一底面14(如图3所示)。其中，第一容槽11、第二容槽12及第三容槽13分别具有第一开口111、第二开口121及第三开口131，且第一开口111的面积大于第二开口121的面积，第一开口111的面积大于第三开口131的面积。在较佳的应用中，于发光装置S的俯视图(如图6所示)中，第一开口111的面积可以是为第二开口121及第三开口131的2倍至3倍。较佳是第二开口121与第三开口131等大。
第一发光芯片S2、第二发光芯片S3及第三发光芯片S4分别设置于第一容槽11、第二容槽12及第三容槽13中，且第一发光芯片S2、第二发光芯片S3及第三发光芯片S4分别与第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7电性连接。其中，第一发光芯片S2所发出光束所属的波段不同于第二发光芯片S3所发出光束所属的波段，第一发光芯片S2所发出的光束所属的波段不同于第三发光芯片S4的所发出光的波段。举例来说，第一发光芯片S2可以是能发出位于不可见光波段的光，较佳是红外光波段的光，第二发光芯片S3及第三发光芯片S4则可以是能发出位于可见光波段的光或紫外光波段。
在实际应用中，第二发光芯片S3所发出的光束所属的波段可以是与第三发光芯片S4所发出的光束所属的波段实质相同，即第二发光芯片S3所发出的光束的波长与第三发光芯片S4所发出光束的波长的差值是不大于5纳米(nm)。
第一封装胶体S5、第二封装胶体S6及第三封装胶体S7分别设置于第一容槽11、第二容槽12及第三容槽13中，且第一封装胶体S5、第二封装胶体S6及第三封装胶体S7分别覆盖第一发光芯片S2、第二发光芯片S3及第三发光芯片S4，而第一发光芯片S2、第二发光芯片S3及第三发光芯片S4所分别发出的光，将通过第一封装胶体S5、第二封装胶体S6及第三封装胶体S7后向外射出。
在部分实施例中，第二封装胶体S6中可以是包含波长转换物质，而第二发光芯片S3所发出的光(较佳为蓝光或近紫外光)在通过第二封装胶体S6后，部分转换并混合成白光，例如是色温为2500开尔文(K)至6500开尔文(K)的白光。相同地，第三封装胶体S7中可以是包含波长转换物质，而第三发光芯片S4所发出的光(较佳为蓝光或近紫外光)在通过第三封装胶体S7后，部分转换并混合成白光，例如是色温为2500开尔文(K)至6500开尔文(K)的白光。所述波长转换物质例如是荧光粉。
如图4所示，第一封装胶体S5的上表面S51、第二封装胶体S6的上表面S61及第三封装胶体S7的上表面S71与本体1的顶面15可以是相互齐平，而透镜S8则是设置于本体1的顶面15，且透镜S8对应覆盖第一封装胶体S5的上表面S51、第二封装胶体S6的上表面S61及第三封装胶体S7的上表面S71。于图4中所示的透镜S8的外型，仅为其中一示范形态，于实际应用中，透镜S8的外型可以是依据需求变化。
本发明的发光装置S可以应用于人脸抓拍、车牌辨识等装置中。较佳地，本发明的发光装置S应用于人脸抓拍、车牌辨识的装置中时，第一发光芯片S2可以是选用能发出波长为750纳米(nm)、波长为670纳米(nm)、波长为850纳米(nm)或波长为940纳米(nm)的红外光(IR)的发光二极管，且可以是使第二发光芯片S3及第三发光芯片S4所发出的部分光束，分别通过含有荧光粉的第二封装胶体S6及第三封装胶体S7后产生色温为3000K的白光。在不同的实施例中，第一发光芯片S2也可以是选用能发出波长为670纳米(nm)的垂直共振腔面射型激光器(VCSEL)，以增加第一发光芯片S2的照射距离，而第二发光芯片S3及第三发光芯片S4则可以是选用能发出波长为470纳米(nm)的蓝光的发光二极管，第二封装胶体S6及第三封装胶体S7则可以是选用掺入有荧光颗粒的封装胶体，而使第二发光芯片S3及第三发光芯片S4所发出的部分光束通过第二封装胶体S6及第三封装胶体S7后，能部分转换并混合成白光。
值得一提的是，如下表所示，前述封装结构S1可以应用于不同的领域中，而依据封装结构S1所应用的领域的不同，所述封装结构S1的第一容槽、第二容槽及第三容槽中可以是设置不同种类的芯片及波长转换物质。
请一并参阅图5至图8，图6为图5的俯视示意图，图7为本发明的发光装置(封装结构S1)的第一电极对、第二电极对及第三电极对的示意图，图8为图7的俯视图。第一电极对3包含两个第一电极片体31，第二电极对5包含两个第二电极片体51，第三电极对7包含两个第三电极片体71。关于各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71的外型、尺寸等皆可依据需求变化，图中所示仅为其中一示范形态。
两个第一电极片体31彼此间隔地被本体1包覆，两个第二电极片体51彼此间隔地被本体1包覆，两个第三电极片体71彼此间隔地被本体1包覆，而各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71是彼此间隔地设置于本体1中。
如图1、图2及图7所示，第一电极对3的各个第一电极片体31可以是包含多个第一延伸部311，各个第一延伸部311的一部分露出本体1的其中一个侧面16。第二电极对5的各个第二电极片体51可以是包含多个第二延伸部511，各个第二延伸部511的一部分露出本体1其中一个侧面16。第三电极对7的各个第三电极片体71可以是包含至少一第三延伸部711，各个第三延伸部711的一部分露出本体1的其中一个侧面16。其中，各个第一延伸部311、各个第二延伸部511及各个第三延伸部711可以是分别露出于本体1的三个不相同的侧面16。外露于本体1的各个第一延伸部311、各个第二延伸部511及各个第三延伸部711可以用来与外部的各式微处理器电性连接，而微处理器则能借此独立地控制第一发光芯片S2、第二发光芯片S3及第三发光芯片S4。
请一并参阅图5、图6、图7及图10，图10为本发明的发光装置未设置透镜、第一封装胶体、第二封装胶体、第三封装胶体的剖面示意图。本体1可以是区隔为一外围墙17、一第一分隔墙18及一第二分隔墙19，外围墙17、第一分隔墙18及第二分隔墙19相互连接，而共同形成第一容槽11、第二容槽12及第三容槽，亦即，第一分隔墙18位于第一容槽11及第二容槽12之间，第二分隔墙19位于第一容槽11及第三容槽13之间。如图10所示，第一分隔墙18的高度H1高于第一发光芯片S2的高度H2，且第一分隔墙18的高度H1也高于第二发光芯片S3的高度H3，第二分隔墙19的高度H4高于第一发光芯片S2的高度H2，且第二分隔墙19的高度H4也高于第三发光芯片S4的高度H5，而第一分隔墙18用以避免第一发光芯片S2所发出的光，与第二发光芯片S3所发出的光相互干扰，第二分隔墙19用以避免第一发光芯片S2所发出的光，与第三发光芯片S4所发出的光相互干扰。在实际应用中，第一分隔墙18的高度H1可以是等于第二分隔墙19的高度H4，但不以此为限。其中，第一分隔墙18的厚度及第二分隔墙19的厚度可以是大致相同，但不以此为限。
在本发明中，第一容槽11、第二容槽12及第三容槽13是一种紧密排列的形式呈现，因此可以减少发光装置(封装结构)的体积。如图5及图6所示，第一分隔墙18还可以是各具有两个弯曲段181、182，且第一分隔墙18所包含的其中一弯曲段181是朝第二容槽12弯折，另一弯曲段182是朝第一容槽11弯折。第二分隔墙19还可以是各具有两个弯曲段191、192，第二分隔墙19所包含的其中一弯曲段191是朝第三容槽13弯折，另一弯曲段192是朝第一容槽11弯折。如图6所示，于本体1的俯视图中，第一容槽11则可以是由两个矩形A及八角形B共同形成，白话来说，第一容槽11的外型是中间胖上下窄。
通过使第一分隔墙18具有两个弯曲段181、182以及使第二分隔墙19具有两个弯曲段191、192的设计，将可以大幅提升本体1的机械结构强度。更具体来说，在第一分隔墙18未设置有两个弯曲段181、182，且第二分隔墙19未设置有两个弯曲段191、192的实施例中，当发光装置S受到不预期的外力碰撞时，第一分隔墙18的两端及第二分隔墙19的两端将容易发生应力集中而破裂的问题，相对地，若是使第一分隔墙18具有两个弯曲段181、182，且使第二分隔墙19具有两个弯曲段191、192，则不容易发生上述问题。
请一并参阅图5、图6、图10及图11，图11为本发明的发光装置未设置透镜、第一封装胶体、第二封装胶体、第三封装胶体的另一剖面示意图。本体1还可以包含一第一矮墙20、一第二矮墙21及一第三矮墙22，第一矮墙20位于第一容槽11，且第一矮墙20设置于第一电极对3的第一电极片体31露出于第一容槽11的一顶面31A(如图11所示)，且第一矮墙20的高度H6小于第一分隔墙18的高度H1(如图10所示)，第一矮墙20的高度H6小于第二分隔墙19的高度H4；第二矮墙21位于第二容槽12，且第二矮墙21设置于第二电极对5的第二电极片体51露出于第二容槽12的一顶面51A(如图12所示)，且第二矮墙21的高度H7(如图12所示)小于第一分隔墙18的高度H1(如图10所示)；第三矮墙22位于第三容槽13，且第三矮墙22设置于第三电极对7的第三电极片体71露出于第三容槽13的一顶面71A(如图13所示)，且第三矮墙22的高度H8(如图10所示)小于第二分隔墙19的高度H4(如图10所示)。
如图5所示，在实际应用中，第二发光芯片S3可以是固定于其中一个第二电极片体51，且第二发光芯片S3通过一条导线与另一第二电极片体51电性连接，而所述导线则是跨过第二矮墙21；第三发光芯片S4可以是固定于其中一个第三电极片体71，且第三发光芯片S4通过一条导线与另一第三电极片体71电性连接，而所述导线则是跨过第三矮墙22。
在实际应用中，在本体1是用模塑(Molding)的方式，包覆第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7的实施例中，通过第一分隔墙18、第一矮墙20、第二矮墙21及第三矮墙22等设计，将可以有效地提升本体1成型时的稳定性，且亦可以加强本体1与第一电极对3、第二电极对5、第三电极对7之间的机械连接强度，亦可以减少水气入侵的机率。
如图6至图8所示，值得一提的是，第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7的表面，还可以是各自包含一涂覆区312、512、712及一未涂覆区313、513、713(于各图中是以具有网点的区域作为表示)，未涂覆区313、513、713被本体1所包覆，且各个涂覆区312、512、712上设置有一辅助导电层S9(于各图中是以网点作为表示)，所述辅助导电层S9的导电率高于第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7的导电率，可以用来提升第一发光芯片S2与第一电极对3、第二发光芯片S3与第二电极对5、第三发光芯片S4与第三电极对7彼此间的电性连接效率。同时，辅助导电层S9还可以用来反射第一发光芯片S2、第二发光芯片S3及第三发光芯片S4所发出的光，据以提升第一发光芯片S2、第二发光芯片S3及第三发光芯片S4所发出的光束的利用率。具体来说，第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7可以是铜片，而辅助导电层S9的材料可以是包括金、银、铜、铁、铬、镍、铂、钯及前述的任意组合。
在实际应用中，露出于第一容槽11的第一电极对3的两个第一电极片体31的区域，基本上可以是设置有辅助导电层S9的涂覆区312，露出于第二容槽12的第二电极对5的两个第二电极片体51的区域，基本上可以是设置有辅助导电层S9的涂覆区512，且露出于第三容槽13的第三电极对7的两个第三电极片体71的区域，基本上可以是设置有辅助导电层S9的涂覆区712。通过辅助导电层S9的设置，除了可以提升第一发光芯片S2与第一电极对3、第二发光芯片S3与第二电极对5、第三发光芯片S4与第三电极对7彼此间的电性连接效率外，辅助导电层S9还可以用来反射第一发光芯片S2、第二发光芯片S3及第三发光芯片S4所发出的光，据以提升第一发光芯片S2、第二发光芯片S3及第三发光芯片S4所发出的光束的利用率。
另外，各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71的未涂覆区313、513、713的表面粗糙度，是大于各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71的涂覆区312、512、712的表面粗糙度，而该等未涂覆区313、513、713可以用来加强各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71，分别与本体1之间的机械连接强度。更具体来说，本发明的发光装置S在实际生产过程中，在利用射出成型技术使本体1包覆第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7之前，可以是先于各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71的未涂覆区313、513、713进行表面粗化(例如喷砂处理)，并于各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71的涂覆区312、512、712形成辅助导电层S9，如此，后续利用射出成型技术使本体1包覆第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7时，本体1与各个第二电极片体51及各个第三电极片体71的未涂覆区313、513、713彼此间将具有相对较佳的机械连接强度。
如图7、图8及图10所示，在本体1利用射出成型的方式形成于第一电极对3的两个第一电极片体31、第二电极对5的两个第二电极片体51及第三电极对7的两个第三电极片体71的实施例中，为利加强本体1、各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第二电极片体51彼此间的机械连接强度，第二电极对5及本体可以是分别具有能彼此相互嵌合的第一嵌合部514及第二嵌合部23，第三电极对7及本体1可以是分别具有能彼此相互嵌合的第一嵌合部714及第二嵌合部24。举例来说，第二电极对5的各个第二电极片体51所具有的第一嵌合部514可以是凹槽，第三电极对7的各个第三电极片体71的第一嵌合部714可以是凹槽，而本体1利用射出成型(Molding)的方式包覆第二电极对5及第三电极对7时，本体1的一部分(即为第二嵌合部23、24)将会填满凹槽。当然，在不同的实施例中，第二电极对5的第一嵌合部514及第三电极对7的第一嵌合部714也可以是凸柱等凸出状结构，于此不加以限制。
如图7及图8所示，在较佳的实施例中，第二电极对5的嵌合部514可以是水滴状凹槽，且各个第二电极片体51皆设置有一个水滴状凹槽，第三电极对7的嵌合部714可以是水滴状凹槽，且各个第三电极片体71皆设置有一个水滴状凹槽；另外，在发光装置S的俯视图(如图6所示)中，第二电极对5的各个第二电极片体51的嵌合部514的一部分是位于第二容槽12中，第三电极对7的各个第三电极片体71的嵌合部714的一部分是位于第三容槽13中，如此，将可更进一步提升各个第三电极片体71、各个第三电极片体71与本体1之间的机械连接强度。
依上所述，通过使各个第二电极片体51皆设置有一个水滴状凹槽，且使两个第二电极片体51的水滴状凹槽对应位于第二容槽12的两个边角的设计，第二封装胶体S6将会除了与形成第二容槽12的侧壁相互连接外，第二封装胶体S6还会与填充于水滴状凹槽中的本体1的嵌合部23相互连接，从而可以大幅提升第二封装胶体S6的边角处与本体1彼此间的机械连接强度。相同地，通过使各个第三电极片体71皆设置有一个水滴状凹槽，且使两个第三电极片体71的水滴状凹槽对应位于第三容槽13的两个边角的设计，第三封装胶体S7将会除了与形成第三容槽13的侧壁相互连接外，第三封装胶体S7还会与填充于水滴状凹槽中的本体1的嵌合部24相互连接，从而可以大幅提升第三封装胶体S7的边角处与本体1彼此间的机械连接强度，且能进一步减缓水气入侵，而提升整体发光装置S的可靠度(Reliability)。
请一并参阅图5及图11，在实际应用中，本体1还可以包含有一辅助矮墙25，辅助矮墙25位于第一容槽11中，且辅助矮墙25位于第一电极对3的其中一个第一电极片体31的上方，而辅助矮墙25与第一电极对3的一辅助嵌合部314相互嵌合。具体来说，第一电极片体31的辅助嵌合部314可以是一凹槽，本体1通过射出成型的方式，形成于第一电极对3时，辅助矮墙25的一部分将对应嵌合于第一电极片体31的凹槽中，如此，将可以提升第一电极对3与本体1彼此间的机械连接强度。另外，通过辅助矮墙25的设计，也可以同时提升反射填料S10与本体1彼此间的机械连接强度。
请一并参阅图10至图13，其为本发明的发光装置未设置透镜、第一封装胶体、第三封装胶体、第三封装胶体及反射填料的不同位置的剖面示意图。如图10所示，在实际应用中，第一分隔墙18位于第一容槽11的一侧面与铅垂面的夹角θ1可以是介于15～25度，第二分隔墙19位于第一容槽11的一侧面与铅垂面的夹角θ2介于15～25度，较佳地，夹角θ1及夹角θ2可以是21度，如此，第一分隔墙18及第二分隔墙19将不易干扰第一发光芯片S2所发出的光，而使第一发光芯片S2由第一容槽11发出的光能够具有良好的出光角度。
另外，在第一容槽11中设置有反射填料S10的实施例中，通过使夹角θ1及夹角θ2介于15～25度的设计，将可避免于第一容槽11中形成反射填料S10时，反射填料S10溢到第一发光芯片S2的表面，而影响第一发光芯片S2的发光效率的问题。
如图10所示，形成第二容槽12的外侧面与铅垂面的夹角θ3可以是介于15～20度，形成第三容槽13的外侧面与铅垂面的夹角θ4可以是介于15～20度。形成第二容槽12的内侧面与铅垂面的夹角θ5可以是介于5～15度，形成第三容槽13的内侧面与铅垂面的夹角θ6可以是介于5～15度。
较佳地，夹角θ3及夹角θ4可以是17度，而夹角θ5及夹角θ6可以是17度，如此，将可使第二发光芯片S3及第三发光芯片S4分别通过第二容槽12及第三容槽13所发出的光，具有较佳的出光角度的光学设计。
另外，请复参图6，在第二发光芯片S3及第三发光芯片S4能分别发出蓝光，而第二封装胶体S6及第三封装胶体S7中分别掺有荧光粉的实施例中，于发光装置S的俯视图中，可以是使形成第二容槽12的外侧面12A呈弧状，且使形成第三容槽13的外侧面13A呈弧状，如此，将可以提升第二发光芯片S3及第三发光芯片S4所发出的蓝光，分别与掺于第二封装胶体S6及第三封装胶体S7中的荧光粉的混光效果。
请一并参阅图9、图11至图13，图9为本发明的发光装置的第一电极对、第二电极对及第三电极对的另一视角的示意图，图11为沿图5的剖面线XI剖开后的剖面示意图，图12为沿图5的剖面线XII剖开后的剖面示意图，图13为沿图5的剖面线XIII剖开后的剖面示意图。第一电极对3的各第一电极片体31、第二电极对5的各第二电极片体51、第三电极对7的各第三电极片体71还可以是分别形成有一内凹结构315、515、715，而本体1可以是对应具有辅助嵌合部26、27、28。具体来说，当本体1通过射出成型的方式形成于第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7时，本体1的一部分将与各第一电极片体31的内凹结构315、各第二电极片体51的内凹结构515、各第三电极片体71的内凹结构715相互嵌合，而本体1与辅助嵌合部26、27、28相互嵌合的部分即为所述辅助嵌合部26、27、28。通过内凹结构315、515、715的设计，将可加强第一电极对3的各第一电极片体31、第二电极对5的各第二电极片体51及第三电极对7的各第三电极片体71分别与本体1彼此间的机械连接强度。
请参阅图13，其显示为本发明的发光装置未设置第一封装胶体、第二封装胶体、第三封装胶体的另一实施例的示意图。本实施例(如图13所示)与前述实施例(如图5所示)最大不同之处在于：发光装置S还可以包含一反射填料S10。反射填料S10填充于第一容槽11中，且反射填料S10位于第一封装胶体S5与第一电极对3之间，反射填料S10覆盖第一电极对3并包覆第一发光芯片S2的侧面S21。较佳地，反射填料S10的上表面是略低于第一发光芯片S2的上表面或与其齐平。反射填料S10能反射第一发光芯片S2所发出的光，而反射填料S10可以使第一发光芯片S2的大部分光皆能由第一容槽11的第一开口111向外射出，从而可提升第一发光芯片S2所发出的光的使用效率。在实际的测试中，若本体1为可以反射第一发光芯片S2所发出的光的材料所制成，则设置有反射填料S10的第一发光芯片S2的发光效率，比未设置有反射填料S10的第一发光芯片S2的发光效率高出10％。举例来说，所述反射填料S10例如可以是：二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)或氮化硼(BN)。
值得一提的是，在第一容槽11中设置有反射填料S10的实施例中，第一矮墙20可以是呈环状，而第一矮墙20与其中一的第一电极片体31将共同形成有一凹槽221，而反射填料S10填充于第一容槽11中时，部分的反射填料S10将填充于凹槽221中，如此，将可以提升反射填料S10与本体1彼此间的机械连接强度。
请参阅图15，其为多个本发明的发光装置(封装结构)的第一电极对、第二电极对及第三电极对于制造过程中的俯视示意图。在实际应用中，多个发光装置S(封装结构S1)的第一电极对3、第二电极对5及第三电极对7可以是一同制造，而各个第一电极片体31可以是具有三个第一延伸部311，三个第一延伸部311是分别与相邻的第一电极片体31的第一延伸部311、相邻的第二电极片体51的第二延伸部511及相邻的第三电极片体71的第三延伸部711相连接；也就是说，各个第一电极片体31是通过三个第一延伸部311与相邻的第二电极片体51及相邻的第三电极片体71相连接，如此，将可避免第二电极片体51或第三电极片体71未与其他电极片体相连接，而发生孤岛效应。各个第二电极片体51的第二延伸部511可以是与相邻的两个第二电极片体51的第二延伸部511相连接，或者，各个第二电极片体51的第二延伸部511也可以是与两个第三电极片体71的第三延伸部711相连接；各个第三电极片体71的第三延伸部711可以是与相邻的第三电极片体71的第三延伸部711相连接，或者，各个第三电极片体71的第三延伸部711也可以是与相邻的第二电极片体51的第二延伸部511相连接，如此，将可大幅提升各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71，在本体1形成于各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71时的稳定性，且各个第一电极片体31在本体1成型的过程中，将不会出现孤岛效应。当然，在实际应用中，各个第一电极片体31、各个第二电极片体51及各个第三电极片体71彼此间的连接方式，不以上述说明为限。
综上所述，本发明的封装结构应用于人脸抓拍、车牌辨识的装置中时，本发明的封装结构能让发光装置相较于现有的发光装置具有体积小的优点，且让采用本发明的发光装置的发光芯片所发出的光彼此不受干扰，从而相较于现有的发光装置具有出光效果更好的优点。
以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，非因此局限本发明的专利范围，故举凡运用本发明说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的保护范围内。
Claims (12)
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包含：
第一电极对、第二电极对及第三电极对；以及
本体，包覆所述第一电极对、所述第二电极对及所述第三电极对，所述本体包含第一容槽、第二容槽及第三容槽，所述第一容槽、所述第二容槽及所述第三容槽分别对应所述第一电极对、所述第二电极对及所述第三电极对的位置，并且所述第一容槽的开口面积大于所述第二容槽及所述第三容槽的开口面积。
2.依据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一容槽、所述第二容槽及所述第三容槽分别进一步地具有第一开口、第二开口及第三开口；于所述封装结构的俯视图中，所述第一开口的面积为所述第二开口的2倍至3倍，所述第一开口的面积为所述第三开口的2倍至3倍。
3.依据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二开口的面积与所述第三开口的面积相等。
4.依据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二开口的形状与所述第三开口的形状呈180度对称。
5.依据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述本体还包含第一分隔墙及第二分隔墙，第一分隔墙位于所述第一容槽及所述第二容槽之间，第二分隔墙位于所述第一容槽及所述第三容槽之间，所述第一分隔墙及所述第二分隔墙各具有两个弯曲段。
6.依据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一分隔墙的高度等于所述第二分隔墙的高度。
7.依据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一分隔墙所包含的其中一弯曲段是朝所述第二容槽弯折，另一弯曲段是朝所述第一容槽弯折；所述第二分隔墙所包含的其中一弯曲段是朝所述第三容槽弯折，另一弯曲段是朝所述第一容槽弯折。
8.依据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述本体还包含第一矮墙、第二矮墙及第三矮墙，第一矮墙、第二矮墙及第三矮墙分别设置于第一容槽、第二容槽及第三容槽内。
9.依据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述本体包含辅助矮墙，所述第一电极对包含辅助嵌合部，所述辅助矮墙与辅助嵌合部相互嵌合并覆盖部分的所述第一电极对。
10.依据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一容槽的两端部位的宽度小于所述第一容槽的中间部位的宽度。
11.依据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一容槽的两侧形状分别几何配合相邻的所述第二容槽的侧边形状及相邻的所述第三容槽的侧边形状。
12.依据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二容槽的两端部位的宽度大于所述第二容槽的中间部位的宽度，所述第三容槽的两端部位的宽度大于所述第三容槽的中间部位的宽度。
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