JP2016086159A - 発光素子パッケージ及びそれを含む発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】接着力が改善され、互いに異なる層間の熱膨張係数の差による応力による各層の破壊を防止することができ、増加した光反射度を有し、信頼性が向上した発光素子パッケージ及びそれを含む発光装置を提供する。【解決手段】実施例の発光素子パッケージは、基板と、基板の下に配置され、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、第２導電型半導体層及び活性層を貫通して第１導電型半導体層に接触する第１電極と、第２導電型半導体層と接触するコンタクト層と、第２導電型半導体層と第１電極との間及び活性層と第１電極との間に配置され、コンタクト層の側部及び上部をキャッピングする第１絶縁層と、第１絶縁層を貫通してコンタクト層と接触する第２電極とを含む。【選択図】図２
Description
実施例は、発光素子パッケージ及びそれを含む発光装置に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、化合物半導体の特性を用いて電気を赤外線または光に変換させて信号をやり取りしたり、光源として使用される半導体素子の一種である。
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体（ｇｒｏｕｐ ＩＩＩ−Ｖ ｎｉｔｒｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）は、物理的及び化学的特性により、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザーダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）などの発光素子の核心素材として脚光を浴びている。
このような発光ダイオードは、白熱灯と蛍光灯などの既存の照明器具に使用される水銀（Ｈｇ）のような環境有害物質が含まれていないので環境性に優れ、長寿命及び低電力消費特性などのような利点があるので、既存の光源を代替している。
一方、既存の発光素子パッケージは、互いに異なる熱膨張係数を有する複数の層が積層された構造を有しており、このような熱膨張係数の差により発光素子パッケージが破壊され得るという問題がある。
実施例は、接着力が改善され、互いに異なる層間の熱膨張係数の差による応力による各層の破壊を防止することができ、増加した光反射度を有し、信頼性が向上した発光素子パッケージ及びそれを含む発光装置を提供する。
一実施例による発光素子パッケージは、基板と；前記基板の下に配置され、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と；前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層に接触する第１電極と；前記第２導電型半導体層と接触するコンタクト層と；前記第２導電型半導体層と前記第１電極との間及び前記活性層と前記第１電極との間に配置され、前記コンタクト層の側部及び上部をキャッピングする第１絶縁層と；前記第１絶縁層を貫通して前記コンタクト層と接触する第２電極とを含むことができる。
例えば、前記コンタクト層は反射物質を含むことができる。前記コンタクト層は、反射層；及び前記反射層と前記第２導電型半導体層との間に配置された透明電極を含むことができる。前記反射層は銀（Ａｇ）を含むことができる。
例えば、前記第１電極は、前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層に接触する金属層；及び前記金属層と接触するボンディングパッドを含むことができる。前記第１絶縁層と前記金属層を囲むように配置された第２絶縁層をさらに含み、前記第２電極は、前記第１及び第２絶縁層と前記金属層を貫通して前記コンタクト層と接触することができる。
例えば、前記第１絶縁層は、少なくとも２つの多層を含むことができる。前記第１絶縁層は、前記少なくとも２つの多層が繰り返された構造を有することができる。前記少なくとも２つの多層は、熱膨張係数が互いに異なる物質からなることができる。前記少なくとも２つの多層のそれぞれは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうちの少なくとも１つを含むことができる。
例えば、前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±３ｘ１０−６／Ｋ以上であってもよい。また、前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±４ｘ１０−６／Ｋ以下であってもよい。
または、例えば、前記基板はサファイアを含み、前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±２．５ｘ１０−６／Ｋ〜±１２．５ｘ１０−６／Ｋであってもよい。
例えば、前記基板はサファイアを含み、前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±５ｘ１０−６／Ｋ以下であってもよい。
例えば、前記基板と前記発光構造物の体積熱膨張係数の平均値と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±３ｘ１０−６／Ｋ〜±４ｘ１０−６／Ｋ以下であってもよい。
例えば、前記少なくとも２つの多層の厚さは互いに異なっていてもよい。
例えば、前記第１絶縁層は分散ブラッグ反射層を含むことができる。
例えば、前記発光素子パッケージは、互いに電気的に分離された第１及び第２リードフレーム；前記第１電極と前記第１リードフレームとの間に配置された第１ソルダ部；及び前記第２電極と前記第２リードフレームとの間に配置された第２ソルダ部をさらに含むことができる。
例えば、前記第１絶縁層は、０．５μｍ〜１０μｍの厚さを有することができる。
他の実施例による発光装置は前記発光素子パッケージを含むことができる。
実施例に係る発光素子パッケージは、基板と第１絶縁層との熱膨張係数の差を減少させることで、フリップチップボンディングした後の残留応力による第１絶縁層の破壊を防止することができ、金属剥離現象が改善され、第２コンタクト層に含まれた反射層と透明電極との境界でのピーリング（ｐｅｅｌｉｎｇ）を防止することができ、反射層に含まれた金属のマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）を防止することができ、発光構造物と第１絶縁層との接着力を強化することができ、第２コンタクト層に含まれた反射層によって、光を反射できない領域での光反射度を増加させることができ、第２コンタクト層の角部の段差部分にクラックが発生するとしても、これによる悪影響を効果的に防止することができる。
下記の図面を参照して実施形態について詳細に説明する。ただし、図面中、同一の構成要素には同一の参照符号を付する。
実施例に係る発光素子パッケージの斜視図である。
図１に示された発光素子パッケージを切開した断面図である。
図２に示された‘Ａ’部分を拡大図示した断面図である。
他の実施例に係る発光素子パッケージの断面図である。
図４に示された発光素子パッケージの局部的な平面図である。
図５に示された‘Ｂ’部分を拡大図示した平面図である。
比較例に係る発光素子パッケージの平面写真である。
以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて説明し、発明に対する理解を助けるために、添付の図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は、様々な形態に変形可能であり、本発明の範囲が、以下に詳述する実施例に限定されるものと解釈されてはならない。本発明の実施例は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
また、以下で使用される「第１」及び「第２」、「上部」及び「下部」などのような関係的用語は、かかる実体または要素間のいかなる物理的又は論理的関係、または順序を必ず要求したり、内包したりすることなく、ある一つの実体または要素を他の実体または要素と区別するためにのみ用いることもできる。
図１は、実施例に係る発光素子パッケージ１００Ａの斜視図を示し、図２は、図１に示された発光素子パッケージ１００Ａを切開した断面図を示す。すなわち、図２は、図１に示された発光素子パッケージ１００Ａをｚ軸と平行な方向に切開して＋ｘ軸方向から見た断面図に該当する。
図１に示された発光素子パッケージ１００Ａは、パッケージボディー１１０、第１及び第２リードフレーム（ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ）１２２、１２４、絶縁部１２６、第１及び第２ソルダ（ｓｏｌｄｅｒ）部１３２、１３４、第１及び第２パッド（ｐａｄ）１４２、１４４、発光素子Ｋ、及びモールディング部材１９０を含むことができる。
パッケージボディー１１０は、キャビティＣ（Ｃａｖｉｔｙ）を形成することができる。例えば、図１及び図２に示したように、パッケージボディー１１０は、第１及び第２リードフレーム１２２、１２４と共にキャビティＣを形成することができる。すなわち、キャビティＣは、パッケージボディー１１０の側面１１２と第１及び第２リードフレーム１２２、１２４の各上部面１２２Ａ、１２４Ａによって定義され得る。しかし、実施例はこれに限定されない。他の実施例によれば、図１及び図２に示したものとは異なり、パッケージボディー１１０のみでキャビティＣを形成してもよい。または、上部面が平坦なパッケージボディー１１０上に隔壁（ｂａｒｒｉｅｒ ｗａｌｌ）（図示せず）が配置され、隔壁及びパッケージボディー１１０の上部面によってキャビティが定義されてもよい。パッケージボディー１１０は、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などで具現されてもよいが、実施例は、パッケージボディー１１０の材質に限定されない。
第１及び第２リードフレーム１２２、１２４は、発光構造物１７０の厚さ方向と垂直な方向であるｙ軸方向に互いに離隔して配置されてもよい。第１及び第２リードフレーム１２２、１２４のそれぞれは、導電型物質、例えば、金属からなることができ、実施例は、第１及び第２リードフレーム１２２、１２４のそれぞれの物質の種類に限定されない。第１及び第２リードフレーム１２２、１２４を電気的に分離させるために、第１及び第２リードフレーム１２２、１２４の間には絶縁部１２６が配置されてもよい。
また、パッケージボディー１１０が導電型物質、例えば、金属物質からなる場合、第１及び第２リードフレーム１２２、１２４はパッケージボディー１１０の一部であってもよい。この場合にも、第１及び第２リードフレーム１２２、１２４を形成するパッケージボディー１１０は、絶縁部１２６によって互いに電気的に分離され得る。
第１ソルダ部１３２は、第１リードフレーム１２２と第１パッド１４２との間に配置され、これら１２２、１４２を互いに電気的に接続させ、第２ソルダ部１３４は、第２リードフレーム１２４と第２パッド１４４との間に配置され、これら１２４、１４４を互いに電気的に接続させることができる。第１及び第２ソルダ部１３２、１３４のそれぞれは、ソルダペースト（ｓｏｌｄｅｒ ｐａｓｔｅ）またはソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）であってもよい。
前述した第１及び第２ソルダ部１３２、１３４は、第１及び第２パッド１４２、１４４を介して、発光素子Ｋの第１及び第２導電型半導体層１７２、１７６を第１及び第２リードフレーム１２２、１２４にそれぞれ電気的に接続させることで、ワイヤの必要性をなくすことができる。しかし、他の実施例によれば、ワイヤを用いて第１及び第２導電型半導体層１７２、１７６を第１及び第２リードフレーム１２２、１２４にそれぞれ接続させることもできる。
一方、発光素子Ｋは、キャビティＣの内部に配置することができる。発光素子Ｋは、下部Ｋ１と上部Ｋ２とに区分することができる。発光素子Ｋの下部Ｋ１は、第１絶縁層１５２、１５４、１５６、第１コンタクト層１６２及び第２コンタクト層１６４を含み、発光素子Ｋの上部Ｋ２は、発光構造物１７０及び基板１８０Ａを含むことができる。
基板１８０Ａの下に発光構造物１７０を配置することができる。基板１８０Ａは、導電型物質または非導電型物質を含むことができる。例えば、基板１８０Ａは、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、ＧａＡｓ及びＳｉのうちの少なくとも１つを含むことができるが、実施例は基板１８０Ａの物質に限定されない。
基板１８０Ａと発光構造物１７０との熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）の差及び格子不整合を改善するために、これら１８０Ａ、１７０の間にバッファ層（又は、転移層）（図示せず）がさらに配置されてもよい。バッファ層は、例えば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｎ及びＧａで構成される群から選択される少なくとも１つの物質を含むことができるが、これに限定されない。また、バッファ層は、単層または多層構造を有してもよい。
発光構造物１７０は、第１導電型半導体層１７２、活性層１７４、及び第２導電型半導体層１７６を含むことができる。発光構造物１７０は、基板１８０Ａと第１及び第２リードフレーム１２２、１２４との間に配置することができる。基板１８０Ａから第１及び第２リードフレーム１２２、１２４の方向に、即ち、＋ｚ軸方向に第１導電型半導体層１７２、活性層１７４及び第２導電型半導体層１７６が順次積層されて形成され得る。
第１導電型半導体層１７２は、第１導電型ドーパントがドープされたＩＩＩ−Ｖ族またはＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体で具現されてもよい。第１導電型半導体層１７２がｎ型半導体層である場合、第１導電型ドーパントは、ｎ型ドーパントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含むことができるが、これに限定されない。
例えば、第１導電型半導体層１７２は、基板１８０Ａの下に配置され、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。第１導電型半導体層１７２は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＰのいずれか１つ以上を含むことができる。
活性層１７４は、第１導電型半導体層１７２と第２導電型半導体層１７６との間に配置され、第１導電型半導体層１７２を介して注入される電子（又は、正孔）と第２導電型半導体層１７６を介して注入される正孔（又は、電子）とが互いに会って、活性層１７４をなす物質固有のエネルギーバンドによって決定されるエネルギーを有する光を放出する層である。活性層１７４は、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｉｒｅ）構造、または量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）構造のうちの少なくともいずれか１つで形成されてもよい。
活性層１７４の井戸層／障壁層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのいずれか１つ以上のペア構造で形成されてもよいが、これに限定されない。井戸層は、障壁層のバンドギャップエネルギーよりも低いバンドギャップエネルギーを有する物質で形成することができる。
活性層１７４の上又は／及び下には、導電型クラッド層（図示せず）が形成されてもよい。導電型クラッド層は、活性層１７４の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも高いバンドギャップエネルギーを有する半導体で形成することができる。例えば、導電型クラッド層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮまたは超格子構造などを含むことができる。また、導電型クラッド層は、ｎ型またはｐ型にドープされてもよい。
実施例によれば、活性層１７４は、紫外線波長帯域の光を放出することができる。ここで、紫外線波長帯域とは、１００ｎｍ〜４００ｎｍの波長帯域を意味する。特に、活性層１７４は、１００ｎｍ〜２８０ｎｍの波長帯域の光を放出することができる。しかし、実施例は、活性層１７４から放出される光の波長帯域に限定されない。
第２導電型半導体層１７６は、活性層１７４の下に配置され、半導体化合物で形成することができる。第２導電型半導体層１７６は、ＩＩＩ−Ｖ族またはＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体で具現されてもよい。例えば、第２導電型半導体層１７６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質を含むことができる。第２導電型半導体層１７６には第２導電型ドーパントがドープされてもよい。第２導電型半導体層１７６がｐ型半導体層である場合、第２導電型ドーパントは、ｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができる。
第１導電型半導体層１７２はｎ型半導体層として、第２導電型半導体層１７６はｐ型半導体層として具現することができる。または、第１導電型半導体層１７２はｐ型半導体層として、第２導電型半導体層１７６はｎ型半導体層として具現することもできる。
発光構造物１７０は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のいずれか１つの構造で具現することができる。
図１及び図２に例示された発光素子パッケージ１００Ａは、フリップチップボンディング（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ ｂｏｎｄｉｎｇ）構造であるので、活性層１７４から放出された光は、第１コンタクト層１６２、第１導電型半導体層１７２及び基板１８０Ａを介して出射され得る。そのために、第１コンタクト層１６２、第１導電型半導体層１７２及び基板１８０Ａは、光透過性を有する物質からなることができる。このとき、第２導電型半導体層１７６及び第２コンタクト層１６４は、光透過性や非透過性を有する物質、または反射性を有する物質からなってもよいが、実施例は、特定の物質に限定されない。第１及び第２コンタクト層１６２、１６４のそれぞれの材質については詳細に後述する。
第１コンタクト層１６２は、第１導電型半導体層１７２と第１パッド１４２との間に配置され、第１パッド１４２と第１導電型半導体層１７２を電気的に互いに接続させることができる。第１コンタクト層１６２は、オーミック接触する物質を含んでオーミックの役割を果たすことによって、別途のオーミック層（図示せず）を配置しなくてもよく、別途のオーミック層が第１コンタクト層１６２の上又は下に配置されてもよい。
第２コンタクト層１６４は、第２導電型半導体層１７６と第２パッド１４４との間に配置され、第２パッド１４４と第２導電型半導体層１７６を電気的に互いに接続させることができる。そのために、図示のように、第２コンタクト層１６４は第２導電型半導体層１７６と接触し得る。
第１及び第２コンタクト層１６２、１６４のそれぞれは、活性層１７４から放出された光を吸収せずに反射させたり透過させたりすることができ、第１及び第２導電型半導体層１７２、１７６の上に良質に成長することができれば、いかなる物質で形成されてもよい。例えば、第１及び第２コンタクト層１６２、１６４のそれぞれは金属で形成することができ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組み合わせからなることができる。
図３は、図２に示された‘Ａ’部分を拡大図示した断面図を示す。
第２コンタクト層１６４は反射物質を含むことができる。例えば、図３を参照すると、第２コンタクト層１６４は、透明電極１６４−１及び反射層１６４−２を含むことができる。
反射層１６４−２は、銀（Ａｇ）のような反射物質からなることができる。
透明電極１６４−１は、反射層１６４−２と第２導電型半導体層１７６との間に配置され、反射層１６４−２は、透明電極１６４−１の下に配置されてもよい。透明電極１６４−１は、透明伝導性酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）であってもよい。例えば、透明電極１６４−１は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうちの少なくとも１つを含むことができ、このような材料に限定されない。
第２コンタクト層１６４は、オーミック特性を有することができ、第２導電型半導体層１７６とオーミック接触する物質を含むことができる。もし、第２コンタクト層１６４がオーミックの役割を果たす場合、別途のオーミック層（図示せず）は形成しなくてもよい。
一方、第１パッド１４２は、第１ソルダ部１３２と第１導電型半導体層１７２との間に配置され、第１導電型半導体層１７２と第１ソルダ部１３２を電気的に接続させることができる。図１及び図２に示されたように、第１パッド１４２は、第２導電型半導体層１７６及び活性層１７４を貫通して第１導電型半導体層１７２と電気的に接続される貫通電極の形態を含むことができるが、実施例はこれに限定されない。すなわち、他の実施例によれば、図示されてはいないが、第１パッド１４２は、第２導電型半導体層１７６及び活性層１７４を迂回して第１導電型半導体層１７２と電気的に接続されてもよい。このように、第１パッド１４２は第１電極の役割を果たすことができる。
第２パッド１４４は、第２ソルダ部１３４と第２導電型半導体層１７６との間に配置され、第２導電型半導体層１７６と第２ソルダ部１３４を電気的に接続させることができる。このとき、第２パッド１４４は、第１絶縁層１５４、１５６を貫通して第２コンタクト層１６４に接触する貫通電極の形態を含むことができるが、実施例はこれに限定されない。すなわち、他の実施例によれば、第２パッド１４４は、第１絶縁層１５４、１５６を貫通せずに第２コンタクト層１６４に接続されてもよい。このように、第２パッド１４４は第２電極の役割を果たすことができる。
第１及び第２パッド１４２、１４４のそれぞれは電極用物質を含むことができる。
一方、第１絶縁層１５２、１５４は、第２導電型半導体層１７６と第１パッド１４２との間に配置され、第２導電型半導体層１７６と第１パッド１４２を電気的に絶縁させることができる。また、第１絶縁層１５２、１５４は、活性層１７４と第１パッド１４２との間に配置され、活性層１７４と第１パッド１４２を電気的に絶縁させることができる。このとき、第１絶縁層１５２は、第２コンタクト層１６４の側部と上部をキャッピング（ｃａｐｐｉｎｇ）するように配置され得る。
実施例によれば、第１絶縁層１５２、１５４、１５６は、少なくとも２つの多層を含むことができる。例えば、図３に示されたように、第１絶縁層１５４は、２つの第１−１及び第１−２絶縁層１５４−１、１５４−２を含むことができる。
または、第１絶縁層１５２、１５４、１５６は、少なくとも２つの多層が繰り返された構造を有してもよい。例えば、第１絶縁層１５４は、図３に示された第１−１及び第１−２絶縁層１５４−１、１５４−２が繰り返し積層された構造を有してもよい。
このとき、第１絶縁層１５２、１５４、１５６をなす少なくとも２つの多層は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が互いに異なる物質からなることができる。図３を参照すると、第１−１絶縁層１５４−１の熱膨張係数と第１−２絶縁層１５４−２の熱膨張係数は互いに異なっていてもよい。
第１絶縁層１５２、１５４、１５６をなす少なくとも２つの多層のそれぞれは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうちの少なくとも１つを含むことができる。ここで、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、及びＭｇＦ２の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、０．５５ｘ１０−６／Ｋ、９ｘ１０−６／Ｋ、８．５ｘ１０−６／Ｋ、２．５ｘ１０−６／Ｋ、７．５ｘ１０−６／Ｋ、及び１０〜１５ｘ１０−６／Ｋであってもよい。
このとき、基板１８０Ａの第１熱膨張係数と、第１絶縁層１５２、１５４、１５６をなす少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値（ＣＴＥＡＶＥ）（以下、‘第１平均値’という）との差が±３ｘ１０−６／Ｋより小さいか、または±９ｘ１０−６／Ｋより大きい場合、第１絶縁層１５２、１５４、１５６を破壊する程度の残留応力が存在する可能性がある。したがって、基板１８０Ａの第１熱膨張係数と第１平均値との差は、±３ｘ１０−６／Ｋ〜±９ｘ１０−６／Ｋ以下、例えば、±４ｘ１０−６／Ｋ以下であってもよいが、実施例はこれに限定されない。
または、基板１８０Ａがサファイアである場合、基板１８０Ａの第１熱膨張係数と第１平均値との差は、±２．５ｘ１０−６／Ｋ〜±１２．５ｘ１０−６／Ｋ、例えば、±５ｘ１０−６／Ｋ以下であってもよい。
一般に、第１及び第２物質の体積熱膨張係数の平均値（ＣＴＥＡＶＧ）は、次の数式１のように表すことができる。
ここで、Ｖ１は第１物質の体積を示し、Ｖ２は第２物質の体積を示し、ＣＴＥ１は第１物質のＣＴＥを示し、ＣＴＥ２は第２物質のＣＴＥを示す。
また、発光素子Ｋの上部Ｋ２の体積熱膨張係数の平均値（以下、‘第２平均値’という）と第１平均値との差は、±３ｘ１０−６／Ｋ〜±９ｘ１０−６／Ｋ以下、例えば、±４ｘ１０−６／Ｋ以下であってもよいが、実施例はこれに限定されない。
もし、基板１８０Ａがサファイアからなり、発光構造物１７０がＧａＮからなり、第２コンタクト層１６４の反射層が銀（Ａｇ）からなるとき、第１絶縁層１５２、１５４、１５６が単一層からなる場合（以下、‘比較例’という）と、第１絶縁層１５２、１５４、１５６が実施例のように多層からなる第１及び第２実施例による場合において、熱膨張係数（又は、第１及び第２平均値）間の差は、次の表１の通りである。
ここで、ＣＴＥ及びＣＴＥＡＶＧのそれぞれの単位は１０−６／Ｋであり、第１及び第２実施例において第１絶縁層１５２、１５４、１５６の３．９及び５．５は第１平均値（ＣＴＥＡＶＧ）を示す。
表１を参照すると、比較例の場合、基板１８０ＡのＣＴＥ（＝７．５ｘ１０−６／Ｋ）と第１絶縁層のＣＴＥ（＝０．５５ｘ１０−６／Ｋ）との差は、４ｘ１０−６／Ｋより大きい。一方、第１及び第２実施例の場合、基板１８０ＡのＣＴＥ（＝７．５ｘ１０−６／Ｋ）と第１平均値（ＣＴＥＡＶＧ）（＝３．９ｘ１０−６／Ｋまたは５．５ｘ１０−６／Ｋ）との差は、４ｘ１０−６／Ｋ以下であることがわかる。また、比較例の場合、第２平均値（ＣＴＥＡＶＧ）（＝７．４ｘ１０−６／Ｋ）と第１絶縁層のＣＴＥ（＝０．５５ｘ１０−６／Ｋ）との差は、４ｘ１０−６／Ｋより大きい。一方、第１及び第２実施例の場合、第２平均値（ＣＴＥＡＶＧ）（＝７．４ｘ１０−６／Ｋ）と第１平均値（ＣＴＥＡＶＧ）（＝３．９ｘ１０−６／Ｋまたは５．５ｘ１０−６／Ｋ）との差は、４ｘ１０−６／Ｋ以下であることがわかる。
また、数式１及び図３を参照すると、第１絶縁層１５４をなす複数の層１５４−１、１５４−２の第１及び第２厚さｔ１、ｔ２を調節することで、第１平均値を調整できることがわかる。すなわち、ｘ軸とｙ軸に平行な平面の大きさが互いに同一であるとするとき、第１−１絶縁層１５４−１の体積と第１−２絶縁層１５４−２の体積は、第１及び第２厚さｔ１、ｔ２によって変わり得るからである。
また、第１絶縁層１５２、１５４、１５６をなす少なくとも２つの多層の厚さは互いに異なっていてもよい。例えば、図３を参照すると、第１−１絶縁層１５４−１の第１厚さｔ１と第１−２絶縁層１５４−２の第２厚さｔ２は互いに異なっていてもよい。
また、図３に例示されたように、第１−１絶縁層１５４−１が第２導電型半導体層１７６の上部と垂直方向であるｚ軸方向にオーバーラップされる幅Ｗは、工程マージンを考慮するとき、約３μｍ程度であってもよいが、実施例はこれに限定されない。
また、第１絶縁層１５２、１５４、１５６は、分散ブラッグ反射層（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）として具現することができる。この場合、分散ブラッグ反射層は、絶縁機能または反射機能を行うことができる。
分散ブラッグ反射層は、屈折率が互いに異なる第１層及び第２層が交互に少なくとも１回以上積層された構造であってもよい。分散ブラッグ反射層のそれぞれは電気絶縁物質であってもよい。例えば、第１層はＴｉＯ２のような第１誘電体層であり、第２層はＳｉＯ２のような第２誘電体層を含むことができる。例えば、分散ブラッグ反射層は、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２層が少なくとも１回以上積層された構造であってもよい。第１層及び第２層のそれぞれの厚さはλ／４であり、λは、発光セルで発生する光の波長であり得る。
また、第１絶縁層１５２、１５４、１５６の総厚さ（例えば、Ｔ）が０．５μｍより小さいと、第１絶縁層１５２、１５４、１５６は絶縁機能を行うことができないこともある。また、第１絶縁層１５２、１５４、１５６の総厚さ（例えば、Ｔ）が１０μｍより大きいと、工程上、困難が伴われ得る。したがって、第１絶縁層１５２、１５４、１５６の総厚さ（例えば、Ｔ）は０．５μｍ〜１０μｍ、例えば、１μｍ〜３μｍであってもよい。
図４は、他の実施例に係る発光素子パッケージ１００Ｂの断面図を示し、図５は、図４に示された発光素子パッケージ１００Ｂの局部的な平面図を示す。特に、図５は、金属層１４６、１４８を蒸着した後、＋ｚ軸から見た平面図を示す。図６は、図５に示された‘Ｂ’部分を拡大図示した平面図である。図６において、参照符号１４０は第１又は第２パッド１４２、１４４を示し、１５０は第１絶縁層１５２、１５４、１５６を示し、‘Ｈ’は、第２導電型半導体層１７６と活性層１７４と第１導電型半導体層１７２の一部を貫通した金属層１４６を示す。
ここで、第１絶縁層１５０、１５２、１５４、１５６、第２コンタクト層１６４、金属層１４６、１４８及び第２絶縁層１５８は、図１に示された発光素子Ｋの下部Ｋ１に該当し、基板１８０Ｂと発光構造物１７０は、図１に示された発光素子Ｋの上部Ｋ２に該当し得る。ここで、発光素子パッケージ１００Ｂは、図２に示された第１コンタクト層１６２を含んでいないことが示されているが、他の実施例によれば、発光素子パッケージ１００Ｂは、図２に示されたような姿で配置された第１コンタクト層１６２を含むこともできる。
図２に示された発光素子パッケージ１００Ａとは異なり、図４に示された発光素子パッケージ１００Ｂの第１電極は金属層１４６、１４８とボンディングパッド１４２を含むことができる。金属層１４６は、第２導電型半導体層１７６と活性層１７４と第１導電型半導体層１７２の一部を貫通して第１導電型半導体層１７２に電気的に接続可能である。このとき、金属層１４６、１４８は、第１絶縁層１５２、１５４、１５６によって第２導電型半導体層１７６及び活性層１７４と電気的に分離され得る。
また、図４に示された発光素子パッケージ１００Ｂは第２絶縁層１５８をさらに含むことができる。第２絶縁層１５８は、第１絶縁層１５２、１５４、１５６と金属層１４６を囲むように配置することができる。この場合、ボンディングパッド１４２は、第２絶縁層１５８を貫通して金属層１４６と電気的に接続（又は、接触）可能であり、第２電極に該当する第２パッド１４４は、第１及び第２絶縁層１５４、１５６、１５８と金属層１４６、１４８を貫通して、第２コンタクト層１６４と電気的に接続（又は、接触）可能である。
便宜上、図４において、ボンディングパッド１４２と第２パッド１４４は、図１及び図２に示された第１及び第２パッド１４２、１４４と同一の参照符号を使用した。なぜなら、金属層１４６を介して第１導電型半導体層１７２と電気的に接続されることを除外すれば、図４に示されたボンディングパッド１４２は、図１及び図２に示された第１パッド１４２と同一であるからである。また、第１絶縁層１５４、１５６だけでなく第２絶縁層１５８及び金属層１４６、１４８を貫通して第２コンタクト層１６４に電気的に接続されることを除外すれば、図４に示された第２パッド１４４は、図１及び図２に示された第２パッド１４４と同一であるからである。
また、図４に示された基板１８０Ｂは、図２に示された基板１８０Ａと違ってパターン（ｐａｔｔｅｒｎ）１８２を含むことができる。ここで、パターン１８２は、活性層１７４から放出された光が発光素子パッケージ１００Ｂから脱出することを助けられるように様々な断面形状を有することができる。例えば、基板１８０Ｂは、ＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であってもよい。図２に示された基板１８０Ａもパターン１８２を有することができることは勿論である。
前述した差異点を除外すれば、図４及び図５に示された発光素子パッケージ１００Ｂは、図１及び図２に示された発光素子パッケージ１００Ａと同一であるので、同一の参照符号を使用し、重複する説明を省略する。
図７は、比較例による発光素子パッケージの平面写真を示す。
比較例による発光素子パッケージの場合、前述した図１、図２、図４及び図５に示された実施例による発光素子パッケージ１００Ａ、１００Ｂに示された第１絶縁層１５２、１５４、１５６が単一層からなっている。したがって、比較例による発光素子パッケージの場合、フリップチップボンディング過程後の残留応力によって単一層である第１絶縁層が破壊されることがある。この場合、第１絶縁層１５２、１５４、１５６が破壊されることによって、図７に例示されたように第２導電型半導体層１７６が露出し得る。
単一層である第１絶縁層が破壊される理由は、図１及び図２を参照すると、第１絶縁層１５２、１５４、１５６のそれぞれは低い熱膨張係数を有する反面、第１絶縁層１５２、１５４、１５６の上と下に配置された第２コンタクト層１６４と第２パッド１４４は高い熱膨張係数を有するからである。一般に、金（Ａｕ）のような金属からなる第２コンタクト層１６４及び第２パッド１４４の熱膨張係数は１４．１６ｘ１０−６／Ｋと相対的に高い反面、第１絶縁層１５２、１５４、１５６がＳｉＯ２のような絶縁物質の単一層からなる場合、第１絶縁層１５２、１５４、１５６は０．５ｘ１０−６／Ｋの相対的に低い熱膨張係数を有するからである。
これを考慮して、実施例による発光素子パッケージ１００Ａ、１００Ｂにおける第１絶縁層１５２、１５４、１５６は、少なくとも２つの多層構造を有するので、比較例のように単一層構造である場合より高い熱膨張係数を有することによって、フリップチップボンディング過程後の残留応力によって破壊されない。第１絶縁層１５２、１５４、１５６に含まれる多層構造において、層数が多いほど第１絶縁層１５２、１５４、１５６による第１平均値はさらに増加し得る。したがって、発光素子パッケージ１００Ａ、１００Ｂの信頼性を改善することができる。
また、前述したように、第１絶縁層１５２、１５４、１５６がＤＢＲ構造を有する場合、ＤＢＲは光を反射させることができるので、第２コンタクト層１６４が存在しない領域での光反射度をＤＢＲによって改善することができる。
また、図３に示された前述した第２コンタクト層１６４が、ＩＴＯからなる透明電極１６４−１及び銀（Ａｇ）からなる反射層１６４−２で具現された場合、銀（Ａｇ）が、反射度に優れるが、接着（ａｄｈｅｓｉｏｎ）特性が劣悪である。この場合、発光素子Ｋをパッケージボディー１１０にボンディングするとき、熱膨張係数の差により、図３に例示されたＩＴＯ１６４−１と反射層１６４−２との境界面で金属（例、銀（Ａｇ））の剥離が発生することがある。したがって、実施例によれば、第１絶縁層１５０、１５２、１５４、１５６をＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより製造して、第２コンタクト層１６４をキャッピングするように配置することによって、前述した金属剥離現象を改善することができ、脆弱な銀の接着特性が改善されてピーリング（ｐｅｅｌｉｎｇ）を防止することができる。
また、第１絶縁層１５０、１５２、１５４、１５６をＩＡＤ（Ｉｏｎ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により製造する場合、ＩＡＤ薄膜の高密度特性によって、反射層１６４−２である銀（Ａｇ）のマイグレーションが防止され、発光構造物１７０と第１絶縁層１５２、１５４、１５６との境界面での接着力が向上することができる。
また、第１絶縁層１５２、１５４、１５６を多層構造で形成する場合、図３に示されたように、第２コンタクト層１６４の角部において段差部分でクラックが発生するとしても、第１絶縁層１５０、１５２、１５４、１５６が多層であるので、クラックによる悪影響を効果的に防止することができる。
一方、図２及び図４を再び参照すると、発光素子パッケージ１００Ａ、１００Ｂのモールディング部材１９０は、発光素子Ｋを包囲して保護することができる。モールディング部材１９０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）で具現することができ、蛍光体を含むので、発光素子Ｋから放出された光の波長を変化させることができる。蛍光体には、発光素子Ｋから発生した光を白色光に変換させることができるＹＡＧ系、ＴＡＧ系、Ｓｉｌｉｃａｔｅ系、Ｓｕｌｆｉｄｅ系またはＮｉｔｒｉｄｅ系のいずれか１つの波長変換手段である蛍光物質が含まれてもよいが、実施例は蛍光体の種類に限定されない。
ＹＡＧ及びＴＡＧ系蛍光物質としては、（Ｙ，Ｔｂ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｓｍ）３（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｆｅ）５（Ｏ，Ｓ）１２：Ｃｅから選択して使用可能であり、Ｓｉｌｉｃａｔｅ系蛍光物質としては、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：（Ｅｕ，Ｆ，Ｃｌ）から選択して使用可能である。
また、Ｓｕｌｆｉｄｅ系蛍光物質としては、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕから選択して使用可能であり、Ｎｉｔｒｉｄｅ系蛍光体は、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｏ）Ｎ：Ｅｕ（例、ＣａＡｌＳｉＮ４：Ｅｕ β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）またはＣａ−α ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ系である（Ｃａｘ，Ｍｙ）（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６、ここで、Ｍは、Ｅｕ、Ｔｂ、ＹｂまたはＥｒのうちの少なくとも１つの物質であり、０．０５＜ｘ＋ｙ＜０．３、０．０２＜ｘ＜０．２７及び０．０３＜ｙ＜０．３、蛍光体成分から選択して使用することができる。
赤色蛍光体としては、Ｎ（例、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）を含む窒化物（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系蛍光体を使用することができる。このような窒化物系赤色蛍光体は、硫化物（Ｓｕｌｆｉｄｅ）系蛍光体よりも熱、水分などの外部環境に対する信頼性に優れているだけでなく、変色のおそれが低い。
前述した図１乃至図６に示された実施例による発光素子パッケージ１００Ａ、１００Ｂはフリップチップボンディング構造を有するが、実施例はこれに限定されない。すなわち、他の実施例によれば、垂直型ボンディング構造を有する発光素子パッケージにも本発明は適用され得る。
実施例に係る発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイされてもよく、発光素子パッケージの光経路上に、光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置されてもよい。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、バックライトユニットとして機能することができる。
また、実施例に係る発光素子パッケージは、表示装置、指示装置、照明装置などのような発光装置に含まれてもよい。
ここで、表示装置は、ボトムカバーと、ボトムカバー上に配置される反射板と、光を放出する発光モジュールと、反射板の前方に配置され、発光モジュールから発散される光を前方に案内する導光板と、導光板の前方に配置されるプリズムシートを含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネルと、ディスプレイパネルと接続され、ディスプレイパネルに画像信号を供給する画像信号出力回路と、ディスプレイパネルの前方に配置されるカラーフィルターとを含むことができる。ここで、ボトムカバー、反射板、発光モジュール、導光板、及び光学シートはバックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）をなすことができる。
また、照明装置は、基板と実施例に係る発光素子パッケージを含む光源モジュール、光源モジュールの熱を発散させる放熱体、及び外部から提供された電気的信号を処理又は変換して光源モジュールに提供する電源提供部を含むことができる。例えば、照明装置は、ランプ、ヘッドランプ、または街灯を含むことができる。
ヘッドランプは、基板上に配置される発光素子パッケージを含む発光モジュール、発光モジュールから照射される光を一定の方向、例えば、前方に反射させるリフレクタ（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）、リフレクタによって反射される光を前方に屈折させるレンズ、及びリフレクタによって反射されてレンズに向かう光の一部分を遮断又は反射し、設計者の所望の配光パターンをなすようにするシェード（ｓｈａｄｅ）を含むことができる。
実施例に係る発光素子パッケージは、基板と第１絶縁層との熱膨張係数の差を減少させることで、フリップチップボンディングした後の残留応力による第１絶縁層の破壊を防止することができ、金属剥離現象が改善され、第２コンタクト層に含まれた反射層と透明電極との境界でのピーリング（ｐｅｅｌｉｎｇ）を防止することができ、反射層に含まれた金属のマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）を防止することができ、発光構造物と第１絶縁層との接着力を強化することができ、第２コンタクト層に含まれた反射層によって、光を反射できない領域での光反射度を増加させることができ、第２コンタクト層の角部の段差部分にクラックが発生するとしても、これによる悪影響を効果的に防止することができる。
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示していない種々の変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用による差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。
Claims (20)
- 基板と、
前記基板の下に配置され、第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層に接触する第１電極と、
前記第２導電型半導体層と接触するコンタクト層と、
前記第２導電型半導体層と前記第１電極との間及び前記活性層と前記第１電極との間に配置され、前記コンタクト層の側部及び上部をキャッピングする第１絶縁層と、
前記第１絶縁層を貫通して前記コンタクト層と接触する第２電極とを含む、発光素子パッケージ。 - 前記コンタクト層は反射物質を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
- 前記コンタクト層は、
反射層と、
前記反射層と前記第２導電型半導体層との間に配置された透明電極とを含む、請求項１又は２に記載の発光素子パッケージ。 - 前記反射層は銀（Ａｇ）を含む、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１電極は、
前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層に接触する金属層と、
前記金属層と接触するボンディングパッドとを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。 - 前記第１絶縁層と前記金属層を囲むように配置された第２絶縁層をさらに含み、
前記第２電極は、前記第１及び第２絶縁層と前記金属層を貫通して前記コンタクト層と接触する、請求項５に記載の発光素子パッケージ。 - 前記第１絶縁層は、少なくとも２つの多層を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１絶縁層は、前記少なくとも２つの多層が繰り返された構造を有する、請求項７に記載の発光素子パッケージ。
- 前記少なくとも２つの多層は、熱膨張係数が互いに異なる物質からなる、請求項７又は８に記載の発光素子パッケージ。
- 前記少なくとも２つの多層のそれぞれは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、またはＭｇＦ２のうちの少なくとも１つを含む、請求項７乃至９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±３ｘ１０−６／Ｋ以上である、請求項７乃至１０のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±４ｘ１０−６／Ｋ以下である、請求項７乃至１１のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記基板はサファイアを含み、前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±２．５ｘ１０−６／Ｋ〜±１２．５ｘ１０−６／Ｋである、請求項７乃至１２のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記基板はサファイアを含み、前記基板の第１熱膨張係数と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±５ｘ１０−６／Ｋ以下である、請求項７乃至１３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記基板と前記発光構造物の体積熱膨張係数の平均値と、前記少なくとも２つの多層の体積熱膨張係数の平均値との差は±３ｘ１０−６／Ｋ〜±４ｘ１０−６／Ｋ以下である、請求項７乃至１４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記少なくとも２つの多層の厚さは互いに異なる、請求項７乃至１５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記第１絶縁層は分散ブラッグ反射層を含む、請求項３乃至１６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記発光素子パッケージは、
互いに電気的に分離された第１及び第２リードフレームと、
前記第１電極と前記第１リードフレームとの間に配置された第１ソルダ部と、
前記第２電極と前記第２リードフレームとの間に配置された第２ソルダ部とをさらに含む、請求項１乃至１７のいずれかに記載の発光素子パッケージ。 - 前記第１絶縁層は、０．５μｍ〜１０μｍの厚さを有する、請求項１乃至１８のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 請求項１乃至１９のいずれかに記載の前記発光素子パッケージを含む、発光装置。
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