JP6510763B2 - 発光素子パッケージ - Google Patents

Description

実施形態は、発光素子パッケージに関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、化合物半導体の特性を用いて電気を赤外線または光に変換させて信号をやり取りしたり、光源として使用される半導体素子の一種である。

III−V族窒化物半導体（ｇｒｏｕｐ III−V ｎｉｔｒｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）は、物理的及び化学的特性によって発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザーダイオード（ＬＤ）などの発光素子の核心素材として脚光を浴びている。

このような発光ダイオードは、白熱灯と蛍光灯などの既存の照明器具に使用される水銀（Ｈｇ）のような環境有害物質が含まれていないので環境性に優れ、長寿命及び低電力消費特性などのような長所があるので、既存の光源を代替している。

図１は、既存の発光素子パッケージの断面図を示す。

図１に示された既存の発光素子パッケージは、絶縁物質２０によって互いに電気的に離隔したパッケージボディー１０Ａ，１０Ｂ、発光素子３０、サブマウント４０、ワイヤ５０Ａ，５０Ｂ及びモールディング部６０で構成される。

図１の発光素子３０が深紫外線（ＤＵＶ：Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）帯域の光を放出する場合、モールディング部６０の粘度（ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ）は非常に低い。例えば、発光素子３０がブルー（ｂｌｕｅ）帯域の光を放出する場合、モールディング部６０の粘度は２０Ｐａ−ｓｅｃより大きいが、深紫外線帯域の光を放出する場合、モールディング部６０の粘度は３．２Ｐａ−ｓｅｃで、非常に低くなる。これによって、モールディング部６０は、膨らんでおらず、平たいドーム形状に形成されてしまい、光抽出効率を低下させることがある。

また、アルミニウムで具現されたパッケージボディー１０Ａ，１０Ｂとサブマウント４０との熱膨張係数の差によって、これらの接触が不良となり、製品の信頼性が低下することもある。

また、アルミニウムで具現されたパッケージボディー１０Ａ，１０Ｂと、金で具現されたワイヤ５０Ａ，５０Ｂとの間のボンディング（ｂｏｎｄｉｎｇ）信頼性が低いため、製品の不良をもたらし得る。

実施形態は、改善された光抽出効率を有する発光素子パッケージを提供する。

実施形態の発光素子パッケージは、少なくとも一つのキャビティを含むパッケージボディーと；前記少なくとも一つのキャビティ上に実装される少なくとも一つの発光素子と；前記少なくとも一つのキャビティを充填するように前記発光素子上に配置されるモールディング部材と；を含み、前記パッケージボディーは、前記キャビティの底面より高い上側部分に形成された少なくとも一つの第１リセス部を含み、前記モールディング部材は、前記少なくとも一つの第１リセス部の内側縁部まで配置することができる。

前記少なくとも一つの第１リセス部の平面形状は、前記キャビティの平面形状と同一であってもよい。

前記少なくとも一つの第１リセス部は、前記キャビティの側部の縁に隣接して配置することができる。

前記少なくとも一つの第１リセス部は、前記キャビティを取り囲む円形の平面形状であってもよい。

前記発光素子は、２００ｎｍ〜４０５ｎｍの波長を有する光を放出することができる。

前記発光素子が紫外線光を放出するときに使用される前記モールディング部材の第１粘度は、前記発光素子がブルー光を放出するときに使用される前記モールディング部材の第２粘度よりさらに低くすることができる。

前記発光素子パッケージは、前記キャビティの縁から前記第１リセス部の内側縁部までの領域の少なくとも一部において、前記モールディング部材と前記パッケージボディーとの間に配置されたコーティング層をさらに含むことができる。

前記コーティング層は、前記モールディング部材との界面エネルギーが小さい物質を含むことができる。前記コーティング層は酸化物またはポリマーを含むことができる。

前記発光素子パッケージは、前記発光素子と前記パッケージボディーとの間に配置されるサブマウントをさらに含むことができる。

前記パッケージボディーは、前記サブマウントと接して配置された少なくとも一つの第２リセス部をさらに含むことができる。前記少なくとも一つの第２リセス部は、前記サブマウントの短軸の幅よりさらに大きい幅を有し、前記サブマウントの長軸方向に配列された複数の第２リセス部を含むことができる。

前記少なくとも一つの第２リセス部の深さは、下記の通りである。

ここで、ｄは、前記少なくとも一つの第２リセス部の深さを示し、ｔは、前記複数の第２リセス部の間隔を示す。

前記少なくとも一つの第２リセス部は複数の第２リセス部を含み、前記複数の第２リセス部の長さ及び幅は互いに同一または異なっていてもよい。

前記少なくとも一つの第２リセス部の内部の少なくとも一部は空気であってもよい。

前記少なくとも一つの第２リセス部の内部の少なくとも一部に前記モールディング部材が充填されてもよい。

前記発光素子パッケージは、前記パッケージボディーと前記発光素子とを電気的に接続するワイヤをさらに含み、前記ワイヤがボンディングされる前記パッケージボディーのワイヤボンディング領域はラフネスを含むことができる。

前記ワイヤボンディング領域の表面平均粗さは、１．６μｍより大きく、２５μｍより小さくすることができる。

前記パッケージボディーはアルミニウムを含み、前記ワイヤは金（Ａｕ）を含むことができる。

他の実施形態に係る発光素子パッケージは、少なくとも一つのキャビティを含むパッケージボディーと；前記キャビティ上に実装される少なくとも一つの発光素子と；前記キャビティを充填するように前記発光素子上に配置されるモールディング部材と；を含み、前記パッケージボディーは、前記キャビティの底面より高い上側部分に形成され、前記モールディング部材の縁領域に隣接するように形成されたモールディングホールディング部（ｍｏｌｄｉｎｇ ｈｏｌｄｉｎｇ ｕｎｉｔ）を含むことができる。

前記モールディングホールディング部は、少なくとも一つの第１リセス部を含むことができる。

前記モールディング部材は、前記少なくとも一つの第１リセス部の内側縁部まで配置されてもよい。

前記モールディング部材は、前記少なくとも一つの第１リセス部を埋めながら前記第１リセス部の外側縁部まで配置されてもよい。

他の実施形態に係る発光素子パッケージは、互いに対向する第１及び第２面を有し、前記第１面上に配置された少なくとも一つのキャビティを含むパッケージボディーと；前記キャビティ内に実装される少なくとも一つの発光素子と；前記キャビティ上に配置されたモールディング部材と；を含み、少なくとも一つの第１リセス部が前記キャビティに隣接して配置され、前記少なくとも一つの第１リセス部は前記キャビティの高さより低い高さを有し、前記少なくとも一つの第１リセス部は、前記パッケージボディーの前記第１面上において前記モールディング部材の境界を定義することができる。

前記発光素子パッケージは、前記第１面上にある前記キャビティの縁と前記第１リセス部の縁との間の領域上に、前記モールディング部材と前記パッケージボディーとの間に配置されたコーティング層をさらに含むことができる。

前記サブマウントは、第１方向の幅を有し、第２方向の長さを有し、前記第１方向において前記サブマウントの幅よりさらに大きい幅を有する前記少なくとも一つの第２リセス部は、前記第２方向に配列された複数の第２リセス部を含むことができる。

前記少なくとも一つの第２リセス部の深さは、下記の通りである。

ここで、ｄは、第３方向において前記少なくとも一つの第２リセス部の深さを示し、ｔは、前記第２方向において前記複数の第２リセス部の間隔を示す。

前記第１リセス部の縁は、前記キャビティの縁に最も近い内側縁部であり得る。

前記モールディング部材は、前記第１リセス部の縁を越えて拡張されなくてもよい。

更に他の実施形態に係る発光素子パッケージは、互いに対向し、第１高さだけ互いに離隔した第１及び第２面を有するパッケージボディーと；前記パッケージボディーの前記第１面上に配置され、前記第１高さより低い第２高さを有し、トップにおいて第１幅を有し、ボトムにおいて第２幅を有するキャビティと；前記キャビティに配置され、膨らんだ形状を有するモールディング部材と；を含み、前記パッケージボディーの前記第１面から前記膨らんだ形状のピークまでの第３高さは、前記第１幅の０．１５乃至０．３５であり得る。

前記モールディング部材は、前記キャビティに充填される時点である硬化する前の形態において、３，０００ｍＰａ*ｓｅｃより小さい粘度を有することができる。

発光素子パッケージは、前記第１面上に形成され、前記第２高さよりさらに小さい高さを有するリセス部や突出部をさらに含み、前記リセス部や前記突出部が前記キャビティを取り囲むように、前記リセス部や前記突出部は前記第１幅よりさらに大きい幅を有し、前記リセス部や前記突出部の幅は前記パッケージボディーの幅より小さくすることができる。

前記リセス部や前記突出部は、前記モールディング部材の物質が前記リセス部に流れ込むか、または前記突出部を越えて延びることを防止することで、前記膨らんだ形状の前記ピークは、前記第１幅の０．１５乃至０．３５であり得る。

実施形態に係る発光素子パッケージは、少なくとも一つの第１リセス部及びコーティング層の存在によって、モールディング部材の曲率半径を既存より減少させることができるので、既存に比べて光抽出効率が約１．２倍まで向上することができ、パッケージボディーにおいて、サブマウントに隣接して少なくとも一つの第２リセス部を配置して、サブマウントとパッケージボディーとの間の熱膨張係数の差を減少させることで、接触不良の問題を防止し、製品の信頼性を向上させ、ワイヤボンディング領域にラフネスを付与することで、アルミニウム材質のパッケージボディーと金材質のワイヤとのボンディング結合力を向上させることができる。

下記の図面を参照して実施形態について詳細に説明する。ただし、図面中、同一の構成要素には同一の参照符号を付する。
既存の発光素子パッケージの断面図である。 実施形態に係る発光素子パッケージの斜視図である。 図２の発光素子パッケージの平面図である。 図３の４Ａ−４Ａ’線に沿って切断した断面図である。 図２乃至図４に示された発光素子とサブマウントとの例示的な結線構造を示す断面図である。 図４の‘Ａ’部分を拡大して示した部分断面図である。 モールディング部材の曲率半径を説明するための図である。 モールディング部材の曲率半径を説明するための図である。 既存の発光素子パッケージと実施形態の発光素子パッケージの断面を撮影した写真である。 既存の発光素子パッケージと実施形態の発光素子パッケージの断面を撮影した写真である。 図３の‘Ｂ’部分を拡大して示した平面図である。 表面平均粗さを説明するための図である。 実施形態に係る照明ユニットの斜視図である。 実施形態に係るバックライトユニットの分解斜視図である。 実施形態に係る空気殺菌装置の斜視図である。

以下、本発明を具体的に説明するために実施形態を挙げて説明し、発明に対する理解を助けるために、添付の図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施形態は、様々な形態に変形可能であり、本発明の範囲が、以下に詳述する実施形態に限定されるものと解釈されてはならない。本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。

本発明に係る実施形態の説明において、各構成要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）の「上（上部）または下（下部）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、上（上部）または下（下部）は、二つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり、一つ以上の他の構成要素が前記二つの構成要素の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。また、「上（上部）」または「下（下部）」と表現される場合、一つの構成要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。

また、以下で使用される「第１」及び「第２」、「上部」及び「下部」などのような関係的用語は、必ず、かかる実体または要素間のいかなる物理的または論理的関係または順序を要求したり、内包したりすることはなく、ある一つの実体または要素を他の実体または要素と区別するためにのみ用いることができる。

図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。

図２は、実施形態に係る発光素子パッケージ１００の斜視図を示し、図３は、図２の発光素子パッケージ１００の平面図を示し、図４は、図３の４Ａ−４Ａ’線に沿って切断した断面図を示す。便宜上、図２及び図３でモールディング部材１５０の図示は省略した。

実施形態に係る発光素子パッケージ１００は、パッケージボディー１１０、絶縁部１２０、発光素子１３０、サブマウント（ｓｕｂｍｏｕｎｔ）１４０、モールディング部材１５０、コーティング層１６０及びワイヤ１７０Ａ，１７０Ｂを含む。

パッケージボディー１１０は、絶縁部１２０によって互いに電気的に分離された第１ボディー部１１０Ａ及び第２ボディー部１１０Ｂを含む。パッケージボディー１１０は金属を含ませて形成することができる。もし、発光素子（または、発光素子チップ）１３０が深紫外線（ＤＵＶ：Ｄｅｅｐ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）帯域の光を放出する場合、反射率を高め、放熱特性を向上させるために、パッケージボディー１１０の材質はアルミニウムＡｌを含むことができる。

また、パッケージボディー１１０の第１及び第２ボディー部１１０Ａ，１１０Ｂは、少なくとも一つのキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）１１２を形成する。ここで、キャビティ１１２は、カップ状の断面形状を有することができ、図４を参照すると、キャビティ１１２の底面１１２Ａと側面１１２Ｂとの間の角度θは３０°〜６０°とすることができる。

図２乃至図４において、発光素子１３０及びサブマウント１４０は、パッケージボディー１１０の第１ボディー部１１０Ａ上に配置されているが、実施形態はこれに限定されない。すなわち、他の実施形態によれば、図２乃至図４に示したものとは異なり、発光素子１３０及びサブマウント１４０は、パッケージボディー１１０の第２ボディー部１１０Ｂ上に配置してもよい。

以下、図２乃至図４に例示したように、発光素子１３０が、サブマウント１４０を介してパッケージボディー１１０とフリップボンディング構造で連結されているものとして説明するが、実施形態はこれに限定されない。すなわち、他の実施形態によれば、発光素子１３０は、水平または垂直型にパッケージボディー１１０と連結可能であり、この場合、サブマウント１４０なしに、発光素子１３０はキャビティ１１２内のパッケージボディー１１０上に実装される。例えば、発光素子１３０はキャビティ１１２の底面１１２Ａに直接実装することができる。

発光素子１３０はサブマウント１４０上に配置され、サブマウント１４０は、キャビティ１１２内の底面１１２Ａにおいてパッケージボディー１１０上に実装される。すなわち、サブマウント１４０は、発光素子１３０と第１ボディー部１１０Ａとの間に配置される。

発光素子１３０は、複数の化合物半導体層、例えば、III−V族元素の化合物半導体層を用いたＬＥＤを含み、ＬＥＤは、青色、緑色、または赤色などのような光を放出する有色ＬＥＤ、紫外線（ＵＶ：ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）ＬＥＤ、深紫外線（ＤＵＶ）ＬＥＤまたは無分極ＬＥＤであってもよい。ＬＥＤの放出光は、様々な半導体を用いて具現することができ、これに対して限定しない。

図５は、図２乃至図４に示した発光素子１３０とサブマウント１４０との例示的な結線構造を示す断面図である。

発光素子１３０は、基板１３１、バッファ層１３２、発光構造物１３３，１３４，１３５、及び第１及び第２電極１３６Ａ，１３６Ｂを含む。

活性層１３４から放出された光が基板１３１を介して出射され得るように、基板１３１は透光性を有することができる。例えば、基板１３１は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅのうち少なくとも一つで形成することができ、これらに限定されない。また、基板１３１は、全体窒化物半導体に反りをもたらすことなく、スクライビング（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程及びブレーキング（ｂｒｅａｋｉｎｇ）工程を通じて別個のチップに容易に分離できる程度の機械的強度を有することができる。

バッファ層１３２は、基板１３１と発光構造物１３３，１３４，１３５との間に配置されて、基板１３１と発光構造物１３３，１３４，１３５との間の格子整合を改善させる役割を果たす。例えば、バッファ層１３２は、ＡｌＮまたはアンドープ窒化物を含むことができるが、これに限定されない。バッファ層１３２は、基板１３１の種類と発光構造物１３３，１３４，１３５の種類によって省略してもよい。

発光構造物は、バッファ層１３２の下部に配置され、第１導電型半導体層１３３、活性層１３４及び第２導電型半導体層１３５が順次積層された形態であってもよい。

第１導電型半導体層１３３は、バッファ層１３２と活性層１３４との間に配置され、半導体化合物で形成することができる。III−V族、II−VI族などの化合物半導体で具現することができ、第１導電型ドーパントがドープされてもよい。例えば、第１導電型半導体層１３３は、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{（１-ｘ-ｙ）}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか一つ以上で形成することができる。第１導電型半導体層１３３がｎ型半導体層である場合、第１導電型ドーパントは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのようなｎ型ドーパントを含むことができる。第１導電型半導体層１３３は単層または多層に形成することができ、これに限定されない。もし、図５に例示した発光素子１３０が、紫外線（ＵＶ）、深紫外線（ＤＵＶ）または無分極発光素子の場合、第１導電型半導体層１３３は、ＩｎＡｌＧａＮ及びＡｌＧａＮのうち少なくとも一つを含むことができる。

活性層１３４は、第１導電型半導体層１３３と第２導電型半導体層１３５との間に配置され、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造、量子点構造または量子線構造のいずれか一つを含むことができる。活性層１３４は、III−V族元素の化合物半導体材料を用いて、井戸層と障壁層、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）、／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのいずれか一つ以上のペア構造で形成することができるが、これに限定されない。井戸層は、障壁層のエネルギーバンドギャップよりも小さいエネルギーバンドギャップを有する物質で形成することができる。特に、実施形態による活性層１３４は、紫外線または深紫外線波長の光を生成することができる。

第２導電型半導体層１３５は、活性層１３４の下部に配置することができる。第２導電型半導体層１３５は半導体化合物で形成することができる。第２導電型半導体層１３５は、III−V族、II−VI族などの化合物半導体で具現することができ、第２導電型ドーパントがドープされてもよい。例えば、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質またはＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか一つ以上で形成することができる。第２導電型半導体層１３５がｐ型半導体層である場合、第２導電型ドーパントは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのようなｐ型ドーパントであってもよい。第２導電型半導体層１３５は単層または多層に形成することができ、これに限定されない。もし、発光素子１３０が、紫外線（ＵＶ）、深紫外線（ＤＵＶ）または無分極発光素子である場合、第２導電型半導体層１３５は、ＩｎＡｌＧａＮ及びＡｌＧａＮのうち少なくとも一つを含むことができる。

次に、第１電極１３６Ａは、第１導電型半導体層１３３の下部に配置される。第１電極１３６Ａは、例えば、ＡｌＮ及びＢＮのうち少なくとも一つを含むことができるが、これに限定されない。すなわち、活性層１３４から放出された光を吸収せずに、反射させたり透過させたりすることができ、第１導電型半導体層１３３上に良質に成長できる物質であればいずれも、第１電極１３６Ａを形成することができる。

また、第１電極１３６Ａがオーミック接触する物質を含むことでオーミックの役割を果たす場合、別途のオーミック層（図示せず）を配置しなくてもよく、または別途のオーミック層を第１電極１３６Ａの上部に配置してもよい。

また、第２電極１３６Ｂは、第２導電型半導体層１３５に接しており、金属で形成することができる。例えば、第２電極１３６Ｂは、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ、及びこれらの選択的な組み合わせからなることができる。

第２電極１３６Ｂは、透明伝導性酸化膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）であってもよい。例えば、第２電極１３６Ｂは、前述した金属物質と、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうち少なくとも一つを含むことができ、これらの材料に限定されない。第２電極１３６Ｂは、第２導電型半導体層１３５とオーミック接触する物質を含むことができる。

また、第２電極１３６Ｂは、オーミック特性を有する反射電極材料で単層または多層に形成することができる。もし、第２電極１３６Ｂがオーミックの役割を果たす場合、別途のオーミック層（図示せず）は形成しなくてもよい。

一方、図５に示すように、発光素子パッケージ１００は、発光素子１３０とサブマウント１４０との間に配置された保護層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）１４２、第１及び第２電極パッド１４４Ａ，１４４Ｂ、及び第１及び第２バンプ１４６Ａ，１４６Ｂをさらに含むことができる。

図５に例示したフリップボンディング構造を有する発光素子１３０の第１及び第２電極１３６Ａ，１３６Ｂは、フリップ方式でサブマウント１４０上に位置する。

サブマウント１４０は、例えば、ＡｌＮ、ＢＮ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＧａＮ、ＧａＡｓ、Ｓｉなどの半導体基板からなることができ、これに限定されず、熱伝導度に優れた半導体物質からなってもよい。また、サブマウント１４０内にツェナーダイオード形態の静電気（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）防止のための素子が含まれていてもよい。

第１電極１３６Ａは、第１バンプ１４６Ａを介してサブマウント１４０の第１電極パッド１４４Ａに連結され、第２電極１３６Ｂは、第２バンプ１４６Ｂを介してサブマウント１４０の第２電極パッド１４４Ｂに連結される。ワイヤ１７０Ａ，１７０Ｂは、パッケージボディー１１０と発光素子１３０とを電気的に接続する役割を果たす。すなわち、第１電極パッド１４４Ａは、ワイヤ１７０Ａを介して第１ボディー部１１０Ａのワイヤボンディング領域１１６Ａと連結され、第２電極パッド１４４Ｂは、ワイヤ１７０Ｂを介して第２ボディー部１１０Ｂのワイヤボンディング領域１１６Ｂと連結される。

図示していないが、第１電極１３６Ａと第１バンプ１４６Ａとの間に第１上部バンプ金属層（図示せず）をさらい配置し、第１電極パッド１４４Ａと第１バンプ１４６Ａとの間に第１下部バンプ金属層（図示せず）をさらに配置してもよい。ここで、第１上部バンプ金属層及び第１下部バンプ金属層は、第１バンプ１４６Ａが位置する場所を表示する役割を果たす。これと同様に、第２電極１３６Ｂと第２バンプ１４６Ｂとの間に第２上部バンプ金属層（図示せず）をさらに配置し、第２電極パッド１４４Ｂと第２バンプ１４６Ｂとの間に第２下部バンプ金属層（図示せず）をさらに配置してもよい。ここで、第２上部バンプ金属層及び第２下部バンプ金属層は、第２バンプ１４６Ｂが位置する場所を表示する役割を果たす。

もし、サブマウント１４０がＳｉからなる場合、図５に例示したように、第１及び第２電極パッド１４４Ａ，１４４Ｂとサブマウント１４０との間に保護層１４２をさらに配置してもよい。ここで、保護層１４２は絶縁物質からなることができる。

一方、モールディング部材１５０は、パッケージボディー１１０のキャビティ１１２を充填するように発光素子１３０上に配置される。モールディング部材１５０は、発光素子１３０、及びワイヤボンディング領域１１６Ａ，１１６Ｂにボンディングされたワイヤ１７０Ａ，１７０Ｂを包囲して保護する。また、モールディング部材１５０は、蛍光体を含むことで、発光素子１３０から放出された光の波長を変化させることができる。

一方、実施形態に係るパッケージボディー１１０は、キャビティ１１２の底面より高い上側部分に形成され、モールディング部材１５０の縁領域に隣接するように形成されてモールディング部材１５０をホールディングする、少なくとも一つのモールディングホールディング（ｍｏｌｄｉｎｇ ｈｏｌｄｉｎｇ）部を含むことができる。ここで、モールディング部材１５０の“ホールディング”とは、モールディング部材１５０が平たく水平方向に広がる現象を阻止すること、又はモールディング部材１５０とパッケージボディー１１０との間の結合力を向上させることのうち少なくとも一つを意味することができる。

例えば、モールディングホールディング部は、パッケージボディー１１０の上側部分１１０Ｂ−１に形成された少なくとも一つの第１リセス部１１４を含むことができる。以下、モールディングホールディング部は第１リセス部１１４を含むものとして説明するが、実施形態はこれに限定されない。すなわち、モールディングホールディング部は、第１リセス部１１４の代わりに、第１リセス部１１４が位置した所に突出した突出部（図示せず）を含むこともできる。

少なくとも一つの第１リセス部１１４は、パッケージボディー１１０において、キャビティ１１２の底面１１２Ａより高い上側１１０Ｂ−１に形成され、キャビティ１１２の側部１１２Ｂの縁に隣接して配置可能である。

図６は、図４の‘Ａ’部分を拡大して示した部分断面図を示す。

図６を参照すると、モールディング部材１５０は、少なくとも一つの第１リセス部１１４の内側縁部１１４Ａまで配置することができる。

図７Ａ及び図７Ｂは、モールディング部材１５０の曲率半径を説明するための図である。

もし、発光素子１３０が、２００ｎｍ〜４０５ｎｍの波長帯域を有する光を放出する場合、前述したように、ブルー光を放出する場合より粘度が低いゲル（ｇｅｌ）形態のモールディング部材１５０が使用される。例えば、発光素子１３０がブルー光を放出する場合、キャビティ１１２に充填される時点にモールディング部材１５０の粘度は３，０００ｍＰａｓｅｃ〜３０，０００ｍＰａｓｅｃである。反面、発光素子１３０が２００ｎｍ〜４０５ｎｍの波長帯域を有する光を放出する場合、キャビティ１１２に充填される時点にモールディング部材１５０の粘度は０〜３，０００ｍＰａｓｅｃであり得る。

この場合、図７Ａに示すように、粘度の低いモールディング部材６０は、膨らんだ半球形状ではなく、矢印方向に広がって平たくなった半球形状を有する傾向がある。このように、モールディング部材１５０の曲率半径が大きい場合、発光素子パッケージの光抽出効率が低下する。

しかし、実施形態による発光素子パッケージ１００の場合、少なくとも一つの第１リセス部１１４がパッケージボディー１１０の上側１１０Ｂ−１に配置されているので、粘度の低いモールディング部材１５０は、矢印方向の表面張力の影響によって水平方向に平たく広がる現象が阻止されて、図７Ｂに示すように、膨らんだ半球形状またはドーム（ｄｏｍｅ）形状を有することができる。

発光素子３０が４３０ｎｍ〜４８５ｎｍの波長帯域を有する光を放出する場合、図１に示した既存の発光素子パッケージにおいて、キャビティの上側を基準とするモールディング部材６０の第１高さｈ１は０〜０．１Ｄである。ここで、Ｄは、パッケージボディー１１０の上側部分１１０Ｂ−１に載せられるモールディング部材１６０の幅を意味する。反面、発光素子１３０が２００ｎｍ〜４０５ｎｍの波長帯域を有する光を放出する場合、図４を参照すると、キャビティ１１２の上側１１０Ｂ−１を基準とするモールディング部材１５０の第２高さｈ２は０．１５Ｄ〜０．３５Ｄであり得る。このように、リセス部１１４が配置されることによって、モールディング部材１５０の第２高さｈ２は、既存の第１高さｈ１よりも０．０５Ｄ〜０．３５Ｄだけ増加することができる。すなわち、高さの差（ｈ２−ｈ１）は０．０５Ｄ〜０．３５Ｄであり得る。

また、キャビティ１１２の上側１１０Ｂ−１の幅ｗが小さいほど、第２高さｈ２は増加し得る。ここで、幅ｗが１．０mmより小さい場合、発光素子１３０をパッケージボディー１１０に付着することができない。したがって、幅ｗは１．０mm以上とすることができる。

したがって、実施形態によれば、幅ｗに対する第２高さｈ２の比率ｈ２／ｗは、幅ｗがＤとほぼ同一であれば、０．１５〜０．３５であり得る。

このとき、図４及び図６に示すように、キャビティ１１２の縁から少なくとも一つの第１リセス部１１４の内側縁部１１４Ａまでの領域Ｒの少なくとも一部において、モールディング部材１５０とパッケージボディー１１０との間にコーティング層１６０がさらに配置されてもよい。このように、コーティング層１６０がさらに配置される場合、そうでない場合に備えてモールディング部材１５０がさらに膨らんだ半球形状を有することができる。そのために、コーティング層１６０は、モールディング部材１５０との界面エネルギーが小さい物質からなることができる。例えば、コーティング層１６０は、ＳｉＯ_２などの酸化物またはポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）のうち少なくとも一つを含むことができる。

このようにコーティング層１６０が配置される場合、第２高さｈ２は、０．３５Ｄ〜０．５０Ｄだけ増加することができる。

または、図６に示したものとは異なり、モールディング部材１５０は、少なくとも一つの第１リセス部１１４を埋めながら第１リセス部１１４の外側縁部まで配置されてもよい。この場合、パッケージボディー１１０とモールディング部材１５０との間の結合力を向上させることができる。

図８Ａ及び図８Ｂは、既存の発光素子パッケージと実施形態の発光素子パッケージの断面を撮影した写真を示す。

もし、発光素子３０，１３０が深紫外線帯域の波長を有する光を放出する場合、図８Ａに示した既存の発光素子パッケージにおけるモールディング部６０の曲率半径よりも、図８Ｂに示した実施形態の発光素子パッケージ１００におけるモールディング部材１５０の曲率半径がさらに小さいので、モールディング部材１５０がモールディング部６０よりさらに膨らんだ形状を有することがわかる。

前述したように、少なくとも一つの第１リセス部１１４及びコーティング層１６０の存在によって、実施形態による発光素子パッケージ１００において、モールディング部材１５０の曲率半径は３．８mmまで小さくなることができるので、既存に比べて光抽出効率を約１．２倍まで向上させることができる。

また、実施形態によれば、少なくとも一つの第１リセス部１１４の平面形状は、キャビティ１１２の平面形状によって多様にすることができる。例えば、少なくとも一つの第１リセス部１１４の平面形状は、キャビティ１１２の平面形状と同一であってもよい。例えば、図２及び図３に例示したように、キャビティ１１２の平面形状が円形の場合、第１リセス部１１４の平面形状は、キャビティ１１２を取り囲む円形とすることができる。しかし、実施形態はこれに限定されない。

一方、前述したように、発光素子１３０から放出された光を上部に反射させるために、パッケージボディー１１０の材質としてアルミニウムを使用することができる。この場合、アルミニウムからなるパッケージボディー１１０とサブマウント１４０との間の熱膨張係数の差によって接触不良が発生し得る。これを解消するために、図３及び図４に例示したように、パッケージボディー１１０は、少なくとも一つの第２リセス部１１８をさらに含むことができる。

少なくとも一つの第２リセス部１１８は、キャビティ１１２内でサブマウント１４０と接し、発光素子１３０が配置されたパッケージボディー１１０の上側に配置される。実施形態による、少なくとも一つの第２リセス部１１８の幅、深さ及び個数は、次の通りである。

図９は、図３の‘Ｂ’部分を拡大して示した平面図を示す。

図９を参照すると、少なくとも一つの第２リセス部１１８は、サブマウント１４０の短軸（すなわち、ｘ軸）の幅Ｗ１よりさらに大きい幅Ｗ２を有することができ、複数個の第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｂ，１１８Ｃがサブマウント１４０の長軸（すなわち、ｙ軸）方向に配列されてもよい。

また、少なくとも一つの第２リセス部１１８の深さｄは、次の数式１の通りである。

ここで、ｔは、複数の第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｂ，１１８Ｃの間隔すなわち、第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｂ，１１８Ｃ間の離隔距離を示す。

もし、第２リセス部１１８の深さｄがｔ以下であれば、サブマウント１４０とパッケージボディー１１０間の熱膨張係数の差によるストレスが緩衝されないことがあり、深さｄが５ｔ以上であれば、熱伝達が遅くなることがある。したがって、第２リセス部１１８の深さは、数式１の通りである。

また、第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｂ，１１８Ｃのうちサブマウント１４０の長軸（ｙ軸）の外郭に配置された第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｃは、サブマウント１４０より長軸方向にさらに突出して形成され得る。すなわち、Δｙは、０より大きくすることができる。

図９の場合、３個の第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｂ，１１８Ｃのみが図示されているが、これよりさらに少ない又は多い第２リセス部を配置できることは勿論である。また、図３、図４及び図９において、複数の第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｂ，１１８Ｃの深さｄ及び幅Ｗ２は全て同一であるものとして図示しているが、実施形態はこれに限定されず、複数の第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｂ，１１８Ｃの深さｄ及び幅Ｗ２は互いに異なっていてもよい。

また、第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｂ，１１８Ｃの内部の少なくとも一部は空気であってもよい。しかし、モールディング部材１５０がキャビティ１１２を充填するとき、モールディング部材１５０が第２リセス部１１８Ａ，１１８Ｂ，１１８Ｃの内部に浸透して存在してもよい。

前述したように、パッケージボディー１１０において、サブマウント１４０に隣接して少なくとも一つの第２リセス部１１８が配置されるので、サブマウント１４０とパッケージボディー１１０との間の熱膨張係数の差が減少することができる。したがって、ｘ軸及びｙ軸方向への引張応力が減少して接触不良の問題を防止できるので、発光素子パッケージ１００の信頼性が向上する。

一方、アルミニウム材質のパッケージボディー１１０と金（Ａｕ）材質のワイヤ１７０Ａ，１７０Ｂとのボンディング結合力が強くない。これを解消するために、実施形態によれば、図２乃至図５に例示したワイヤ１７０Ａ，１７０Ｂがボンディングされるパッケージボディー１１０のワイヤボンディング領域１１６Ａ，１１６Ｂは、ラフネス（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有することができる。反面、キャビティ１１２内においてワイヤボンディング領域１１６Ａ，１１６Ｂを除外した領域は、内部反射度を向上させるために、ラフネスを有さずに滑らかにすることができる。例えば、ワイヤボンディング領域１１６Ａ，１１６Ｂの表面平均粗さ（Ｒａ：ａｖｅｒａｇｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）は、１．６μｍより大きく、２５μｍより小さくすることができ、キャビティ１１２内でワイヤボンディング領域１１６Ａ，１１６Ｂを除外した領域の表面平均粗さは、１．６μｍとすることができる。

図１０は、表面平均粗さ（Ｒ_ａ）を説明するための図である。

図１０を参照すると、表面平均粗さは、表面平均高さとの差の絶対値に対する算術平均を意味し、次の数式２の通りである。

前述したように、実施形態に係るワイヤボンディング領域１１６Ａ，１１６Ｂはラフネスを有するので、アルミニウム材質のパッケージボディー１１０と金材質のワイヤ１７０Ａ，１７０Ｂとのボンディング結合力を向上させることができる。

他の実施形態に係る発光素子パッケージは複数個が基板上にアレイされ、発光素子パッケージから放出される光の経路上に、光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどを配置することができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、殺菌装置、バックライトユニットとして機能したり、または照明ユニットとして機能することができ、例えば、照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、街灯を含むことができる。

図１１は、実施形態に係る照明ユニット３００の斜視図である。但し、図１１の照明ユニット３００は照明システムの一例であり、これに限定されるものではない。

実施形態において、照明ユニット３００は、ケースボディー３１０と、ケースボディー３１０に設置され、外部電源から電源の提供を受ける接続端子３２０と、ケースボディー３１０に設置された発光モジュール部３３０とを備えることができる。

ケースボディー３１０は、放熱特性の良好な材質で形成され、金属または樹脂で形成することができる。

発光モジュール部３３０は、基板３３２と、基板３３２に搭載される少なくとも一つの発光素子パッケージ１００とを備えることができる。ここで、発光素子パッケージ１００は、図２乃至図５に例示した発光素子パッケージに該当するので、同一の参照符号を使用する。

基板３３２は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであってもよく、例えば、一般の印刷回路基板（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）、メタルコア（ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅ）ＰＣＢ、軟性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）ＰＣＢ、セラミックＰＣＢなどを含むことができる。

また、基板３３２は、光を効率的に反射する材質で形成するか、または表面を光が効率的に反射されるカラー、例えば、白色、銀色などで形成することができる。

基板３３２上には少なくとも一つの発光素子パッケージ１００を搭載することができる。発光素子パッケージ１００のそれぞれは、少なくとも一つの発光素子１３０、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を含むことができる。発光ダイオードは、赤色、緑色、青色または白色の有色光をそれぞれ発する有色発光ダイオード、及び紫外線ＵＶ（特に、深紫外線）を発するＵＶ（特に、ＤＵＶ）発光ダイオードを含むことができる。

発光モジュール部３３０は、色感及び輝度を得るために、様々な発光素子パッケージ１００の組み合わせを有するように配置することができる。例えば、高演色性（ＣＲＩ）を確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置することができる。

接続端子３２０は、発光モジュール部３３０と電気的に接続されて電源を供給することができる。実施形態において、接続端子３２０は、ソケット方式で外部電源に螺合されるが、これに限定されない。例えば、接続端子３２０は、ピン（ｐｉｎ）形状に形成されて外部電源に挿入されるか、または配線により外部電源に連結されてもよい。

図１２は、実施形態に係るバックライトユニット４００の分解斜視図である。但し、図１２のバックライトユニット４００は照明システムの一例であり、これに限定されない。

実施形態に係るバックライトユニット４００は、導光板４１０と、導光板４１０の下の反射部材４２０と、ボトムカバー４３０と、導光板４１０に光を提供する発光モジュール部４４０とを含む。ボトムカバー４３０は、導光板４１０、反射部材４２０及び発光モジュール部４４０を収納する。

導光板４１０は、光を拡散して、面光源化する役割を果たす。導光板４１０は、透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＣＯＣ（ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉｎ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）及びＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂のうち一つを含むことができる。

発光モジュール部４４０は、導光板４１０の少なくとも一側面に光を提供し、究極的にはバックライトユニットが設置されるディスプレイ装置の光源として作用するようになる。

発光モジュール部４４０は、導光板４１０と接することができるが、これに限定されない。具体的に、発光モジュール部４４０は、基板４４２と、基板４４２に搭載された複数の発光素子パッケージ１００とを備える。ここで、発光素子パッケージは、図２乃至図４に例示した光素子パッケージ１００に該当するので、同一の参照符号を使用する。

基板４４２は、導光板４１０と接することができるが、これに限定されない。基板４４２は、回路パターン（図示せず）を含むＰＣＢであってもよい。但し、基板４４２は、一般のＰＣＢのみならず、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ、Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅ ＰＣＢ）、軟性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）ＰＣＢなどを含むこともでき、これに限定されない。

そして、複数の発光素子パッケージ１００は、基板４４２上に光が放出される発光面が導光板４１０と所定距離離隔するように搭載することができる。

導光板４１０の下には反射部材４２０を形成することができる。反射部材４２０は、導光板４１０の下面に入射された光を反射させて上方に向かうようにすることによって、バックライトユニットの輝度を向上させることができる。反射部材４２０は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成することができるが、これらに限定されない。

ボトムカバー４３０は、導光板４１０、発光モジュール部４４０及び反射部材４２０などを収納することができる。そのために、ボトムカバー４３０は、上面が開口されたボックス（ｂｏｘ）形状に形成することができるが、これに限定されない。

ボトムカバー４３０は、金属または樹脂で形成することができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造することができる。

更に他の実施形態に係る発光素子パッケージにおいて、発光素子が深紫外線帯域の光を放出する場合、前述した発光素子パッケージ１００は各種殺菌装置に適用することができる。

図１３は、実施形態に係る空気殺菌装置５００の斜視図を示す。

図１３を参照すると、空気殺菌装置５００は、ケーシング５０１の一面に実装された発光モジュール部５１０と、放出された深紫外線波長帯域の光を乱反射させる乱反射反射部材５３０ａ，５３０ｂと、発光モジュール部５１０で必要な可用電力を供給する電源供給部５２０とを含む。

まず、ケーシング５０１は、長方形構造からなり、発光モジュール部５１０、乱反射反射部材５３０ａ，５３０ｂ及び電源供給部５２０を全て内蔵する一体型、すなわち、コンパクトな構造で形成することができる。また、ケーシング５０１は、空気殺菌装置５００の内部で発生した熱を外部に放出させるのに効果的な材質及び形状を有することができる。例えば、ケーシング５０１の材質は、Ａｌ、Ｃｕ及びこれらの合金のいずれか一つの材質からなることができる。したがって、ケーシング５０１の外気との熱伝逹効率が向上して、放熱特性を改善させることができる。

または、ケーシング５０１は、特有の外部表面形状を有することができる。例えば、ケーシング５０１は、コルゲーション（ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎ）またはメッシュ（ｍｅｓｈ）または不特定の凹凸形状に突出形成される外部表面形状を有することができる。したがって、ケーシング５０１の外気との熱伝逹効率がさらに向上して、放熱特性を改善させることができる。

一方、このようなケーシング５０１の両端には付着板５５０をさらに配置することができる。付着板５５０は、図１３に例示したように、ケーシング５０１を全体設備装置に拘束させて固定するのに使用されるブラケット機能の部材を意味する。このような付着板５５０は、ケーシング５０１の両端から一側方向に突設することができる。ここで、一側方向は、深紫外線が放出され、乱反射が起こるケーシング５０１の内側方向であり得る。

したがって、ケーシング５０１から両端上に備えられた付着板５５０は、全体設備装置との固定領域を提供することで、ケーシング５０１をより効果的に固定設置できるようにする。

付着板５５０は、ねじ締結手段、リベット締結手段、接着手段及び着脱手段のいずれか一つの形態を有することができ、これら様々な結合手段の方式は当業者の水準で自明であるので、ここでは詳細な説明を省略する。

一方、発光モジュール部５１０は、前述したケーシング５０１の一面上に実装される形態で配置される。発光モジュール部５１０は、空気中の微生物を殺菌処理するよう深紫外線を放出する役割を果たす。そのために、発光モジュール部５１０は、基板５１２と、基板５１２に搭載された複数の発光素子パッケージ１００とを備える。ここで、発光素子パッケージは、図２乃至図４に例示した発光素子パッケージ１００に該当するので、同一の参照符号を使用する。

基板５１２は、ケーシング５０１の内面に沿って単一の列に配置されており、回路パターン（図示せず）を含むＰＣＢであってもよい。但し、基板５１２は、一般のＰＣＢのみならず、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ、Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅ ＰＣＢ）、軟性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）ＰＣＢなどを含むこともでき、これに限定されない。

次に、乱反射反射部材５３０ａ，５３０ｂは、前述した発光モジュール部５１０から放出された深紫外線を強制的に乱反射させるように形成される反射板形態の部材を意味する。このような乱反射反射部材５３０ａ，５３０ｂの前面形状及び配置形状は様々な形状を有することができる。乱反射反射部材５３０ａ，５３０ｂの面状構造（例：曲率半径など）を少しずつ変更して設計することによって、乱反射された深紫外線が重畳するように照射されて照射強度が強くなったり、または照射される領域の幅が拡張され得る。

電源供給部５２０は、電源を導入して、前述した発光モジュール部５１０で必要な可用電力を供給する役割を果たす。このような電源供給部５２０は、前述したケーシング５０１内に配置することができる。図１３に例示したように、電源供給部５２０は、乱反射反射部材５３０ａ，５３０ｂと発光モジュール部５１０との間の離隔空間の内壁側に配置することができる。外部電源を電源供給部５２０側に導入するために、相互間を電気的に接続する電源連結部５４０をさらに配置することができる。

図１３に例示したように、電源連結部５４０の形態は面状であってもよいが、外部の電源ケーブル（図示せず）が電気的に接続できるソケットまたはケーブルスロットの形態を有してもよい。そして、電源ケーブルは、フレキシブルな延長構造を有し、外部電源との接続が容易な形態からなることができる。

以上、実施形態を中心に説明したが、これは単なる例示で、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示していない種々の変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施形態に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用による差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。

Claims (12)

1. 互いに対向する第１及び第２面を有し、前記第１面上に配置されたキャビティ並びに前記キャビティに隣接して配置された第１リセス部及び前記キャビティの底面に配置された第２リセス部を含むパッケージボディーと、
   前記第２リセス部上に配置されたサブマウントと、
   前記キャビティ内に実装され、且つ、前記サブマウント上に配置された発光素子と、
   前記キャビティを充填するように配置されたモールディング部材とを含み、
   前記パッケージボディーは、それぞれが金属を含む第１ボディー部及び第２ボディー部を含み、
   前記発光素子は、その下面側に、前記第１ボディー部と第１ワイヤを介して電気的に接続された第１電極及び前記第２ボディー部と第２ワイヤを介して電気的に接続された第２電極を含み、
   前記モールディング部材は、単一の材料によって構成され、
   前記モールディング部材が前記第１リセス部を埋めながら前記第１リセス部の外側縁部まで配置される、発光素子パッケージ。
2. 前記サブマウントは、第１方向の幅を有し、第２方向の長さを有し、
   前記第２リセス部は、複数存在し、
   複数の前記第２リセス部は、前記第２方向に配列され、
   複数の前記第２リセス部のそれぞれは、前記第１方向において前記サブマウントの幅よりさらに大きい幅を有する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
3. 前記第２リセス部の深さは下記の通りである、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
   

   

   
   （ここで、ｄは、第３方向において前記第２リセス部の深さを示し、ｔは、前記第２方向において隣接する２つの前記第２リセス部の間隔を示す。）
4. 前記第２リセス部は複数存在し、複数の前記第２リセス部の長さ及び幅は互いに同一である、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
5. 前記第２リセス部は複数存在し、複数の前記第２リセス部の長さ及び幅は互いに異なる、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
6. 前記第２リセス部の内部の少なくとも一部に空気が配置される、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
7. 前記第２リセス部の内部の少なくとも一部に前記モールディング部材が配置された、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
8. 前記第１ワイヤがボンディングされる前記第１ボディー部の第１ワイヤボンディング領域はラフネスを含み、
   前記第２ワイヤがボンディングされる前記第２ボディー部の第２ワイヤボンディング領域はラフネスを含む、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
9. 前記第１ワイヤボンディング領域及び前記第２ワイヤボンディング領域の表面平均粗さは１．６μｍより大きく、２５μｍより小さい、請求項８に記載の発光素子パッケージ。
10. 前記パッケージボディーはアルミニウムを含み、前記第１ワイヤ及び前記第２ワイヤは金（Ａｕ）を含む、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
11. 互いに対向し、第１高さだけ互いに離隔した第１及び第２面を有するパッケージボディーであって、前記第１面上に配置され、前記第１高さより低い第２高さを有し、トップにおいて第１幅を有し、ボトムにおいて第２幅を有するキャビティ、並びに、前記第１面上に配置され、前記第２高さよりさらに低い高さを有する第１リセス部、及び、前記キャビティの底面に配置された第２リセス部を含むパッケージボディーと、
    前記キャビティを充填するように配置され、膨らんだ形状を有するモールディング部材とを含み、
    前記パッケージボディーの前記第１面から前記膨らんだ形状のピークまでの第３高さは、前記第１幅の０．１５乃至０．３５であり、
    前記パッケージボディーは、それぞれが金属を含む第１ボディー部及び第２ボディー部を含み、
    前記モールディング部材は、単一の材料によって構成され、
    前記モールディング部材が前記第１リセス部を埋めながら前記第１リセス部の外側縁部まで配置される、発光素子パッケージ。
12. 前記第１リセス部が前記キャビティを取り囲むように、前記第１リセス部は前記第１幅よりさらに大きい幅を有し、前記第１リセス部の幅は前記パッケージボディーの幅より小さい、請求項１１に記載の発光素子パッケージ。

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